JPH0444356B2 - - Google Patents

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JPH0444356B2
JPH0444356B2 JP61289677A JP28967786A JPH0444356B2 JP H0444356 B2 JPH0444356 B2 JP H0444356B2 JP 61289677 A JP61289677 A JP 61289677A JP 28967786 A JP28967786 A JP 28967786A JP H0444356 B2 JPH0444356 B2 JP H0444356B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (概要〕 大容量の半導体メモリでの多次元アクセス化を
容易にするデコード方法。従来プロセス、回路技
術でも、高集積化、高次元化を可能にする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は多次元アクセスメモリ、詳しくは任意
の1ワード線の選択で読出される多数のビツトの
うちの、読出しに際し指定された次元でのもの複
数ビツトを同時に出力することができる半導体メ
モリに関する。
〔従来の技術〕
半導体メモリ例えばDRAMでは、ワード線を
選択すれば当該ワード線に属する全メモリセルの
記憶データが各々のビツト線に現われ、通常はそ
のうちの1ビツトをコラムアドレスにより選択
し、データバスを通して外部へ出力するが、デー
タバスを複数本設けコラムゲートもそれに応じて
変更して、複数ビツトを同時に出力することも可
能である。画像メモリなどではデータ処理を高速
化するため、複数ビツト同時読出しが特に要求さ
れる。
2次元または3次元、一般化して言えばn次元
の画像データをメモリに記憶させておき、これを
複数ビツト同時読出しする場合、次の点が問題に
なる。第3図の横X、縦Y、深さZ各8ビツト、
計512ビツトの3次元画像データを示すが、これ
をX方向に並ぶ8ビツトの64組とし、これをワー
ド線数64、各ワード線のビツト数(メモリセル
数)8、データバス数8(同時出力可能ビツト数
8)のメモリの各ワード線のメモリセルに書込ん
だとすると、1本のワード線を選択するだけで
(1回のアクセスで)X方向8ビツトを同時に読
出すことができる。しかしY方向又はZ方向の8
ビツトを読出すには8回アクセスし、各回の例え
ば第1ビツトを取出すようにしなければならず、
アクセス時間が大になる。
画像データ処理では複数ビツトをX方向で取出
して処理し、またY,Z方向で取出して処理し、
といつた作業が要求され、これらは可及的速やか
に、全て同じ時間で実行したいという要求があ
る。複数ビツトの取出し態様はX,Y,Z方向に
限らず、斜め(対角線)方向なども必要で、また
第4図に示すように面Sで取出したい要求もあ
る。なお第4図aは16×16ビツトの2次元画像デ
ータを示し、Sはそのうちの4×4ビツトデータ
である。
どの方向または面など(次元という)でも複数
ビツト同時読出しが可能なメモリを、本発明者等
は開発している。このメモリの要部は、ビツト線
とデータバスとの間に介在させる選択回路であ
る。即ち、1ワード線の選択でそのワード線に属
する全メモリセル(これは、ビツト線数をnとし
て、n個ある)のデータが全ビツト線に出てくる
ので、データバスを1バイトまたは2バイト等多
数(m)本設けておき、このデータバスとビツト
線との間に、指定された態様(次元)でのmビツ
トを選択する回路を設けておけば、指定次元での
同時選択が可能である。
第5図はその一例で、WLiはi番ワード線、
BL72,72は72番ビツト線対、SA72はそ
のセンスアンプ、BL73,73は73番ビツト
線対、SA73はそのセンスアンプである。20は
データバスで、2バイト分ある。16は選択回路
で、各センスアンプの出力を指定次元(x,y,
s)およびセグメント(B03)に従つて選択
的にデータバス20へ導く。選択回路16は、各
センスアンプに対して配設される各次元のデコー
ダ(x,y,sデコーダ)からなり、各々は共通
にセグメントアドレスB03を受け、また個々
に次元制御信号x,y,sの1つを受けて該当制
御信号が入るときアクテイブにされる。
この第5図で多次元選択要領を説明するに、1
ワード線に256ビツトあり、これらは第4図のX
方向16ビツトの各々を順に並べたもの(Y=0の
X方向16ビツトの次にY=1のX方向16ビツトを
続け、その後にY=2のX方向16ビツトを並べ、
……としたもの)とすると、72番センスアンプ
SA72はX方向では第4群(Y=4)の8番ビツ
トをまた73番センスアンプSA73は同9番ビツト
を出力するので、B0〜B3が第4群(第4セグメ
ント)を指示するときxデコーダX72により
SA72の出力をデータバスDB8,8へ導き、
またX73によりSA73の出力をDB9,9へ
導き、以下同様にすると、第4群のX方向16ビツ
トをデータバス20へ同時出力することができ
る。またSA72の出力ビツトはY方向では第8群
(X=8)の第4ビツト、SA73のそれは第9群の
第4ビツトであるから、B0〜B3が第8群を示す
ときyデコーダY72によりSA72の出力をDB
4,4へ導き、またB0〜B3が第9群を示すと
きyデコーダY73によりSA73の出力を同じく
DB4,4へ導き、他も同様にすれば、各群
のY方向16ビツトを逐次(群内では同時)データ
バスへ出力することができる。S面についても同
様である。
第6図にxデコーダの一例を示す。Q1〜Q6
Q16はpチヤネルトランジスタ、Q7〜Q15はnチ
ヤネルトランジスタである。xがH(ハイ)であ
るとQ16オフ、Q15オン、ノードN1はL(ロー)、
従つてQ12オフ、Q6オンになり、Q1〜Q4,Q7
Q10のデコーダ部が有効になつて、アドレスB0
3がこのデコーダを選択するなら(B3〜B0
0100で第4群選択なら)ノードN3はL、従つて
Q5オン、Q11オフとなり、ノードN2はH、トラ
ンスフアゲートQ13,Q14はオンになり、SA72
出力をデータバスDB8,8へ通す。
この第5図のように各センスアンプ出力端に
(これは各ビツト線に、でもある)各次元のデコ
ーダをそれぞれ設けてデータバスとの接続を制御
すると多次元アクセスが可能になるが、セルアレ
イのビツト線間隔は狭いから、この間隔内に各次
元のデコーダを設けることは実際には困難で、こ
のようにするとビツト線間隔が大になり、集積度
の低いメモリになる恐れがある。
第7図ではこの点が改善されている。即ち第7
図では、全センスアンプに共通にx,y,sプリ
デコーダを置き、各センスアンプへはデコードし
た出力を供給する。30x,30y,30sはこ
のデコード出力を供給する各16本の選択線、72
x,72y,72s……はトランスフアゲート
で、72xは前記Q13,Q14に相当する。x,y,
sプリデコーダ18x,18y,18sは信号
x,y,sにより1つのみアクテイブにされ、そ
して各デコーダは16出力のうちの1出力をHに
し、その16×3=48本中、唯1つHの選択線が16
対のトランスフアゲートをオンにして当該センス
アンプの出力をデータバスへ導く。
xプリデコーダの出力0は第0セグメントを選
択し、出力1は第1セグメントを選択し、以下同
様である。ワード線上のデータは前記の如くとす
ると、X方向第0セグメントはセンスアンプSA0
〜SA15が出力する。従つてxプリデコーダの出
力0はこれらのセンスアンプの出力とデータバス
0〜とを接続するトランスフアゲートをオンに
してSA0〜SA15の出力をデータバス0〜へ導
く。センスアンプSA72の出力は前記のようにX
方向では第4群8番ビツトのものであるから、次
元制御信号xが入り、B0〜B3が4を示すときx
プリデコーダ18xは出力4を生じ(出力4をH
にし)、トランスフアゲート72xを開いてSA72
の出力をデータバス8,8へ導く。SA72の出力
はY方向では第8群4番ビツトのものであるか
ら、次元制御信号yが入り、B0〜B3が8を示す
ときyプリデコーダ18yは出力8をHにし、ト
ランスフアゲート72yを開いてSA72の出力を
データバス4,4へ導く。更にSA72の出力は面
Sでは第6群0番ビツトのもの(第0群は第4図
で左上端がX=Y=0の16ビツト、第1群はX=
4、Y=0の16ビツト、……第4群はX=0,Y
=4の16ビツト,……)であるから、次元制御信
号sが入り、B0〜B3が6を示すときsプリデコ
ーダ18sは出力6をHにし、トランスフアゲー
ト72Sを開いてSA72の出力をデータバス0,
0へ導く。
センスアンプSA73の出力についても同様で、
x,y,sプリデコーダはトランスフアゲート7
3x,73y,73sを制御してこれをデータバ
ス9,9または4,4または1,1へ導く。
選択線30x,30y,30sおよびトランス
フアゲート72x,72y,……は多次元選択回
路16を構成し、x,y,sプリデコーダ18と
共にメモリ上では第8図に示す位置を占める。1
0はセルアレイで、本例では256本のワード線
WLと、256対のビツト線BL,を有する。A0
〜A7はワード線を選択するアドレス、B0〜B3
16ビツト1組でビツト線を選択するコラム(セグ
メント)アドレスである。22はラツチである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第5図では各センスアンプに、各種選択次元の
各々に対するデコーダを配置するが、これではデ
コーダ数が多くなり、また面積をとる。各種デコ
ーダはビツト線間隔内に収めねばならないからデ
コーダ用スペースが極端に制限され、ビツト線間
隔を大にしなければならない。この方式ではNa
ビツトのデータからk次元の方法で並列にNビツ
トをとる場合、デコーダ数はkNa、信号線数は
(2log2Na-1+k)本必要である。第7図のように
共通にプリデコーダを設けるとデコーダ数はk個
でよく、ビツト線間隔内に各種デコーダを収容し
なければならないという問題はなくなる。しか
し、選択線はkNa-1本必要になる。
本発明はこれらを改善しようとするもので、プ
リデコード方式をとつてデコーダ配置上の問題を
軽減し、また選択線は少数本で済むようにしよう
とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の多次元アクセスメモリは、複数ビツト
並列出力が可能なデータバス20と、該複数ビツ
トを1セグメントとしてその複数セグメントから
なる多数ビツトデータ群を1ワード線上のメモリ
セルに、選択次元数に応じて離散的に書き込ま
れ、空いたメモリセルへは他の多数ビツトデータ
群を同様に離散的に書き込まれるセルアレイ10
と、該セルアレイの各ビツト線に接続される各セ
ンスアンプSA72A,SA72B,……を該デー
タ群内の各ビツト毎の出力線L72,L73,…
…に、群選択ビツトC0,C1に従つて接続するデ
コーダ回路32,72A,……と、セグメントア
ドレスB0〜B3を受けてそのデコード出力を生じ
るデコーダ40と、該デコーダ40の出力を受け
る選択線38、次元選択信号線x,y,s、前記
出力線をデータバスの該当線へ接続するトランス
フアゲート36、および該デコーダ出力と次元選
択信号を受けて該トランスフアゲートをオンオフ
する出力を生じるゲート回路34を有する選択回
路16とを備え、該トランスフアゲートをオンオ
フするゲート回路34は、入力が同じものは1つ
に纒められ、その共通ゲートOX,OS,……の出
力が共通に該当するトランスフアゲートの各々へ
導かれるようにされてなることを特徴とするもの
である。
〔作用〕
この構成により多次元アクセスが可能になり、
しかもデコーダのスペースをとることができな
い、選択線数が多過ぎる等のことがなく、画像処
理用などに好適なメモリを提供することができ
る。
〔実施例〕
第1図に本発明の実施例を示す。やはりx,
y,s次元で選択し、同時出力は16ビツトずつと
する。従つてデータバス20は16対とする。プリ
デコーダは各選択次元に共通とし、従つてデコー
ダ40から延びる排他的選択線38は16本でよ
い。次元選択は、各センスアンプに対して設ける
x,y,s選択ゲート34,36により行なう。
第7図でもそうであるが、次元選択を3種(x,
y,s)行なうには各センスアンプ(ビツト線)
に対して3系統を用意せねばならず、第1図でも
この点は変らない。しかし第1図では各系統の選
択回路はノアゲート72X,72Y,……1つで
あり、第6図と対比すれば明らかなように大幅に
(約1/3に)簡素化され、第7図と同程度である。
そして第7図とは選択線数が大幅に低減されてい
る。
また第1図でも各センスアンプに対して選択次
元数だけの系統が必要であり、そして1系統は1
ビツト線間隔程度を必要とするので、このまゝで
はビツト線間隔が大になる。この点は次のように
して改善できる。即ち、1ワード線に第4図のデ
ータ(16×16=256ビツト)を格納することは変
らないが、各ビツトは離散的に本例では3ビツト
(3メモリセル)おきに格納する。例えば最初の
X方向16ビツト(第0セグメント)は第5図,第
7図等ではビツト線の0,1,2,……15に、次
のX方向16ビツト(第1セグメント)はビツト線
の16,17,18,……31に(以下同様)おくとした
が、本発明では第0セグメントはビツト線の0,
4,8,……60に、第1セグメントはビツト線の
64,68,72,……123に(以下同様)におく。従
つてメモリセルのビツト線数は256×4=1024に
なる。空いている各3ビツトにも同様にデータを
おくと1ワード線上には第4図の2次元データ
(16×16ビツト)が4枚分格納されることになる。
2ビツトC0,C1はこの4枚のうちの任意1枚を
選択するビツトであり、32はその選択出力を生じ
るデコーダである。センスアンプはビツト線と同
数、従つて1024個設けるが、こゝでは256個×4
としており、各群には添字A,B,C,Dを付し
ている。
今2ビツトC0,C1を例えば00にしてA群を選
択したとするとゲート72A,73A,……が開
いてセンスアンプはSA72A,SA73A,……
が出力線L72,L73,……に接続される。ワ
ード線上のデータは上記の如くとすると、SA7
2Aの出力はX方向では第4群第8番ビツトのも
のであり、デコーダ40に与えられるセグメント
選択ビツトB0〜B3が4を示すなら該デコーダは
出力4をLにし、そして次元選択信号がLなら
ノアゲート72XはHレベル出力を生じてトラン
スフアゲート72xを開く。従つてSA72Aの
出力がデータバス8,8へ与えられる。センスア
ンプSA73Aの出力はX方向では第4群9番ビ
ツトのものであり、これは出力線L73および、
x=L、デコーダ40の出力4=LによりHレベ
ルを出力するノアゲート73Xの該出力により開
くトランスフアゲート73xを通つてデータバス
9,9へ与えられる。他も同様であり、またデコ
ーダ32がB,C,D群を選択するときも同様で
ある。
このようにする、即ち多次元選択の対象となる
データ群(前記の16×16ビツト)の各データを次
元数に応じた間隔でとびとびにワード線上メモリ
セルに格納し、空いているメモリセルへは他の多
次元選択対象データ群の各データをやはりとびと
びに格納し、同一データ群のデータがビツト線間
に離散的に現われるようにすると、各次元の選択
回路を収容するスペースができ、ビツト線間隔を
大にしないと各次元の選択系を収容できないとい
う問題がなくなる。また離散的配置で空いたメモ
リセルへは他のデータ群のデータを同様に詰め、
それをデコーダ32で選択出力させると無駄がな
くなり、集積度の向上を図ることができる。なお
ラツチ回路を設けて、1ワード線の選択で読出し
たデータはこのラツチ回路に取込み、その後デコ
ーダ32による群選択、デコーダ40、選択回路
等による次元およびセグメント選択をするように
してもよい。
勿論、各ワード線上に格納するデータ群のビツ
ト数は適宜増減でき、選択次元数も増減できる。
ワード線上へのデータの配列方式も、上記の如く
X方向データを順に並べる代りに、Y方向データ
あるいはS面データを順に並べるなど、適宜変更
できる。また第1図ではL選択方式としたのでデ
コーダ40の出力及び次元選択信号,,は
Lアクテイブ、ゲート72X,72Y,……はノ
アゲートとしたが、これらはHアクテイブ、アン
ドゲートとしてもよい。
選択ゲート34には入力が同じものがある。例
えば72Xと73X,72Sと73Sは同じ入力
であるから1つのゲートで済ませ、その出力をそ
れぞれのトランスフアゲートに導けばよい。第2
図にこれを示す。ワード線上にX方向16ビツトを
順に並べるとセンスアンプSA0〜SA15に対する
ノアゲートの入力は同じ(デコーダ40の出力
0)になり、1ゲートで代表させることができ
る。0Xが該ゲートで、1セグメントに共通とす
る。なおこゝではHアクテイブを採るのでゲート
はアンドゲートである。面選択ゲートも各4個が
同じ入力であり、そこでアンドゲート0S,1S,
2S,3Sで代表する。Y選択ゲートには同じ入力
のものがないので、個々に設ける。0Y,1Y,…
…FYがその選択ゲートである。
この第2図ではA群,B群,……は省略し、単
にSA0,SA1,……としてある。L0,L1,
……はL72,L73等に相当する出力線で、こ
の先に72x,72y,……相当のトランスフア
ゲートがつき、各々はゲート0X,0Y,0S,……
の出力で開閉される。第2図では第0セグメント
分のみ示すが、他のセグメントについても同様で
ある。ワード線上にY方向ビツトを順に並べる場
合はX,Yが入れ換り、Y選択ゲートが当該セグ
メントに共通に使用される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば多次元アク
セスが可能になり、しかもデコーダのスペースを
とることができない、選択線数が多過ぎる等のこ
とがなく、画像処理用などに好適なメモリを提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図
は第1図の一部の変形例を示す回路図、第3図お
よび第4図は多次元データの説明図、第5図は多
次元アクセスの例を示す要部回路図、第6図は第
5図のデコーダ部の回路図、第7図は多次元アク
セスの他の例を示す回路図、第8図は第7図の全
体構成を示すブロツク図である。 第1図で20はデータバス、16は選択回路、
38は選択線、34は選択ゲート、72X,72
Y,……はその各ゲート、36はトランスフアゲ
ート、72x,72y,……はその各ゲート、1
2はセンスアンプ群である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数ビツト並列出力が可能なデータバス20
    と、 該複数ビツトを1セグメントとしてその複数セ
    グメントからなる多数ビツトデータ群を1ワード
    線上のメモリセルに、選択次元数に応じて離散的
    に書き込まれ、空いたメモリセルへは他の多数ビ
    ツトデータ群を同様に離散的に書き込まれるセル
    アレイ10と、 該セルアレイの各ビツト線に接続される各セン
    スアンプSA72A,SA72B,……を該データ
    群内の各ビツト毎の出力線L72,L73,……
    に、群選択ビツトC0,C1に従つて接続するデコ
    ーダ回路32,72A,……と、 セグメントアドレスB0〜B3を受けてそのデコ
    ード出力を生じるデコーダ40と、 該デコーダ40の出力を受ける選択線38、次
    元選択信号線x,y,s、前記出力線をデータバ
    スの該当線へ接続するトランスフアゲート36、
    および該デコーダ出力と次元選択信号を受けて該
    トランスフアゲートをオンオフする出力を生じる
    ゲート回路34を有する選択回路16とを備え、 該トランスフアゲートをオンオフするゲート回
    路34は、入力が同じものは1つに纒められ、そ
    の共通ゲートOX,OS,……の出力が共通に該当
    するトランスフアゲートの各々へ導かれるように
    されてなることを特徴とする多次元アクセスメモ
    リ。
JP61289677A 1986-08-22 1986-12-04 多次元アクセスメモリ Granted JPS63142592A (ja)

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JP61289677A JPS63142592A (ja) 1986-12-04 1986-12-04 多次元アクセスメモリ
EP87307369A EP0257987B1 (en) 1986-08-22 1987-08-20 Semiconductor memory device
DE8787307369T DE3774369D1 (de) 1986-08-22 1987-08-20 Halbleiter-speicheranordnung.
KR8709202A KR910004731B1 (en) 1986-08-22 1987-08-22 Semiconductor memory device capable of multi direction data access
US08/214,161 US5379264A (en) 1986-08-22 1994-03-17 Semiconductor memory device capable of multidirection data access
US08/309,647 US5463582A (en) 1986-08-22 1994-09-21 Semiconductor memory device capable of multidirection data access

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JPS63142592A JPS63142592A (ja) 1988-06-14
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04147493A (ja) * 1990-10-09 1992-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ
JP3965620B2 (ja) * 1999-05-28 2007-08-29 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置および記憶方法並びにデータ処理システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180592A (ja) * 1984-09-26 1986-04-24 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS61217989A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS61243545A (ja) * 1985-04-22 1986-10-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多方向読み出し1方向書き込みメモリ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180592A (ja) * 1984-09-26 1986-04-24 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS61217989A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS61243545A (ja) * 1985-04-22 1986-10-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多方向読み出し1方向書き込みメモリ装置

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