JPS63140548A - 平板状物体のアライメント方法 - Google Patents
平板状物体のアライメント方法Info
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- JPS63140548A JPS63140548A JP61286020A JP28602086A JPS63140548A JP S63140548 A JPS63140548 A JP S63140548A JP 61286020 A JP61286020 A JP 61286020A JP 28602086 A JP28602086 A JP 28602086A JP S63140548 A JPS63140548 A JP S63140548A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、平板状物体のアライメント方°法に関する。
具体例を挙げれば、半導体デバイス製造装置または半導
体デバイス検査装置において半導体ウェハを位置合わせ
する方法、特に半導体ウェハの外形またはオリエンテー
ションフラットを利用して位置合わせを行なうプリアラ
イメントに続くファインアライメント法に係るものであ
る。
体デバイス検査装置において半導体ウェハを位置合わせ
する方法、特に半導体ウェハの外形またはオリエンテー
ションフラットを利用して位置合わせを行なうプリアラ
イメントに続くファインアライメント法に係るものであ
る。
[従来の技術]
半導体デバイス製造装置または半導体デバイス検査装置
における半導体ウェハのプリアライメントは半導体ウェ
ハのオリエンテーションフラット部分を機械的に押して
行なったり各種センサを使用してウェハの外形を非接触
に測定して行なったりする。この後者の場合近年精度よ
く半導体ウニへの外形を測定できるようになったためオ
リエンテーションフラットを一定の角度に高精度で位置
合せできるようになフた。しかしこれらのプリアライメ
ントでは、半導体ウニへの外形により位置決めを行なう
ため、実際には半導体ウェハ上に生成されているパター
ンとは無関係にオペレータが指定する位置に、半導体ウ
ェハを位置決めすることになる。このため半導体ウニへ
表面上に生成されているチップのパターン配列のウェハ
の外形に対する配置は初期工程での半導体焼き付は装置
による露光時のアライメント状態により決定されてしま
い、そのアライメント装置の基準位置に少しでもずれが
あると半導体ウェハ上に生成されているチップのパター
ン配列の位置と、目的とするそのチップのパターン配列
の位置との間に、同一のロットの半導体ウェハでほとん
ど同じ位置ずれが生じてしまう。
における半導体ウェハのプリアライメントは半導体ウェ
ハのオリエンテーションフラット部分を機械的に押して
行なったり各種センサを使用してウェハの外形を非接触
に測定して行なったりする。この後者の場合近年精度よ
く半導体ウニへの外形を測定できるようになったためオ
リエンテーションフラットを一定の角度に高精度で位置
合せできるようになフた。しかしこれらのプリアライメ
ントでは、半導体ウニへの外形により位置決めを行なう
ため、実際には半導体ウェハ上に生成されているパター
ンとは無関係にオペレータが指定する位置に、半導体ウ
ェハを位置決めすることになる。このため半導体ウニへ
表面上に生成されているチップのパターン配列のウェハ
の外形に対する配置は初期工程での半導体焼き付は装置
による露光時のアライメント状態により決定されてしま
い、そのアライメント装置の基準位置に少しでもずれが
あると半導体ウェハ上に生成されているチップのパター
ン配列の位置と、目的とするそのチップのパターン配列
の位置との間に、同一のロットの半導体ウェハでほとん
ど同じ位置ずれが生じてしまう。
すなわち、プリアライメントの精度が高くても、半導体
クエへの外形に対するチップのパターン配列の位置ずれ
が一様に生じ、次のレーザスキャン装置や、テレビカメ
ラを用いた画像処理装置を用いての半導体ウェハ上のチ
ップのパターン配列のアライメント、すなわちファイン
アライメントを実施するとき前記の位置ずれは、見かけ
上プリアライメントの誤差となって現われ、ブリアラ゛
イメントの高い精度を有効に利用できないことになる。
クエへの外形に対するチップのパターン配列の位置ずれ
が一様に生じ、次のレーザスキャン装置や、テレビカメ
ラを用いた画像処理装置を用いての半導体ウェハ上のチ
ップのパターン配列のアライメント、すなわちファイン
アライメントを実施するとき前記の位置ずれは、見かけ
上プリアライメントの誤差となって現われ、ブリアラ゛
イメントの高い精度を有効に利用できないことになる。
また、ファインアライメントは、超高精度のため一般的
に計測範囲が狭く、例えば光学的手法の場合顕微鏡の視
野が狭い。そこでプリアライメントで生じた比較的大き
い位置ずれを検出するため、パターンマツチングという
、あらかじめ記憶されている信号のパターンにセンサや
カメラからの入力信号のパターンが一致する場所を検知
するプロセスをファインアライメントで採用して、視野
外にある目的のパターンを見つけるための模索が行なわ
れる。特に半導体クエへの角度ずれが生じていると、半
導体ウェハの外周に近づくに従い模索の範囲が広くなり
、アライメントに費やす時間が長くなり、装置のスルー
プットが落ちたり、最悪の場合には、ファインアライメ
ントが不可能となることもあるという問題があった。
に計測範囲が狭く、例えば光学的手法の場合顕微鏡の視
野が狭い。そこでプリアライメントで生じた比較的大き
い位置ずれを検出するため、パターンマツチングという
、あらかじめ記憶されている信号のパターンにセンサや
カメラからの入力信号のパターンが一致する場所を検知
するプロセスをファインアライメントで採用して、視野
外にある目的のパターンを見つけるための模索が行なわ
れる。特に半導体クエへの角度ずれが生じていると、半
導体ウェハの外周に近づくに従い模索の範囲が広くなり
、アライメントに費やす時間が長くなり、装置のスルー
プットが落ちたり、最悪の場合には、ファインアライメ
ントが不可能となることもあるという問題があった。
[発明が解決しようとする問題点コ
本発明の目的は、半導体ウェハ等の平板状物体の外形に
対するパターン配列のずれ例えばプリアライメントまた
は露光時のアライメント誤差により生じる半導体クエへ
の表面のチップのパターン配列の目標位置に対するずれ
を、自動的に補正し、パターンマツチングにおける模索
を不要とした状態でパターンマツチングを行ない、位置
合わせを行なう平板状物体のアライメント方法を提供す
ることにある。
対するパターン配列のずれ例えばプリアライメントまた
は露光時のアライメント誤差により生じる半導体クエへ
の表面のチップのパターン配列の目標位置に対するずれ
を、自動的に補正し、パターンマツチングにおける模索
を不要とした状態でパターンマツチングを行ない、位置
合わせを行なう平板状物体のアライメント方法を提供す
ることにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明に従う平板状物体のアライメント方法においては
、平板状物体の外形に対する平板状物体の表面上のパタ
ーンの配列のずれ量を微(ファイン)アライメントの前
に補正して2枚目以降の平板状物体の位置合わせを行な
う。
、平板状物体の外形に対する平板状物体の表面上のパタ
ーンの配列のずれ量を微(ファイン)アライメントの前
に補正して2枚目以降の平板状物体の位置合わせを行な
う。
すなわち本発明の平板状物体のアライメント方法は、平
板状物体の外形から該物体を指定位置に合わせ、該物体
の表面のパターン配列又はスクライブラインから該パタ
ーン配列の目標位置に対するずれ量を決定して微小位置
合わせを行ない、上記平板状物体に続く平板状物体につ
いては、まず外形から指定位置に合わせ、上記ずれ量に
従って後続の平板状物体の位置の補正を自動的に行なっ
た後、微小位置合わせをする。
板状物体の外形から該物体を指定位置に合わせ、該物体
の表面のパターン配列又はスクライブラインから該パタ
ーン配列の目標位置に対するずれ量を決定して微小位置
合わせを行ない、上記平板状物体に続く平板状物体につ
いては、まず外形から指定位置に合わせ、上記ずれ量に
従って後続の平板状物体の位置の補正を自動的に行なっ
た後、微小位置合わせをする。
[実施例]
添付図を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。半
導体デバイス検査装置であるウエハプローバのアライメ
ントに本発明を適用した場合について詳細に説明する。
導体デバイス検査装置であるウエハプローバのアライメ
ントに本発明を適用した場合について詳細に説明する。
ウエハプローバのアライメントは第1段階としてのプリ
アライメントと第2段階としてのファインアライメント
とから構成されている。
アライメントと第2段階としてのファインアライメント
とから構成されている。
第1段階では静電容量センサを用いて、クエへを吸着し
て回転するウェハチャックを静電容量センサの下でスキ
ャンさせてウニへの外形を測定する。角度の位置合せは
、測定結果によりウェハのオリエンテーションフラット
が指定角度となるようウェハチャックを回転させること
により行ない、モしてxy座標の位置合せは、xyステ
ージをクエへの中心のずれ量を打ち消すように動かすこ
とにより行なう。
て回転するウェハチャックを静電容量センサの下でスキ
ャンさせてウニへの外形を測定する。角度の位置合せは
、測定結果によりウェハのオリエンテーションフラット
が指定角度となるようウェハチャックを回転させること
により行ない、モしてxy座標の位置合せは、xyステ
ージをクエへの中心のずれ量を打ち消すように動かすこ
とにより行なう。
第2段階のファインアライメントでは、プリアライメン
トされたウェハの表面に生成されているチップのパター
ンを顕微鏡に取り付けたテレビカメラにより検出し、画
像処理装置のパターンマツチングの方法を利用してチッ
プのパターンを2ケ所以上で測定することにより、ウェ
ハの位置合せをする。ファインアライメントの方法の一
例を、第1図を参照して以下に詳述する。半導体ウェハ
に整列しているたくさんのICチップの中の1つのチッ
プのその中の一部のパターンを基本パターンとして画像
処理装置に記憶している。最初半導体ウェハの中心部(
第1図a)付近でパターンマツチングを行ないその点の
座標を測定する。次にX軸方向にウェハチャックを8勤
し、半導体クエへの外周部(第1図b)でパターンマツ
チングを行なって半導体ウェハ上に整列しているICチ
ップ列の主として角度についての位置ずれを測定し補正
する。最後にX軸方向反対側の外周部(第1図C)でパ
ターンマツチングを行ない、位置ずれの再確認と再補正
を行ないファインアライメントを終了する。このファイ
ンアライメント系は、情報処理装置により制御される。
トされたウェハの表面に生成されているチップのパター
ンを顕微鏡に取り付けたテレビカメラにより検出し、画
像処理装置のパターンマツチングの方法を利用してチッ
プのパターンを2ケ所以上で測定することにより、ウェ
ハの位置合せをする。ファインアライメントの方法の一
例を、第1図を参照して以下に詳述する。半導体ウェハ
に整列しているたくさんのICチップの中の1つのチッ
プのその中の一部のパターンを基本パターンとして画像
処理装置に記憶している。最初半導体ウェハの中心部(
第1図a)付近でパターンマツチングを行ないその点の
座標を測定する。次にX軸方向にウェハチャックを8勤
し、半導体クエへの外周部(第1図b)でパターンマツ
チングを行なって半導体ウェハ上に整列しているICチ
ップ列の主として角度についての位置ずれを測定し補正
する。最後にX軸方向反対側の外周部(第1図C)でパ
ターンマツチングを行ない、位置ずれの再確認と再補正
を行ないファインアライメントを終了する。このファイ
ンアライメント系は、情報処理装置により制御される。
特に第1図は、半導体ウェハの外形の基準となるオリエ
ンテーションフラットが位置合わせられ、このオリエン
テーションフラットに対してチップパターン列が理想的
に生成されている場合を示す。
ンテーションフラットが位置合わせられ、このオリエン
テーションフラットに対してチップパターン列が理想的
に生成されている場合を示す。
第2図は、半導体ウェハのオリエンテーションフラット
が位置合せされているが、このオリエンテーションフラ
ットに対してチップパターン列が角度Δθだけずれて生
成されているため、アライメントの目的角度に対し、チ
ップパターン列が角度Δθずれている場合を示す。
が位置合せされているが、このオリエンテーションフラ
ットに対してチップパターン列が角度Δθだけずれて生
成されているため、アライメントの目的角度に対し、チ
ップパターン列が角度Δθずれている場合を示す。
あるひとつのロフト内の何枚もの半導体ウェハの表面に
は同じようにチップが生成されるので第2図に示す角度
のずれはそのロット内のウェハすべてに生じる。またx
yX軸方向位置ずれについても同様である。
は同じようにチップが生成されるので第2図に示す角度
のずれはそのロット内のウェハすべてに生じる。またx
yX軸方向位置ずれについても同様である。
第2図に示したウェハを何枚もアライメントして行く過
程に、本発明を採用して角度ずれを修正する場合を説明
する。
程に、本発明を採用して角度ずれを修正する場合を説明
する。
同一ロットのウェハをアライメントしていく過程におい
て、第1段階のプリアライメントによりオリエンテーシ
ョンフラットは前もって指定されている角度θ。に毎ロ
アライメントされる。このとき第2図に示すように、ク
エへの外形とパターンとの間に、Δθだけのずれ量があ
るものとする。また、第2段階のファインアライメント
では、記憶しているチップのパターンを参照してウェハ
上の異なる2点で(第2図点a、b)パターンのマツチ
ングを行なう。
て、第1段階のプリアライメントによりオリエンテーシ
ョンフラットは前もって指定されている角度θ。に毎ロ
アライメントされる。このとき第2図に示すように、ク
エへの外形とパターンとの間に、Δθだけのずれ量があ
るものとする。また、第2段階のファインアライメント
では、記憶しているチップのパターンを参照してウェハ
上の異なる2点で(第2図点a、b)パターンのマツチ
ングを行なう。
まず、最初の1枚目のクエへのアライメントでは、a点
の近傍が視野に入ってくる。このa点はウェハの中心付
近であるので、角度ずれの影響は少ない。そこで、パタ
ーンマツチングを行ない、マツチング点であるa点の座
標を得る。次にb点を捜すためにウェハ外周に視野を移
すが、見えてくるのはb′点の近傍である。この点では
b点が見えないため、模索をくり返し、マツチング点で
あるb点の座標を得る。この2点の座標を比較、計算し
てアライメントを行なうための回転方向のずれ量Δθを
求める。ここでΔθはプリアライメントのずれ量である
ということを学習する。学習したプリアライメントのず
れ量Δθに従ってθ。
の近傍が視野に入ってくる。このa点はウェハの中心付
近であるので、角度ずれの影響は少ない。そこで、パタ
ーンマツチングを行ない、マツチング点であるa点の座
標を得る。次にb点を捜すためにウェハ外周に視野を移
すが、見えてくるのはb′点の近傍である。この点では
b点が見えないため、模索をくり返し、マツチング点で
あるb点の座標を得る。この2点の座標を比較、計算し
てアライメントを行なうための回転方向のずれ量Δθを
求める。ここでΔθはプリアライメントのずれ量である
ということを学習する。学習したプリアライメントのず
れ量Δθに従ってθ。
を補正し、補正されたアライメント角度θ1を得る。
2枚目のウェハのオリエンテーションフラットは、1枚
目と同様に、プリアライメントにより角度θoにアライ
メントされる。しかし、ファインアライメントでは、オ
リエンテーションフラットは、補正量Δθを含めた補正
されたアライメント角度θ1になるように位置合わせさ
れ、パターンマツチングの測定が開始される。この結果
新たな回転方向のずれ量が求まる。このずれ量により補
正されたアライメント角度θ2を得る。この02と前回
の01の平均値を02′とする。3枚目のクエへのオリ
エンテーションフラットは角度θ。にプリアライメント
され、ファインアライメントで、オリエンテーションフ
ラットは補正量を含めた角度02′になるように補正さ
れ、パターンマツチングの測定が開始される。これによ
り、また新たなアライメント角度θ3を得る。このθ3
と前回での02とθ、の平均をとり、θ3′とする。4
枚目以降も同様に行なう。
目と同様に、プリアライメントにより角度θoにアライ
メントされる。しかし、ファインアライメントでは、オ
リエンテーションフラットは、補正量Δθを含めた補正
されたアライメント角度θ1になるように位置合わせさ
れ、パターンマツチングの測定が開始される。この結果
新たな回転方向のずれ量が求まる。このずれ量により補
正されたアライメント角度θ2を得る。この02と前回
の01の平均値を02′とする。3枚目のクエへのオリ
エンテーションフラットは角度θ。にプリアライメント
され、ファインアライメントで、オリエンテーションフ
ラットは補正量を含めた角度02′になるように補正さ
れ、パターンマツチングの測定が開始される。これによ
り、また新たなアライメント角度θ3を得る。このθ3
と前回での02とθ、の平均をとり、θ3′とする。4
枚目以降も同様に行なう。
ここでずれ量は角度の相対値、角度θ1゜θ2.θ5.
θ2′、03′は角度の絶対値である。
θ2′、03′は角度の絶対値である。
ここで述べた仔1では、2枚目以降、n枚目のクエへの
オリエンテーションフラット指定角度θn−1′は次式
で表される。
オリエンテーションフラット指定角度θn−1′は次式
で表される。
(n−2,3,4,・・・・・・)
以上が本発明の角度ずれに関する一実施例であるが、こ
れからも明らかなようにプリアライメント終了時のチッ
プのパターン配列の目標位置に対するずれ量を決定し、
次のウェハのアライメントのプリアライメント完了後か
らファインアライメントでの測定前までの間に先行ウェ
ハのプリアライメントのずれ量に従って位置決めを修正
する学習機能を有している。
れからも明らかなようにプリアライメント終了時のチッ
プのパターン配列の目標位置に対するずれ量を決定し、
次のウェハのアライメントのプリアライメント完了後か
らファインアライメントでの測定前までの間に先行ウェ
ハのプリアライメントのずれ量に従って位置決めを修正
する学習機能を有している。
xyy軸方向ずれ量の補正に関しても、上記と同様にし
て、X座標軸、X座標軸のずれ量を修正することができ
る。
て、X座標軸、X座標軸のずれ量を修正することができ
る。
前記の実施例では、アライメントごとに得られるオリエ
ンテーションフラットの指定角度をその前のウェハの位
置データを利用し、平均化して新たな角度を得ているが
、プリアライメント精度が非常に高い場合には、最初の
1枚目で得られたオリエンテーションフラットの指定角
度θ1を2枚目以降の指定角度として共通に使用しても
よい。
ンテーションフラットの指定角度をその前のウェハの位
置データを利用し、平均化して新たな角度を得ているが
、プリアライメント精度が非常に高い場合には、最初の
1枚目で得られたオリエンテーションフラットの指定角
度θ1を2枚目以降の指定角度として共通に使用しても
よい。
また、同様な理由から、平均化を行なわず、1枚目以降
径られるθ1、θlをもとに2枚目でのずれ量で補正さ
れたθ2、θ2をもとに3枚目でのずれ量で補正された
θ3というθ。−1のデータをn枚目のウェハのオリエ
ンテーションフラットの指定角度としてもよい。
径られるθ1、θlをもとに2枚目でのずれ量で補正さ
れたθ2、θ2をもとに3枚目でのずれ量で補正された
θ3というθ。−1のデータをn枚目のウェハのオリエ
ンテーションフラットの指定角度としてもよい。
以上説明したようにファインアライメント終了時のウニ
への修正回転角度を次のクエへのアライメントに活用し
ていく学習機能により、第2図に示すような、オリエン
テーションフラットに対してΔθだけウェハ上のパター
ン列がずれていても2枚目以降のウェハは、第3図に示
すように、ファインアライメントの測定前までにウェハ
上のパターン列を目的とする角度にそろえることができ
る。従来の学習補正機能のないアライメントでは、各ウ
ェハごとのファインアライメント時に、ウェハ外周部で
、画像処理装置などの視野に入ってくるのは、第2図b
′点近傍であり、マツチング点の第2図す点はファイン
アライメント時の狭い視野には入ってこない。このため
、b′点付近をステージを動かしながら模索をくり返し
てb点を見つけるという作業をしなければならなかった
が、この発明により最初の1枚目だけで模索は済み、2
枚目以降は模索の必要はなくなり、それだけ装置のスル
ーブツトを向上させることができ、又アライメントエラ
ーの発生を抑制して装置の信顆性を向上させることがで
きる。
への修正回転角度を次のクエへのアライメントに活用し
ていく学習機能により、第2図に示すような、オリエン
テーションフラットに対してΔθだけウェハ上のパター
ン列がずれていても2枚目以降のウェハは、第3図に示
すように、ファインアライメントの測定前までにウェハ
上のパターン列を目的とする角度にそろえることができ
る。従来の学習補正機能のないアライメントでは、各ウ
ェハごとのファインアライメント時に、ウェハ外周部で
、画像処理装置などの視野に入ってくるのは、第2図b
′点近傍であり、マツチング点の第2図す点はファイン
アライメント時の狭い視野には入ってこない。このため
、b′点付近をステージを動かしながら模索をくり返し
てb点を見つけるという作業をしなければならなかった
が、この発明により最初の1枚目だけで模索は済み、2
枚目以降は模索の必要はなくなり、それだけ装置のスル
ーブツトを向上させることができ、又アライメントエラ
ーの発生を抑制して装置の信顆性を向上させることがで
きる。
X釉、y軸方向のずれについても同様の効果を得ること
ができる。角度方向のずれはないが、X軸方向のウェハ
上のパターンの位置すれがΔx1y軸方向のウェハ上の
パターンの位置すれがΔyのクエへを第4図に示す。従
来法によれば、ファインアライメント時に画像処理装置
などの視野に入ってくるのは第4図a′の近傍及び第4
図b′の近傍であり、ファインアライメント時の狭い視
野ではマツチング点であるa点及びb点が見えないため
ステージを動かしながら模索しなければならなかった。
ができる。角度方向のずれはないが、X軸方向のウェハ
上のパターンの位置すれがΔx1y軸方向のウェハ上の
パターンの位置すれがΔyのクエへを第4図に示す。従
来法によれば、ファインアライメント時に画像処理装置
などの視野に入ってくるのは第4図a′の近傍及び第4
図b′の近傍であり、ファインアライメント時の狭い視
野ではマツチング点であるa点及びb点が見えないため
ステージを動かしながら模索しなければならなかった。
しかし、この発明によれば、ファインアライメントの測
定の直前までにウェハ上のパターン列が第5図のように
目的位置に粗(ブリ)アライメントされるので、模索は
最初の1枚目だけで済み、2枚目以降は模索の必要はな
くなり、それだけ装置のスルーブツトを向上させること
ができ、又アライメントエラーの発生を抑制して装置の
信頼性を向上させることができる。
定の直前までにウェハ上のパターン列が第5図のように
目的位置に粗(ブリ)アライメントされるので、模索は
最初の1枚目だけで済み、2枚目以降は模索の必要はな
くなり、それだけ装置のスルーブツトを向上させること
ができ、又アライメントエラーの発生を抑制して装置の
信頼性を向上させることができる。
第6図は、上述のアライメント方法を適用したウエハプ
ローバの一例を示す。同図において、11は被処理ウェ
ハ、12はウェハチャック、13(13X 、 13y
)はXYステージ、14xはXステージ駆動部、14
yはYステージ駆動部、15は静電容量センサ、16は
情報処理装置、17は顕微鏡、18はテレビカメラ、1
9は画像処理装置である。
ローバの一例を示す。同図において、11は被処理ウェ
ハ、12はウェハチャック、13(13X 、 13y
)はXYステージ、14xはXステージ駆動部、14
yはYステージ駆動部、15は静電容量センサ、16は
情報処理装置、17は顕微鏡、18はテレビカメラ、1
9は画像処理装置である。
ウェハチャック12は被処理ウェハ11を吸着保持する
とともにウェハ11をその面内(XY平面内)でθ方向
に8動(回転)する。XYステージ13はXステージ1
3xとYステージ13yからなり、被処理ウェハ11を
ウェハチャック12ごと搭載してXY平面内で平行移動
する。Xステージ駆動部14xはXYステージ13をに
方向に駆動し、Yステージ駆動部1431はXYステー
ジ13をY方向に駆動する。
とともにウェハ11をその面内(XY平面内)でθ方向
に8動(回転)する。XYステージ13はXステージ1
3xとYステージ13yからなり、被処理ウェハ11を
ウェハチャック12ごと搭載してXY平面内で平行移動
する。Xステージ駆動部14xはXYステージ13をに
方向に駆動し、Yステージ駆動部1431はXYステー
ジ13をY方向に駆動する。
第6図の装置において、プリアライメントおよびファイ
ンアライメントは、XYステージ13上に載せられたウ
ェハチャック12上で行なわれる。図中、ウェハ11、
ウェハチャック12およびXYステージ13は点線がプ
リアライメント位置Aにある状態、点線がファインアラ
イメント位置已にある状態を示している。
ンアライメントは、XYステージ13上に載せられたウ
ェハチャック12上で行なわれる。図中、ウェハ11、
ウェハチャック12およびXYステージ13は点線がプ
リアライメント位置Aにある状態、点線がファインアラ
イメント位置已にある状態を示している。
静電容量センサ15はプリアライメントの過程でウェハ
位置検出のため使用される。このセンサ15の下でウェ
ハチャック12がXY方向に動き、情報処理装置16は
センサ15の出力に基づいてウェハ11の外形を認識し
、プリアライメントを行なう。
位置検出のため使用される。このセンサ15の下でウェ
ハチャック12がXY方向に動き、情報処理装置16は
センサ15の出力に基づいてウェハ11の外形を認識し
、プリアライメントを行なう。
プリアライメントされたウェハ11は、XYステージ1
3によりファインアライメント位置Bに送られる。ファ
インアライメント位置Bの上方には顕微鏡17が配置さ
れ、この顕微鏡17にはテレビカメラ18が取り付けら
れている。画像処理装置19は、テレビカメラ18の映
像出力に基づいてファインアライメント位置Bにおける
ウェハ11上に生成されているチップおよびその配列の
目標位置(指定角度)からのずれを検出する。ここでは
、パターンマツチングの方法を利−用してウェハ11上
に生成されているチップの位置ずれをXYステージ13
を動かすことにより2箇所以上で測定し、この測定結果
に基づいて情報処理装置16の制御のもとにファインア
ライメントを行なう。
3によりファインアライメント位置Bに送られる。ファ
インアライメント位置Bの上方には顕微鏡17が配置さ
れ、この顕微鏡17にはテレビカメラ18が取り付けら
れている。画像処理装置19は、テレビカメラ18の映
像出力に基づいてファインアライメント位置Bにおける
ウェハ11上に生成されているチップおよびその配列の
目標位置(指定角度)からのずれを検出する。ここでは
、パターンマツチングの方法を利−用してウェハ11上
に生成されているチップの位置ずれをXYステージ13
を動かすことにより2箇所以上で測定し、この測定結果
に基づいて情報処理装置16の制御のもとにファインア
ライメントを行なう。
第7図は、第6図の装置における基本的なフローチャー
トの一例を示す。先に第1〜5図を参照して述べたよう
に、ウニへの外形の位置補正は、プリアライメント終了
後のファインアライメントの過程で行なわれる。
トの一例を示す。先に第1〜5図を参照して述べたよう
に、ウニへの外形の位置補正は、プリアライメント終了
後のファインアライメントの過程で行なわれる。
[発明の効果]
本発明は粗(ブリ)アライメントの結果としての総合的
な誤差をパターンマツチングを行なう前に微(ファイン
)アライメントの段階で補正し、ファインアライメント
でのパターンマツチングにおいて視野内に目標を確実に
捕えるようにすることにより、模索動作を不要とし、フ
ァインアライメントの時間を短縮し、装置のスルーブツ
トを向上させそれと同時に、アライメントエラーの発生
を抑制して装置の信頼性を向上させる。
な誤差をパターンマツチングを行なう前に微(ファイン
)アライメントの段階で補正し、ファインアライメント
でのパターンマツチングにおいて視野内に目標を確実に
捕えるようにすることにより、模索動作を不要とし、フ
ァインアライメントの時間を短縮し、装置のスルーブツ
トを向上させそれと同時に、アライメントエラーの発生
を抑制して装置の信頼性を向上させる。
第1図は、半導体ウェハのオリエンテーションフラット
が位置合わせされ、オリエンテーションフラットに対し
てチップパターン列が理想的に生成されている半導体ウ
ェハを示す。 第2図は、半導体ウニへのオリエンテーションフラット
が位置合わせされ、その才リエンテーションフラットに
対してチップパターン列が角度Δθだけずれて生成され
、そのためアライメントの目的角度に対しチップパター
ン列が角度Δθだけずれている半導体ウェハを示す。 第3図は、ファインアライメントの測定の直前までにウ
ェハ上のパターン列が目的角度にアライメントされた半
導体ウェハを示す。 第4図は、半導体ウェハのオリエンテーションフラット
が位置合わせされているが、そのオリエンテーションフ
ラットに対するチップパターン列がX軸方向、X軸方向
にそれぞれΔX、Δyずれて生成されている半導体ウェ
ハを示す。 第5図は、ファインアライメントの測定の直前までに、
ウェハ上のパターン列が目的位置にアライメントされた
半導体ウェハを示す。 第6図は、本発明が適用されたウエハブローバの一実施
例の概略構成図である。 第7図は、第6図の装置の動作を示すフローチャートで
ある。 図中二 1:オリエンテーションフラット 2:半導体ウェハ 3:チップ 4ニスクライブライン 5:理想的なスクライブライン 6;パターンずれによるスクライブライン7:補正のな
い位置合わせのウニ八位置8:補正後のウェハ位置 Δθ:パターンの角度ずれ量 Δx:パターンのX軸方向のずれ量 Δy:パターンのX軸方向のずれ量 11:被処理ウェハ 12:ウェハチャック 13 (13x 13y ) : X Yステージ14
x:Xステージ駆動部 14/:Yステージ駆動部 15:静電容量センサ 16:情報処理装置 17:顕微鏡 18:テレビカメラ 19;画像処理装置 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 組 節j図 第2凶
が位置合わせされ、オリエンテーションフラットに対し
てチップパターン列が理想的に生成されている半導体ウ
ェハを示す。 第2図は、半導体ウニへのオリエンテーションフラット
が位置合わせされ、その才リエンテーションフラットに
対してチップパターン列が角度Δθだけずれて生成され
、そのためアライメントの目的角度に対しチップパター
ン列が角度Δθだけずれている半導体ウェハを示す。 第3図は、ファインアライメントの測定の直前までにウ
ェハ上のパターン列が目的角度にアライメントされた半
導体ウェハを示す。 第4図は、半導体ウェハのオリエンテーションフラット
が位置合わせされているが、そのオリエンテーションフ
ラットに対するチップパターン列がX軸方向、X軸方向
にそれぞれΔX、Δyずれて生成されている半導体ウェ
ハを示す。 第5図は、ファインアライメントの測定の直前までに、
ウェハ上のパターン列が目的位置にアライメントされた
半導体ウェハを示す。 第6図は、本発明が適用されたウエハブローバの一実施
例の概略構成図である。 第7図は、第6図の装置の動作を示すフローチャートで
ある。 図中二 1:オリエンテーションフラット 2:半導体ウェハ 3:チップ 4ニスクライブライン 5:理想的なスクライブライン 6;パターンずれによるスクライブライン7:補正のな
い位置合わせのウニ八位置8:補正後のウェハ位置 Δθ:パターンの角度ずれ量 Δx:パターンのX軸方向のずれ量 Δy:パターンのX軸方向のずれ量 11:被処理ウェハ 12:ウェハチャック 13 (13x 13y ) : X Yステージ14
x:Xステージ駆動部 14/:Yステージ駆動部 15:静電容量センサ 16:情報処理装置 17:顕微鏡 18:テレビカメラ 19;画像処理装置 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 組 節j図 第2凶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、平板状物体の外形から該物体を指定位置に合わせ、 該物体の表面のパターン配列又はスクライブラインから
該パターン配列の目標位置に対するずれ量を決定して微
小位置合わせを行ない、 上記平板状物体に続く平板状物体については、まず外形
から指定位置に合わせ、上記ずれ量に従って後続の平板
状物体の位置の補正を自動的に行なった後、微小位置合
わせをすることを特徴とした平板状物体のアライメント
方法。 2、前記補正が、第2枚目以降の平板状物体を最初の平
板状物体で得られたずれ量に従って修正した位置に配置
する特許請求の範囲第1項に記載の平板状物体のアライ
メント方法。 3、前記補正が、第2枚目の平板状物体を最初の平板状
物体で得られたずれ量に従って修正した位置に配置し、
この第2枚目の平板状物体のずれ量に従って修正した位
置に第3枚目の平板状物体を配置し、以下このようにし
て第(n−1)枚目の平板状物体のずれ量に従って修正
した位置に第n枚目の平板状物体を配置する特許請求の
範囲第1項に記載の平板状物体のアライメント方法。 4、前記補正が、最初の平板状物体の基本指定位置とそ
の指定位置で生じたずれ量とから決定した第1の修正指
定位置に第2枚目の前記の基本指定位置にプリセットし
た平板状物体を配置し、前記の第1の修正指定位置とそ
の位置で前記の第2枚目の平板状物体に生じたずれ量と
から決定した第2の指定位置と前記の第1の修正指定位
置との平均から決定した第2の修正指定位置に第3枚目
の前記の基本指定位置にプリセットした平板状物体を配
置し、以下このようにして、第(n−1)枚目の平板状
物体で生じたずれ量と第(n−2)の修正指定位置とか
ら決定した第(n−1)の指定位置と第(n−2)の修
正指定位置との平均から決定した第(n−1)の修正指
定位置に第n枚目の前記の基本指定位置にプリセットし
た平板状物体を配置する特許請求の範囲第1項に記載の
平板状物体のアライメント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286020A JPS63140548A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 平板状物体のアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286020A JPS63140548A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 平板状物体のアライメント方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63140548A true JPS63140548A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17698941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61286020A Pending JPS63140548A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 平板状物体のアライメント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63140548A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000019497A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Procede d'alignement et procede pour l'obtention d'un dispositif au moyen du procede d'alignement |
JP2010245508A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-10-28 | Micronics Japan Co Ltd | ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法 |
JP2011060858A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Canon Inc | 露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011077289A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板位置決め方法 |
-
1986
- 1986-12-02 JP JP61286020A patent/JPS63140548A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000019497A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Procede d'alignement et procede pour l'obtention d'un dispositif au moyen du procede d'alignement |
US6481003B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Alignment method and method for producing device using the alignment method |
JP2010245508A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-10-28 | Micronics Japan Co Ltd | ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法 |
JP2011060858A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Canon Inc | 露光装置、露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011077289A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板位置決め方法 |
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