JPS63152048A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気メモリに用いられる記録媒体に関するも
のであり、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸
を有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを
照射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録す
ることができ、磁気光学効果を利用して読み出すことの
でできる光磁気記録媒体に関するものである。

（従来の技術） 光メモリは大容量ファイルメモリの一つとして注目され
ている。中でも光磁気メモリは、記録情報の書き替えが
可能であるという利点を持っていることから、各所で盛
んに研究されている。その記録媒体としては、Ｔｂ、　
Ｇｄ、　Ｄｙ、　Ｈｏなどの希土類金属とＦｅ、　Ｃｏ
、　Ｎｉなとの遷移金属との組み合わせによって作製さ
れる非晶質磁性薄膜が、記録感度が高い、粒界ノイズが
ない膜面に垂直方向の磁気異方性を有する膜が容易に作
れるなどの利点を有するため、最も有望視されている。

従来、この様な記録媒体に対する情報の記録・消失は次
の様に行われる。記録は、一方向に着磁した記録媒体に
レーザ光ビームを照射して、媒体温度をキューり温度Ｔ
ｃもしくは補償温度Ｔｃｏｍｐ以上に上昇させ、外部印
加磁界と記録媒体の反磁界によって反転磁区を形成する
ことにより行われる。

消失は、外部磁界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ
光ビームを記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射
する。いわゆる一括消去により行われる。これにより記
録媒体の磁化状態は、記録前の初期状態に戻る。

（発明が解決しようとする問題点） この様に、従来の光磁気記録媒体に対して、記録を行う
場合には、レーザ光ビームを発生する光学系以外に、外
部磁界印加手段が必須であるため、光磁気記録・再生装
置の構成は、複雑になる傾向があった。

本発明の目的は、外部磁界印加手段を必要とせずにバイ
アス磁界を印加することができる光磁気記録媒体を提供
することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、基体上に、高透磁率磁性体
層が形成され、この上に、膜面に垂直方向に磁気異方性
を有する第１の垂直磁化膜から成る突起が、一定間隔で
形成され、次に、第２の垂直磁化膜から成る記録層、誘
電体から成る保護層の順に形成されたことを特徴とする
。

（作用） 基体上に、高透磁率磁性体層と絶縁体層を介して形成さ
れた垂直磁化膜からなる突起と、第２の垂直磁化膜から
成る記録層を、同じ垂直方向に着磁しておくことによっ
て、記録層は一方向に初期着磁されると共に、前記突起
の間にある記録層部分には、突起部の磁化によって、初
期着磁とは逆向きにバイアス磁界が印加される。上記高
透磁率磁性体層は、記録層部分に、上記バイアス磁界を
効率良く導く働きをする。

（実施例） 次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の実施例の断
面構成図を示す。ガラス基板１上に、パーマロイ等のＮ
ｉＦｅ合金から成る、厚さ１０００人の高透磁率磁性体
層２が形成され、この上にＣｏＣｒ合金膜（組成：Ｃ０
８５ＣＯ１５）等の垂直磁化膜から成り、高さ約３００
０人で幅約４０００人の台形状突起３が、約１１１ｍピ
ッチで形成され、これらの上に第二の垂直磁化膜から成
る記録層４として、厚さ３０００人のＴｂＦｅＣｏ合金
膜（組成：Ｔｂ０．２２（ＦｅＯ，９ＣＯ０，１）０．
７８）さらに、保護層５として屈折率２．０、厚さ８０
０人のＳｉ３Ｎ４膜の順に形成されている。

各層は、マグネトロンスパッタにより成膜される。まず
、ＣｏＣｒ合金膜から成る台形状突起２は次の様にして
形成される。ガラス基板に、厚さ１００ＯＡのＮｉＦｅ
合金膜を成膜し、次にＣｏＣｒ合金ターゲットを用いて
、Ａｒガス雰囲気で、パワー密度４ＷＩＣｍ２、スパッ
タガス圧３．５Ｘ１０−”Ｐａで、ＣｏＣｒ膜を３００
０人の厚さにスパッタした後、第２図（ａ）に示す様に
、厚さ２０００人、幅５０００人のレジストパターン６
をｌｐｍピッチで形成し、Ａｒを用いてガス圧２．６Ｘ
１０−２Ｐａで１２分間イオンミリングする。さらに、
酸素プラズマにより残ったレジストを、はく離すること
によって、第２図（ｂ）に示す様に、高さ３０００人、
幅４０００人のＣｏＣｒ膜から成る台形状突起３が、約
１ｐｍピッチで形成される。記録層４ＴｂＦｅＣｏ合金
膜は、ＦｅＣｏターゲット上にＴｂ片を配した複合ター
ゲットを用い、Ａｒガス雰囲気で、パワー密度４Ｗ／ｃ
ｍ”、スパッタガス圧３．５Ｘ１０−”Ｐａで作製され
る。保護層５Ｓｉ３Ｎ４膜は、Ｓｉターゲットを用い、
ＡｒとＮ２の混合ガス（４５゜５％Ｎ２）をスパッタガ
スとした反応性スパッタによりパワー密度２．２Ｗ／ａ
ｍ２、スパッタガス圧８゜３Ｘ１０−２Ｐａで、作製さ
れる。

次に、本発明による光磁気記録媒体を用いた記録動作を
、第３図を用いて説明する。本媒体の垂直磁化膜（Ｃｏ
Ｃｒ合金膜）から成る突起３と第２の垂直磁化膜（Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金膜）から成る記録層４を同じ垂直方向（＋
ｙの向き）に、あらかじめ着磁しておくことによって、
第３図（ａ）に示す様に記録層は一定の向きに初期着磁
８される。またこれらの突起の間にある記録層には、突
起を成すＣｏＣｒ合金膜の磁化によって、それらの磁化
とは逆向きく−ｙの向き）バイアス磁界９を印加するこ
とができる。従って、第３図（ｂ）に示す様に、初期着
磁と逆向き（−ｙの向き）に着磁するタイミングにあわ
せて、レーザビーム１１を、前記突起の間にある記録層
部分に照射して記録層の温度をギュリ温度以上（２２０
°Ｃ）に上昇するだけで、冷却過程で所望の反転磁圧１
０を形成することができる。

ここで、突起を成す垂直磁化膜の高さ及びピッチ等の形
状及び膜組成並びに、高透磁率磁性体層の厚さは、上述
のものに限定されるものではなく、所望の記録媒体の記
録密度及びバイアス磁界の大きさに応じて、適宜選定さ
れる。突起の高さとしては数十オングストローム、ピッ
チとしては、１μｍ前後が好ましい。突起の膜組成はＣ
ｏＣｒ合金膜以外に、バリウムフェライトの垂直磁化膜
でも良い。また、記録層の組成も上述のものに限定され
るものではなく、抗磁力Ｈｅが、上記突起からのバイア
ス磁界より大きくできる範囲で、他の光磁気記録材料を
選定しても良い。誘電体が成る保護層としては、Ｓｉ３
Ｎ４の他にＡＩＮ、　５ｉ０２．　ＳｉＯ等を、数百人
〜数千人の厚さに形成したものが用いられる。

（発明の効果） 以上述べた様に、本発明によれば、一方向のバイアス磁
界印加手段を内蔵した光磁気記録媒体を提供できる。従
って、記録層をあらかじめバイアス磁界と逆方向に初期
着磁しておけば、外部磁界印加手段を必要とせずに、レ
ーザビームの昇温だけで、反転磁圧の形成ができる。ま
た、本媒体と、バイアス磁界と逆方向にだけ磁界をスイ
ッチングできる外部磁界印加手段を用いて、一定レーザ
ビームを照射しながら、前記バイアス磁界を外部磁界印
加手段からの磁界を組み合わせた磁界変調による記録も
容易になる。また、基体と垂直磁化膜から成る突起の間
に設けた高透磁率磁性体層は、上記バイアス磁界を記録
領域に効率良く導く働きがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は本発明の作
製法を示す図、第３図は、本発明の詳細な説明する図で
ある。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、高透磁率磁性体層が形成され、この上
   に、膜面に垂直方向に磁気異方性を有する第１の垂直磁
   化膜から成る突起が、一定間隔で形成され、次に、第２
   の垂直磁化膜から成る記録層、誘電体から成る保護層の
   順に形成されたことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記第２の垂直磁化膜から成る記録層が、非晶質
   磁性合金薄膜である特許請求の範囲第１項に記載の光磁
   気記録媒体。