JPS63137739A - ウランの濃縮装置 - Google Patents

ウランの濃縮装置

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JPS63137739A
JPS63137739A JP28505086A JP28505086A JPS63137739A JP S63137739 A JPS63137739 A JP S63137739A JP 28505086 A JP28505086 A JP 28505086A JP 28505086 A JP28505086 A JP 28505086A JP S63137739 A JPS63137739 A JP S63137739A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
uranium
electronic beam
electron beam
filament
electron gun
Prior art date
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Pending
Application number
JP28505086A
Other languages
English (en)
Inventor
Norimasa Yoshida
憲正 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS63137739A publication Critical patent/JPS63137739A/ja
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  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はレーザ法によるウランの濃縮装置に関する。
(従来の技術) レーザ法を使用するウラン同位体の分離濃縮技術は、従
来のガス拡散法、ノズル法、化学交換法、遠心分離法等
により分離能力が非常に大きく、カスゲートを組む必要
がないといわれている。このレーザ法によるウランの濃
縮方法には金属ウランを用いた原子法と六フッ化ウラン
ガスを用いた分子法がある。
現在、原子法におけるレーザ法によるウランの14縮装
置の動作例を第4図により説明する。すなわち、全体を
包囲して枠で示す分離セル15内には金属ウラン5を収
容したるつぼ4が配置されており、金属ウラン5にフィ
ラメント1から電子ビーム2を偏向磁場3を介して照射
する。
この電子ビーム2の照射によって衝撃された金属ウラン
5は、2 、000°に〜3,000 ’″にまで加熱
されて、金属ウランの原子ビーム6となって上方へ進行
していく。この原子ビーム6中には、U−235原子7
およびU−235原子8が混合された状態になっている
。そこで、この原子ビーム6中のU−235の吸収線に
相当する振動数の選択励起レーザ光9を照射する。この
選択励起レーザ光9によって濃縮しようとするU−23
5だけが励起される。
次に励起したU−235をイオン化するための電離レー
ザ光10を照射する。この2種類のレーザ光9と10に
よって原子ビーム6中のU−235原子8が電離されU
−235イオン11に変化する。
さて、このイオン11を含む原子ビーム6に接地電極1
2と陰電極13を用いて電界を形成すると、電離されて
いるU−235イオン11のみが静電的に陰電極13に
引き寄せられ、最終的には陰電極13の表面に吸着され
る。
一方、電離されていないU−235原子7は、この電界
の影響を受けないので直進し、中性原子捕集プレート1
4に収集される。
ところで、従来の原子法によるウラン濃縮装置では、電
子ビーム2によって加熱された金属ウラン5の原子ビー
ム6はすべてがるつぼ4の上方に進行して選択励起レー
ザ光9や電離レーザ光10に照射されるわけでなく、る
つぼ4の上方開口から180°の角度で四方六方に進行
して、るつぼ4、回収電極13、回収プレート14等を
収容した高真空に保持された分離セル15内へ飛散して
いくので、次のような問題点があった。
即ち、電子ビーム2を偏向している偏向磁場3のために
、電子ビーム2の電子衝撃で熱電離イオンとなったU原
子、さらには金属ウラン表面よりたたき出された酸化ウ
ラン等が、電子ビーム2とほぼ同一軌道を逆に戻り、電
子銃フィラメント1に衝突して、フィラメントの損傷、
ひいては電子ビームを発生できない事態となり、電子銃
の寿命が短くなることである。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
レーザを使用したウランの濃縮装置において、金属ウラ
ンを用いる原子法での金属ウラン表面より蒸発したU原
子の熱電離イオン、酸化ウラン等により電子銃フィラメ
ントを損傷しにくくして運転の長寿命化が図れるレーザ
ー法によるウランの濃縮装置を提供することにある。
[発明の構成] (問題を解決するための手段) すなわち、音本発明はたとえば第1図に示したように分
離セル15内に配置されたるつぼ4内の金属ウラン5を
加熱溶融する電子ビーム2を発生する電子銃のフィラメ
ント1から金属ウラン5の表面までの電子ビーム軌道の
任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつスリ
ット板または穴あき円板16を設けたことを特徴とする
ウランの濃縮装置である。
(作用) 上記構成を採ることにより、金属ウラン表面で電子ビー
ムにより発生したUの熱電離イオン又は酸化ウランが偏
向磁場3で飛散方向が電子ビーム軌道とほぼ同じ軌道で
偏向されても、U原子の熱電離イオン、酸化ウランとも
電子ビームの電子よりも質量が大きいことから、電子ビ
ーム軌道よりも外側の軌道をとるために、電子ビーム軌
道上に設けたスリットにトラップされ電子銃のフィラメ
ントには衝突しない。
(実施例) 以下本発明に係る装置の一実施例を第1図により説明す
る。なお、第1図において第4図と同一部分には同一符
号で示し、重複する部分の説明を省略する。
すなわち、本発明は分離セル15内にるつぼ4内の金属
ウランを加熱溶融する電子ビーム2において、電子ビー
ム2を発生する電子銃のフィラメント1から金属ウラン
5の表面までの偏向磁場3で偏向された電子ビーム軌道
の任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつス
リ板又は穴あき円板16が配置されている。このスリッ
ト板又は穴あき円板は高耐熱性(3,000°にの耐熱
)の材料で高耐ウラン腐蝕性の材料をコーティングした
ものである。
上記構成により、電子ビームと電子ビームの金属ウラン
への衝撃により発生するUの熱電離イオン又は酸化ウラ
ンの偏向磁場3による回転反径は次式で表される。
(電子ビームの回転半径)re=(1/B) 、rσり
■罰B:磁束密度(wb/v’) He:電子の静止重量(=9.107X10−” ’ 
K(1)■=加速電圧 e:電子の電荷の絶対値(= 1.602x10−” 
(c)(Uの熱電離イオン等の回転反径) r  =(1/B)    flu  ey了り mu:tJJli%電離イオンの静止重量(= 3.9
02X 10−2 ” k(+)e k= 6 上式によれば、明らかにr  <r  の関係であe 
     u るから、電子ビームの金属ウラン表面の着弾点より発生
しなU熱電離イオンの偏向磁場による偏向した回転反径
17は電子ビームの回転半径の外側になることから、ス
リット板又は穴あき円板16でトラップされることにな
る。電子ビーム着弾点以外より発生したUの熱電離イオ
ンについては第2図に示すように、着弾点よりフィラメ
ントよりの場合は電子ビームの軌道2より外側の軌道1
7aに、04点よりフィラメントとは反対側の場合は、
電子ビームの軌道2より内側の軌道17bを通り、スリ
ット板又は穴あき板16にほとんどトラップされること
になり、フィラメント部に衝突するものは、スリット板
又は穴あけ板がない場合に比べほとんどなくすことが可
能となる。
他の実施例としては、第3図に示すように、スリット板
又は穴あき板の代わりに、電子銃のフィラメント部分以
外の蒸気封入容器18に収納して、電子ビームの軌道部
分だけに穴をあけておいても同様な効果を得ることがで
きる。
[発明の構成] 本発明によれば、電子ビーム軌道に電子ビーム直径と同
一径をもつスリット板、穴あき板又は穴のあいた蒸気封
入容器を設けることにより金属ウラン表面で加熱して発
生したU原子の熱電離イオン等が直接電子銃の電子を発
生させるフィラメント等部に衝突しないので、電子銃の
運転寿命を長くすることができ、保守性の向上となるの
で、プラントの経済性も向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わるウランの濃縮装置の一実施例を
示す構成図、第2図は第1図の装置の作用を説明するた
めの原理図、第3図は本発明の他の実施例を示す構成図
、第4図は従来のウランの濃縮装置の構成図である。 1・・・・・・・・・フィラメント 2・・・・・・・・・電子ビーム軌道 3・・・・・・・・・偏向磁場 4・・・・・・・・・るつぼ 5・・・・・・・・・金属ウラン 16・・・・・・・・・スリット板または穴あき板17
・・・・・・・・・U熱電離イオン軌道18・・・・・
・・・・蒸気封入容器 出願人      株式会社 東芝 代理人 弁理士  須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)分離セル内に金属ウランを収容したるつぼを配置
    し、該金属ウランにレーザ光線を照射し、該金属ウラン
    を加熱して蒸発させ原子ビームを発生させて、該原子ビ
    ームにU−235を選択励起用レーザを照射するととも
    に励起されてU−235を電離する電離レーザを照射す
    るように構成したことを特徴とするウランの濃縮装置に
    おいて、金属ウランを加熱する電子ビームを発生する電
    子銃のフィラメントから金属ウラン表面までの電子ビー
    ム軌道の任意の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつス
    リット板または穴あき円板を設けたこと特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のウランの濃縮装置。
JP28505086A 1986-11-29 1986-11-29 ウランの濃縮装置 Pending JPS63137739A (ja)

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JP28505086A JPS63137739A (ja) 1986-11-29 1986-11-29 ウランの濃縮装置

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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5010156B1 (ja) * 1970-12-21 1975-04-18
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JPS6197022A (ja) * 1984-10-19 1986-05-15 Toshiba Corp レ−ザ法によるウランの濃縮装置

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