JPS63150921A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS63150921A JPS63150921A JP29738386A JP29738386A JPS63150921A JP S63150921 A JPS63150921 A JP S63150921A JP 29738386 A JP29738386 A JP 29738386A JP 29738386 A JP29738386 A JP 29738386A JP S63150921 A JPS63150921 A JP S63150921A
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- oxygen
- reaction gas
- ozonizer
- chamber
- mfc
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- Pending
Links
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
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- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
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- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
反応ガスに添加する酸素の導入配管の途中にオゾナイザ
を配設したプラズマエツチング装置。
を配設したプラズマエツチング装置。
本発明は、プラズマエツチング装置に係り、特に異方性
が高いリアクティブ・イオン・エツチング（以下Ｒ，１
，Ｅ、と略称する）が可能なプラズマエツチング装置の
改良に関するものである。
が高いリアクティブ・イオン・エツチング（以下Ｒ，１
，Ｅ、と略称する）が可能なプラズマエツチング装置の
改良に関するものである。
半導体装置の集積度の向上に伴い、微細パターンのエツ
チングめ必要性が高まってきた。
チングめ必要性が高まってきた。
微細パターンのエツチングを行うためには、横方向への
エツチングの拡がりの小さな異方性の高いエツチングを
行うことが必要となる。
エツチングの拡がりの小さな異方性の高いエツチングを
行うことが必要となる。
Ｒ，１，Ｅ、においては異方性の高いエツチングを行う
場合にはチャンバの室内圧を下げると効果があることが
知られているが、室内圧を下げ過ぎると放電が行われな
くなる。
場合にはチャンバの室内圧を下げると効果があることが
知られているが、室内圧を下げ過ぎると放電が行われな
くなる。
以上のような状況から室内圧を下げた場合にもＲ，１，
Ｅが可能なプラズマエツチング装置が要望されている。
Ｅが可能なプラズマエツチング装置が要望されている。
従来のプラズマエツチング装置は、第３図に示すような
図示しない排気装置によって真空排気されたチャンバ１
室内へ、ガス導入口８から反応ガスと酸素の混合ガスを
導入し、下部電極５にはウェーハ９を取り付け、上部電
極４と下部電極５の間には高周波発振器６によってプロ
ソキングコンデンサ７により直流成分を除去した高周波
電圧を印加し、ウェーハ９のＲ，１，Ｅ、を行わせる装
置である。
図示しない排気装置によって真空排気されたチャンバ１
室内へ、ガス導入口８から反応ガスと酸素の混合ガスを
導入し、下部電極５にはウェーハ９を取り付け、上部電
極４と下部電極５の間には高周波発振器６によってプロ
ソキングコンデンサ７により直流成分を除去した高周波
電圧を印加し、ウェーハ９のＲ，１，Ｅ、を行わせる装
置である。
この場合の導入ガスは、第２図に示すように反応ガス源
に接続されたマスフローコントローラ（以下ＭＦＣと略
称する）によって流量を規制された反応ガスと、酸素源
に接続されたＭＦＣによって流量を規制された酸素を混
合したものである。
に接続されたマスフローコントローラ（以下ＭＦＣと略
称する）によって流量を規制された反応ガスと、酸素源
に接続されたＭＦＣによって流量を規制された酸素を混
合したものである。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上説明の従来のプラズマエツチング装置で問題となる
のは、Ｒ，１，Ｈにおいて横方向へのエツチングの拡が
りの小さな異方性の高いエツチングを行わせようとして
室内圧を下げると、放電が行われなくなり、エツチング
不能となることである。
のは、Ｒ，１，Ｈにおいて横方向へのエツチングの拡が
りの小さな異方性の高いエツチングを行わせようとして
室内圧を下げると、放電が行われなくなり、エツチング
不能となることである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ安価に調達可能
なオゾナイザを配設した、極めて低圧のチャンバ室内に
おいてＲ，ＩＥ、が行えるプラズマエツチング装置の提
供を目的としたものである。
なオゾナイザを配設した、極めて低圧のチャンバ室内に
おいてＲ，ＩＥ、が行えるプラズマエツチング装置の提
供を目的としたものである。
上記問題点は、反応ガスに添加する酸素の供給配管の途
中にオゾナイザを配設した本発明によるプラズマエツチ
ング装置によって解決される。
中にオゾナイザを配設した本発明によるプラズマエツチ
ング装置によって解決される。
即ち本発明においては、チャンバ１の室内に専大する反
応ガスに添加する酸素の導入配管の途中にオゾナイザを
接続すると、酸素の約１０％がオゾン（０３）となり、
残余の酸素及び反応ガスと共にガス導入口８からチャン
バ１内に導入され、このオゾンの作用によって極めて低
い室内圧においても異方性の高いＲ，１，Ｅを行うこと
が可能となる。
応ガスに添加する酸素の導入配管の途中にオゾナイザを
接続すると、酸素の約１０％がオゾン（０３）となり、
残余の酸素及び反応ガスと共にガス導入口８からチャン
バ１内に導入され、このオゾンの作用によって極めて低
い室内圧においても異方性の高いＲ，１，Ｅを行うこと
が可能となる。
以下第１図及び第３図について本発明の一実施例を説明
する。
する。
第１図は本発明による一実施例のガス導入配管系統図を
示しており、反応ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ、）の
源はＭＦＣ３に接続され、規定の流量が流れるようにな
っている。
示しており、反応ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ、）の
源はＭＦＣ３に接続され、規定の流量が流れるようにな
っている。
反応ガスに添加する酸素源はオゾナイザ２に接続され、
次いでＭＦＣ３に接続されて、規定の流量が流れるよう
になっている。
次いでＭＦＣ３に接続されて、規定の流量が流れるよう
になっている。
チャンバ１室内は図示しない排気装置により真空排気さ
れており、反応ガスと酸素及びオゾナイザ２によって生
成したオゾンはＭＦＣ３を出ると、一本の配管に接続さ
れて混合され、プラズマエツチング装置のガス導入口８
からチャンバ１室内に導入される。
れており、反応ガスと酸素及びオゾナイザ２によって生
成したオゾンはＭＦＣ３を出ると、一本の配管に接続さ
れて混合され、プラズマエツチング装置のガス導入口８
からチャンバ１室内に導入される。
本実施例の設定条件は下記の通りである。
四弗化炭素（ＣＦ４）の流量−−−−−一−・−−−−
−−−−−−−−−−−１００ＳＣＣＭ酸素（０□）の
流量−−−−−−一−−−−−−−・−・−一一−−−
−−・・・・−−一−−−−−−・−，３０ＳＣＣＭチ
ャンバの室内圧−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−０，００１Ｔｏｒｒ高周波発振器の出
力−・−・−−−−−・−−一一一−−−−−−−−−
−−−・・−−−−−−３００Ｗウェーハのサイズー−
−一−・・−−−−−一一一−−−・−一−−−−−・
−−一−−−〜−−−−−・−・・６インチなお、反応
ガスとしては四弗化炭素以外の六弗化硫黄（ＳＦ４）、
四塩化炭素（Ｃｃｌ！４）三弗化窒素（ＮＦ３）等を使
用する場合にも本発明は適用可能である。
−−−−−−−−−−−１００ＳＣＣＭ酸素（０□）の
流量−−−−−−一−−−−−−−・−・−一一−−−
−−・・・・−−一−−−−−−・−，３０ＳＣＣＭチ
ャンバの室内圧−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−０，００１Ｔｏｒｒ高周波発振器の出
力−・−・−−−−−・−−一一一−−−−−−−−−
−−−・・−−−−−−３００Ｗウェーハのサイズー−
−一−・・−−−−−一一一−−−・−一−−−−−・
−−一−−−〜−−−−−・−・・６インチなお、反応
ガスとしては四弗化炭素以外の六弗化硫黄（ＳＦ４）、
四塩化炭素（Ｃｃｌ！４）三弗化窒素（ＮＦ３）等を使
用する場合にも本発明は適用可能である。
このように反応ガスに添加する酸素を、オゾナイザ２に
よって約１０％の酸素をオゾン化させることにより、０
．０ＯＩＴｏｒｒの極端に低いチャンバ１室内圧におい
てＲ，Ｔ、Ｅ、の実施が可能となった。
よって約１０％の酸素をオゾン化させることにより、０
．０ＯＩＴｏｒｒの極端に低いチャンバ１室内圧におい
てＲ，Ｔ、Ｅ、の実施が可能となった。
以上説明したように本発明によれば極めて簡単なオゾナ
イザを酸素の導入配管の途中に接続することにより、極
めて低い室内圧において異方性の高いＲ，１，Ｅ、を行
うことが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信
転性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
イザを酸素の導入配管の途中に接続することにより、極
めて低い室内圧において異方性の高いＲ，１，Ｅ、を行
うことが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信
転性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
第１図は本発明による一実施例のガス導入配管系統図、
第２図は従来のガス導入配管系統図、
第３図はプラズマエツチング装置の側断面図、である。
図において、
１はチャンバ、
２はオゾナイザ、
３はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）、４は上部電極
、 ５は下部電極、 ６は高周波発振器、 ７はブロッキングコンデンサ、 ８はガス導入口、 ９はウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例のガス導入配管系統図第１図 従来のガス導入配管系統図 第２図
、 ５は下部電極、 ６は高周波発振器、 ７はブロッキングコンデンサ、 ８はガス導入口、 ９はウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例のガス導入配管系統図第１図 従来のガス導入配管系統図 第２図
Claims (1)
- プラズマエッチング装置であって、反応ガスに添加する
酸素の導入配管の途中にオゾナイザ（２）を配設したこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29738386A JPS63150921A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29738386A JPS63150921A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150921A true JPS63150921A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17845778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29738386A Pending JPS63150921A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63150921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0553469A2 (de) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur schnellen und schonenden Reinigung von insbesondere beim Abscheiden und Ätzen von Schichten auf Siliziumsubstraten verwendeten Reaktionskammern durch Plasmaätzen |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29738386A patent/JPS63150921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0553469A2 (de) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur schnellen und schonenden Reinigung von insbesondere beim Abscheiden und Ätzen von Schichten auf Siliziumsubstraten verwendeten Reaktionskammern durch Plasmaätzen |
| EP0553469A3 (en) * | 1992-01-27 | 1994-11-23 | Siemens Ag | Plasma-etching process for the rapid and damage-free cleaning of reaction chambers and principally in the deposition or etching of layers on silicon substrats |
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