JPS63142593A - 多次元アクセスメモリ - Google Patents

多次元アクセスメモリ

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JPS63142593A
JPS63142593A JP61289680A JP28968086A JPS63142593A JP S63142593 A JPS63142593 A JP S63142593A JP 61289680 A JP61289680 A JP 61289680A JP 28968086 A JP28968086 A JP 28968086A JP S63142593 A JPS63142593 A JP S63142593A
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淳二 小川
Kazuya Kobayashi
小林 和弥
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 大容量の半導体メモリでの多次元アクセス化を容易にす
るデコード方法。従来プロセス、回路技術でも、高集積
化、高次元化を可能にする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は多次元アクセスメモリ、詳しくは任意の1ワー
ド線の選択で読出される多数のビットのうちの、読出し
に際し指定された次元でのもの複数ビットを同時に出力
することができる多次元半導体メモリ特にその選択回路
に関する。
〔従来の技術〕
半導体メモリ例えばDRAMでは、ワード線を選択すれ
ば当該ワード線に属する全メモリセルの記憶データが各
々のピント線に現われ、通常はそのうちの1ビツトをコ
ラムアドレスにより選択し、データパ′スを通して外部
へ出力するが、データバスを複数本設はコラムゲートも
それに応じて変更して、複数ビットを同時に出力するこ
とも可能である。画像メモリなどではデータ処理を高速
化するため、複数ビット同時読出しが特に要求される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら2次元または3次元、−膜化して言えばn
次元の画像データをメモリに記憶させておき、これを読
出す場合は次の如き問題がある。
第4図+alに横X、縦Y、深さZ各8ビット、計51
2ビットの3次元画像データを示すが、これをX方向に
並ぶ8ビツトの64組としく第4図(bl (C)(d
)にx、y、z方向各8ビットを取出して示す)、これ
をワード線数64、各ワード線のビット数(メモリセル
数)8、データバス数8(従って同時出力可能ビット数
8)のメモリの各ワード線のメモリセルに逐次(X方向
8ビツトの第1組を第1ワード線に、第2組を第2ワー
ド線に、・・・・・・)書込んだとすると、1本のワー
ド線を選択するだけで(1回のアクセスで)X方向8ビ
ツトを同時に読出すことができる。しかしY方向又はZ
方向の8ビツトを読出すには8回アクセスし、各回の例
えば第1ビン!・を取出すようにしなければならず、ア
クセス時間が大になる。
画像データ処理では複数ビットをX方向で取出して処理
し、またY、Z方向で取出して処理し、といった作業が
要求され、これらは可及的速やかに、全て同じ時間で実
行したいという要求がある。
複数ビットの取出し態様はX、Y、Z方向に限らず、斜
め(対角線)方向なども必要で、また第5図に示すよう
に面Sで取出したい要求もある。なお第5図+alは1
6X16ビソトの2次元画像データを示し、Sはそのう
ちの4×4ビツトデータである。第5図(bl (cl
 (d)はx、 X方向およびS面各16ビツトを取出
して示す。
本発明はか−る点に鑑みてなされたもので、ワード線選
択で読出される多数ビットのうちの、指定した次元(方
向、面など)の複数ビットを同時に出力可能にしよう、
特にそのための選択回路を提供しようとするものである
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の多次元アクセスメモリは、複数(m)ビット並
列出力が可能なデータバスと、次元制御信号(x、y、
s)の1つを受けてアクティブにされ、またセグメント
アドレス(Bo〜B3)を受けて、各ワード線上の多数
(n)のビットのうちの、指定された次元での複数(m
)ビ・ノドからなるセグメントを選択するデコード出力
を生じる複数(Iり1個のプリデコーダ(18x、 l
ay、 18s)と、各プリデコーダ(18x 、  
18)’ 、 18s )のデコード出力を受けデータ
バスと平行に走るmX/本の選択線(30x、 30y
、 30s)と、該選択線によりオンオフされて当該ビ
ット線を当該データバスへ接続するnXz個のトランス
ファゲート(72x。
73y、 73s、・・・・・・)からなる多次元選択
回路(16)とを備えることを特徴とするものである。
〔作用〕
このメモリは、任意の1ワード線上の多数(n)のビッ
トのうちの、指定した次元での複数(m、こ−でn >
m)ビットを同時に読出し、これを繰り返して該ワード
線上の多数のビットを迅速に読出すことができ、画像処
理などに好適である。
〔実施例〕
第1図で10は半導体メモリのセルアレイで、多数のワ
ード線WL及びビット線対BL、BLと、これらの各交
点に配設されるメモリセルMC(図示しない)を有する
。本例ではメモリはDRAMであり、フォルデッド型で
あるので各ビット線対BL。
BLはセンスアンプ群12の一側に互いに平行に延びる
。ワード線は256本、ビット線対も256対としてお
り、従ってメモリセル数は65536個、センスアンプ
SAは256個である。14はローデコーダで8ピント
アドレスAO〜A7を受け、256本のワード線の1つ
を選択する。ワード線1つを選択すると当該ワード線に
属する256個のメモリセルの記憶データが各々のビッ
ト線に出てくる。センスアンプ群12はこれを増幅し、
多次元選択回路16を通してデータバス20へ出力する
データバス20は本例では16本あり、選択回路16は
指定された次元で、256個のセンスアンプの出力から
16出力(ビット)を選択し、16本のデータバス20
へ出力する。x、y、sは次元11J御信号で、XはX
方向選択、yはY方向選択、Sは面選択を指示する。即
ちこの第1図はワード線データとしては第5図を想定し
ており、この2次元子面上の16X16=256ビソト
が1ワード線上のメモリセルに書込まれる。なおこ−で
は、1ワード線上のメモリセルに最初から番号を付して
0,1,2.・・・・・・255として、そのθ〜15
にはy=oのX方向16ビソト0〜15が、その16〜
31にはY=1のX方向16ビツト0〜15が、・・・
・・・書込まれるとしている。BO”B3はセグメント
(上記の16ビツト)アドレスである。第5図から明ら
かなようにX方向16ビツトは16個、Y方向16ビツ
トも16個、そして4×l=16ビツトの3面も4×l
=16個あるから、その1個(セグメント)を指定する
には4ビツト(Bo−83)あればよい。x、y、s次
元制御信号はプリデコーダ18へ入力し、そのデコード
出力を多次元選択回路」6へ加えて、指定次元での16
ビツト選択を行なわせる。22はランチで、データバス
20の16ビントデータはこのランチ22を通して外部
へ出力される。
第2図は多次元選択回路16およびプリデコーダ18の
構成を示す。プリデコーダ18はx、y。
S用の3個18x、18y、18sからなり、各々は共
通にセグメントアドレスBo−百3を受け、また個々に
次元制御信号x+  y+  sの1つを受けてアクテ
ィブになり、デコードした出力を多次元選択回路工6へ
供給する。30x、307.30Sはこのデコード出力
を供給される各16本の排他的選択線、72x、72y
、72sは該選択線の1つに接続されてオンオフされ当
該センスアンプの出力を当該データバス20へ送るトラ
ンスファゲートである。トランスファゲートは、各次元
毎に、各センスアンプに1つであるから本例では256
X3個ある。x、y、sプリデコーダ18x、18y、
18sは信号XI  )’l  Sにより1つのみアク
ティブにされ、そして各プリデコーダは16出力のうち
の1出力をHにし、従ってこの16X3=48本中、唯
1つHの選択線が16対のトランスファゲートをオンに
して当該センスアンプの出力をデータバス20へ導く。
この選択線番号(デコーダ出力)0,1,2.・・・・
・・Fとデータバス番号0,1.2.・・・・・・Fの
対応関係を次表1゜2.3に示す。Olo、O/1.な
どの左上の数字は選択線番号、右下の数字はデータバス
番号を表 1 (Xプリデコーダ) Xプリデコーダの選択線0番は第1セグメントを選択す
るものであり、トランスファゲートを制御してセンスア
ンプ第0番〜第15番SA・0〜SA、5の出力をデー
タバス0−Fへ導き(表1の横第1列はこれを示してい
る)、同様に選択線1番は第1セグメントを選択するも
ので、トランスファゲートを制御してセンスアンプSA
1.6〜5A3−1の出力をデータバス0〜Fへ導き(
表1の横第2列はこれを示している)、以下同様である
ワード線上のメモリセルへの書込みは前記の通りである
からこれで第5図の第0セグメント(Y=OのX方向1
6ビツト)、第1セグメント(Y=1のX方向16ビツ
ト)、・・・・・・を逐次データバスへ出力することが
できる。次の表21表3の見方も表1に準する。
表 2 (Xプリデコーダ) 表 3 (sプリデコーダ) 第3図に各16ビツト(セグメント)とセンスアンプ等
との対応を示す。第5図のデータのワード線上各メモリ
セルへの割付けは前記の通りとすると、X方向アクセス
のときは第1群(B=0゜これはY=0におけるX方向
16ビツト)、第2群(B−1、これはY=1における
X方向16ビソト)、・・・・・・の各16ビツトがセ
ンスアンプSAO〜5A15,5A16〜SA31.・
・・・・・より出力され、選択回路により選択されてデ
ータバスDBO〜DBFへ送出される。
Y方向アクセスのときは第1群(B=0、これはX=0
におけるY方向16ビツト)、第2群(B=1、これは
X=1におけるY方向16ビソト)、・・・・・・の各
16ビツトがセンスアンプSAOと5A16と・・・・
・・5A240、SAIと5A17と・・・・・・5A
241、・・・・・・から出力され、これらは選択回路
により選択されてデータバスDBO−DBFへ送出され
る。
また8面アクセスでは第1群(B=0、これは左上隅が
X=Y=Oの4×4ビツト)、第2群(B=1、これは
左上隅がX=4.Y=Oの4×4ビツト)、・・・・・
・の各16ビツトがセンスアンプSAO〜SA3と5A
16〜5A19と5A32〜5A35と5A48〜5A
51(こ−までが第1群で、次は第2群) 、SA4〜
SAT・・・・・・より出力され、選択回路により選択
されてデータバスDBO−DBFへ送出される。
センスアンプSAO〜5A255は第5図(dlに示す
ように、ワード線上のデータビット0,1゜2、・・・
・・・255と対応する。
前記第2図の5A72は72番のセンスアンプであり、
これはX方向では第5群の8番ビットを出力する。Xプ
リデコーダはBO〜百3が第5群を表わすとき(Bz〜
Boが0100のとき)4番出力をHにし、トランスフ
ァゲート72xを開いてセンスアンプ5A72の出力を
データバス8゜8へ導く。また5A73は73番センス
アンプであり、X方向では第5群の9番ビットを出力す
る。
Xプリデコーダの上記出力はまたトランスファゲート7
3xを開いて5A73の出力をデータバス9.9へ導く
。以下同様である。
また、5A72の出力はY方向では第8群の4番ビット
に対応する。XプリデコーダはBo”B3が第8群を表
わすとき(83〜Boが1000のとき)8番出力をH
にし、トランスファゲート72yを開いて5A72の出
力をデータバス4,7へ導く。
また5A73の出力はY方向では第9群の4番ビットに
対応する。yプリデコーダはBO”B3が第9群を表わ
すとき9番出力をHにし、トランスファゲート73yを
開いて5A73の出力をデータバス4.4へ導く。以下
同様である。
更に、5A72の出力は8面では6群(X方向に0.1
,2.3と進めY方向に0. 4. 8. 12と進め
るとして)の0番ビットに対応する。Sプリデコーダは
Bo=B3が6群を示すとき6番出力をHにしてトラン
スファゲート72sを開き、5A72の出力をデータバ
スの0.■へ導(。また5A73の出力は8面では6群
の1番ビットに対応し、上記Sプリデコーダの6番出力
はトランスファゲート73sを開いて5A73の出力を
データバス1.Tへ導く。以下同様である。
こうして第5図の16X16ビツトデータを同時に読出
し、それを16ビソトずつ、X、Y方向および8面のう
ちの任意の次元で選択して出力することができる。
選択態様にはX、Y、Sの他に種々あり、数学的には2
56個の中から16個を取出す(n個の中からm個取出
す、こ−でn>m)順列組合せの数だけある。各々の選
択方法(次元)を実行するプリデコーダを用意しておき
、次元制御信号でその1つをアクティブにして所望の次
元で複数ビットを同時出力させることが可能である。勿
論、極めて多数ある組合せの各々に対するプリデコーダ
を用意することは実際には不可能であるから、使用予定
のもの数種を用意し、それを選択使用することになろう
書込みは読取りの逆を行えばよく、即ちデータバス20
に16ビツトの書込みデータを与え、プリデコーダで選
択した16個のセンスアンプ従ってビット線へ入力して
、選択ワードと該ビット線との交点の16個のメモリセ
ルへ書込み、これを選択ワード線の全メモリセルに対し
繰り返して行けばよい。またセンスアンプをランチの如
く機能させ、16ビツト書込みデータをプリデコーダで
選択した16個のセンスアンプヘラツチさせ、これを繰
り返して全センスアンプへ書込みデータをランチさせた
後、ワード線を選択して当該ワード線に属する全メモリ
セルヘー斉に書込むこともできる。
勿論、■ワード線上のビット数は256に限らず、任意
の多数(n)でよい。データバスも16ビント用でなく
、任意の複数(m)ビット用でよい。また図ではフォル
デッドビット線型のDRAMを挙げたので多次元選択回
路16はセンスアンプに接続されるように示されている
が、オープンビット線型のDRAMではセンスアンプは
セルアレイの中央にあるから、多次元選択回路はセルア
レイの一端においてビット線の開放端に接続するのが適
当である。また、ワード線上のデータはX方向セグメン
トを順次並べたものとする他、Y方向、S面各セグメン
ト等を順次並べてもよいことは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、任意の1ワード線
上の多数(n)のビットのうちの、指定した次元での複
数(m、こ−でn>m)ビットを同時に読出し、これを
繰り返して該ワード線上の多数のビットを迅速に読出す
ことができ、画像処理などに好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、 第2図は第1図の選択回路の詳細を示す図、第3図は各
セグメントとセンスアンプ等の対応を示す説明図、 第4図および第5図は多次元データの説明図である。 第1図で10はセルアレイ、WLはワード線、BLはビ
ット線、12はセンスアンプ群、20はデータバスであ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 複数(m)ビット並列出力が可能なデータバスと、 次元制御信号(x、y、s)の1つを受けてアクティブ
    にされ、またセグメントアドレス(B_0〜B_3)を
    受けて、各ワード線上の多数(n)のビットのうちの、
    指定された次元での複数(m)ビットからなるセグメン
    トを選択するデコード出力を生じる複数(1)個のプリ
    デコーダ(18x、18y、18s)と、 各プリデコーダ(18x、18y、18s)のデコード
    出力を受けデータバスと平行に走るm×l本の選択線(
    30x、30y、30s)と、該選択線によりオンオフ
    されて当該ビット線を当該データバスへ接続するn×l
    個のトランスファゲート(72x、73y、73s、・
    ・・・・・)からなる多次元選択回路(16)とを備え
    ることを特徴とする多次元アクセスメモリ。
JP61289680A 1986-08-22 1986-12-04 多次元アクセスメモリ Granted JPS63142593A (ja)

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EP87307369A EP0257987B1 (en) 1986-08-22 1987-08-20 Semiconductor memory device
KR8709202A KR910004731B1 (en) 1986-08-22 1987-08-22 Semiconductor memory device capable of multi direction data access
US08/214,161 US5379264A (en) 1986-08-22 1994-03-17 Semiconductor memory device capable of multidirection data access
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