JPS63153808A - 厚膜コンデンサの製造方法 - Google Patents

厚膜コンデンサの製造方法

Info

Publication number
JPS63153808A
JPS63153808A JP30091086A JP30091086A JPS63153808A JP S63153808 A JPS63153808 A JP S63153808A JP 30091086 A JP30091086 A JP 30091086A JP 30091086 A JP30091086 A JP 30091086A JP S63153808 A JPS63153808 A JP S63153808A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thick film
dielectric
capacitor
film capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30091086A
Other languages
English (en)
Inventor
佐伯 啓二
修一 村上
浩一 熊谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP30091086A priority Critical patent/JPS63153808A/ja
Publication of JPS63153808A publication Critical patent/JPS63153808A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は厚膜コンデンサの製造方法に関するものである
従来の技術 従来、へイブリッドICに適用される厚膜コンデンサは
、一般にスクリーン印刷によって製造されていた。すな
わち、第8図に示すように基板21上に所定の印刷パタ
ーンを形成したスクリーン22を配置し、このスクリー
ン22上に導体ペースト又は誘電体ペースト23を載せ
、これをスクイジー24にてスクリーン22を通して基
板21上に押し出すことによって電極や誘電体を形成し
、コンデンサを製造していた。
発明が解決しようとする問題点 ところが、スクリーン印刷による場合、印刷時に導体ペ
ーストや誘電体ペーストがスクリーンを通過する際に空
気を巻き込んでピンホールを発生し易く、コンデンサの
特性に対する信頼性が低いという問題があった。そのた
め、コンデンサの特性に対する精度と信頼性が強く要求
される場合には、ハイブリッドICにおいても、コンデ
ンサは基板とは別の個別部品のコンデンサを用いざるを
得ないという問題があった。又、異なった特性のコンデ
ンサを製造する場合は、それぞれに対応したスクリーン
を準備しなければならず、さらに一種のコンデンサに対
応するスクリーンにおいても、正確な特性を有するコン
デンサが必要な場合には何度もスクリーンを作り直す必
要があり、従って多品種少量生産の場合には総体的な生
産性が者しく悪くなり、コスト高となるという問題があ
った。
一方、スクリーン印刷と並んで、厚膜描画装置を用いて
基板上に導体ペーストにてパターンを描くことによって
、導体配線を行うことは知られている。しかし、従来の
P¥膜措画装置における吐出ノズルの吐出幅は通常0.
2mm程度であり、この厚膜描ff1装置を厚膜コンデ
ンサの1!!遣に適用するということは考えられていず
、そのまま適用した場合には、tt49図に示すように
1つの電極又は誘電体25を形成するために吐出ノズル
26を何度も往復移動させる必要があり、生産性が極め
て悪く、しかも信頼性のある特性を安定して得ることが
難しいという問題がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、信頼性の高い特性
を有する厚膜コンデンサを生産性よく製造で鯵る厚膜コ
ンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するため、形成すべきコンデン
サの幅方向に吐出幅の広い吐出ノズルを有するIPig
描画装置を用いて、基板上に第1電極を形成し、この第
1電極の上に誘電体を形成し、この誘電体の上に第2電
極を形成することを特徴とする。
又、本発明に係るPA2発明は、第1電極、誘電体、第
2電極を描画形成して乾燥した後、一括して焼成するこ
とを特徴とし、第3発明は、tjIJ1電極、誘電体及
び第2電極をそれぞれ描画形成して乾燥した後、各別に
焼成することを特徴とし、第4発明は、第1′KL極を
描画形成して乾燥した後焼成し、その後誘電体及び第2
電極をそれぞれ描画形成して乾燥した後焼成することを
特徴とする。
作用 本発明は上記構成を有するので、厚膜描画装置の吐出ノ
ズルから吐出された導体ペーストや誘電体ペーストがそ
のまま塗布されるためにピンホールを発生し難く、信頼
性の高い厚膜コンデンサを得ることができ、しかも形成
すべ訃コンデンサの幅に対応する幅の電極や誘電体を吐
出ノズルの1回又は数回の移動で形成できるので土産性
も高く、特性の信頼性も高い厚膜コンデンサを得ること
ができる。さらに形成すべきコンデンサのデータに応じ
て厚膜描画装置を制御することによって任意の特性のコ
ンデンサを容易に得ることができろため、多種少量生産
の場合にも高い生産性で厚膜コンデンサを製造すること
ができる。
また、本発明のtjIJ2発明によれば、第1電極、誘
電体及V第2電極を一括して焼成するので、製造工程を
簡素化できて生産性が向上する。又、本発明のtJ&3
発明によれば、第1電極、誘電体及び第2電極を個々に
焼成するので、一層信頼性の高い厚膜コンデンサが得ら
れる。さらに、本発明の第4発明によれば、最下層の第
1電極を先に焼成し、誘電体と第2電極を一括焼成する
ので、生産性と信頼性の両方を適度に確保することがで
きる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図〜第4図を参照しなが
ら説明する。
厚膜コンデンサ1の構造を示す第4図において、2は厚
膜コンデンサを形成すべきハイブリッドICの基板であ
って、この基板2の上に第1電極3が形成され、この第
1電極3の上に誘電体4が形成され、さらにこの誘電体
4の上に第2電極5が形成されている。前記誘電体4は
、第1電極3と第2電極5が互いに接触することがない
ようにそれらの間に介装され、かつ第1電極3と第2電
極5は誘電体4との重ね合わせ部から互いに反対側に延
出されてそれぞれの接続部3aと5aが形成されている
次に、上記厚膜コンデンサ1の製造方法を11図〜第3
図に基づいて説明する。まず、基板2の厚膜コンデンサ
1を形成すべき位置に、厚膜描画装置を用いて導体ペー
ストにて第1電極3を形成する。その厚膜描画装置の吐
出ノズル6は、厚膜コンデンサ1の幅に対応する吐出幅
を有しており、吐出ノズル6を一回移動させることによ
り、第1電極3の描画は完了する。この第1電極3を乾
燥させた後、次に別の厚膜描画装置の吐出/ズル6又は
同じ厚膜描画装置の別の吐出ノズル6を用いて誘電体ペ
ーストにて、前記tlfJ1電極3の上に重ねるように
誘電体4を描画形成する。このとき、IJSi電極3の
一端部に誘電体4にて覆われない部分を残すことによっ
て第1電極3の接続部3aを形成し、また第1電極3の
他端はこの誘電体4にて完全に覆うようにしておく。次
に、この誘電体4を乾燥させた後、上記第1電ti3を
形成した厚膜描画装置又は別の厚膜描画装置の吐出ノズ
ル6を用いて導体ペーストにて前記誘電体4の上に重ね
るように第2電極5を描画形成する。このとき、第2電
極5の一端を誘電体4の一端より後退させ、第1電極3
との間の絶縁を確保し、また他端部は誘電体4の他端を
越えて基板2上に適当長さ延出し、第21!極5の接続
部5aを形成する。その後、基板2とともに焼成炉に入
れて前記第11!極3、誘電体4及び第21!極5を一
括して焼成することによっでW−膜コンデンサ1の製造
が完了する。
尚、W、膜コンデンサ1の特性を変更したり、補正する
場合は、吐出ノズル6からの吐出圧や吐出/ズル6と基
板2との相対移動速度等を変えることによって容易に特
性を変えることができる。さらに、誘電体ペーストの組
成を変えたり、吐出幅の異なる吐出ノズルを用いること
によって大きく特性を変化させることもできる。従って
、吐出幅や収容しでいる誘電体ペーストの組成の異なる
複数の吐出ノズルを切換可能に備え、かつその動作をデ
ータコントロールできるようにした厚膜描画装置を用い
れば、任意の特性の厚膜コンデンサ】を容易に製造する
ことができる。
上記実施例では、第1電極3、誘電体4及び第2電極5
を描画形成した後、一括して焼成する製造方法を例示し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
例えば、fiS5図に示すように、#&1電vi3を描
画して乾燥した後こ紅を焼成し、次に誘電体4を描画し
て乾燥した後これを焼成し、その後第2電極5を描画し
て乾燥した後焼成するという工程を経て、mi電極3、
誘電体4及び第2電極5を個々に焼成して信頼性の高い
厚膜コンデンサ1を製造することもできる。
又、第3図に示す方法と第5図に示す方法の中間的な方
法として、第6図に示すように、第1電極3を描画して
乾燥した後焼成し、次に誘電体4を描画して乾燥した後
、第2?’ii@5を描画して乾燥し、その後誘電体4
及び第2電極5を焼成して厚膜コンデンサ1を製造する
こともできる。
さらに、上記実施例では第1電極3と誘電体4と第2電
極5の3層からなる厚膜コンデンサ1を例示したが、本
発明は、tjS7図に示す多層の厚膜コンデンサ11に
も適用できる。第7図の厚膜コンデンサ11は、2層の
第1電極13a、13bと、3層の誘電体14a〜14
c と、2層の第2電極15a、151)をイ1mえ、
第1電極13a と第2電極15aの間に誘電体14a
が、第2電極15aと第1電極13bの開に誘電体14
bが、第1電極13bと第2電極15bの間に誘電体1
4Cがそれぞれ介装されている。この厚膜コンデンサ1
1においても、上記実施例と同様に基板2WIから順次
各層を形成することによって製造することができる。
又、上記実施例では、形成すべき厚膜コンデンサの幅に
対応した吐出幅を有する吐出ノズル6を用いる方法を例
示したが、厚膜コンデンサの幅を広く形成する必要があ
る場合には吐出ノズル6を数回移動させて厚膜コンデン
サの幅に対応させてもよい。
発明の効果 本発明の厚膜コンデンサの製造方法によれば、以上のよ
うに厚膜描画装置の吐出ノズルから吐出された導体ペー
ストや誘電体ペーストがそのまま塗布されるためにピン
ホールを発生し難く、信頼性の商い厚膜コンデンサを得
ることができる。しかも形成すべきコンデンサの幅に対
応する幅の電極や誘電体を吐出ノズルの1回又は数回の
移動で形成できるので生産性も高くかつ特性の信頼性も
高いものが得られる。さらに、形成すべきコンデンサの
データに応じて厚膜描画装置を制御することによって任
意の特性のコンデンサを容易に得ることができるため、
多種少量生産の場合にも高い生産性で厚膜コンデンサを
製造することができる等、大なる効果を発揮する。
又、本発明の第2発明によれば、PIS1電極、誘電体
及び第2電極を一括して焼成するので、製造工程を簡素
化できて生産性が向上する。又、本発明の第3発明によ
れば、第1電極、誘電体及び第2電極を個々に焼成する
ので、一層信頼性の高い厚膜コンデンサが得られる。さ
らに、本発明の第4発明によれば、最下層の第1電極を
先に焼成し、誘電体と第2電極を一括焼成するので、生
産性と信頼性の両方を適度に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明の一実施例を示し、第1図は厚
膜コンデンサの製造工程の斜視図、rl&2図は同縦断
正面図、第3図は製造工程図、第4図は製造すべき厚膜
コンデンサの縦断正面図、第5図は本発明の第2実施例
の製造工程図、第6図は同第3実施例の製造工程図、第
7図は本発明方法を適用可能な他の厚膜コンデンサの縦
断正面図、第8図は従来の厚膜コンデンサの製造工程を
示す縦断正面図、第9図は従来の厚膜描画装置を用いて
厚膜コンデンサを製造する工程を示す斜視図である。 1・・・・・・・・・厚膜コンデンサ 2・・・・・・・・・基板 3・・・・・・・・・第1電極 4・・・・・・・・・誘電体 5・・・・・・・・・第2電極 6・・・・・・・・・吐出ノズル。 代理ノ(錫弁理士 中尾敏男 ばか1名第5図 第6図 第7図 第8図 第9図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)形成すべきコンデンサの幅方向に吐出幅の広い吐
    出ノズルを有する厚膜描画装置を用いて、基板上に第1
    電極を形成し、この第1電極の上に誘電体を形成し、こ
    の誘電体の上に第2電極を形成することを特徴とする厚
    膜コンデンサの製造方法。
  2. (2)吐出ノズルの吐出幅が、形成すべきコンデンサの
    幅に対応している特許請求の範囲第1項に記載の厚膜コ
    ンデンサの製造方法。
  3. (3)形成すべきコンデンサの幅方向に吐出幅の広い吐
    出ノズルを有する厚膜描画装置を用いて、基板上に第1
    電極を描画して乾燥し、この第1電極の上に誘電体を描
    画して乾燥し、この誘電体の上に第2電極を形成して乾
    燥し、その後これら第1電極、誘電体及び第2電極を一
    括して焼成することを特徴とする厚膜コンデンサの製造
    方法。
  4. (4)形成すべきコンデンサの幅方向に吐出幅の広い吐
    出ノズルを有する厚膜描画装置を用いて、基板上に第1
    電極を描画して乾燥した後焼成し、次にこの第1電極の
    上に誘電体を描画して乾燥した後焼成し、次にこの誘電
    体の上に第2電極を形成して乾燥した後焼成することを
    特徴とする厚膜コンデンサの製造方法。
  5. (5)形成すべきコンデンサの幅方向に吐出幅の広い吐
    出ノズルを有する厚膜描画装置を用いて、基板上に第1
    電極を描画して乾燥した後焼成し、次にこの第1電極の
    上に誘電体を描画して乾燥し、その後この誘電体の上に
    第2電極を描画しで乾燥した後、誘電体及び第2電極を
    焼成することを特徴とする厚膜コンデンサの製造方法。
JP30091086A 1986-12-17 1986-12-17 厚膜コンデンサの製造方法 Pending JPS63153808A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30091086A JPS63153808A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 厚膜コンデンサの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30091086A JPS63153808A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 厚膜コンデンサの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63153808A true JPS63153808A (ja) 1988-06-27

Family

ID=17890598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30091086A Pending JPS63153808A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 厚膜コンデンサの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63153808A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014401A (en) * 1988-08-24 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki Seisakusho Seat belt system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5053855A (ja) * 1973-09-13 1975-05-13
JPS5063462A (ja) * 1973-10-05 1975-05-29
JPS5142953A (ja) * 1974-10-11 1976-04-12 Hitachi Ltd
JPS58220497A (ja) * 1982-06-17 1983-12-22 松下電器産業株式会社 電子回路板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5053855A (ja) * 1973-09-13 1975-05-13
JPS5063462A (ja) * 1973-10-05 1975-05-29
JPS5142953A (ja) * 1974-10-11 1976-04-12 Hitachi Ltd
JPS58220497A (ja) * 1982-06-17 1983-12-22 松下電器産業株式会社 電子回路板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014401A (en) * 1988-08-24 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki Seisakusho Seat belt system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004137B1 (ko) 다층회로 제조방법
JPS63153808A (ja) 厚膜コンデンサの製造方法
JPH0636936A (ja) 複合インダクタおよびその製造方法
JPH0795483B2 (ja) 厚膜抵抗素子の製造方法
GB2032689A (en) Multilayer capacitors
JPS6070716A (ja) 誘電体の形成方法
JPH04354315A (ja) 厚膜コンデンサ
JPS62162390A (ja) 厚膜印刷回路基板の製造方法
JPH0335505A (ja) チップrネットワークの製造方法
JPH09186043A (ja) 積層型電子部品
JP2694843B2 (ja) チップ型可変抵抗器における基板片の製造方法
JP2000021613A (ja) チップ型抵抗器の製造方法
JPH0752698B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JPS63129690A (ja) 回路配線形成方法
JPH08222490A (ja) 積層チップ部品の端子電極形成方法
JPS6340394A (ja) 混成集積回路基板
JPS62113498A (ja) 多層回路基板の製造方法
JPH0513925A (ja) 厚膜回路の形成方法
JPS5922397B2 (ja) 厚膜多層配線基板の製造方法
JPS55111152A (en) Method of manufacturing multilayer thin film circuit board
JPH08273979A (ja) セラミックスコンデンサアレイ
JPH09186004A (ja) C−r複合電子部品
JPH01287991A (ja) クロスオーバ形成方法
JPS62222692A (ja) 厚膜印刷回路形成方法
JPH04336487A (ja) 二元雰囲気焼成厚膜回路基板の製造方法