JPS63152049A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気メモリに用いられる記録媒体に関するも
のであり、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸
を有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを
照射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録す
ることができ、磁気光学効果を利用して読み出すことの
でできる光磁気記録媒体に関するものである。

（従来の技術） 光メモリは大容量ファイルメモリの一つとして注目され
ている。中でも光磁気メモリは、記録情報の書き替えが
可能であるという利点を持っていることから、各所で盛
んに研究されている。その記録媒体としては、Ｔｂ、　
Ｇｄ、　Ｄｙ、　Ｈｏなどの希土類金属とＦｅ、　Ｇｏ
、　Ｎｉなとの遷移金属との組み合わせによって作製さ
れる非晶質磁性薄膜が、記録感度が高い、粒界ノイズが
ない膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、最も有望視されている。

従来、この様な記録媒体に対する情報の記録・消失は次
の様に行われる。記録は、一方向に着磁した記録媒体に
レーザ光ビームを照射して、媒体温度をキューり温度Ｔ
ｃもしくは補償温度Ｔｃｏｍｐ以上に上昇させ、外部印
加磁界と記録媒体の反磁界によって反転磁区を形成する
ことにより行われる。

消失は、外部磁界を記録時とは逆極世に印加し、レーザ
光ビームを記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射
する。いわゆる一括消去により行われる。これにより記
録媒体の磁化状態は、記録前の初期状態に戻る。

（発明が解決しようとする問題点） この様に、従来の光磁気記録媒体に対して、記録を行う
場合には、レーザ光ビームを発生する光学系以外に、外
部磁界印加手段が必須であるため、光磁気記録・再生装
置の構成は、複雑になる傾向があった。また、外部磁界
印加手段として、従来は空心コイル、電磁石、永久磁石
等が用いられるが、これらを用いて、数百エルステッド
オーダの磁界を高速で切り替えることは困難である。

従って、消去には、上述した一括消去方式が用いられ、
また記録には、一定磁界中に、レーザパワーを高速変調
する方法が用いられていた。

本発明の目的は、従来の外部磁界印加手段を必要とせず
に、記録ができる光磁気記録媒体を提供することにある
。

（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、基体上に、高透磁率磁性体
層が形成され、この上に絶縁層を介して導電体から成り
、一定の間隔を有するジグザク状パターンが形成され、
次に、膜面に垂直方向に磁気異方性を有し、非晶質磁性
合金膜から成る記録層、誘電体から成る保護層の順に形
成されたことを特徴とする。

（作用） 基体上に、高透磁率磁性体層と絶縁体層を介して形成さ
れた、導電体から成り、一定間隔を有するジグザグ状パ
ターンに電流を流すことによって、前記パターンの間に
形成された記録層部分には垂直方向にバイアス磁界が印
加される。上言己高磁率磁性体層は、記録層部分に、上
記バイアス磁界を効率良く導く働きをする。このバイア
ス磁界印加方向は電流方向を切り替えることによって容
易に切り替えることができる。従って、一定のレーザパ
ワーを照射しながら、バイアス磁界を切り替えることに
よって所望の記録が行える。

（実施例） 次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は、本発明に係る光磁気記録媒体の実施例を
示す。第２図は、断面構成図である。

ガラス基板１上に、パーマロイ等のＮｉＦｅ合金から成
る厚さ１０００人の高透磁率磁性体層２、ＳｉＮ膜から
成る厚さ５００人の絶縁体層３が形成され、この上に、
ＡｕやＡ１等の導電体から成るジグザグ状パターン４が
、高さ約３０００人、輻約４０００人、ピッチ約１１１
ｍで形成され、さらにこの上に、膜面に垂直方向に磁気
異方性を有し、非晶質磁性合金膜から成る記録層５とし
て、厚さ３０００人のＴｂＦｅＣｏ合金膜（Ｔｂｏ、２
２（Ｆｅ□。

９ＣＯＱ、１）０．７８）、さらに保護層６として、屈
折率２．０厚さ８００人のＳｉＮ膜の順に形成されてい
る。

各層は、マグネトロンスパッタにより成膜される。まず
、Ａｕ等の導電体から成るジグザグ状パターンは、次の
様にして形成される。ガラス基板上に、厚さ１０００人
のＮｉＦｅ合金膜、厚さ５００人のＳｉＮ膜、厚さ３０
００人のＡｕ膜の順に成膜した後、第３図（ａ）に示す
様に、厚さ２０００人、幅５０００人のレジストパター
ン７を、ｌｐｍピッチで形成し、Ａｒを用いてガス圧２
．６Ｘ１０−２Ｐａで４分間イオンミリングする。

さらに、酸素プラズマにより残ったレジストを、はく離
することによって、第３図（ｂ）に示す様に、Ａｕの折
り返し状パターン４が高さ３０００人、幅４０００人ピ
ッチ約１１１ｍで形成される。記録層を成すＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜は、ＦｅＣｏターゲット上に、Ｔｂ片を配した
複合ターゲットを用い、Ａｒガス雰囲気で、パワー密度
４Ｗ１ｃｍ２、スパッタガス圧３．５Ｘ１０−”Ｐａで
作製される。

次に、本発明による光磁気記録媒体を用いた記録動作を
、第１図、第４図を用いて説明する。導電体端子Ａ、Ｂ
間に電流を流すことによって、ジグザグ状パターンのま
わりに破線で示す磁界８を生じ、これらのパターンの間
に形成された記録層部分には、垂直方向にバイアス磁界
を印加することができる。そして、このバイアス磁界の
印加方向及び大きさは導電体端子Ａ、Ｂ間に流す電流の
方向及び大きさにより、容易に選択できる。従って、第
４図に示す様に、レーザビーム１０を前記折り返し状パ
ターンの間にある言己録層部分に照射して、記録層の温
度をキュリ一温度以上（２２０°Ｃ）に上昇させながら
、着磁するタイミングに同期して、導電体端子Ａ、Ｂ間
に流す電流をスイッチングすることによって、記録層の
冷却過程で所望の記録磁化９を実現することができる。

電流値は、記録層の膜組成に応じて、数十〜数百ミリア
ンペアの範囲で適宜選択される。

ここで、導電体パターンの高さ及びピッチ等の形状及び
折り返し数並びに高透磁率磁性体層の厚さは、上述のも
のに限定されるものではなく、所望の記録媒体の記録感
度及びバイアス磁界の大きさに応じて、適宜選定される
。パターンの高さとしては数千オングストローム、ピッ
チとしては、ｌｐｍ前後が好ましい。誘電体からなる保
護層及び絶縁層トシテハ、ＳｉＮノ他１．：＝　ＡＩＮ
、　５ｉ０２．　ＳｉＯ等を数百〜数千人の厚さに形成
したものが用いられる。

（発明の効果） 以上述べた様に、本発明によれば、バイアス磁界を媒体
内に内蔵した折り返し状パターンに流す電流によって制
御できる新規な光磁気記録媒体を提供できる。又、基体
と導電体パターンの間に絶縁層を介して設けた高透磁率
磁性体層は、上記バイアス磁界を記録領域に効率良く導
く働きがある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、本発明の実施例を示す図、第３図は
、本発明の作製法を示す図、第４図は本発明の詳細な説
明する図である。 図において、１・・・基板、２・・・高透磁率磁性層、
３・・・絶縁層、４・・・導電体から成る折り返し状パ
ターン、５０９．記録層、６・・・保護層、７．・・レ
ジストパターン、８・・・オ　１　図 ７２　　口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、高透磁率磁性体層、絶縁体層の順に形
   成され、この上に、導電体から成り一定の間隔を有する
   ジグザグ状パターンが形成され、次に、膜面に垂直方向
   に磁気異方性を有し、非晶質磁性合金膜から成る記録層
   、誘電体から成る保護層の順に形成されたことを特徴と
   する光磁気記録媒体。