JPH05347333A - ボンディング工具とその製作法 - Google Patents

ボンディング工具とその製作法

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JPH05347333A
JPH05347333A JP5000966A JP96693A JPH05347333A JP H05347333 A JPH05347333 A JP H05347333A JP 5000966 A JP5000966 A JP 5000966A JP 96693 A JP96693 A JP 96693A JP H05347333 A JPH05347333 A JP H05347333A
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oxide
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エム．ホートン ラルフ
James T Hoggins
ティー．ホギンス ジェイムス
Shih-Yee Kuo
シィー−イェー クオ
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B23K20/025—Bonding tips therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H9/00—Machining specially adapted for treating particular metal objects or for obtaining special effects or results on metal objects

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  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電子回路の構成部品の熱圧接に使用するため
のボンディング工具またはサーモード、及びボンディン
グ工具の製作方法を提供する。 【構成】 端部に基材を装着し、加熱手段を受け入れる
手段を具備したホルダー110を提供する。多結晶ダイヤ
モンドフィルムを基材の上に配置し、このフィルムは好
ましくは化学的蒸着によって堆積させる。基材131は多
結晶ダイヤモンド、焼結炭化タングステン、炭化ケイ
素、立方晶窒化ホウ素、及びタングステンからなる群よ
り選択された材料使用する。また、基材131に熱伝導率
が少なくとも 60W/m・k で、電気抵抗率が1000ohm-cm以
下のセラミック材料を使用すると放電加工が可能とな
り、工業的に有益である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はボンディング工具とその
製作方法に関する。より詳しくは、リード線を集積回路
のデバイスまたはチップに熱圧接するような、電子回路
の生産に使用するボンディング工具に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば集積回路のチップを集積回路に組
み込む工程において、リード線はサーモードと称するボ
ンディング工具を使用して、自動操作によりチップの上
のパッドに接触して接合される。リード線は機械的に送
り込まれたテープに含まれることができ、加熱素子で加
熱されたボンディング工具で所定の時間リード線の上を
プレスし、リード線をパッドに接合する。ボンディング
工具のチップの温度、プレス圧力によって望ましい接合
が得られる。ついで接合機は持ち上げられ、次の部品の
セットが所定の位置に移動し、同じ操作が繰り返され
る。
【０００３】ボンディング操作は、チップの不要な加熱
を防ぎ、接合機のチップとリード線との他着を最小限に
し、生産スピードを上げるために出来るだけ早く行うこ
とが好ましい。ボンディング工具のチップは高温に達せ
ねばならず、またそれぞれのボンディングサイクルの間
に熱を失うため、次のサイクルのために素早く所望の温
度に回復しなければならない。また、ボンディング工具
のチップは大きな圧縮力を受けるため、その構造は数千
回をはるかに越える操作サイクルの間に変形や破壊に至
ることなくその力に耐えることが出来なければならな
い。従来は、炭化チタンや立方晶窒化ホウ素のような材
料がボンディング工具のチップに採用されている。
【０００４】良好なボンディング工具に要求される特性
としては、熱伝導性、強度、剛性に優れること及び熱膨
張率が低いことである。ダイヤモンドはこれらの特性を
有しており、しがってリード線のボンディング工具のチ
ップとして使用されている。ボンディング工具を設計す
る従来技術の一つとして、天然ダイヤモンドがタングス
テン粉末のような金属マトリックスに装着され、これが
インコネルのシャンクに支持され、銀または銅合金のよ
うな金属バインダーがダイヤモンドを覆っている。この
アセンブリーは炉の中で加熱されてバインダーが溶け、
マトリックスに浸透する。冷えると同時にバインダーは
凝固し、マトリックスを固め、ダイヤモンドを適所に固
定する。ついで例えば研磨によってダイヤモンドを機械
加工し、所望の形状のチップにする。従来技術のもう一
つの取り組み方として、ダイヤモンドを所望の構造に予
備成形し、ついで、所望により例えばモリブデン製のイ
ンサートを備えたインコネルのシャンクにろう付けす
る。天然ダイヤモンドのコスト、及びそれを固定し所望
とする形状に成形する難しさがこれらのタイプのボンデ
ィング工具においては明らかな不利となっている。
【０００５】Kerschner らは"IEEE Transactions On Co
mponents, Hybrids, and Manufacturing Technology, V
ol. CHMT-2 No.3, 1979"でインコネル物体に取り付けた
ダイヤモンドチップを公表している。このダイヤモンド
チップは、接合するディバイスを装入するためのレーザ
ー加工したキャビティを有している。欧州特許出願公開
第032437号は、所定の形状に焼結した合成多結晶ダイヤ
モンドで形成され、焼結炭化タングステン基材に装着し
たチップを有する熱圧接ボンディング工具を開示してい
る。
【０００６】米国特許第 4932582号は、ボンディング工
具の調製方法を開示している。工具の超硬材料は単結晶
ダイヤモンド、ダイヤモンド成形体、 CBN成形体、焼結
ダイヤモンド、モリブデン等、及びそれらの混合物の単
一物体であることができる。また、この特許においてボ
ンディング工具の従来技術で参考になることとして、単
結晶のダイヤモンドのヘッドを支持する焼結金属粉末を
使用し、単結晶のダイヤモンドをタングステンまたはモ
リブデンのシャンクにろう付けしている。
【０００７】米国特許第 4943488号は、支持体または支
持体に受入れられるインサートに接合した "TSPCD"（温
度安定性多結晶ダイヤモンド）素子を備えるサーモード
を開示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の取り組みはサー
モード技術を進歩させてきたが、つぎの一または二以上
の領域に実質的な改良の余地がある。焼結ダイヤモンド
成形体をチップとして使用すると熱的に不安定な構造に
なることがある及び／又は不純物の存在が他着または他
の操作上の問題を起こすことがある。
【０００９】超硬サーモードチップを種々のボンディン
グ作業に要求されるいろいろな形状に形成することは、
困難であり及び／又は高価になりがちである。サーモー
ドチップのホルダーまたは基材への接合性及び／又は基
材のホルダーへの接合性が長期間の使用あたって不足す
ることがある。チップ、基材、及び／又はホルダーのそ
の他の部分の熱伝導性、剛性、及び／又は膨張率がボン
ディング工具の効率を制限することがある。
【００１０】熱圧接ボンディング工具の製作及び構造に
おける従来技術のこれら及びこの他の限界に取り組むこ
とが本発明の目的である。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用効果】本発明は、
主に電子回路の構成部品の熱圧接に使用するためのボン
ディング工具またはサーモード、及びボンディング工具
の製作方法を提供する。本発明の一つの態様において、
その端部に装着した基材を有するホルダーが提供され
る。ホルダーは加熱素子を受け入れる手段を具備する。
多結晶ダイヤモンドフィルムが基材の上に配置され、こ
のフィルムは好ましくは化学的蒸着によって形成させ
る。開示する態様において、基材は、多結晶ダイヤモン
ド、焼結炭化タングステン(cemented tungsten carbid
e) 、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及びタングステ
ンからなる群より選択された材料である。この態様にお
いては、ダイヤモンドフィルムをプラズマ堆積法を用い
て基材の上に堆積させる。
【００１２】ダイヤモンドのフィルムはサーモードのチ
ップとして使用するにおいて多くの利点を有する。ダイ
ヤモンド基材の衆知の有利な特性（熱伝導性、硬度、長
寿命、耐湿潤性を含む）に加えて、天然ダイヤモンドの
場合のような種々のサーモードチップの構造を得るため
のダイヤモンドを機械加工する困難を避けるために、ダ
イヤモンドフィルムを所定の形状を有する基材の上に堆
積させることができる。焼結ダイヤモンド基材のような
多結晶ダイヤモンド基材の上にダイヤモンドフィルムを
堆積することは特に有益である。ダイヤモンド基材は望
ましい性質のダイヤモンドフィルムの成長を容易にす
る。さらに、ダイヤモンドフィルムの面は、コバルトま
たは他の金属のような物質や、面の下にある基材の不純
物が、接合される部品を汚染することや望ましくない他
着を引き起こすことを防ぐ。また、ダイヤモンドフィル
ムとダイヤモンド基材の膨張率が比較的近くに整合する
ことが、温度特性とボンディング工具の寿命を向上させ
る。
【００１３】本発明のつぎの態様にしたがうと、好まし
い熱伝導特性及び放電加工による成形を可能にするに充
分な電気伝導性を有するセラミック基材が提供される。
好ましくは、基材の熱伝導率は少なくとも 60W/m・k で
あり、電気抵抗率は 1000ohm-cm 以下である。この電気
特性は放電加工を可能にする。サーモード基材及び／又
はチップに使用する硬質材料の成形は一般的に問題があ
り、放電加工によって成形でき、さらにはサーモード基
材及び／又はチップに必要な熱伝導率と硬度を提供する
セラミックを使用することは有益である。
【００１４】本発明のさらなる特徴と利点は、以降の詳
細な説明と関連の添付の図面からより容易に明らかにな
るであろう。
【００１５】
【実施例】図１と２に関して、本発明の態様にしたがっ
たボンディング工具が示されている。ホルダー110 が提
供され、これは例えばインコネル合金のような比較的低
い熱伝導性を有する金属で形成されることができるシャ
ンク111 とヘッド114 を備える。シャンク111 はベース
105 に装着して示されており、シャンクの熱ロスを抑え
るに通常は役に立つアパーチュア112 を有する。ホルダ
ーはインサート115を備えており、インサートはくぼみ
の表面に親密に接触するためにヘッド部分114 のくぼみ
に焼き嵌めまたはろう付けされることができる。この態
様において、インサートは、加熱素子125 を受け入れる
ためのヘッドのくぼみ部分の円筒状のアパーチュア117,
118 に配列した円筒状の穴116 を具備して提供される。
加熱素子は一般的な型でよく、電源（ここには示してい
ない）に接続される。
【００１６】インサート115 は好ましくは熱を伝え易く
弾性率の高い材料から構成される。この一つの態様で
は、インサートは炭化タングステンからなり、それに取
り付ける基材131 は焼結多結晶ダイヤモンドである。商
業的に入手できる焼結炭化タングステンと焼結多結晶ダ
イヤモンド成形体には、例えばGeneral Electric社が販
売のStratapax があり、これらはそれぞれ基材とインサ
ートまたはそれらの一部として使用できる。改良された
温度安定性を有するシリコン接合多結晶ダイヤモンドも
また使用可能である。インサートの上部は、例えば高い
熱伝導性を有する銅またはその他の材料のような別の材
料であってよい。
【００１７】チップ150 は、好ましくはダイヤモンドペ
ーストで研磨した基材の上に、化学的蒸着法を用いて堆
積したダイヤモンドフィルムの層である。プラズマCVD
法はこの態様に利用される。基材の上にダイヤモンドフ
ィルムを堆積するためのプラズマ堆積装置と方法は、例
えば米国特許出願第614900号（本出願の出願人に譲渡）
に開示されている。また、米国特許第 4507588号、同第
4585668号、同第 4630566号及び同第 4691662号も参考
にできる。プラズマ堆積法の一つは、図３に示したよう
に、プラズマの発生にマイクロ波のエネルギーを使用す
る。金属容器310 はマイクロ波キャビティ315 の壁を画
定し、マイクロ波キャビティの上部はプレート320 であ
ることができる。プレートは指状の支持部325 を備え、
支持部は低くスライドして調節できる役割をする。励起
プロ−ブ314 が提供され、キャビィティ内のその位置は
調節可能である。プラズマ340 を囲むための石英チャン
バ−またはベルジャ−335 はリング形状のベース350 に
装着され、ベースに真空チャンバ−305 とマイクロ波キ
ャビティ310 を取り付ける。ガスインジェクタ357は炭
化水素と水素の混合物を、アパーチュアを通過してプラ
ズマ形成領域に358の箇所から供給するために使用す
る。冷却ライン359 はベースを冷却するための冷却剤の
循環するために使用することができ、また冷却コイル
（図示していない）も提供可能である。インサート115
とその上の基材131 は支持部392 の上に配置され、ディ
スク形状の金属グリッド380 を図のようにマイクロ波キ
ャビティの底の一部を画定するために使用することがで
きる。運転においては、炭化水素と水素の混合物が中に
供給された時に、キャビティ315 の中のマイクロ波のエ
ネルギーがプラズマ340 を発生し、多結晶ダイヤモンド
が基材131 の表面上に堆積することができる。マイクロ
波プラズマ装置では、一般に基材を加熱することが有益
であり、これは例えばサスセプタプレートを含めてあら
ゆる適切な手段によって実施することができる。また、
要望により、端部がマイクロ波の場の中で過熱すること
を防ぐために、開口部を有するBN板及び／又はカバー
を、インサートの上（またはホルダー全体の上）に使用
することができる。ダイヤモンドフィルムの堆積に使用
するこれに代わるプラズマジェット堆積装置としては、
例えば上記の参考とした米国特許出願の型式を使用する
ことができる。また、この他のあらゆる適切な堆積方法
も同様である。
【００１８】ダイヤモンドのフィルムはサーモードのチ
ップとして使用するにおいて多くの利点を有する。ダイ
ヤモンド基材の衆知の有利な特性（熱伝導性、硬度、長
寿命、耐湿潤性を含む）に加えて、天然ダイヤモンドの
場合のような種々のサーモードチップの構造を得るため
のダイヤモンドを機械加工する困難を避けるために、ダ
イヤモンドフィルムを所定の形状を有する基材の上に堆
積させることができる。焼結ダイヤモンド基材のような
多結晶ダイヤモンド基材の上にダイヤモンドフィルムを
堆積することは特に有益である。ダイヤモンド基材は、
望ましい性質のダイヤモンドフィルムの成長を容易にす
る。さらに、ダイヤモンドフィルムの面は、コバルトま
たは他の金属のような物質や、面の下にある基材の不純
物が、接合される部品を汚染することや望ましくない他
着を引き起こすことを防ぐ。また、ダイヤモンドフィル
ムとダイヤモンド基材の膨張率が比較的近くに整合する
ことが、温度特性とボンディング工具の寿命を向上させ
る。要望により、堆積したダイヤモンドフィルムは、ラ
ッピングのような方法によって研磨することができる。
【００１９】高弾性率と優れた熱伝導性を有する代わり
の基材材料を、ダイヤモンドフィルムのチップと併せて
利用することができる。例えば、基材131 及び／又はイ
ンサート115 あるいはその一部分は、焼結炭化タングス
テン（好ましくは、ダイヤモンドを接着剤から離すため
に例えばタングステンの層を有する）、タングステン、
炭化ケイ素、または立方晶窒化ホウ素であることができ
る。
【００２０】本発明のつぎの態様にしたがうと、好まし
い熱伝導特性及び放電加工による成形を可能にするに充
分な電気伝導性を有するセラミック基材が提供される。
好ましくは、基材の熱伝導率は少なくとも 60W/m・k で
あり、電気抵抗率は 1000ohm-cm 以下である。（放電加
工機における実際の電気抵抗は加工物の形状にも依存
し、上記の値は典型的な形状での一般的な限界であ
る。）これらの必要条件を満たす適切なセラミックに
は、二ホウ化チタンを含んで焼結した炭化ケイ素があ
り、Carborundum 社が "Hexaloy ST" として販売してい
る。この材料は優れた熱伝導性と室温で 0.1〜10ohm-cm
の範囲の電気抵抗率を有する。この電気特性は放電加工
による機械加工を可能にする。サーモード基材及び／又
はチップに使用する硬質材料の成形は一般的に問題があ
り、放電加工によって成形でき、さらにはサーモード基
材及び／又はチップに必要な熱伝導率と硬度を提供する
セラミックを使用することは有益である。成形した後
に、セラミックそのものを、チップとして、例えばそれ
をインサート115(図１、２）として用いて、またはその
一部として、またはそれをインサートに取り付けて、あ
るいはチップを上記のような多結晶ダイヤモンドフィル
ムのチップようにして適用することができる。ここで記
したようにして使用するに適切なこの他の電気伝導性セ
ラミック材料としては、酸化イットリウム、酸化カルシ
ウム、酸化ジスプロシウム、酸化イッテルビウムから選
択された少なくとも一種のドーパントでドープされた窒
化アルミニウム、及びベリリウムと酸化ベリリウムをか
ら選択された少なくとも一種のドーパントでドープされ
た炭化ケイ素がある。
【００２１】本発明は特定の好ましい態様に関して記述
したが、本発明の意図と視野の中での変更は当業者には
容易に類推されるであろう。例えば、他の工具及び／又
はホルダーの構造及びこの他の加熱手段が採用できるこ
とは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の態様にしたがったボンディング工具の
横断面図である。
【図２】部分的に透視図を含む図１の態様のボンディン
グ工具の横断面分解図である。
【図３】部分的に略図形式の、ボンディング工具を製作
するための本発明の方法の態様にしたがって使用するこ
とができるマイクロ波プラズマ化学的蒸着装置のダイア
グラムである。
【符号の説明】
110 …ホルダー 115 …インサート 125 …加熱素子 131 …基材 150 …チップ 305 …真空チャンバ− 315 …キャビティ 340 …プラズマ
フロントページの続き (72)発明者 ジェイムス ティー．ホギンス アメリカ合衆国，テキサス 75025，プラ ノ，シムスバリー ドライブ 1728 (72)発明者 クオ シィー−イェー アメリカ合衆国，ユタ 84108，ソルト レイク シティー，クレストビュー ドラ イブ 2830

Claims (50)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 端部に基材を装着し、加熱手段を受け入
    れる手段を具備したホルダー、及び該基材の上に形成し
    てチップを形成した多結晶ダイヤモンドフィルムを含む
    ボンディング工具。
  2. 【請求項２】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸着
    によって堆積した請求の範囲第１項記載のボンディング
    工具。
  3. 【請求項３】 該基材が、多結晶ダイヤモンド、焼結炭
    化タングステン、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及び
    タングステンからなる群より選択された材料である請求
    の範囲第１項記載のボンディング工具。
  4. 【請求項４】 該基材が、多結晶ダイヤモンド、焼結炭
    化タングステン、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及び
    タングステンからなる群より選択された材料である請求
    の範囲第２項記載のボンディング工具。
  5. 【請求項５】 該基材が多結晶ダイヤモンド粒子の成形
    体を含み、該ダイヤモンドフィルムが該成形体の上に堆
    積した請求の範囲第１項記載のボンディング工具。
  6. 【請求項６】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸着
    によって堆積したフィルムである請求の範囲第５項記載
    のボンディング工具。
  7. 【請求項７】 該ホルダーがシャンク部分、ヘッド部
    分、及び該ヘッド部分に結合したインサートを含み、該
    基材が該インサートに連結した請求の範囲第１項記載の
    ボンディング工具。
  8. 【請求項８】 該ホルダーがシャンク部分、ヘッド部
    分、及び該ヘッド部分に結合したインサートを含み、該
    基材が該インサートに連結した請求の範囲第３項記載の
    ボンディング工具。
  9. 【請求項９】 該ホルダーがシャンク部分、ヘッド部
    分、及び該ヘッド部分に結合したインサートを含み、該
    基材が該インサートに連結した請求の範囲第５項記載の
    ボンディング工具。
  10. 【請求項１０】 多結晶ダイヤモンド粒子で形成された
    基材を提供し、該基材の表面上に多結晶ダイヤモンドフ
    ィルムを堆積し、該基材を加熱素子に連結可能なホルダ
    ーに装着する工程からなるボンディング工具の形成方
    法。
  11. 【請求項１１】 基材を装着する該工程が、該基材を該
    ホルダーのインサート部分に装着することを含む請求の
    範囲第10項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第10項記載の方法。
  13. 【請求項１３】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第11項記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、プラズマを使用した化学的蒸着によるダイヤモン
    ドフィルムの堆積を含む請求の範囲第10項記載の方法。
  15. 【請求項１５】 多結晶ダイヤモンド、焼結炭化タング
    ステン、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及びタングス
    テンからなる群より選択された材料で形成された基材を
    提供し、該基材の表面上に多結晶ダイヤモンドフィルム
    を堆積し、該基材を加熱素子に連結可能なホルダーに装
    着する工程からなるボンディング工具の形成方法。
  16. 【請求項１６】 基材を装着する該工程が、該基材を該
    ホルダーのインサート部分に装着することを含む請求の
    範囲第15項記載の方法。
  17. 【請求項１７】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第15項記載の方法。
  18. 【請求項１８】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第16項記載の方法。
  19. 【請求項１９】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、プラズマを使用した化学的蒸着によるダイヤモン
    ドフィルムの堆積を含む請求の範囲第15項記載の方法。
  20. 【請求項２０】 端部にチップを装着し、加熱素子を受
    け入れる手段を具備したホルダーを含み、該チップは10
    00ohm-cm以下の電気抵抗率と少なくとも 60W/m・K の熱
    伝導率を有するセラミック材料を含むボンディング工
    具。
  21. 【請求項２１】 該チップが、二ホウ化チタンを含んで
    焼結した炭化ケイ素；酸化イットリウム、酸化カルシウ
    ム、酸化ジスプロシウム、酸化イッテルビウムから選択
    された少なくとも一種のドーパントでドープされた窒化
    アルミニウム；ベリリウムと酸化ベリリウムから選択さ
    れた少なくとも一種のドーパントでドープされた炭化ケ
    イ素、からなる群より選択された材料を含む請求の範囲
    第20項記載のボンディング工具。
  22. 【請求項２２】 端部に基材を装着し、加熱素子を受け
    入れる手段を具備したホルダー、及び該基材の上に形成
    したチップを含み、該基材が1000ohm-cm以下の電気抵抗
    率と少なくとも 60W/m・K の熱伝導率を有するセラミッ
    ク材料を含むボンディング工具。
  23. 【請求項２３】 該チップが、二ホウ化チタンを含んで
    焼結した炭化ケイ素；酸化イットリウム、酸化カルシウ
    ム、酸化ジスプロシウム、酸化イッテルビウムから選択
    された少なくとも一種のドーパントでドープされた窒化
    アルミニウム；ベリリウムと酸化ベリリウムから選択さ
    れた少なくとも一種のドーパントでドープされた炭化ケ
    イ素、からなる群より選択された材料を含む請求の範囲
    第22項記載のボンディング工具。
  24. 【請求項２４】 該チップが、該基材の上に堆積した多
    結晶ダイヤモンドフィルムを含む請求の範囲第22項記載
    のボンディング工具。
  25. 【請求項２５】 該チップが、該基材の上に堆積した多
    結晶ダイヤモンドフィルムを含む請求の範囲第23項記載
    のボンディング工具。
  26. 【請求項２６】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸
    着によって堆積したフィルムである請求の範囲第24項記
    載のボンディング工具。
  27. 【請求項２７】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸
    着によって堆積したフィルムである請求の範囲第25項記
    載のボンディング工具。
  28. 【請求項２８】 端部にチップを装着し、加熱手段を受
    け入れる手段を具備したホルダーを含み、該チップは、
    二ホウ化チタンを含んで焼結した炭化ケイ素；酸化イッ
    トリウム、酸化カルシウム、酸化ジスプロシウム、酸化
    イッテルビウムから選択された少なくとも一種のドーパ
    ントでドープされた窒化アルミニウム；ベリリウムと酸
    化ベリリウムから選択された少なくとも一種のドーパン
    トでドープされた炭化ケイ素、からなる群より選択され
    たセラミック材料を含むボンディング工具。
  29. 【請求項２９】 端部に基材を装着し、加熱手段を受け
    入れる手段を具備したホルダー、及び該基材の上に形成
    したチップを含み、該基材は、二ホウ化チタンを含んで
    焼結した炭化ケイ素；酸化イットリウム、酸化カルシウ
    ム、酸化ジスプロシウム、酸化イッテルビウムから選択
    された少なくとも一種のドーパントでドープされた窒化
    アルミニウム；ベリリウムと酸化ベリリウムから選択さ
    れた少なくとも一種のドーパントでドープされた炭化ケ
    イ素、からなる群より選択されたセラミック材料を含む
    ボンディング工具。
  30. 【請求項３０】 該チップが、該基材の上に堆積した多
    結晶ダイヤモンドフィルムを含む請求の範囲第29項記載
    のボンディング工具。
  31. 【請求項３１】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸
    着によって堆積したフィルムである請求の範囲第30項記
    載のボンディング工具。
  32. 【請求項３２】 1000ohm-cm以下の電気抵抗率と少なく
    とも 60W/m・K の熱伝導率を有するセラミック基材を提
    供し、該基材の表面を所定の形状に放電加工し、該基材
    をホルダーに装着する工程からなるボンディング工具の
    製作方法。
  33. 【請求項３３】 該基材の上にチップを堆積する工程を
    さらに含む請求の範囲第32項記載の方法。
  34. 【請求項３４】 チップを堆積する該工程が、該所定形
    状の形状に実質的に従うフィルムを堆積することを含む
    請求の範囲第33項記載の方法。
  35. 【請求項３５】 チップを堆積する該工程が、該基材の
    上にダイヤモンドフィルムを堆積することを含む請求の
    範囲第33項記載の方法。
  36. 【請求項３６】 チップを堆積する該工程が、該基材の
    上にダイヤモンドフィルムを堆積することを含む請求の
    範囲第34項記載の方法。
  37. 【請求項３７】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第35項記載の方法。
  38. 【請求項３８】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第36項記載の方法。
  39. 【請求項３９】 二ホウ化チタンを含んで焼結した炭化
    ケイ素；酸化イットリウム、酸化カルシウム、酸化ジス
    プロシウム、酸化イッテルビウムから選択された少なく
    とも一種のドーパントでドープされた窒化アルミニウ
    ム；ベリリウムと酸化ベリリウムから選択された少なく
    とも一種のドーパントでドープされた炭化ケイ素、から
    なる群より選択されたセラミック材料からなるセラミッ
    ク基材を提供し、該基材の表面を所定の形状に放電加工
    し、該基材をホルダーに装着する工程からなるボンディ
    ング工具の製作方法。
  40. 【請求項４０】 該基材の上にチップを堆積する工程を
    さらに含む請求の範囲第39項記載の方法。
  41. 【請求項４１】 チップを堆積する該工程が、該所定形
    状の形状に実質的に従うフィルムを堆積することからな
    る請求の範囲第40項記載の方法。
  42. 【請求項４２】 チップを堆積する該工程が、該基材の
    上にダイヤモンドフィルムを堆積することを含む請求の
    範囲第40項記載の方法。
  43. 【請求項４３】 チップを堆積する該工程が、該基材の
    上にダイヤモンドフィルムを堆積することを含む請求の
    範囲第41項記載の方法。
  44. 【請求項４４】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第42項記載の方法。
  45. 【請求項４５】 ダイヤモンドフィルムを堆積する該工
    程が、化学的蒸着によるダイヤモンドフィルムの堆積を
    含む請求の範囲第43項記載の方法。
  46. 【請求項４６】 端部に装着した基材を有するホルダ
    ー、該基材の上に形成しチップを形成した多結晶ダイヤ
    モンドフィルム、及び該基材を加熱源に連結する手段を
    含むボンディング工具。
  47. 【請求項４７】 該ダイヤモンドフィルムが、化学的蒸
    着によって堆積したフィルムである請求の範囲第46項記
    載のボンディング工具。
  48. 【請求項４８】 該基材が、多結晶ダイヤモンド、焼結
    炭化タングステン、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及
    びタングステンからなる群より選択された材料である請
    求の範囲第46項記載のボンディング工具。
  49. 【請求項４９】 該基材が、多結晶ダイヤモンド、焼結
    炭化タングステン、炭化ケイ素、立方晶窒化ホウ素、及
    びタングステンからなる群より選択された材料である請
    求の範囲第47項記載のボンディング工具。
  50. 【請求項５０】 該基材が多結晶ダイヤモンド粒子の成
    形体を含み、該ダイヤモンドフィルムが該成形体の上に
    堆積した請求の範囲第46項記載のボンディング工具。
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