JPH08273979A - セラミックスコンデンサアレイ - Google Patents
セラミックスコンデンサアレイInfo
- Publication number
- JPH08273979A JPH08273979A JP7575995A JP7575995A JPH08273979A JP H08273979 A JPH08273979 A JP H08273979A JP 7575995 A JP7575995 A JP 7575995A JP 7575995 A JP7575995 A JP 7575995A JP H08273979 A JPH08273979 A JP H08273979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitor array
- capacitor units
- ceramic capacitor
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 隣接するコンデンサユニット間にこれらコン
デンサユニット２〜５を構成する誘電体基板１１とは組
成の異なる絶縁層Ａ〜Ｃが形成されているセラミックス
コンデンサアレイ１０。 【効果】 隣接するコンデンサユニット間のクロストー
クが低減され、しかも誘電体基板１１の厚みを厚くし得
ること及び絶縁層Ａ〜Ｃを構成する絶縁物の種類を選択
することにより、機械的強度をより向上させることがで
きる。
デンサユニット２〜５を構成する誘電体基板１１とは組
成の異なる絶縁層Ａ〜Ｃが形成されているセラミックス
コンデンサアレイ１０。 【効果】 隣接するコンデンサユニット間のクロストー
クが低減され、しかも誘電体基板１１の厚みを厚くし得
ること及び絶縁層Ａ〜Ｃを構成する絶縁物の種類を選択
することにより、機械的強度をより向上させることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックスコンデンサ
アレイに関し、より詳細には複数のコンデンサユニット
が１個の誘電体を用いて構成されたセラミックスコンデ
ンサアレイにおいて隣接するコンデンサユニット間の構
造が改良されたセラミックスコンデンサアレイに関す
る。
アレイに関し、より詳細には複数のコンデンサユニット
が１個の誘電体を用いて構成されたセラミックスコンデ
ンサアレイにおいて隣接するコンデンサユニット間の構
造が改良されたセラミックスコンデンサアレイに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化に伴い、電子部品の小
型化及び高密度実装化が進められている。例えばセラミ
ックスコンデンサでは、超小型の積層セラミックスコン
デンサが開発されており、プリント回路基板上にこれら
の超小型積層セラミックスコンデンサを多数実装してな
る回路が実現されている。
型化及び高密度実装化が進められている。例えばセラミ
ックスコンデンサでは、超小型の積層セラミックスコン
デンサが開発されており、プリント回路基板上にこれら
の超小型積層セラミックスコンデンサを多数実装してな
る回路が実現されている。
【０００３】また、電子部品の高密度実装を実現するた
めに、複数個のセラミックスコンデンサを一体化したセ
ラミックスコンデンサアレイが用いられている。
めに、複数個のセラミックスコンデンサを一体化したセ
ラミックスコンデンサアレイが用いられている。
【０００４】図３は従来のセラミックスコンデンサアレ
イ３０を概略的に示したものであり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は正面図を、（ｃ）は等価回路図をそれぞれ
示している。図中３１は誘電体基板を示しており、誘電
体基板３１の上面には対向電極３２ａ〜３５ａが、下面
には対向電極３２ｂ〜３５ｂがそれぞれ導体ペーストを
印刷・焼成することにより形成されている。ここでは、
対向電極３２ａ、対向電極３２ｂが誘電体３１を介して
容量を形成することによりコンデンサユニット３２が構
成され、対向電極３３ａ、対向電極３３ｂが同じく誘電
体基板３１を介して容量を形成することによりコンデン
サユニット３３が構成され、同様にコンデンサユニット
３４、３５がそれぞれ形成されている。このように１つ
の誘電体基板３１を用いて複数個のコンデンサユニット
３２〜３５が形成されてセラミックスコンデンサアレイ
３０は構成されている。
イ３０を概略的に示したものであり、（ａ）は平面図
を、（ｂ）は正面図を、（ｃ）は等価回路図をそれぞれ
示している。図中３１は誘電体基板を示しており、誘電
体基板３１の上面には対向電極３２ａ〜３５ａが、下面
には対向電極３２ｂ〜３５ｂがそれぞれ導体ペーストを
印刷・焼成することにより形成されている。ここでは、
対向電極３２ａ、対向電極３２ｂが誘電体３１を介して
容量を形成することによりコンデンサユニット３２が構
成され、対向電極３３ａ、対向電極３３ｂが同じく誘電
体基板３１を介して容量を形成することによりコンデン
サユニット３３が構成され、同様にコンデンサユニット
３４、３５がそれぞれ形成されている。このように１つ
の誘電体基板３１を用いて複数個のコンデンサユニット
３２〜３５が形成されてセラミックスコンデンサアレイ
３０は構成されている。
【０００５】上記構成のセラミックスコンデンサアレイ
３０にあっては、隣接するコンデンサユニットが互いに
影響を与え合うため、個々のコンデンサユニット３２〜
３５の容量をそれぞれＣ1 〜Ｃ4 としたとき該容量Ｃ1
〜Ｃ4 の約１／１００〜１／１０００の浮遊容量Ｃ5 〜
Ｃ7 が前記隣接するコンデンサユニット間に発生すると
いった問題があった。この浮遊容量Ｃ5 〜Ｃ7 は誘電体
基板３１の材料及び厚み、対向電極３２ａ〜３５ａ、３
２ｂ〜３５ｂの形状等によって異なる。特に前記誘電体
基板３１の厚みｔが前記浮遊容量へ与える影響は大き
く、前記厚みｔが薄くなるほど浮遊容量Ｃ5 〜Ｃ7 は小
さくなる。しかしながら、前記厚みｔが薄くなると機械
的強度は弱くなるため、ある程度の機械的強度を要する
コンデンサアレイにおいて前記浮遊容量に起因したクロ
ストークを低減することは困難であるという問題があっ
た。
３０にあっては、隣接するコンデンサユニットが互いに
影響を与え合うため、個々のコンデンサユニット３２〜
３５の容量をそれぞれＣ1 〜Ｃ4 としたとき該容量Ｃ1
〜Ｃ4 の約１／１００〜１／１０００の浮遊容量Ｃ5 〜
Ｃ7 が前記隣接するコンデンサユニット間に発生すると
いった問題があった。この浮遊容量Ｃ5 〜Ｃ7 は誘電体
基板３１の材料及び厚み、対向電極３２ａ〜３５ａ、３
２ｂ〜３５ｂの形状等によって異なる。特に前記誘電体
基板３１の厚みｔが前記浮遊容量へ与える影響は大き
く、前記厚みｔが薄くなるほど浮遊容量Ｃ5 〜Ｃ7 は小
さくなる。しかしながら、前記厚みｔが薄くなると機械
的強度は弱くなるため、ある程度の機械的強度を要する
コンデンサアレイにおいて前記浮遊容量に起因したクロ
ストークを低減することは困難であるという問題があっ
た。
【０００６】そこで、特開平６−２８３３８３号公報記
載のコンデンサアレイにあっては、各コンデンサユニッ
ト内に複数の内部電極を積層した構造とし、各コンデン
サユニット間に空洞を設けたコンデンサアレイが提案さ
れている。このような構造のコンデンサアレイにあって
は積層構造であることからその機械的強度が向上し、各
コンデンサユニット間に設けられた空洞が密閉空間を構
成することから前記クロストークが低減される。
載のコンデンサアレイにあっては、各コンデンサユニッ
ト内に複数の内部電極を積層した構造とし、各コンデン
サユニット間に空洞を設けたコンデンサアレイが提案さ
れている。このような構造のコンデンサアレイにあって
は積層構造であることからその機械的強度が向上し、各
コンデンサユニット間に設けられた空洞が密閉空間を構
成することから前記クロストークが低減される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構造のコンデンサアレイは、従来のものに比べてより複
雑であるため単価が高くなるという課題があり、さらに
前記空洞の存在により機械的強度が弱くなり、半田付け
時の熱ストレス等により破損してしまうという課題があ
った。
構造のコンデンサアレイは、従来のものに比べてより複
雑であるため単価が高くなるという課題があり、さらに
前記空洞の存在により機械的強度が弱くなり、半田付け
時の熱ストレス等により破損してしまうという課題があ
った。
【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、クロストークを低減し、しかも機械的強度をより
向上させ得るセラミックスコンデンサアレイを提供する
ことを目的としている。
って、クロストークを低減し、しかも機械的強度をより
向上させ得るセラミックスコンデンサアレイを提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るセラミックスコンデンサアレイは、隣接
するコンデンサユニット間にこれらコンデンサユニット
を構成する誘電体とは組成の異なる絶縁層が形成されて
いることを特徴としている。
に本発明に係るセラミックスコンデンサアレイは、隣接
するコンデンサユニット間にこれらコンデンサユニット
を構成する誘電体とは組成の異なる絶縁層が形成されて
いることを特徴としている。
【００１０】
【作用】コンデンサアレイの各コンデンサユニット間に
おいてはコンデンサに用いられる誘電体の誘電率εの大
きさによって様々な大きさの浮遊容量が発生する。前記
誘電体の誘電率εは通常１００〜１０，０００であり、
半導体コンデンサでは見掛け上の誘電率εは１０万以上
となる。誘電体厚みｔが大きくなるほど、また見掛け上
の誘電率εが大きくなるほど、浮遊容量に起因して発生
するクロストークも増大する。
おいてはコンデンサに用いられる誘電体の誘電率εの大
きさによって様々な大きさの浮遊容量が発生する。前記
誘電体の誘電率εは通常１００〜１０，０００であり、
半導体コンデンサでは見掛け上の誘電率εは１０万以上
となる。誘電体厚みｔが大きくなるほど、また見掛け上
の誘電率εが大きくなるほど、浮遊容量に起因して発生
するクロストークも増大する。
【００１１】これに対し、隣接するコンデンサユニット
間を誘電率εの小さい絶縁物で満たした場合は大幅にク
ロストークが低減される。（例えば誘電率ε＝１０００
の誘電体に誘電率ε＝１０の誘電体を介入させた場合、
前記クロストークは１／１００に改善される）。
間を誘電率εの小さい絶縁物で満たした場合は大幅にク
ロストークが低減される。（例えば誘電率ε＝１０００
の誘電体に誘電率ε＝１０の誘電体を介入させた場合、
前記クロストークは１／１００に改善される）。
【００１２】本発明者らは上記事実を見い出し本発明を
発明するに至った。すなわち、本発明に係るセラミック
スコンデンサアレイにあっては、隣接するコンデンサユ
ニット間にこれらコンデンサユニットを構成する誘電体
とは組成の異なる絶縁層が形成されているので、隣接す
るコンデンサユニット間のクロストークが低減され、し
かも従来工法と比較しても大きなコストアップとならな
い。さらに誘電体の厚みを厚くし得ること及び絶縁層内
に充填する絶縁物の種類を選択し得ること、また、フレ
キシブル性に富んだ絶縁物を用いて誘電体のもろさを改
善し得ること等により、機械的強度をより向上させ得
る。
発明するに至った。すなわち、本発明に係るセラミック
スコンデンサアレイにあっては、隣接するコンデンサユ
ニット間にこれらコンデンサユニットを構成する誘電体
とは組成の異なる絶縁層が形成されているので、隣接す
るコンデンサユニット間のクロストークが低減され、し
かも従来工法と比較しても大きなコストアップとならな
い。さらに誘電体の厚みを厚くし得ること及び絶縁層内
に充填する絶縁物の種類を選択し得ること、また、フレ
キシブル性に富んだ絶縁物を用いて誘電体のもろさを改
善し得ること等により、機械的強度をより向上させ得
る。
【００１３】前記誘電体としてはＢａＴｉＯ3 系、Ｓｒ
ＴｉＯ3 系、Ｐｂ系複合ペロブスカイト、ＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3 系、ＢａＴｉ4 Ｏ9 、ＭｇＯ系、ＢａＯ
系等が挙げられ、絶縁物としては、ガラスペースト、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン
樹脂等が挙げられる。
ＴｉＯ3 系、Ｐｂ系複合ペロブスカイト、ＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3 系、ＢａＴｉ4 Ｏ9 、ＭｇＯ系、ＢａＯ
系等が挙げられ、絶縁物としては、ガラスペースト、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン
樹脂等が挙げられる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係るセラミックスコンデンサ
アレイの実施例を図面に基づいて説明する。
アレイの実施例を図面に基づいて説明する。
【００１５】図１（ａ）は実施例に係るセラミックスコ
ンデンサアレイ１０を示す模式的平面図、図１（ｂ）は
正面図、図１（ｃ）は側面図である。
ンデンサアレイ１０を示す模式的平面図、図１（ｂ）は
正面図、図１（ｃ）は側面図である。
【００１６】セラミックスコンデンサアレイ１０の正面
には端部電極１２ｂ〜１５ｂが形成されており、背面に
は端部電極１２ａ〜１５ａが形成されている。図中１１
は誘電体基板を示しており、誘電体基板１１の上面には
対向電極２２ａ〜２５ａが、下面には対向電極２２ｂ〜
２５ｂが形成されている。これら対向電極２２ａ、２２
ｂが誘電体基板１１を介することにより容量が形成さ
れ、端部電極１２ａ、１２ｂが形成されてコンデンサユ
ニット２が構成され、同様にコンデンサユニット３〜５
がそれぞれ構成されている。隣接するコンデンサユニッ
ト間には絶縁層Ａ〜Ｃが形成されており、所要の絶縁物
が充填されている。このように１つの誘電体基板１１上
に複数個のコンデンサユニット２〜５が形成され、隣接
するコンデンサユニット間には絶縁層Ａ〜Ｃが形成され
てセラミックスコンデンサアレイ１０は構成されてい
る。
には端部電極１２ｂ〜１５ｂが形成されており、背面に
は端部電極１２ａ〜１５ａが形成されている。図中１１
は誘電体基板を示しており、誘電体基板１１の上面には
対向電極２２ａ〜２５ａが、下面には対向電極２２ｂ〜
２５ｂが形成されている。これら対向電極２２ａ、２２
ｂが誘電体基板１１を介することにより容量が形成さ
れ、端部電極１２ａ、１２ｂが形成されてコンデンサユ
ニット２が構成され、同様にコンデンサユニット３〜５
がそれぞれ構成されている。隣接するコンデンサユニッ
ト間には絶縁層Ａ〜Ｃが形成されており、所要の絶縁物
が充填されている。このように１つの誘電体基板１１上
に複数個のコンデンサユニット２〜５が形成され、隣接
するコンデンサユニット間には絶縁層Ａ〜Ｃが形成され
てセラミックスコンデンサアレイ１０は構成されてい
る。
【００１７】図２（ａ）〜（ｅ）は上記構成のセラミッ
クスコンデンサアレイ１０の製造工程を示した模式的平
面図である。
クスコンデンサアレイ１０の製造工程を示した模式的平
面図である。
【００１８】まず押し出し成形等によって得られた誘電
体グリーンシート（例えばＢａＴｉＯ3 系セラミック
ス）を用い、金型等によって希望の形状の誘電体グリー
ンシート１１´を形成する（図２（ａ））。
体グリーンシート（例えばＢａＴｉＯ3 系セラミック
ス）を用い、金型等によって希望の形状の誘電体グリー
ンシート１１´を形成する（図２（ａ））。
【００１９】次に誘電体グリーンシート１１´の所定箇
所に金型パンチ等により空隙Ａ´〜Ｃ´を形成する（図
２（ｂ））。
所に金型パンチ等により空隙Ａ´〜Ｃ´を形成する（図
２（ｂ））。
【００２０】次に図２（ｂ）を１３００°Ｃで２時間焼
成した後、導体ペーストを印刷・焼成する等して対向電
極２２ａ〜２５ａ、２２ｂ〜２５ｂを形成する（図２
（ｃ））。
成した後、導体ペーストを印刷・焼成する等して対向電
極２２ａ〜２５ａ、２２ｂ〜２５ｂを形成する（図２
（ｃ））。
【００２１】次に導体ペーストを印刷・焼成することに
より端部電極１２ａ〜１３ａ、１２ｂ〜１５ｂを形成す
る（図２（ｄ））。
より端部電極１２ａ〜１３ａ、１２ｂ〜１５ｂを形成す
る（図２（ｄ））。
【００２２】最後に空隙Ａ´〜Ｃ´に誘電体基板１１と
は組成の異なる絶縁物、例えばエポキシ樹脂を満たして
絶縁層Ａ〜Ｃを形成し、誘電体基板１１の上下面にも前
記絶縁物を塗布する。該工程においては前記空隙Ａ´〜
Ｃ´への充填と前記上下面への塗布とを同時に行っても
よい（図２（ｅ））。
は組成の異なる絶縁物、例えばエポキシ樹脂を満たして
絶縁層Ａ〜Ｃを形成し、誘電体基板１１の上下面にも前
記絶縁物を塗布する。該工程においては前記空隙Ａ´〜
Ｃ´への充填と前記上下面への塗布とを同時に行っても
よい（図２（ｅ））。
【００２３】上記した構成のセラミックスコンデンサア
レイとすることにより、半田付け時の熱ストレスで破壊
することのない機械的強度の強いセラミックスコンデン
サアレイを作製することができた。また、従来のコンデ
ンサアレイと比較してクロストークを約１／１０〜１／
１００に低減することができた。
レイとすることにより、半田付け時の熱ストレスで破壊
することのない機械的強度の強いセラミックスコンデン
サアレイを作製することができた。また、従来のコンデ
ンサアレイと比較してクロストークを約１／１０〜１／
１００に低減することができた。
【００２４】本実施例にあっては押し出し成形等により
誘電体シートを形成したが、何らこれに限定されるもの
ではなく別の実施例では切断機等を用いてもよく、ま
た、プレス成形による製造法でもよい。また、本実施例
にあっては誘電体グリーンシート１１´の形成後に空隙
Ａ´〜Ｃ´を形成したが何らこれに限定されるものでは
なく、別の実施例では両工程を同時に行ってもよい。ま
た、本実施例にあってはチップ型セラミックスコンデン
サアレイを形成したが何らこれに限定されるものでな
く、別の実施例ではリード線タイプのセラミックスコン
デンサアレイであってもよい。その際は対向電極を形成
した（図２（ｃ））後、各対向電極にリード線４１を半
田付けし（図２（ｄ´））、外装を樹脂等でコーティン
グして完成させる（図２（ｅ´））。また、本実施例に
あっては、１個の長方形形状の絶縁層Ａ〜Ｃを形成して
いるが、何らこれに限定されるものでなく、別の実施例
では絶縁層は複数個に分断された形状であってもよく、
あるいは円形形状のものであってもよい。
誘電体シートを形成したが、何らこれに限定されるもの
ではなく別の実施例では切断機等を用いてもよく、ま
た、プレス成形による製造法でもよい。また、本実施例
にあっては誘電体グリーンシート１１´の形成後に空隙
Ａ´〜Ｃ´を形成したが何らこれに限定されるものでは
なく、別の実施例では両工程を同時に行ってもよい。ま
た、本実施例にあってはチップ型セラミックスコンデン
サアレイを形成したが何らこれに限定されるものでな
く、別の実施例ではリード線タイプのセラミックスコン
デンサアレイであってもよい。その際は対向電極を形成
した（図２（ｃ））後、各対向電極にリード線４１を半
田付けし（図２（ｄ´））、外装を樹脂等でコーティン
グして完成させる（図２（ｅ´））。また、本実施例に
あっては、１個の長方形形状の絶縁層Ａ〜Ｃを形成して
いるが、何らこれに限定されるものでなく、別の実施例
では絶縁層は複数個に分断された形状であってもよく、
あるいは円形形状のものであってもよい。
【００２５】以上説明したように実施例に係るセラミッ
クスコンデンサアレイにあっては、隣接するコンデンサ
ユニット２、３、…間にこれらコンデンサユニット２、
３、…を構成する誘電体とは組成の異なる絶縁層Ａ〜Ｃ
が形成されているので、隣接するコンデンサユニット
２、３、…間のクロストークが低減され、しかも誘電体
の厚みを厚くし得ること及び空隙Ａ´〜Ｃ´内に充填す
る絶縁物の種類を選択することにより、機械的強度をよ
り向上させることができる。
クスコンデンサアレイにあっては、隣接するコンデンサ
ユニット２、３、…間にこれらコンデンサユニット２、
３、…を構成する誘電体とは組成の異なる絶縁層Ａ〜Ｃ
が形成されているので、隣接するコンデンサユニット
２、３、…間のクロストークが低減され、しかも誘電体
の厚みを厚くし得ること及び空隙Ａ´〜Ｃ´内に充填す
る絶縁物の種類を選択することにより、機械的強度をよ
り向上させることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るセラミ
ックスコンデンサアレイにおいては、隣接するコンデン
サユニット間にこれらコンデンサユニットを構成する誘
電体とは組成の異なる絶縁層が形成されているので、隣
接するコンデンサユニット間のクロストークが低減さ
れ、しかも誘電体の厚みを厚くし得ること及び空隙内に
充填する絶縁物の種類を選択することにより、機械的強
度をより向上させることができる。
ックスコンデンサアレイにおいては、隣接するコンデン
サユニット間にこれらコンデンサユニットを構成する誘
電体とは組成の異なる絶縁層が形成されているので、隣
接するコンデンサユニット間のクロストークが低減さ
れ、しかも誘電体の厚みを厚くし得ること及び空隙内に
充填する絶縁物の種類を選択することにより、機械的強
度をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施例に係るセラミックスコ
ンデンサアレイを示す模式的平面図であり、（ｂ）は正
面図であり、（ｃ）は側面図である。
ンデンサアレイを示す模式的平面図であり、（ｂ）は正
面図であり、（ｃ）は側面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）及び（ｄ´）、（ｅ´）は実施
例に係るセラミックスコンデンサアレイの製造工程を示
した模式的平面図である。
例に係るセラミックスコンデンサアレイの製造工程を示
した模式的平面図である。
【図３】（ａ）は従来例に係るセラミックスコンデンサ
アレイを示す模式的平面図であり、（ｂ）は正面図であ
り、（ｃ）は等価回路図である。
アレイを示す模式的平面図であり、（ｂ）は正面図であ
り、（ｃ）は等価回路図である。
２〜５、３２〜３５ コンデンサユニット １１、３１ 誘電体 Ａ、Ｂ、Ｃ 絶縁層 １０、３０ セラミックスコンデンサアレイ
Claims (1)
- 【請求項１】 隣接するコンデンサユニット間にこれら
コンデンサユニットを構成する誘電体とは組成の異なる
絶縁層が形成されていることを特徴とするセラミックス
コンデンサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7575995A JPH08273979A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | セラミックスコンデンサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7575995A JPH08273979A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | セラミックスコンデンサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273979A true JPH08273979A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13585489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7575995A Pending JPH08273979A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | セラミックスコンデンサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08273979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462638B2 (en) | 1997-07-04 | 2002-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Complex electronic component |
| US7615440B2 (en) | 2003-02-20 | 2009-11-10 | Infineon Technologies Ag | Capacitor and method of manufacturing a capacitor |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7575995A patent/JPH08273979A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462638B2 (en) | 1997-07-04 | 2002-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Complex electronic component |
| US7615440B2 (en) | 2003-02-20 | 2009-11-10 | Infineon Technologies Ag | Capacitor and method of manufacturing a capacitor |
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