JPS63138799A - 回路モジュールの浸漬冷却装置 - Google Patents

回路モジュールの浸漬冷却装置

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JPS63138799A
JPS63138799A JP62270521A JP27052187A JPS63138799A JP S63138799 A JPS63138799 A JP S63138799A JP 62270521 A JP62270521 A JP 62270521A JP 27052187 A JP27052187 A JP 27052187A JP S63138799 A JPS63138799 A JP S63138799A
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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、回路モジュール上に取り付けたフィンを通
って循環する誘電性液体に浸すことにより冷却される、
半導体回路モジュールに関する。
Ｂ、従来技術 本発明は様々な回路モジュールに使用できるが、好まし
い実施例は、熱伝導モジュール（ＴＣＭ）と呼ばれる回
路モジュールの変更である。ＴＣＭは周知であるが、本
発明にとくに該当する構成部品および用語を再検討する
ことは有益である。ＴＣＭは、たとえば米国特許第３９
９３１２３号に示されている。
「モジュール」の語が示唆するように、ＴＣＭはデータ
処理装置中の反復単位である。いくつかのＴＣＭが回路
板上に長方形アレイとして装着される。回路板とＴＣＭ
の組立体を「回路板組立体」と呼ぶ。１個以上の回路板
組立体と、他の構成部品とを別のエンクロージャに入れ
たものを、「処理素子」と呼ぶ。
通常のＴＣＭに関するこの説明では、回路板自体が水平
面に装着されていると仮定して、「上側」および「下側
」の語を使うと便利である（しがし通常、回路板は処理
装置フレーム内で垂直面杖に保持される）。ＴＣＭは、
チップ・キャリアを備えており、チップ拳キャリアは、
−片が拾数ｃｍの薄い方形をしている。チップ・キャリ
アの別名を「基板」という。チップ・キャリアの上面に
はんだパッドが配置され、各チップは行列アレイとして
はんだパッドに電気的および機械的に接続される。チッ
プ・キャリアには、１００個はどのチップが装着される
。チップ・キャリアの下面からコネクタ・ピンが延びて
回路板上のソケットに挿入され、チップΦキャリア内部
の導体パターンの層がはんだパッドとコネクタ・ピンの
間の導電性経路となる。
チップ会キャリアとチップの上に、「ハツト」または「
キャップ」と呼ばれる金属構造がはめられる。チップ・
キャリアとハツトの長方形の辺にシールが形成され、こ
れらの構成要素がチップのエンクロージャとなる。ハツ
トは、ピストンと呼ばれる金属製円筒を支持する。ピス
トンは、チップからハツトに熱を伝えるため、ばねで押
さえられてチップ上に静止する。
より一般的な見方をすると、ＴＣＭは、発熱する半導体
デバイスの平面状アレイと、デバイスから出る熱をアレ
イ平面に直角方向にモジュールの一部をなす熱伝達構造
体へと伝達する手段とを備えた回路モジュールである。
この熱伝達構造体の細部は無視して、「ハツト」の名前
をモジュールのこの部分に取っておくと好都合である。
また、そうすれば、この−膜化した構造体に対する座標
系を定義するための、本発明の説明が簡単になる。
発熱アレイの平面をＸ−Ｙ軸平面と呼ぶ。Ｘｓ標とＹ座
標は、それぞれチップ・キャリアの長方形の二片、また
はチップ・アレイの行と列に対応する。後で説明するが
、このどちらか一方の方向に沿って冷媒が流れる。アレ
イからハ、トニ向カう方向を、２方向と名づける。これ
は、アレイから熱が流出する方向である。
以上説明した通常の構成部品は、本発明の好ましい回路
モジュール中で使用される。本発明の一目的は、通常の
ＴＣＭのもう１つの構成部品、すなわちコールド・プレ
ートをなくすことである。
コールド・プレートは、ハツトの頂部に取り付け、ハツ
トからコールド・プレートに熱が伝達される。
コールド・プレートは、冷却システムから供給される冷
水を運ぶ内部通路を備えている。コールド・プレートは
、水の有利な熱伝達特性を発揮させるが、チップや他の
電気的構成部品を水から隔離する。米国特許第３４８１
３９３号を参照のこと。
離れた構成部品間を電気信号が伝播するには相当の時間
がかかるため、モジュールはできるだけ高密度にすべき
である。本発明の一目的は、ＴＣＭ回路板を互いに積み
重ねて高密度の３次元アレイ（より一般的にはＺ方向）
にすることである。
通常の７０Ｍ構造の３次元アレイでは、コールド・プレ
ートがあれば、隣接する回路板相互間のスペースのかな
りの部分を占めることになる。コールド・プレートは、
冷水システム用のホース継手を備え、このホース継手は
ハツトの上方にかなりのスペースを必要とする。本発明
の一目的は、コールド・プレートを用いずにＴＣＭを冷
却し、かつコールド・プレートと関連するホースがあっ
ては実現できない狭い空間にＴＣＭ回路板を装着するこ
とである。
上記の議論では、ＴＣＭ回路板の３次元配列に重点を置
いたが、本発明はこの手法のみに限られるものではない
。ＴＣＭの高密度Ｘ−Ｙアレイも、応用の観点からすれ
ば同様に宵効である。
従来技術では、回路モジュールを誘電性液体に浸して冷
却することが提案され、またＴＣＭのコールド・プレー
トの代りにフィンを用いることが提案されている。発明
者等は本発明の新しい回路モジュールにこの２つの技術
を採用した。
Ｃ１発明が解決しようとする問題点 従来の浸漬冷却法に伴う克服すべきいくつかの問題を理
解するには、まず浸漬冷却式ＴＣＭのフィンを従来のＴ
ＣＭのコールド・プレートと比較するとよい。２つのモ
ジュールのすべてのチップが同一であると仮定する。す
なわち、それぞれ同じ速度で熱を発生し、冷却システム
はすべてのトランジスタの接合部の温度を所定の範囲内
に保たなければならない。（通常、異なるチップは異な
る電力で動作し、過冷却防止のため、電力が低い方のチ
ップの熱経路の抵抗をより大きくしである）。
したがって、ＴＣＭフィン中を流れる誘電性液体は、そ
のハツトをコールド・プレート付きＴＣＭのハツトと同
じ温度に保たなければならず、またコールド嗜プレート
中を流れる冷水と同じ速度で熱を除去しなければならな
い。
誘電性液体の熱容量は、水の熱容量よりもずっと小さい
。したがって、誘電性液体は、周知のように水がコール
ドＯプレート中を流れる速度よりもその分だけ速い速度
でフィン中を循環しなければならない。フィン付きＴＣ
Ｍより上流側の誘電性液体の温度は、コールド・プレー
トの入口での冷水の温度と対応し、フィン付きＴＣＭよ
り下流側の誘電性液体の温度は、コールド番プレートの
出口での冷水の温度と対応する（対応する温度は必ずし
も等しくなくてよいが、入口温度と出口温度の範囲は他
の要件によって限定される）。
コールド・プレートの効果を示すため、コールドのプレ
ート付きＴＣＭの側面図を描くことができる。等温点を
水平線で結ぶと、高温線はチップ中を走り、低温線はハ
ツトとコールド・プレートの界面に沿って走り、中間線
は大体水平となる。
コールド・プレート自体は、冷水がある点から入り暖ま
った水が別の点から出るため、もっと複雑な温度分布を
示す。ＴＣＭの上面図を描くと、チップ・アレイは大体
均一な温度になり、冷水が曲がりくねった経路を流れ、
各チップの上方が特定の温度になる。
コールド・プレート内部の温度分布は、それと等価な一
組のフィン内部の温度分布に比べてかなり均一である。
その理由は、コールド・プレート内では水が曲がりくね
った経路を流れることや、横温度勾配がある場合はコー
ルド−プレートの金属塊が熱の横方向拡散を助けること
である。言い換えれば、（前述のように電力の低いチッ
プに抵抗を加えるまで）どのチップ位置の熱抵抗（後述
）もほぼ同じである。
本発明の一目的は、フィンの基部をできるだけ薄くして
Ｚ方向の実装密度を高めることである。
通常それと衝突する本発明の一目的は、入口端部と出口
端部の温度をより均一にする、新しいフィン構造を提供
することである。
本発明の回路パッケージは、単一の平面アレイとしても
有用であり、以下では特定の実施例について説明する。
Ｃ１問題点を解決するための手段 本発明の浸漬冷却式ＴＣＭは、フィン相互間の経路中を
冷却液が流れるとき冷却液の速度を増大させる、新規な
フィンおよび囲い板の構造を備えている。フィンから去
って行く誘電性液体の流速は、フィンに入る液体の流速
と同じであり、この流速は、通常の浸漬冷却式回路モジ
ュールについて先に説明したように、ＴＣＭの冷却要件
と誘電性液体の特性によって決まる。
別の観点から考えると、フィンの低温端での冷媒の速度
は、フィンの高温端での速度よりも小さい。この速度増
加により、熱伝達性能が向上し、冷媒の温度上昇を補償
する。冷媒速度は、上流側から下流側に向かって位置が
移るにつれて、あるいは機能的観点から見れば温度の上
昇につれて増大する。熱抵抗は、コールド・プレートの
場合と同じく、どのチップ位置でもほぼ同じである。
本発明の一実施例では、フィンの高さが下流側に向かっ
て減少する。この構造にすると、流れの経路の断面積が
減り、したがって冷媒速度が増大する。
本発明の第２の実施例では、フィンの高さは冷媒の流れ
る方向で一様であるが、流れの経路の断面積を減らすた
め、下流側に追加のフィンを配置する。
第２の実施例は、熱伝達用フィンの面積が増加するとい
う利点がある。第１の実施例では、速度増加がフィン面
積の損失を相殺して余りある。どちらの実施例でも、囲
い板が冷媒をフィン領域内部に閉じ込める。
Ｄ、実施例 第１図ないし第４図には、外箱（エンクロージャ）１２
、ＴＣＭ回路板１５上に装着されたＴＣＭ１４、ＴＣＭ
回路板を垂直スタックとして保持する支持構造体１７、
誘電性液体の冷媒２０、および冷媒を矢印２５ないし２
７で示すようにＴＣＭ中に流す構成部品２２ないし２４
が示されている。好ましい冷媒は非沸騰性の炭化弗素（
フルオロカーボン）である。外箱１２は通常の上げ床２
８に取り付けられる。第１図ないし第４図には、（囲い
板なしの）フィン３０も概略的に示されている。フィン
３０は、後記の任意のフィン組立体を表わす。
第１Ｂ図に示すように、冷媒は入口接続部３２から外箱
１２に入り、出口接続部３３から出る。
両接続部は外箱の底部にあり、したがって冷却装置（図
示せず）または配管接続部が上げ床の上にくる。冷却装
置は、好都合などの場所に置いてもよく、配管接続部は
それに合わせて配置することができる。バッフル２２が
外箱１２の背壁１２６と一緒に供給空間３４を形成し、
またパフフル２２中には冷媒をＴＣＭの方へ送るための
穴２３が設けられている。各構成部品は前壁１２ｆから
隔置され、冷媒の還流空間３５を形成する。外箱修理の
際に冷媒を外箱から排出するための適当な手段（図示せ
ず）が設けられる。この構造から、冷媒をＴＣＭに均等
にまたは選択した他の何らかの形で分配するための様々
な手段が示唆されるはずである。
他の構成部品も外箱内に収容することが好ましい。各Ｔ
ＣＭは電源を備えており、第１Ｃ図の上面図では、電源
３７がそれと関連するＴＣＭよりも下流側に配置されて
いる。記憶素子３８とその電源３９は、スペース４０内
に配置できる。矢印４４は、構成部品３８と３９を通っ
て冷媒が流れる方向を示している。この冷媒の流れは、
ＴｃＭを通る流れ２６と平行である。隔壁４３がスペー
ス４０をＴＣＭのスタックから分離している。
代且 第１Ｃ図の上面図には、一番上の回路板１５上に２個の
ＴＣＭ１４が示されているが、より一般的な観点からす
れば、ＴＣＭ回路板１５は、アレイの各行と列に１個ま
たは複数個のＴＣＭがあるＴＣＭのＸ−Ｙアレイを備え
ている。第１Ｃ図の方向については、列は垂直にＸ方向
に延び、行は水平にＹ方向に走っている。１行または１
列に複数個のＴ　ＣＭがある場合、冷媒をＴＣＭに送る
手段に、冷媒を供給空間３４から直接受は取るように各
ＴＣＭを接続する適当なマニホルド・システムを設ける
ことができる。第１ｃ図の１列（Ｙ方向、冷媒の流れを
横切る）に複数個のＴＣＭを配置する場合、適当な量の
冷媒が各ＴＣＭに供給されるようにバッフル２２の穴２
３をアレンジすることができる。
以上説明した実施態様は、本発明を使用できる様々な処
理素子を例示するものである。
第２図のフィンと囲い板 第２図には、フィン５２の基部表面５０が示されている
。囲い板５３がフィン５２および基部表面５０と共に、
冷媒をフィンの上流側端部５６から下流側端部５８に運
ぶ流路（チャネル）５４を形成している。これらの構成
部品をフィン組立体と呼ぶ。フィン組立体の基部は、通
常のＴＣＭのハツト構造体と一体式にすることが好まし
いが、別法として別の基部上にフィンを形成することも
できる。より一般的な観点からすれば、フィンは、導電
性熱伝達経路中でハツトに接続される。第２図のフィン
組立体は上流側端部５６と下流側端部５８が開いている
。別法では、フィン組立体の上流側端部（および任意選
択で下流側端部）をマ二ホルト・システムの壁面で閉じ
る。フィン組立体のこれらの一般的実施態様は、他のフ
ィン組立体で通常のものである。
流路５４は、上流側端部５６の方が下流側端部５８より
も断面が広くなっている。第２図のフィン組立体では、
この関係は、下流側のフィンの高さを先細にすると実現
できる。冷媒は非圧縮性で流路５４内に閉じ込められて
いるので、冷媒の速度は上流側から下流側に向かって増
加する。この速度増加の効果については次に議論する。
第２図の　合の冷却　果 熱伝達を記述する有名な方程式は Ｑ＝ηｈＡΔＴである。Ｑは熱伝達速度（単位Ｗ）であ
る。この値は、モジュールに供給される電力によって決
まり、上式を溝たす△Ｔの値を達成するようにチップ温
度が変化する（または他のいずれかの項を能動的に調整
して、所定のチップ温度を維持する）。△Ｔは熱伝達過
程を駆動する温度差であり、この例ではフィン組立体と
冷媒の界面の温度差である。項りは熱伝達係数であり、
この例ではフィン組立体中を通る冷媒の速度を含んでい
る。また、液体の特性およびフィンの形状（この説明で
は一定）も含んでいる。ηはフィンの熱効率係数である
。Ａは熱伝達が起こる界面の面積である。この分析では
、Ａは他の各項がその区域全体でほぼ均一になるように
充分に小さくしである。特定の区域とそれに関連する項
を、下付き数字で区別する。すなわち、Ｑｌは増分区域
Ａ１の熱伝達速度である。フィン組立体全体の面積はす
べての増分Ａの合計であり、フィン組立体全体の熱伝達
速度は、すべてのＱの和である。
上流側端部５６付近の区域Ａ１と下流側端部５８付近の
区域Ａ２を考えてみる。Ａ２での冷媒の温度は、冷媒が
フィン組立体中を流れるとき熱が冷媒に移るため、ＡＩ
での冷媒の温度よりも必然的に高い。フィン組立体の表
面温度は均一なので、下流側の冷媒の温度差△Ｔ２は、
上流側の冷媒の温度差△Ｔ１よりも小さい。この温度差
は、下流側に向かうにつれてほぼ直線的に減少する。こ
の予備的説明はどんなフィン構造にもあてはまるもので
あり、下流側のチップの方が冷媒温度が請いとき、チッ
プを均一な温度に保つという問題を例示したものである
。
フィンを先細形にすると、熱伝達総面積（上流側から下
流側に位置が移るに応じてのＡの合計）を減少させる効
果があり、したがって下流側方向での総熱伝達容量（上
流側から下流側に位置が移るに応じてのＱの合計）が減
少する。これは、予想された効果とは逆の効果である。
冷媒速度を増加させると、フィンの効率ηがわずかに減
少する。
しかし、冷媒速度の増加は、上式では係数りの増加とし
て示される。速度が増加すると（上流側から下流側に位
置が移るに応じて）ｈは充分迅速に増加し、したがって
積ηｈがフィン面積の損失を補償するのに充分なだけ増
加する。したがって、フィン組立体の表面温度はこの説
明の冒頭で規定したように実質上均一であり、あるいは
少なくとも所定の温度範囲内でチップを動作し続けさせ
るのに充分な程度に均一である。
もう１つの有名な熱伝達方程式は、 Ｒ＝（ΔＴ）／Ｑである。各増分区域ごとの項Ｒから、
周知の設計手段によりフィンの形状が確定できる。項Δ
ＴおよびＱは、第１式と同様に増分区域に関するもので
ある。ただし、この場合は、フィンを画定する前は、そ
の区域は熱の流れの方向に直角な平面内にある。
フィンの温度は均一である。フィンの長手方向に沿った
冷媒の温度は知られている。すなわち、フィンの上流側
端部での選択した初期値から下流側端部での選択した最
終値まで、直線的に上昇する。したがって、各増分区域
ごとに冷媒温度とフィン温度の差として△Ｔを求めるこ
とができる。チップはすべてほぼ同じ電力を供給される
ため、あるいは基板の単位面積当たりほぼ均一な電力を
生じるようにチップが基板上に配置されているため、Ｑ
も均一である。
第３図のフィンと囲い板 第３図において、基板表面５０、囲い板５３、およびフ
ィン組立体の上流側端部５６と下流側端部５８は、第２
図の説明から知られる。これらのフィンは、第２図のフ
ィン５２とは違って、すべて同じ高さであり、下流側に
向かうにつれてフィンの数を多くしたいくつかの集合６
０．６１．６２の形にフィンを構成することにより、上
流側から下流側に向かつて流路が狭くなっている。この
構成では、徐々に狭くなっていく第２図のフィンの場合
とは違って、流路が不連続に狭くなる。
第３図の実施例では、より低密度の集合６０中のフィン
は、それと隣接するより高密度の集合６１中の一部のフ
ィンと整列しかつ分離しており、集合６１中のフィンは
、それと隣接するより高密度の集合６２中のフィンの一
部と整列しかつ分離している。別法として、より低密度
の集合およびより高密度の集合からフィンを連続させる
ことができ、また均一な密度のフィンで周知のように、
隣接する集合相互間でフィンを整列させず分離すること
もできる。
第３図の　合の冷媒効果 第３図では、下流側に向かうにつれてフィンの数が増加
するため、流路（チャネル）が狭くなり、したがって冷
媒速度が増大する。冷媒速度が増大すると、すでに説明
したように、ｈが増加しηが減少する。またフィンの数
が増加すると、熱伝達総面積（上流側から下流側に移る
につれてのＡの合計）も増加し、したがって下流側方向
での熱伝達性能がさらに向上する。
第３図の装置では、面積も冷媒速度もフィン行の各上流
側端部で段階的に増加する。フィン行内部での温度分布
は、長手方向に沿って均一な通常のフィンの場合の分布
と同じであり、フィンは上流側端部で冷たく下流側端部
で熱くなる傾向がある。フィン行は、上流側から下流側
に向かう方向が充分に短くなっており、したがって温度
はチップの冷却に適した所定の限界内に留まり、各段階
は冷媒温度の直線的増加の近似となる。
この説明を容易に他のフィン構造に拡張することができ
る。たとえば、ビン型フィンやオフセット舎ストリップ
・フィンを第２図に示すように全体的に先細にしたり、
流れの方向のフィン密度を第３図に示すように全体的に
増加したりすることができる。
第４図の装置 第４図には、３×３個のＴＣＭ１４の平面状アレイ、お
よびこれらのＴＣＭのフィン３０中を通る冷媒の平行な
流れを確立するためのシステムが示されている。第１Ａ
図ないし第１Ｃ図と同様に、フィン３０は囲み板なしで
概略的に示してあり、第２図と第３図のどちらかのフィ
ンを表わす。この装置は、次に説明するように異なる囲
み板構造を有する。ＴＣＭは、第１八図ないし第１Ｃ図
の個々の回路板と同様の、共通ＴＣＭ回路板１５に装着
されている。
局部的外箱７０がＴＣＭと誘電性液体冷媒２０を保持す
る。外箱７０は、通常、冷媒から隔離されたより大きな
外箱内に取り付けられる。大きな１個の外箱内でいくつ
かの外箱をスタックし、または他の方法で配列すること
ができる。局部的外箱７０は、適当な外壁７１．７２．
７３．７４、床７５、および天井（図示せず）を有する
。外箱７０は、左下隅に冷媒人ロア７、右上隅に冷媒用
ロア８を有する。
天井はフィンの頂部と接触し、各フィン組立体用の囲み
板の一部となる。バッフルのシステムが、第２図および
第３図の場合と同じ方式で、各フィン組立体中を通って
冷媒を流させる。冷媒の全体的流れは、局部的外箱７０
を対角線方向に横切って左下から右上に進み、冷媒も同
様にモジュールの左下から入って右上から出る。側壁７
１．７２と２つの隔壁８０．８１は、各ＴＣＭの左側の
流路８３ｅないし８５ｅおよび右側の流路８３ｒないし
８５ｒを形成する。上流側の壁７４は入口ヘッダ８７の
一部となり、下流側の壁７３は出口ヘッダ８８の一部と
なる。障壁８９は入口ヘッダ８７から出口流路８３ｒな
いし８５ｒを塞ぐ。入口ヘッダ８７に隣接しないモジュ
ールについては、対角線バッフル９０があるモジュール
の左上端から上側のモジュールの右下端に延びて、ＴＣ
Ｍの入口端を左側の流路に接続し、またＴＣＭの出口端
を出口流路に接続する。
これらの構成部品は、図面に矢印で示すような、各モジ
ュールのフィン組立体中を通る冷媒の平行な流れをもた
らす。この平行な流れは、第４図の壁とバッフルに様々
な修正を加えて、たとえば各ＴＣＭごとに別々の局部的
外箱を設けることにより実現できる。これらの構造体を
積み重ねて３次元パッケージをもたらすことができる。
孟に」ばど１組性 以上の好ましい処理素子の説明から、本発明の様々な適
用例が示唆されるはずであり、また第２図および第３図
の特定のフィン組立体ならびにそれに関連してこれらの
フィン組立体中での熱伝達の説明から、本発明の精神と
特許請求の範囲の所期の範囲内でこの新しいフィンを実
現する様々な方法が示唆されるはずである。
Ｅ９発明の効果 本発明のフィン構造により、上流および下流間の冷媒の
温度上昇を補償することができて、実装密度が高められ
る。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図は、本発明のフィン構造を備えた、誘電性液体
冷媒とＴＣＭを含む外箱の側面図である。 第１Ｂ図は、第１Ａ図の外箱の正面図である。 第１Ｃ図は、第１Ａ図の外箱の平面図である。 第２図は、本発明の一実施例のフィンおよび囲み板の等
角投影図である。 第３図は、本発明の別の実施例のフィンおよび囲み板の
等角投影図である。 第４図は、平面状アレイの形をした本発明の回路パッケ
ージの上面図である。 １２・・・・外箱、１４・・・・ＴＣＭ、１５・・・・
ＴＣＭ回路板、１７・・・・支持構造体、２０・・・・
冷媒、２２・・・・バッフル、２３・・・・穴、２８・
・・・上げ床、３０・・・・フィン、３７．３９・・・
・電［，３８・・・・記憶素子、４３・・・・隔壁、５
０・・・・基部表面、５２・・・・フィン、５３・・・
・囲い板、５４・・・・流路（チャネル）。 フィンの牙２突施伊１ 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　誘電性の液体冷媒（２０）を保持するのに適した外箱
    （１２）と、 １個以上の発熱するデバイスを持つＸ−Ｙ平面のアレイ
    、上記アレイから直角方向（Ｚ方向）に配置された熱伝
    達ハット、上記アレイから上記ハットへ熱を伝達するた
    めの手段、を夫々が有する複数個の回路モジュール（１
    ４）と、 上記複数個の回路モジュールを上記外箱内に支持し、各
    回路モジュールを通過して予定方向（例えばＸ方向）に
    上記液体冷媒を循環させるための通路（２５、２６、２
    ７）を限定するための手段と、 上記ハットからＺ方向に延びるフィンであって、Ｘ方向
    に延びる液体冷媒流路を限定して、冷媒の温度が上流か
    ら下流へ向かう方向に流路沿いに増加するようにしたフ
    ィン（３０）と、 上記の冷媒を上記流路内に閉じこめるため上記フィンを
    覆うように配置した囲い板（５３）とより成り、 上記フィンは上記流路の断面積が上流から下流方向に向
    かって減少することにより液体冷媒の流速が増加するよ
    うな形状または配置とし、上記回路モジュールの上流端
    及び下流端間の液体冷媒の温度上昇に対して補償するよ
    うにしたことを特徴とする冷却回路モジュール。
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