JPS63137445A - 細管およびその製法と熱音波ボンデイング装置 - Google Patents

細管およびその製法と熱音波ボンデイング装置

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JPS63137445A
JPS63137445A JP62290448A JP29044887A JPS63137445A JP S63137445 A JPS63137445 A JP S63137445A JP 62290448 A JP62290448 A JP 62290448A JP 29044887 A JP29044887 A JP 29044887A JP S63137445 A JPS63137445 A JP S63137445A
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JP
Japan
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support
capillary
silicon carbide
wire
thin tube
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Pending
Application number
JP62290448A
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English (en)
Inventor
ロバート．バーティン
マイケル．ビー．ミラー
ブール．エム．ムーン
ロバート．シー．ポスト
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Air Products and Chemicals Inc
Original Assignee
Air Products and Chemicals Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、細密電導線材を電気部品にボールボンディ
ングする細管、詳述するならば熱音波ボンディング用具
に特別の実用性を有する炭化珪素細管に関する。化学蒸
着技術による前記細管の製法と、前述の細管を具体化す
る装置に関する。
（従来の技術） 半導体産業のすばらしい発展は、珪素集積回路（ＩＣｓ
）の組立に使用する部品製造原価を上昇させることなく
前記ＩＣａの生産性を上げるため製品の改良を提供する
供給者を必要とした。前述製品改良を必要とする実例の
一つは、前記ＩＣ組立工程の線材ポールボンディング作
業に使用する細管または溶接チップガイドの耐耗年数を
増加させるものである。このような作業においては、金
、アルミニウムまたは銀のような清浄、裸＃ｌ＠電気導
体を前記ＩＣチップ上のポンディングパッドと、チップ
支持体上のビンの間で結合させる。本質的に、通常厚さ
約０．７乃至５ミＩＪ　（０，０００フインチ乃至０．
０　Ｏ５インチ）の細密電導線材またはフィラメントを
、細管として周知のボンディング用具を介して供給する
。現在最も評判のよいボンディング機構、すなわち熱音
波ボンディングの場合、前記細管を超音波変換器ホーン
に保持し、ボールを前記細管の先端で形成させ、そのボ
ールを前記ポンディングパッドとビンの間で、熱圧と超
音波技術の組み合わせによって接着させる。これについ
ては、１９８４年８月発行のマイクロエレクトロン、マ
ニュファクチャリング、アンド、テスティング（Ｍｉｃ
ｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　
ａｎｄ　Ｔｅｓｔｉｎｇ　）第５３−５４頁参照のこと
。熱音波ボンディングを、パターン認識とボンディング
スケジュール用のマイクロプロセッサを含む非常に進歩
した高速全自動線材ボンダーに比較して単純な手動型を
含むボンディング機械で行う。これについては、ヒユー
ズ、エアクラフト、カンパニ（Ｈｕｇｈｅｓ　Ａｉｒｃ
ｒｆｔ　Ｃｏｒｎｐａｎｙ　）の２４６０型式熱音波゛
金ボールボンディング機・械の製品小冊子参照のこと。
今日、半導体工業において製造され、前述の熱音波ボン
ダーに使用されている大部分の細管は成型アルミナ製で
ある。前述アルミナ細管は原価が安く、使用後それらを
清浄にする必要も、回収の必要もなく放棄することがで
きる。しかし、成型アルミナ細管の第一の欠点は、その
熱衝撃耐性が比較的低いため高速電子フレームオフ（Ｅ
ＦＯ）ボンディング実用性における耐耗年数が比較的短
いことである。これは結果として、ボンディング作業中
の全生産性を低下させる常習性置換反応を起させる。ダ
イヤモンド、ルビーやサファイヤ先端細管には必要な長
耐耗年数を備えるが、競争できる値段では売れないし、
使用中清浄にする必要があってその有効寿命後は放棄し
なければならない。
アルミナ細管は、アルミナの水性スラリを適切なバイン
ダーと混合することと、この混合物をコアビンの上から
圧縮形状に成形することおよび前記アルミナを焼結して
完成品を形成することから成る工程で形成される。使用
中細管の故障の一因となるのが二次成形工程で使用され
るバインダーである。
（発明が解決しようとする問題点） 化学蒸着（ＣＶＤ）技術による細管生産法は、米国特許
第３．４７２．４４３号の技術で周知である。その方法
において、熱ボールと線材には無反応である分子的に結
合した化学蒸着金属ををの上に塗布すると、その型は結
果としてできる細管からは容易に取りはずせる。約４０
０〜層以上のビッカース微小硬度を有する高耐熱硬質合
金の適切なものであればどれでも細管生産に使用できる
ことを前記特許が開示しているが、特に適切な材料とし
て、タングステン、レニウムとモリブデン、およびタン
タルやその合金たとえば、炭化タンタルや炭化コロンピ
ウムと同様炭化タングステン、タングステンモリフテン
やタングステンレニウムが含まれることを開示している
。前述細管は、前記熱ポール生成に電気生成機を使用す
るので０．１　ｏｈｍ／ｍもの抵抗率を必要とする超音
波ボンダーには不適当である。ＣＶＤ技術による炭化珪
素細管の調製についての提案はこの特許ではなにもない
ので、前述細管と関連し、またＣＶＤ炭化珪素細管の生
産に克服しなければならなかった問題について前記特許
出願者はなんの認識ももっていなかった。
コバルト、チタンやニッケルのような比較的低融点セメ
ント質金属からの細管製造もまた周知のことである。前
述細管は、接着強さの減少を来たすボンディング作業の
細密線材と反応する不利益のあるバインダー材料を使用
して焼結する必要がある。細管形成の電気化学蒸着法は
、ニッケル、銅および鉄細管の生産に使用されたことが
あったが、これらの金属は細密線材と反応するためすべ
て不適当でちった。
全く異ったボンディング法が米国特許第４゜１７１、４
７７号で開示請求されているが、それによると細管は電
気的に導体であることが必要とされている。出願者は、
金線ボンディングの場合、炭化チタンから成る細管を使
用する。これ以外の細密線材材料には、黒鉛、炭化珪素
、硼化ジルコニクムー炭化珪素および結晶ジルコンの使
用を提案している。この特許には前述のような細管製法
の詳細については全く含まれていない。
ＣＶＤ技術における当業者にとっては、ＣＶＤ炭化珪素
は先行技術としてすでに提案されたものであったかも知
れないが、この発明以前には、ＥＦＯタイプのボンダー
に使用される必要物性を備える炭化珪素細管の先行技術
にも開示はなく、またＣＶＤ技術を使用する前述特性を
備える炭化珪素細管製法についての開示も全くなかった
。
要約すれば、この発明の目的は、その先端の比較的小さ
い直径のガイド開口部で終点になっている軸方向に延び
る通路を備える細管から成りそれに細密電導線材を通せ
るように適合させ、ま九熱圧または熱音波機構により熱
ボールを前記線材にからませるようになっている製品を
つくることにある。細管は、炭化珪素の実質的に平滑な
化学的に蒸着したコーチングから本質的に成り、かつ少
くとも０．１ｏｈｍセンチメートルの室温抵抗率と、２
５００キログラム／ミリメートル２を超える均一ビッカ
ース硬度と、少くとも３−一の密度と、少くとも１８０
の熱衝撃耐性要素（ＴＳＲ）と、Ｒ＝σ／Ｅα、σ（シ
グマ）　＝　ＭＰａ／−当カの応力、Ｅ＝ＭＰａ／ｍ’
当りの弾性とα（アルファ）＝熱膨張率ｃｆＲ／ｃＷ１
／℃である無次元数、および少くとも３．７　Ｋｌｃ　
ＭＰａ／ｍの破壊靭性（メガパスカルスメートルの平方
根）。好ましくは、結果としてできる炭化珪素塗布細管
の抵抗率は少くとも１ｏｈｍ３、均一ビッカース硬度は
２８００階−を超え、密度は少くとも３．１５９ｍ／Ｃ
ＩＡ、ＴＳＲは少くとも１９０また破壊靭性は少くとも
４　ＫＩＣであること。
細管を、（ａ）酸素または酸素含有化合物の不在におい
て炭化珪素を蒸着する能力のあるガス混合物をテーパー
端を備える支持体に導スして、実質的に平滑な耐熱外塗
を前記支持体に化学蒸着することと、（ｂ）炭化珪素の
前記支持体への蒸着速度を、約１２００乃至１４００℃
の温度範囲で１時間当り１乃至３ミリの範囲内に調節す
ることと、（ｃ）結果としてできる炭化珪素の塗布支持
体を所望の全長になるよう機械加工することと、（ｄ）
前記外塗のテーパー端を所望の直径に機械加工すること
および、（ｅ）前記支持体を前記炭化珪素外塗から外し
て、軸方向に延びる通路と、接着する線材を通すガイド
開口部とを形成させることから成る方法で製作する。
（問題を解決するための手段） ごく概略的に言えば、この発明の方法は、ＥＦＯポンデ
ィンイン、できた細管を電気火花発生器に暴露してもア
ークしないほど電気抵抗の高い実質的に平滑で、むらの
ない、硬質で、細粒の炭化珪素コーチングを生産するも
のである。前述のボンディング工程において、接着する
細密線材の端は、その線材をボンディング先端にある線
材ガイド孔を通すと前記ボンディング先端の真下に位置
するようになる。電気エネルギーを加えると同時に高密
度のプラズマの火花を線材のまわりを一周するように前
記ボンディング先端の下に発生させると、それが線材を
溶融させ溶融金属のボールを形成させることが炭化珪素
の不導性である。前記ボンディング先端は負荷をその先
端に加えるが、それは前記溶融ボールが強制的にチップ
パッドにボールボンドを生成させる原因となる。線材ル
ープを形成する細管から前記線材を供給するに従い、前
記ボンダーは前記線材の上をすベクながら方向を転換し
て、前記支持体パッドの上を移動する。このボンダーは
前記支持体パッドまたはリード線の上に同一方法で第２
ボンドを生成する。最終工程において、前記ボンダーを
上昇させて、線材を前記第２ポンドの位置で切断させて
前記チップと支持体の間の循回路を完成させる。
火花は、先行技術ＣＶＤ方法によって生産された細管を
使った場合に起きる火花は、細管のガイド開口部を横切
ってはアークしないものである。炭化珪素の特性のため
、前記溶融金属の軸方向に延びる通路を通っての吸上作
用は起きない。加えて、この発明の細管は、熱衝撃に対
し標準アルミナ細管を実質的に上廻った大きな抵抗を示
す。実際に、この発明の前記ＣＶＤ炭化珪素はＢＦＯポ
ンディング方法におけるアルミナ細管の９倍もの耐耗年
数を有するので、非常に大きい市場的魅力のあることが
わかった。
炭化珪素コーチングの形成に使用される珪素含有ガスを
、四塩化珪素、シラン、ジクロロシラン、トリクロロシ
ラン、メチルトリクロロシランおよびジメチルジクロロ
シランから成る部類中から選択できる。四塩化珪素、シ
ラン、ジクロロシランｔたは）ジクロロシランを使う場
合、炭素源を供給して炭化珪素を生成させる必要がある
。前記炭素源にはどのような炭化水素でもなりえ、好ま
しくは、１乃至６炭素原子をもつパラフィン類、アルケ
ン類およびアルキン類と、酸素を含有しない１乃至６炭
素原子をもつ芳香族炭化水素とこれ以外の炭化水素のよ
うな低分子量脂肪族炭化水素である。特に適切な実例に
は、メタン、エタン、プロパン、ブタン、メチレン、エ
チレン、プロピレン、ブチレン、アセチレンおよびベン
ゼンが含まれる。
細密電導線材をこの発明の細管を使用する電気部品に接
着する代表的ボンディング装置は、（１）部品のプラッ
トホームまたはワークステーションと、（２）前記プラ
ットホームから離間し、前記線材コイルを保持する機構
と、（３）上述タイプの細管と、（４）超音波音透過と
、細管支持用の変換器機構と、（５）線材を前記コイル
保持機構から前記変換器機構まで案内する機構および、
（６）前記コイル保持機構とプラットホームとの間にあ
って、前記細管のガイド開口部を通る線材で電気火花を
発生させて方向づけし、かつ前記ガイド開口部下に溶融
ボールを繰返し形成させる電気火花発生機構とから成る
。
以下添付の図面を参照してこの発明をさらに詳述しよう
。
（実施例） 第１図は、終点円筒ガイド開口部６と代わるかわる通ず
る内側方向テーパーコニカル部分５と通ずる上部円筒部
分４を含む軸方向に延びる通路３から成る先端２を含む
細管１の普通形式の形状を示す。通路３の内面は、細管
１を正確に通って案内する細密線材またはフィラメント
表面を損傷し、あるいはかき傷をつけないよう平滑でな
ければならない。ガイド開口部６は、直径が約０．００
１乃至０．０　Ｏ４インチ（約０．０２５３顛乃至約０
．１０１５Ｊ！ＩＩ）と変動する細密線材７用の約０．
００１インチ乃至０、００　フインチ（約０．０２５ｍ
乃至約０．１７７７ｍ）の範囲の直径の事実上・細管の
ものである。
第１図に示された細管の寸法は、線材７の直径とボンデ
ィング用具の特定必要条件によつて変化する。線材７の
直径が０．０００　ツイフチ（約０．０１７７７９間）
の場合、ガイド開口部はほぼ０．００１インチ（約０．
０２５３９９１）であるが、５ｍ１１位の比較的大きい
直径を使用した場合、前記開口部６の直径は約７ｍ１ｌ
になる。標準的細管の長さは釣機インチ（約１２．６９
９５１１１）または線材７をねん転することなく細管１
を通って案内できるだけの長さがあり、かつガイド開口
６に隣接する細管先端２は、前記線材上に形成される溶
融ボール８が前記回路上のパッドがチップキャリヤー上
のパッドと間違なく接合できるだけの細さがなければな
らない。先行技術のアルミナ細管はＥＦＯボンディング
において、その熱衝撃耐破壊性のため約Ａインチ（約１
２．６９９５ｍ）に制限された。
しかし、この発明の炭化珪素細管は、その熱衝撃抵抗が
比較的大きいため、長さの制限はない。これは、この発
明の細管は比較的長いものであることが要求される深部
でのポンディングに対する使用を可能にする。前記コニ
カル部４の長さはほぼ発インチ（約３．１７４８１１）
である。前記円筒部３の内径は約Ｗ６インチ（約１、５
８７顛）である。
第２図は、その上に炭化珪素コーチング１０２を蒸着し
てＣＶＤ塗被マンデル１０４を形成するマンドレル１０
０ヲ示ス。マンドレル１００　ハ、塗被マンドレル１０
４から容易に除去できて第１図の細管の通路３を形成す
る材料から成る。
複数のマンドレル１００を、支持皿１０８内の複数のテ
ーパーくぼみにそれぞれ取り付けると、マンドレル１０
０の皿１０８はそこで、第３図の説明に関連して以下に
説明する仕方でＣＶＤコーチングに暴露される。マンド
レル１００のテーパー突起１１０は、細管１の内側方向
テーパーコニカル部分５とガイド開口部６を形成する。
円筒部分１１２は、第１図に示されているように円筒部
分４を形成する。ＣＶＤ工程中、炭化珪素の連続一体コ
ーチングをマンドレル１００に分子によって接着させて
、特定のボンディング用具に合わせるために引きつづき
行う機械加工作業ができるだけの所望の厚さの壁を備え
る細管１を形成させる。コーチング１０２の適切な厚さ
は、約０．０１乃至０．０３インチ（約０．２５３９　
ｍ乃至０．７６２ｍ）の範囲、好ましくは約０．０２イ
ンチ（約０．５０７顛）であることがわかった。
前記ＣＶＤ工程の後、炭化珪素マンドレル１０２を支持
皿１０８のくぼ＋１０６から除去する。
前記皿くぼみなしに、ＣＶＤ炭化珪素の橋が、マンドレ
ル１００の下端と支持皿１０８との間に形成（図示せず
）することになり、それを塗被端１１８近くで折らなけ
れば塗被マンドレル１０４を皿１０８から除去すること
ができない。
テーパー部分１１２の端の、あるいはそれに接近しであ
る塗被部分１２０をドリル、切断、研削あるいはこれ以
外の機械加工作業で仕上げをして、マンドレル１００を
除去した時、細管ガイド開口部６が正しい直径になるよ
うにする。塗被マンドレル１０４を塗被端１１８のある
ジグ（図示せず）の中に直立に配置し、端１１８を切断
、研削か、あるいは細管１が所望長さになるような適当
な手段による別の機械加工をする。
マンドレル１００の組成は、黒鉛、タングステンあるい
は、加工条件によく耐えることができかつ、化学的また
は燃焼手段によって細管１から容易に除去できさらに、
実質的に平滑な内面を残せるこれ以外の適当な物質から
成ることができる。前記マンドレルの特に有効な組成は
添加物とその他異物が実質的にない黒鉛である。最も有
効な手段は、黒鉛マンドレルを１１００℃乃至約１３０
０℃範囲の温度の炉で燃焼させることである。好ましく
は、この処理を、塗被黒鉛マンドレル１０４を炉に入れ
て十分な時間前述の温度の乾燥空気で加熱してマンドレ
ル１００を完全に燃焼させて行うことである。タングス
テンやモリブデンの場合には、前記マンドレルを除去す
る最も有効な手段は化学腐蝕させることである。
第３．４および第５図を参照しながら、水冷抵抗加熱反
応器２００は取シ外し可能上面２０２を備え、また反応
器本体２０４は相補かみ合い７ランジ２０５を備えてい
る。支持皿１０８を、図面で示された底から本体２０４
を突き通シ、適切な手段（図示せず）で回転させる回転
可能軸２１０に結合している延長部２０８に取り付ける
。支持皿１０８を順々に延長部２０８ａ、　２０８ｂお
よび２０８Ｃに取り付ける。マンドレル１００ヲ第２図
のテーパーくぼみ１０６に対応し、また第６図の説明で
さらに詳述されている皿穴２１２の中に配置する。反応
器２００の生産能力は、適当な大きさに作った延長部を
使ってお互いに離間して、マンドレルに十分な隙間を与
えまた一定のガス流れを提供する多数の皿１０８を追加
することで増大させることができる。
第３図においては、追加支持皿を延長部２０８ａに取り
付けることができる。延長部２０８ｄを、延長部２０８
ｃの雄型部分の滑り嵌めとして取り付けて追加皿の段積
みを容易にすることを示している。延長部２０８ｄを使
用しない場合、適切なキャップ（図示せず）を雄型部分
２０９にかぶ４せて置き、それが塗布されないようにす
る。マンドレルに取り付けた後、蓋２０２を締め付けて
閉じて、システムを、窒素で管路２２８．２３０．２３
０ａおよび２０３ｂを通して加圧して漏れ検査をし、そ
の後真空システム２１６で真空を引き抜き、実質的に空
気と窒素のすべてを取り去る。その後４５０ボルト充電
を約７５ボルトと約１０００アンペアに減圧するトラン
ス２２２に接続された抵抗加熱器２２０を使って約１３
００℃乃至約１３７５℃の範囲の温度に反応器２００を
加熱する。温度センサー２２４ば、温度制御器２２６が
トランスの一次電圧を修正して、加熱器２２０に供給す
る電圧を変え、反応器２２０内の温度を制御器２２６内
の整定値に比例して順番に変化させる。約１２００−１
４００℃の範囲の所望温度に到達すると同時に、反応器
を適度の時間内で大気圧にするため、反応器２００の全
量による流量で水素を反応器２００に導入する。水素を
管路２３６を通して約３０分間排気スクラバー（図示せ
ず）に排気することで反応器が大気圧に達して反応器温
度を安定させ、またマンドレル１００をさらに清浄にし
て、粒状物質と先のパージから少しでも残存している窒
素を反応器２００から除去してからメチルトリクロロシ
ラン（ＭＴＳ）のような珪素含有ガスを管路２３２．２
３０．２３０ａおよび２３０ｂを経由して導入したこと
を確めてから前記水素を継続する。前記ガスを支持皿の
上側と下側に導入して前記反応器内にむらなく分布する
ようにする。
第４、第５および第６図は、前記ＣｖＤ作業中、反応体
ガスに均一流れを提供しまた、前記支持皿１０８の上面
と、マンドレル１００の下端の間にＣＶＤコーチングの
橋が少しでもできないように設計されたマンドレル１０
０の支持皿型式の好ましい実施態様を示す。この後者の
特徴は、塗被マンドレルを剪断あるいは破断することな
くそれを除去できることである。
ＣＶＤの橋が後者の表面の間にできるのを放置する場合
、塗被マンドレル１０４を皿１０８から除去することが
、コーチング１０２にその軸線に沿う応力破断を引き起
し、従って、機械加工工程における細管１の破損に繋が
ることがわかった。
第４と第５図は、実質的に異物のない黒鉛から成る円形
支持皿１０８の直径が反応器２００内に容易に配置でき
る大きさである好ましい実施態様を示す。皿１０８をオ
リフィス２３８を使って延長部２０８に取り付ける。皿
１０８には、その皿の典型的厚さが約２インチ（約５０
．７９８Ｍ）であり、その半分を少し越える深さのある
複数の上部溝２４０がある。溝２４０と同じ深さの下部
溝２４２を溝２４０と垂直に皿１０８に切り込んで、複
数の角孔２４４を形成させる。皿孔２１２に図示のよう
に、上部溝の間の間隔に沿って均等に所望の深さに孔を
あける。角孔２４４と皿孔２１２との配置は、皿１０８
表面の上のマンドレル１００の外面全部にわたって均一
にガスを分布させる。これが順じゆんにむらのない分布
に繋がり、それによって完成塗被マンドレル１０４に所
望コーチング同心性が備わることになる。塗被マンドレ
ル１０４をその軸線に垂直に切り離し、その結果できる
断面の偏差を測定することで、コーチングの同心性を測
定する。
第６図は、支持皿１０８の皿孔２１２のテーパー壁１０
９が皿１０８の表面と約７５°あるいは、孔２１２の鉛
直軸から１５°の角度をなしていることを示す。この角
度は、垂直線から少くとも１０°しかも２０°以下にし
て炭化珪素のブリッジングを防ぐことになる。孔２１２
の前記テーパー部分に、直径が約０．０２８インチ（約
０．０１９９１Ｅｌ）のマンドレル１００に、実施例に
おいては約０．２５インチ（約６．３４９１ｍ）の深さ
の孔をあける。孔２１２の残余部分には、マンドレル１
００の軸線に平行し、直径が約０．０３１インチ（約０
．７８馴）、深さ約０．５インチ（約１２．６９９調）
の側壁２５０が備わる。後者の寸法は、マンドレル１０
０のために、前記ＣＶＤコーチンク作業中必要程度の安
定性を提供する。この作業中、反応ガスはこの深さより
深いくぼみ１０６には十分拡散しないので、上述のよう
に蒸着物質のブリッジングを防止する。皿孔２１２の正
確寸法は、製造される細管の寸法と、所定反応器のガス
流の形状大きさに左右される。
第７図は、プラットホーム２６３上に配置されたチップ
支持体２６２上のリード線２６０からテップ２６６上の
パッド２６４に線材７を接合する技術で周知の熱音波ボ
ンディングプロセスを実施する線材ボンダー２５８を略
図で示す。
フレーム構造２６８内に収容されたボンダー２５８は、
ワークステーション２６２から離間し線材７のスプール
保持用機構２７０から成る。線材７を、図示のように支
持スリーブ２７２と案内機構２７３を通してプーリー２
７２の上に供給して、線材７を変換器２７６、細管１お
よび先端２に実施可能に接続さ、れた超音波変換器２７
４を通して下方に案内する。線材７にボール８を、適切
な支持体２９２の上に取り付けられた電気火花発生器２
９０を使って銅電極によって発する電気火花２８４から
発生するプラズマで形成する。電気火花２８２を線材７
の端に向は細管先端２を通して突出させる。細管１には
実質的に少しの導体もない故に、火花２８４は、ガイド
開口部６内に不必要な発生熱を導入することになり、ま
たボンディング作業中、線材７の必要往復運動をあるい
は妨げるような前記先端を横切ってアークしない。
以下述べる実施例は、この発明の細管を生産する前述プ
ロセスを示し、また先行技術のＣＶＤプロセスで生産さ
れたものにまさる細管の優秀性を実例で説明しようとす
るものである。
第６図に関連する上述の支持皿の代夛に、厚さ約２イン
チ（約５０．７９８ｍ）の−塊の黒鉛を用い、それには
直径０．０３１インチ（約０．７８７３調）、深さ約１
インチ（約２５．３９９１１ｍ）で、前記皿面に対し垂
直の側壁を備える５２個の孔がある。５２個のエレクト
ロナイト（Ｅｔｅｃｔｒｏｎｉｔｅ　）　Ｅ　−４４０
黒鉛を、アセトンを湿み込ませた布の中にころがせて少
しの不純物も除去し完全に清浄にしたうえ後者の支持皿
に配置してＣＶＤ作業を行った。断片の一つ一つは、長
さ１．５インチ（約３８．０９諺）、直径０．０３イン
チ（約０．７６２３ＣＩ）であった。前記支持皿を第１
図に示された反応器２００内の延長部２０８の上に配置
し、また反応器蓋２０２を７ランジ２０５を介してボル
トで反応器本体２０４に固着させる。真空グリースを前
記フランジ面に使用して真空形式封止を提供し、それを
、排気管路２３６を閉鎖したうえ反応器２００を窒素で
１１０−１５ｐｓｉに加圧して、前記窒素流れを止めて
反応器２００を密封して検査した。反応器２００内の圧
力を１０分間以上観察して、０．３ｐｓｉ　ｌ、か圧力
が失われていなかったことを確めた。前記排気管路２３
６をそこで開放して反応器２００内の圧力を大気圧に達
した。そこで前記排出管路２３６を閉鎖した後、２９．
５ｉｎＩ（ｇの真空を真空装置２１６で引き込む。トラ
ンス２２２からの電力供給を７２ボルトに、また９００
アンペアから１１００アンペアに増加させて、反応器２
００を１３５０℃に加熱する。この温度に達すると同時
に、管路２３０．１３０ａと２３０ｂを経由して反応器
２００に、その反応器２００内の圧力が大気圧に達する
まで水素をパージした。
この時点で、排出管路２３６を開放して、反応器２００
に通ずる水素流れをつくった。水素を３０分間１１５　
ＳＬＰＭの速度で流れるようにさせて、酸素の痕跡を反
応器２００からすべて除去させて、反応器２００の内部
温度を安定させ、ｔ７’ｃ皿２００内の黒鉛支持体を清
浄にしてグリース、微粒物および酸化物が少しもないこ
とを確めた。気体ＭＴＳをＩＯ８ＬＰＭで、また水素を
９０ＳＬＰＭで管路２３２．２３０Ｊ２３０ａ、２３０
ｂを通して反応器２００に全部で７時間３０分通す。
ＭＴＳの流量は、完成細管で均一粒度の炭化珪素達成す
るには重大なことである。これは本質的には、最短の時
間で、最適の結晶成長を達成する１時間当り約２．２ミ
ｌｊの炭化珪素蒸着速度を維持して達成される。十分な
粒度を達成する最低速度は、１時間当り約１ミリの炭化
珪素であり、最高実用速度は約３ミリである。この時間
の経過後、ＭＴＳの流れは停止し、水素流れはその後１
０分間継続してシステムから少しのＭＴＳも残さないで
全部パージした。電源を切断しても、水素のパージはそ
のあと１時間３０分の間、覗きガラス（図示せず）を通
して反応器２００の中にこれ以上グローが肉眼で見えな
くなるまで続いた。この段階で、反応器中の温度を５０
０℃以下に降温した。反応器２００への水素供給を止め
ることで水素をシステムから除去すると、窒素が管路２
２８．２３０．２３０ｄ、　２３０ｂを通って入りまた
、排気管路２３６を通って排出させる。これを、大部分
の水素が反応器２００からすでに除去されてい友ことを
示し、も早や排出ガスが燃焼しなくなるまで継続した。
５バージサイクルをその時完成した。各サイクルは、窒
素が反応器２００に継続して流入している間に排気管路
２３６を閉鎖することから成る。圧力が５　ｐｓｉｇに
達すると、排気管路は、圧力が大気圧に達するまで開放
されていた。蓋２０２を取シ外し、塗被マンドレル１０
４を支持皿１０８から除去した。上述したように、支持
皿の直立壁によるブリッジング効果のため、前記塗被マ
ンドレルのうち１１個がこの除去工程中に破損した。
第６図を参照して説明された皿１０６の設計を使用する
と前述のような破損を実質的に排除できる。約２０ミリ
の塗被厚さの塗被マンドレルを上述のように機械加工し
て約１２００℃で炉で燃焼させ、黒鉛を除去した。細管
の全部を顕微鏡で検査し、どのような小さな表面むらも
機械加工した。完成細管は１０８倍の電子顕微鏡で測定
された通９の必要均一粒度と塗被同心性を備えていた。
細管は、３．２　ｆｍ／ｃｒＡの密度、３０００の均一
ビッカース硬度、１００，０００ｐａｔの引張シ強さ、
７０　Ｘ　１０’　ｐｓｉの弾性モジュールおよび４．
８　Ｘ　１０１ａｎ／ｃｕｔ／　℃の熱膨張係数のもの
であった。細管を、前記ヒユーズ（Ｈｕ−ｇｈｅｓ　）
製２４６０ＥＦＯ型式のボンディング機で説明された種
類の熱音波ボンディング装置で試験した結果、現在市販
のアルミナ細管の９倍の耐耗年数を有していることがわ
かった。
結果としてできた細管の抵抗率は十分に高くそのため前
述ボンディング装置で使用中もアーキングが起きなかっ
た。
以下述べる第２実施例では、１９個の塗被マンドレルを
、以下に述べる除外例はあるが、第１実施例で説明した
のと実質的に同一のＣＶＤ塗被手順で生産した： （１）第１実施例で使用したものと同様の反応器を使用
した；（２）第６図に示したものと同様のテーパー支持
皿を使用した；（３）黒鉛マンドレルと同一寸法のモリ
ブデンマンドレルを使用した；（４）窒素を、１１５　
ＳＬＰＭ　！　ｐもむしろ約２４５ＳＬＰＭで反応器に
供給した；（５）水素を、９０　ＳＬＰＭよりもむしろ
１８０乃至２７０ＳＬＰＭの変動供給量で反応器に供給
した；　（６）ＭＴＳを、実質的に一定ノ１０　ＳＬＰ
Ｍよりもむしろ約２０乃至約３０　ＳＬＰＭの変動供給
量で反応器に供給し、さらに（７）数コースの送りの上
面に、ＭＴＳの連続生産時間よシもむしろ第１実施例と
同じ７時間３０分の全ＭＴＳ供給時間に対する全生産時
間の間、前記ＣＶＤコーチングを堆積させた。
前記モリブデンマンドレルを結果としてできる細管から
、濃縮ＨＮ０，４と濃縮Ｈ１Ｓ０．１の割合から成る化
学腐蝕剤を用いて除去した。
前記コーチング同心性測定値が上述した別々の送シの間
中に堆積された炭化珪素の別々の層を識別したことを除
き、結果としてできる細管は全体に、耐耗年数も含めて
第１実施例で得られたものと同じ物性を備えていた。
ホルツルらに与えられた米国特許第３，４７２゜４４３
号に概説されているように、先行ＣＶＤ技術による最初
の細管生産においては、細管生産歩留は非常に低く、そ
の結果、細管のコーチング同心性は大体に使えないほど
不良であった。これらの技術には、ＭＴＳの添加の間中
使う真空と、前記ＣＶＤコーチングシステムに酸素を導
入すると考えられる水素の使用が含まれている。この制
御送りに使用される特定条件は、大体において、上に引
例した第５図に示された種類の反応器に７２トルの真空
を引き込むことと、高周波発生器を約１０謀の電力で使
用して反応器の内壁を誘導加熱をすることと、黒鉛延長
部と細管支持皿を使用することと、窒素パージに５　Ｓ
ＬＰＭを使用することと、水素パージに１０　ＳＬＰＭ
を使用することと、反応器の内部を１１００℃に加熱し
、水素の流れをＩＯ８ＬＰＭに維持しかつ、ＣＶＤ蒸着
期間中、ガスが前記ＣＶＤ蒸着の間中反応器内の圧力を
約１００トル（大気圧の約碍）に加圧するＭＴＳを７．
５ＳＬＰＭで導入することと、供給電力を４８分間で６
．５ＫＷに増加することで温度を１３３０℃に徐々に昇
温させることと、電源を切って５　ＳＬＰＭで窒素をパ
ージして、温度を約１００℃に降温さゼることと、金管
路と真空結線を切ることおよび、塗被製品を反応器から
取り出すことである。結果としてできる塗被マンドレル
の表面は、極めて不整で、断面直径は不均一であるので
、コーチング同心性の不良となって前記塗被マンドレル
をボンディング機の細管としての使用を不可能にする。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の細管の拡大垂直断面図、第２図はマ
ンドレルの上に均一固体コーチングとして炭化珪素を化
学蒸着した後ジグに入っている塗布マンドレルを示す拡
大垂直断面図、第３図は蒸着炭化珪素コーチングをその
上に形成させる複数のマンドレル支持体のある化学蒸着
装置の一部断面を含む略立面図、第４図はＣＶＤコーチ
ング作業中マンドレルの保持用として使用されるジグの
一型式を示す略図、第５図はＣＶＤコーチング作業中マ
ンドレルの保持用として使用されるジグの上面図、第６
図は、第４図に示したジグの孔の一つに取り付けられた
塗被マンドレルの垂直断面図、そして第７図は、この発
明の細管を使用するボンディング装置の一型式を示す略
図である。 １・・・細管、２・・・先端、３・・・通路、４・・・
円筒Ｓ分、５・・・コニカル部分、６・・・ガイド開口
部、７・・・細密線材、８・・・溶融ポール、１００・
・・マンドレル、１０２・・・炭化珪素コーチング、１
ｏ４・・・ｃｖｎｍ被マンドレル、１０６・・・テーパ
ーくぼみ、１０８・・・支持皿、１１０・・・テーパー
突起、１１２・・・テーパー部分、１１８・・・塗被端
、１２０・・・塗被部分、２００・・・反応器、２０２
・・・上蓋、２０４・・・反応器本体、２０５・・・相
補かみ合い７ランジ、２０Ｂ、２０８ａ、　２０８ｂ、
　２０８ｃ・・・延長部、２０Ｋｇ／ｍｍ２・・雄型部
分、２１０・・・回転可能軸、２１２・・・皿孔、２１
６・・・真空装置、２２０・・・抵抗加熱器、２２２・
・・トランス、２２４・・・温度センサー、２２６・・
・温度制御、２３０，２３０ａ、２３０ｂ、　２３２　
・−・管路、２３８・・・オリフィス、２４０・・パ上
部溝、２４２・・・下部溝、２４４・・・角孔、２５０
・・・側壁、２５８・・・線材ボンダー、２６０・・・
リード線、２６２・・・チップ支持体、２６３・・・プ
ラットホーム、２６４・・・パッド、２６６・・・チッ
プ、２６８・・・フレーム構造、２７０・・・機構、２
７２・・・プーリー、２７３・・・案内機構、２７４．
２７６・・・変換器、２８２・・・火花、２８４・・・
電気火花、２８６・・・銅電極、２９０・・・火花発生
器、２９２・・・支持体。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）細管が軸方向に延びる通路を備え、その通路はそ
    の一端の比較的小さい直径の開口部で終点となり、それ
    によつて細密電導線材を通すように適合され、また加熱
    形成した前記線材の上に熱ポールをからませて、前記細
    管端の近くの前記ポールに加圧することで前記線材を電
    気部品に接着することに使用されることと、炭化珪素の
    実質的に平滑な化学蒸着から本質的に成り、さらに、少
    くとも０．１オームセンチメートルの抵抗率と、２５０
    ０Ｋｇ／ｍｍ＾２以上の均一ビッカース硬度と、少くと
    も３ｇｍ／ｃｍ＾３の密度と、少くとも１８０の熱衝撃
    耐性係数および少くとも３．７Ｋ＿Ｉ＿Ｃ（ＭＰａ■ｍ
    ）の破壊靭性とを備えることを特徴とする細管。
  2. （２）前記熱は、電気フレームオフ型式のボンディング
    装置からの火花の結果であることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の細管。
  3. （３）前記抵抗率は少くとも２ｏｈｍ−ｃｍ、均一ビッ
    カース硬度は２８００Ｋｇ／ｍｍ＾２以上、密度は少く
    とも３．１５ｇｍ／ｃｍ＾３、熱衝撃耐性係数は少くと
    も１９０そして破壊靭性は少くとも４Ｋ＿Ｉ＿Ｃ（ＭＰ
    ａ■ｍ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    記載の細管。
  4. （４）前記細管は比較的均一の粒度を備えることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の細管。
  5. （５）細管が軸方向に延びる通路を備え、その一端の比
    較的小さい直径の開口部で終点となり、それに細密電導
    線材を通せるように適合させることを特徴とし、（ａ）
    酸素または酸素含有物の不在において炭化珪素を蒸着す
    る能力のあるガス混合物をテーパー端を備える支持体に
    導入して、実質的に平滑な耐熱外塗を前記支持体に化学
    蒸着する工程と、（ｂ）炭化珪素の前記支持体への蒸着
    速度を、約１２００乃至１４００℃の温度範囲で１時間
    当り１乃至３ｍｍの範囲内に調節する工程と、（ｃ）結
    果としてできる炭化珪素の塗布支持体を所望の全長にな
    るよう機械加工する工程と、（ｄ）前記外塗のテーパー
    端を所望の直径に機械加工する工程および、（ｅ）前記
    支持体を前記炭化珪素外塗から外して、軸方向に延びる
    通路と、接着する線材を通すガイド開口部とを形成する
    諸工程から成る細管の製法。
  6. （６）前記支持体と前記支持皿の外部とに炭化珪素を化
    学蒸着させる機構内に、結果としてできる塗被支持体と
    前記皿の間に好ましくない炭化珪素のブリッジングを起
    こさせることなく前記支持体を取り付けることを特徴と
    する特許請求の範囲第５項記載の細管の製法。
  7. （７）前記支持体を支持皿の皿孔内に配置し、前記支持
    皿の表面に隣接する前記皿孔の部分を垂直線から少くと
    も１０°しかも２０°以下の角度でテーパーしたものに
    し、かつ前記皿孔の残余の部分を、前記支持体の直径が
    収容されうるだけの十分な径のものとして、前記支持体
    を化学蒸着中垂直位置に維持させることを特徴とする特
    許請求の範囲第６項記載の細管の製法。
  8. （８）前記ガス混合物は水素と、四塩化珪素と炭素源の
    シランと、炭素源のジクロラリランと、炭素源のトリク
    ロロシランと、炭素源のメチルトリクロロシランおよび
    ジメチルジクロロシランから成る部類中から選択した珪
    素含有ガスから成ることを特徴とする特許請求の範囲第
    ５項記載の細管の製法。
  9. （９）前記炭素源を、１乃至６炭素原子、芳香族炭化水
    素および、化学結合酸素を含有しない１乃至６炭素原子
    をもつこれ以外の炭化水素を含むパラフィン類、アルケ
    ン類およびアルキン類から成る部類中から選択すること
    を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の細管の製法。
  10. （１０）前記支持体は化学機構または燃焼によつて除去
    できる物質から成ることを特徴とする特許請求の範囲第
    ５項記載の細管の製法。
  11. （１１）前記支持体は化学腐蝕で除去できるモリブデン
    またはタングステンから成ることを特徴とする特許請求
    の範囲第１０項記載の細管の製法。
  12. （１２）前記支持体は燃焼によつて除去できる黒鉛から
    成ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の細
    管の製法。
  13. （１３）細密電導線材を電気部品に接着するためのもの
    で、前記部品用プラットフォームと、前記線材のコイル
    を保持する前記プラットフォームから離間させる機構と
    、軸方向に延びる通路を備え、その一端の比較的小さい
    直径の開口部で終点となり、それに細密電導線材を通せ
    るように適合させた細管と、前記細管は炭化珪素の実質
    的に平滑な化学蒸着から本質的に成り、さらに少くとも
    ０．１オームセンチメートルの抵抗率、２５００Ｋｇ／
    ｍｍ＾２以上の均一ビッカース硬度、少くとも３ｇｍ／
    ｃｍ＾３の密度、少くとも１８０の熱衝撃耐性係数およ
    び少くとも３．７Ｋ＿Ｉ＿Ｃ（ＭＰａ■ｍ）の破壊靭性
    とを備えることと、超音波音を透過させまた前記細管を
    支持するための変換器と、前記線材を前記支持機構から
    前記変換器に案内する案内機構および、前記コイル支持
    機構と前記細管開口部で熱ボールを繰返し形成させる前
    記プラットフォームとの間の電気火花発生器とから成る
    熱音波ボンディング装置。
  14. （１４）前記細管は、少くとも１ｏｈｍ−ｃｍの抵抗率
    と、２８００Ｋｇ／ｍｍ＾２以上の均一ビッカース硬度
    と、少くとも３．１５ｇｍ／ｃｍ＾３の密度と、少くと
    も１９０の熱衝撃耐性係数および少くとも４Ｋ＿Ｉ＿Ｃ
    （ＭＰａ■ｍ）の破壊靭性とを備えることを特徴とする
    特許請求の範囲第１３項記載の熱音波ボンディング装置
    。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010236093A (ja) * 2010-05-17 2010-10-21 Nippon Pillar Packing Co Ltd 超純水用の炭化珪素質摺動部材

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978567A (en) * 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
GB9104984D0 (en) * 1991-03-08 1991-04-24 De Beers Ind Diamond Lead bonding tool
GB2285943B (en) * 1994-01-28 1996-09-11 Hewlett Packard Co Bonding tool for electronic device
US5605274A (en) * 1995-11-13 1997-02-25 General Motors Corporation Controlled atmosphere braze furnace with free part entry
US6180891B1 (en) 1997-02-26 2001-01-30 International Business Machines Corporation Control of size and heat affected zone for fine pitch wire bonding
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
US6651864B2 (en) * 1999-02-25 2003-11-25 Steven Frederick Reiber Dissipative ceramic bonding tool tip
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US7018947B2 (en) * 2000-02-24 2006-03-28 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide
US6939821B2 (en) 2000-02-24 2005-09-06 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide
JP2002047066A (ja) * 2000-08-02 2002-02-12 Tokai Carbon Co Ltd ＳｉＣ成形体およびその製造方法
US6955745B1 (en) * 2002-08-01 2005-10-18 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method of spark-processing silicon and resulting materials
US7320425B2 (en) * 2004-05-12 2008-01-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Low-profile capillary for wire bonding
US20060065634A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Van Den Berg Jannes R Low temperature susceptor cleaning
US20060060145A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Van Den Berg Jannes R Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
US20080197461A1 (en) * 2007-02-15 2008-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. Apparatus for wire bonding and integrated circuit chip package
US20080265005A1 (en) * 2007-04-30 2008-10-30 United Technologies Corporation Brazing process incorporating graphitic preforms
JP5906318B2 (ja) * 2012-08-17 2016-04-20 株式会社Ihi 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置
US9165904B1 (en) * 2014-06-17 2015-10-20 Freescale Semiconductor, Inc. Insulated wire bonding with EFO before second bond
KR20180132545A (ko) 2017-06-02 2018-12-12 (주) 디에스테크노 식각 특성이 향상된 화학기상증착 실리콘 카바이드 벌크
KR20220149760A (ko) 2018-06-01 2022-11-08 (주) 디에스테크노 식각 특성이 향상된 화학기상증착 실리콘 카바이드 벌크

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3472443A (en) * 1966-04-12 1969-10-14 Fansteel Inc Weld tip guide and apparatus
US4171477A (en) * 1976-03-16 1979-10-16 International Business Machines Corporation Micro-surface welding
US4427445A (en) * 1981-08-03 1984-01-24 Dart Industries, Inc. Tungsten alloys containing A15 structure and method for making same
US4515860A (en) * 1982-09-10 1985-05-07 Dart Industries Inc. Self protecting carbon bodies and method for making same
US4581295A (en) * 1984-03-13 1986-04-08 Aluminum Company Of America Refractory assembly for containment of molten Al-Li alloys
GB2165178A (en) * 1984-10-05 1986-04-09 Hitachi Ltd Method and apparatus for wire bonding

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010236093A (ja) * 2010-05-17 2010-10-21 Nippon Pillar Packing Co Ltd 超純水用の炭化珪素質摺動部材

Also Published As

Publication number Publication date
DE3765520D1 (de) 1990-11-15
EP0268230A3 (en) 1988-08-31
EP0268230A2 (en) 1988-05-25
US4772498A (en) 1988-09-20
KR880006770A (ko) 1988-07-25
EP0268230B1 (en) 1990-10-10

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