JPS63137739A - ウランの濃縮装置 - Google Patents
ウランの濃縮装置Info
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- JPS63137739A JPS63137739A JP28505086A JP28505086A JPS63137739A JP S63137739 A JPS63137739 A JP S63137739A JP 28505086 A JP28505086 A JP 28505086A JP 28505086 A JP28505086 A JP 28505086A JP S63137739 A JPS63137739 A JP S63137739A
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- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 38
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Landscapes
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ法によるウランの濃縮装置に関する。
(従来の技術)
レーザ法を使用するウラン同位体の分離濃縮技術は、従
来のガス拡散法、ノズル法、化学交換法、遠心分離法等
により分離能力が非常に大きく、カスゲートを組む必要
がないといわれている。このレーザ法によるウランの濃
縮方法には金属ウランを用いた原子法と六フッ化ウラン
ガスを用いた分子法がある。
来のガス拡散法、ノズル法、化学交換法、遠心分離法等
により分離能力が非常に大きく、カスゲートを組む必要
がないといわれている。このレーザ法によるウランの濃
縮方法には金属ウランを用いた原子法と六フッ化ウラン
ガスを用いた分子法がある。
現在、原子法におけるレーザ法によるウランの14縮装
置の動作例を第4図により説明する。すなわち、全体を
包囲して枠で示す分離セル15内には金属ウラン5を収
容したるつぼ4が配置されており、金属ウラン5にフィ
ラメント1から電子ビーム2を偏向磁場3を介して照射
する。
置の動作例を第4図により説明する。すなわち、全体を
包囲して枠で示す分離セル15内には金属ウラン5を収
容したるつぼ4が配置されており、金属ウラン5にフィ
ラメント1から電子ビーム2を偏向磁場3を介して照射
する。
この電子ビーム2の照射によって衝撃された金属ウラン
5は、2 、000°に〜3,000 ’″にまで加熱
されて、金属ウランの原子ビーム6となって上方へ進行
していく。この原子ビーム6中には、U−235原子7
およびU−235原子8が混合された状態になっている
。そこで、この原子ビーム6中のU−235の吸収線に
相当する振動数の選択励起レーザ光9を照射する。この
選択励起レーザ光9によって濃縮しようとするU−23
5だけが励起される。
5は、2 、000°に〜3,000 ’″にまで加熱
されて、金属ウランの原子ビーム6となって上方へ進行
していく。この原子ビーム6中には、U−235原子7
およびU−235原子8が混合された状態になっている
。そこで、この原子ビーム6中のU−235の吸収線に
相当する振動数の選択励起レーザ光9を照射する。この
選択励起レーザ光9によって濃縮しようとするU−23
5だけが励起される。
次に励起したU−235をイオン化するための電離レー
ザ光10を照射する。この2種類のレーザ光9と10に
よって原子ビーム6中のU−235原子8が電離されU
−235イオン11に変化する。
ザ光10を照射する。この2種類のレーザ光9と10に
よって原子ビーム6中のU−235原子8が電離されU
−235イオン11に変化する。
さて、このイオン11を含む原子ビーム6に接地電極1
2と陰電極13を用いて電界を形成すると、電離されて
いるU−235イオン11のみが静電的に陰電極13に
引き寄せられ、最終的には陰電極13の表面に吸着され
る。
2と陰電極13を用いて電界を形成すると、電離されて
いるU−235イオン11のみが静電的に陰電極13に
引き寄せられ、最終的には陰電極13の表面に吸着され
る。
一方、電離されていないU−235原子7は、この電界
の影響を受けないので直進し、中性原子捕集プレート1
4に収集される。
の影響を受けないので直進し、中性原子捕集プレート1
4に収集される。
ところで、従来の原子法によるウラン濃縮装置では、電
子ビーム2によって加熱された金属ウラン5の原子ビー
ム6はすべてがるつぼ4の上方に進行して選択励起レー
ザ光9や電離レーザ光10に照射されるわけでなく、る
つぼ4の上方開口から180°の角度で四方六方に進行
して、るつぼ4、回収電極13、回収プレート14等を
収容した高真空に保持された分離セル15内へ飛散して
いくので、次のような問題点があった。
子ビーム2によって加熱された金属ウラン5の原子ビー
ム6はすべてがるつぼ4の上方に進行して選択励起レー
ザ光9や電離レーザ光10に照射されるわけでなく、る
つぼ4の上方開口から180°の角度で四方六方に進行
して、るつぼ4、回収電極13、回収プレート14等を
収容した高真空に保持された分離セル15内へ飛散して
いくので、次のような問題点があった。
即ち、電子ビーム2を偏向している偏向磁場3のために
、電子ビーム2の電子衝撃で熱電離イオンとなったU原
子、さらには金属ウラン表面よりたたき出された酸化ウ
ラン等が、電子ビーム2とほぼ同一軌道を逆に戻り、電
子銃フィラメント1に衝突して、フィラメントの損傷、
ひいては電子ビームを発生できない事態となり、電子銃
の寿命が短くなることである。
、電子ビーム2の電子衝撃で熱電離イオンとなったU原
子、さらには金属ウラン表面よりたたき出された酸化ウ
ラン等が、電子ビーム2とほぼ同一軌道を逆に戻り、電
子銃フィラメント1に衝突して、フィラメントの損傷、
ひいては電子ビームを発生できない事態となり、電子銃
の寿命が短くなることである。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
レーザを使用したウランの濃縮装置において、金属ウラ
ンを用いる原子法での金属ウラン表面より蒸発したU原
子の熱電離イオン、酸化ウラン等により電子銃フィラメ
ントを損傷しにくくして運転の長寿命化が図れるレーザ
ー法によるウランの濃縮装置を提供することにある。
レーザを使用したウランの濃縮装置において、金属ウラ
ンを用いる原子法での金属ウラン表面より蒸発したU原
子の熱電離イオン、酸化ウラン等により電子銃フィラメ
ントを損傷しにくくして運転の長寿命化が図れるレーザ
ー法によるウランの濃縮装置を提供することにある。
[発明の構成]
(問題を解決するための手段)
すなわち、音本発明はたとえば第1図に示したように分
離セル15内に配置されたるつぼ4内の金属ウラン5を
加熱溶融する電子ビーム2を発生する電子銃のフィラメ
ント1から金属ウラン5の表面までの電子ビーム軌道の
任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつスリ
ット板または穴あき円板16を設けたことを特徴とする
ウランの濃縮装置である。
離セル15内に配置されたるつぼ4内の金属ウラン5を
加熱溶融する電子ビーム2を発生する電子銃のフィラメ
ント1から金属ウラン5の表面までの電子ビーム軌道の
任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつスリ
ット板または穴あき円板16を設けたことを特徴とする
ウランの濃縮装置である。
(作用)
上記構成を採ることにより、金属ウラン表面で電子ビー
ムにより発生したUの熱電離イオン又は酸化ウランが偏
向磁場3で飛散方向が電子ビーム軌道とほぼ同じ軌道で
偏向されても、U原子の熱電離イオン、酸化ウランとも
電子ビームの電子よりも質量が大きいことから、電子ビ
ーム軌道よりも外側の軌道をとるために、電子ビーム軌
道上に設けたスリットにトラップされ電子銃のフィラメ
ントには衝突しない。
ムにより発生したUの熱電離イオン又は酸化ウランが偏
向磁場3で飛散方向が電子ビーム軌道とほぼ同じ軌道で
偏向されても、U原子の熱電離イオン、酸化ウランとも
電子ビームの電子よりも質量が大きいことから、電子ビ
ーム軌道よりも外側の軌道をとるために、電子ビーム軌
道上に設けたスリットにトラップされ電子銃のフィラメ
ントには衝突しない。
(実施例)
以下本発明に係る装置の一実施例を第1図により説明す
る。なお、第1図において第4図と同一部分には同一符
号で示し、重複する部分の説明を省略する。
る。なお、第1図において第4図と同一部分には同一符
号で示し、重複する部分の説明を省略する。
すなわち、本発明は分離セル15内にるつぼ4内の金属
ウランを加熱溶融する電子ビーム2において、電子ビー
ム2を発生する電子銃のフィラメント1から金属ウラン
5の表面までの偏向磁場3で偏向された電子ビーム軌道
の任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつス
リ板又は穴あき円板16が配置されている。このスリッ
ト板又は穴あき円板は高耐熱性(3,000°にの耐熱
)の材料で高耐ウラン腐蝕性の材料をコーティングした
ものである。
ウランを加熱溶融する電子ビーム2において、電子ビー
ム2を発生する電子銃のフィラメント1から金属ウラン
5の表面までの偏向磁場3で偏向された電子ビーム軌道
の任意の位置の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつス
リ板又は穴あき円板16が配置されている。このスリッ
ト板又は穴あき円板は高耐熱性(3,000°にの耐熱
)の材料で高耐ウラン腐蝕性の材料をコーティングした
ものである。
上記構成により、電子ビームと電子ビームの金属ウラン
への衝撃により発生するUの熱電離イオン又は酸化ウラ
ンの偏向磁場3による回転反径は次式で表される。
への衝撃により発生するUの熱電離イオン又は酸化ウラ
ンの偏向磁場3による回転反径は次式で表される。
(電子ビームの回転半径)re=(1/B) 、rσり
■罰B:磁束密度(wb/v’) He:電子の静止重量(=9.107X10−” ’
K(1)■=加速電圧 e:電子の電荷の絶対値(= 1.602x10−”
(c)(Uの熱電離イオン等の回転反径) r =(1/B) flu ey了り mu:tJJli%電離イオンの静止重量(= 3.9
02X 10−2 ” k(+)e k= 6 上式によれば、明らかにr <r の関係であe
u るから、電子ビームの金属ウラン表面の着弾点より発生
しなU熱電離イオンの偏向磁場による偏向した回転反径
17は電子ビームの回転半径の外側になることから、ス
リット板又は穴あき円板16でトラップされることにな
る。電子ビーム着弾点以外より発生したUの熱電離イオ
ンについては第2図に示すように、着弾点よりフィラメ
ントよりの場合は電子ビームの軌道2より外側の軌道1
7aに、04点よりフィラメントとは反対側の場合は、
電子ビームの軌道2より内側の軌道17bを通り、スリ
ット板又は穴あき板16にほとんどトラップされること
になり、フィラメント部に衝突するものは、スリット板
又は穴あけ板がない場合に比べほとんどなくすことが可
能となる。
■罰B:磁束密度(wb/v’) He:電子の静止重量(=9.107X10−” ’
K(1)■=加速電圧 e:電子の電荷の絶対値(= 1.602x10−”
(c)(Uの熱電離イオン等の回転反径) r =(1/B) flu ey了り mu:tJJli%電離イオンの静止重量(= 3.9
02X 10−2 ” k(+)e k= 6 上式によれば、明らかにr <r の関係であe
u るから、電子ビームの金属ウラン表面の着弾点より発生
しなU熱電離イオンの偏向磁場による偏向した回転反径
17は電子ビームの回転半径の外側になることから、ス
リット板又は穴あき円板16でトラップされることにな
る。電子ビーム着弾点以外より発生したUの熱電離イオ
ンについては第2図に示すように、着弾点よりフィラメ
ントよりの場合は電子ビームの軌道2より外側の軌道1
7aに、04点よりフィラメントとは反対側の場合は、
電子ビームの軌道2より内側の軌道17bを通り、スリ
ット板又は穴あき板16にほとんどトラップされること
になり、フィラメント部に衝突するものは、スリット板
又は穴あけ板がない場合に比べほとんどなくすことが可
能となる。
他の実施例としては、第3図に示すように、スリット板
又は穴あき板の代わりに、電子銃のフィラメント部分以
外の蒸気封入容器18に収納して、電子ビームの軌道部
分だけに穴をあけておいても同様な効果を得ることがで
きる。
又は穴あき板の代わりに、電子銃のフィラメント部分以
外の蒸気封入容器18に収納して、電子ビームの軌道部
分だけに穴をあけておいても同様な効果を得ることがで
きる。
[発明の構成]
本発明によれば、電子ビーム軌道に電子ビーム直径と同
一径をもつスリット板、穴あき板又は穴のあいた蒸気封
入容器を設けることにより金属ウラン表面で加熱して発
生したU原子の熱電離イオン等が直接電子銃の電子を発
生させるフィラメント等部に衝突しないので、電子銃の
運転寿命を長くすることができ、保守性の向上となるの
で、プラントの経済性も向上する。
一径をもつスリット板、穴あき板又は穴のあいた蒸気封
入容器を設けることにより金属ウラン表面で加熱して発
生したU原子の熱電離イオン等が直接電子銃の電子を発
生させるフィラメント等部に衝突しないので、電子銃の
運転寿命を長くすることができ、保守性の向上となるの
で、プラントの経済性も向上する。
第1図は本発明に係わるウランの濃縮装置の一実施例を
示す構成図、第2図は第1図の装置の作用を説明するた
めの原理図、第3図は本発明の他の実施例を示す構成図
、第4図は従来のウランの濃縮装置の構成図である。 1・・・・・・・・・フィラメント 2・・・・・・・・・電子ビーム軌道 3・・・・・・・・・偏向磁場 4・・・・・・・・・るつぼ 5・・・・・・・・・金属ウラン 16・・・・・・・・・スリット板または穴あき板17
・・・・・・・・・U熱電離イオン軌道18・・・・・
・・・・蒸気封入容器 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第4図
示す構成図、第2図は第1図の装置の作用を説明するた
めの原理図、第3図は本発明の他の実施例を示す構成図
、第4図は従来のウランの濃縮装置の構成図である。 1・・・・・・・・・フィラメント 2・・・・・・・・・電子ビーム軌道 3・・・・・・・・・偏向磁場 4・・・・・・・・・るつぼ 5・・・・・・・・・金属ウラン 16・・・・・・・・・スリット板または穴あき板17
・・・・・・・・・U熱電離イオン軌道18・・・・・
・・・・蒸気封入容器 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- (1)分離セル内に金属ウランを収容したるつぼを配置
し、該金属ウランにレーザ光線を照射し、該金属ウラン
を加熱して蒸発させ原子ビームを発生させて、該原子ビ
ームにU−235を選択励起用レーザを照射するととも
に励起されてU−235を電離する電離レーザを照射す
るように構成したことを特徴とするウランの濃縮装置に
おいて、金属ウランを加熱する電子ビームを発生する電
子銃のフィラメントから金属ウラン表面までの電子ビー
ム軌道の任意の場所に電子ビーム直径と同じ径をもつス
リット板または穴あき円板を設けたこと特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のウランの濃縮装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28505086A JPS63137739A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | ウランの濃縮装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28505086A JPS63137739A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | ウランの濃縮装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137739A true JPS63137739A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17686516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28505086A Pending JPS63137739A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | ウランの濃縮装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63137739A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010156B1 (ja) * | 1970-12-21 | 1975-04-18 | ||
JPS5238377A (en) * | 1975-09-11 | 1977-03-24 | Hoechst Ag | Usage and growth improving agent for ruminants |
JPS52154997A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-23 | Hitachi Ltd | Evaporator |
JPS55141048A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Beam index tube |
JPS56125832A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Hitachi Ltd | Iris aperture for shaping in charged particle radiation device |
JPS5713331A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Bourdon tube type converter |
JPS5939860A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-05 | Canon Inc | ヒドラゾン化合物の製造法 |
JPS6197022A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | レ−ザ法によるウランの濃縮装置 |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP28505086A patent/JPS63137739A/ja active Pending
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