JPS63152044A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気メモリに用いられる記録媒体に関するも
のであり、更に詳しくは膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。

（従来技術） 光メモリは大容量ファイルメモリの一つとして注目され
ている。中でも光磁気メモリは、記録情報の書き替えが
可能であるという利点を持っていることから、各所で盛
んに研究されている。その記録媒体としては、Ｔｂ、Ｇ
ｄ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉな
との遷移金属との組み合せによって作製される非晶質磁
性薄膜が、記録感度が高い、粒界ノイズがない膜面に垂
直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作れるなどの利
点を有するため、最も有望視されている。

従来、この様な記録媒体に対する情報の記録・消去は次
の様に行われる。記録は、一方向に着磁した記録媒体に
レーザ光ビームを照射して、媒体温度をキューリ温度Ｔ
ｃもしくは補償温度Ｔ　ｃｏｍｐ以上に上昇させ、外部
印加磁界と記録媒体の反磁界によって反転磁圧を形成す
ることにより行われる。

消去は、外部磁界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ
光ビームを記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射
する、いわゆる一括消去により行わる。これにより記録
媒体の磁化状態は記録前の初期状態に戻る。

（発明が解決しようとする問題点） この様に、従来の光磁気記録媒体に対して記録を行う場
合には、レーザ光ビームを発生する光学系以外に外部磁
界印加手段が必須であるため、光磁気記録・再生装置の
構成は複雑になる傾向があった。また、外部磁界印加手
段として、従来は空心コイル、電磁石、永久磁石等が用
いられるが、これらを用いて数百エルステッドオーダの
磁界を高速で切り替えることは困難である。従って消去
には上述した一括消去方式が用いられ、また記録には、
一定磁界中にレーザパワーを高速変調する方式が用いら
れていた。

本発明の目的は、従来の外部磁界印加手段を必要とせず
に、記録ができる光磁気記録媒体を提供することにある
。

（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、基体上に導電体から成り、
一定の間隔のジグザグ状パターンが形成され、次に膜面
に垂直方向に磁気異方性を有し、非晶質磁性合金膜から
成る記録層、誘電体から成る保護層の順に形成されたこ
とを特徴とする。

（作用） 基体上に形成された導電体から成り、一定間隔を有する
ジグザグ状パターンに電流を流すことによって、前記パ
ターンの間に形成された記録層部分には、垂直方向にバ
イアス磁界が印加される。

このバイアス磁界印加方向は電流を流す方向を切り替え
ることによって、容易に切り替えることかでざる。従っ
て一定のレーザパワーを照射しながら、バイアス磁界の
切り替えによって所望の記録が行える。

（実施例） 次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は、本発明に係る光磁気記録媒体の実施例を
示す。第２図は断面構成図である。ガラス基板１上に、
ＡｕやＡ１等の導電体から成るジグザグ状パターン２が
、高さ約３０００人、幅約４０００、入ピッチ約１μｍ
で形成され、この上に、膜面に垂直方向に磁気異方性を
有し、非晶質磁性合金膜から成る記録層３として、厚さ
３０００人のＴｂ、Ｆｅ、Ｇｏ合金膜（ＴｂＯ，２２（
ＦｅＯ，９Ｃ００，０１）０．７８）、さらに保護層４
として屈折率２．０厚さ８００人のＳｉ３Ｎ４膜の順に
形成されている。

各層はマグネトロンスパッタにより成膜される。まず、
Ａｕ等の導電体から成る折り返し状パターン２は次の様
にして形成される。カラス基板１上に、Ａｕ膜を３００
０人の厚さに、スパッした後、第３図（ａ）に示す様に
、厚さ２０００人、幅５０００人のレジストパターン５
をｌｐｍピッチで形成し、Ａｒを用いてガス圧２．６Ｘ
１０−２Ｐａで４分間イオンミリングする。さらに酸素
プラズマにより残ったレジストをはく離することによっ
て、第３図（ｂ）に示す様に、Ａｕの折り返し状パター
ン２が、高さ３０００人、幅４０００人、ピッチ約１ｐ
ｍで形成される。

記録層３を成すＴｂＦｅＣｏ合金膜は、ＦｅＣｏターゲ
ット上に、Ｔｂ片を配した複合ターゲットを用い、Ａｒ
ガス雰囲気で、パワー密度４ｗ／ｃｍ２、スパッタガス
圧３．５Ｘ、１０−”Ｐａで作製される。

保護層４を成すＳｉ３Ｎ４膜は、Ｓｉターゲットを用い
、ＡｒとＮ２の混合ガス（４５，５％Ｎ２）を、スパッ
タガスとだ反応性スパッタによりパワー密度８ｗ／ｃｍ
２、スパッタガス圧２．５Ｘ１０−”Ｐａで作製される
。

次に本発明による光磁気記録媒体を用いた記録動作を、
第１図、第４図を用いて説明する、導電体端子Ａ、Ｂ間
に電流を流すことによって、折り返し状パターン２のま
わりに破線で示す磁界６を生じ、これらのパターン間に
形成された記録層部分には、垂直方向バイアス磁界を印
加することができる。

そして、このバイアス磁界の印加方向及び大きさ導電体
端子Ａ、Ｂ間に流す電流の方向及び大きさにより容易に
選択できる。従って、第４図に示す様に、レーザビーム
８を前記折り返し状パターン２の間にある記録層部分に
照射して記録層３の温度をキュリ温度以上（２２０°Ｃ
）に上昇させながら、着磁するタイミングにあわせて導
電体端子Ａ、Ｂ間に流す電流をスイッチングすることに
よって、記録層３の冷却過程で所望の記録磁化７を実現
することができる。電流値は記録層の膜組成に応じて数
十〜数百ミリアンペアの範囲で適宜選択される。

ここで導電体パターンの高さ及びピッチ等の形状及び折
り返し数等は上述のものに限定されるものではなく、所
望の記録媒体の記録密度及びバイアス磁界の大きさに応
じて、適宜選定される。パターンの高さとしては、数千
刃オングストローム、ピッチとしては１１１ｍ前後が好
ましい。誘電体から成る保護層としては、Ｓｉ３Ｎ４の
他にＡＩＮ、５ｉ０２゜ＳｉＯ等を数百〜数千人の厚さ
に形成したものが用いられる。

（発明の効果） 以上述べた様に、本発明によれば、バイアス磁界を、媒
体内に内蔵した折り返し状導電体パターンに流す電流に
よって制御できる、新規な光磁気記録媒体を提供できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、本発明の実施例を示す図、第３図は
本発明の作製法を示す図、第４図は、本発明の詳細な説
明する図である。 図において、１・・・基板、２・・・導電体から成る折
り返し状パターン、３・・・記録層、４・・・保護層、
５・・・レジストパターン、６・・・磁界、７・・・磁
化、８・・・レーザビームである。 第１図 第２図 第３図 （ｂ） 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、導電体から成り、一定の間隔を有する
   ジグザグ状パターンが形成され、次に膜面に垂直方向に
   、磁気異方性を有し、非晶質磁性合金膜から成る記録層
   、誘電体から成る保護層の順に形成されたことを特徴と
   する光磁気記録媒体。