JPS63136546A - レ−ザ−・トリミング装置 - Google Patents
レ−ザ−・トリミング装置Info
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- JPS63136546A JPS63136546A JP28331986A JP28331986A JPS63136546A JP S63136546 A JPS63136546 A JP S63136546A JP 28331986 A JP28331986 A JP 28331986A JP 28331986 A JP28331986 A JP 28331986A JP S63136546 A JPS63136546 A JP S63136546A
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- laser
- wafer
- fuse
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- optical system
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー・ビームにより回路の一部を切断し、
不良チップのりペアを行なうレーザー・トリミング装置
に関する。
不良チップのりペアを行なうレーザー・トリミング装置
に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化、高品質化が進むにつ
れ、半導体製造装置に関しても、高信頓性が追求されて
いる。半導体集積回路の高集積化については、超ＬＳＩ
などと呼ばれている高密度記すα回路装置が開発されつ
つあるが、このＥ Ｆｉをより低価格に生産するため、
冗長ビットを訂する回路が考え出されている。これは所
望のメモリービット数よりビット数の多い回路ＨｉＺを
製作しておき、本来のビットが不良の時、予め用意して
おいたヒユーズを溶断してこの冗長ビットを生かす方法
である。他方、高品質化においては、集積回路の抵抗が
より精度の高いものを得るため、部分的に回路を切断す
る方法がある。いずれの方法でも所望のヒユーズ又は、
配線などを溶断しなければならない。第４図は従来のレ
ーザー・トリミング装置の一例の模式図である。防震台
３０１上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステージ３０２が
設置されている。ステージ３０２上にトリミングを必要
とするウェハー３００をαせるためのウェハ一台３０３
が設置されている。まず、ウェハーアライメントのため
、レーザー光？ｆｉ、３１０から出力されるレーザー光
３０９は光学系３１３で、レーザーパワーの調整がなさ
れ、次に集光レンズ３０４によって集光され、ウェハー
上のウェハーアライメントマーク部に照射される。レー
ザー光照射によるウェハーアライメントマークからの反
射光はミラー３０６を介して、アライメント：し制御系
３０７で受光され、ウェハーアライメントがなされる。
れ、半導体製造装置に関しても、高信頓性が追求されて
いる。半導体集積回路の高集積化については、超ＬＳＩ
などと呼ばれている高密度記すα回路装置が開発されつ
つあるが、このＥ Ｆｉをより低価格に生産するため、
冗長ビットを訂する回路が考え出されている。これは所
望のメモリービット数よりビット数の多い回路ＨｉＺを
製作しておき、本来のビットが不良の時、予め用意して
おいたヒユーズを溶断してこの冗長ビットを生かす方法
である。他方、高品質化においては、集積回路の抵抗が
より精度の高いものを得るため、部分的に回路を切断す
る方法がある。いずれの方法でも所望のヒユーズ又は、
配線などを溶断しなければならない。第４図は従来のレ
ーザー・トリミング装置の一例の模式図である。防震台
３０１上にＸ−Ｙ２方向に移動可能なステージ３０２が
設置されている。ステージ３０２上にトリミングを必要
とするウェハー３００をαせるためのウェハ一台３０３
が設置されている。まず、ウェハーアライメントのため
、レーザー光？ｆｉ、３１０から出力されるレーザー光
３０９は光学系３１３で、レーザーパワーの調整がなさ
れ、次に集光レンズ３０４によって集光され、ウェハー
上のウェハーアライメントマーク部に照射される。レー
ザー光照射によるウェハーアライメントマークからの反
射光はミラー３０６を介して、アライメント：し制御系
３０７で受光され、ウェハーアライメントがなされる。
ウェハーアライメント終了後、レーザー３１０から出力
されるレーザー光３０９は光学系３１３によって、ヒユ
ーズ（ＦｕＳＣ）切断のための最適なパワーに調整され
、さらに集光レンズ３０４で集光され、ウェハー３００
上のＦｕ！；ｅに照射され、Ｆｕｓｅが切断される。
されるレーザー光３０９は光学系３１３によって、ヒユ
ーズ（ＦｕＳＣ）切断のための最適なパワーに調整され
、さらに集光レンズ３０４で集光され、ウェハー３００
上のＦｕ！；ｅに照射され、Ｆｕｓｅが切断される。
第５図は従来のレーザー・トリミング装はのウェハー処
理に於けるシーケンスの一例のフローチャートである。
理に於けるシーケンスの一例のフローチャートである。
ウェハーはプリアライメント即ち、大まかなアライメン
トが行なわれてからウェハ一台上に転置される。８置さ
れたウェハー上には、あらかじめ、ある決まった位置に
、ウニ／Ｘ−アライメントパターンが形成されている。
トが行なわれてからウェハ一台上に転置される。８置さ
れたウェハー上には、あらかじめ、ある決まった位置に
、ウニ／Ｘ−アライメントパターンが形成されている。
レーザー光によりこのウェハーアライメントパターンを
用いて、ウェハーアライメント即ちＸ方向、Ｙ方向の座
標系の決定及びウェハーの回転方向の回転量の補正等が
行なわれる。
用いて、ウェハーアライメント即ちＸ方向、Ｙ方向の座
標系の決定及びウェハーの回転方向の回転量の補正等が
行なわれる。
その後、それらのデータをもとに、あらかじめ人力され
ているＦｕｓｅ座標の位置にレーザービームが照射され
るべくステージが移動し、Ｆｕｓｅが切断されてい（も
のである。
ているＦｕｓｅ座標の位置にレーザービームが照射され
るべくステージが移動し、Ｆｕｓｅが切断されてい（も
のである。
上述した従来のレーザー・トリミング装置はウェハーア
ライメント時、アライメントマーク近傍に何らかのパタ
ーンが存在する場合、その別パターンをアライメントマ
ークと誤認識し、アライメントを行なってしまい、次の
ヒユーズ切断に移り、ヒユーズでない部分をレーザー・
ビームによって破壊即ち半導体装置を破壊してしまうこ
とがあるという欠点があった。
ライメント時、アライメントマーク近傍に何らかのパタ
ーンが存在する場合、その別パターンをアライメントマ
ークと誤認識し、アライメントを行なってしまい、次の
ヒユーズ切断に移り、ヒユーズでない部分をレーザー・
ビームによって破壊即ち半導体装置を破壊してしまうこ
とがあるという欠点があった。
上述した従来のレーザー・トリミングＨ１１に対し、本
発明はウェハーアライメント後、ウェハーアライメント
確認パターンを用いて、ウェハーアライメントの正否の
確認が自動で行なわれ、ヒユーズでない部分、即ち半導
体Ｈａを破壊してしまうことが防止可能である。
発明はウェハーアライメント後、ウェハーアライメント
確認パターンを用いて、ウェハーアライメントの正否の
確認が自動で行なわれ、ヒユーズでない部分、即ち半導
体Ｈａを破壊してしまうことが防止可能である。
本発明のレーザー・トリミングＲ” Ｃはレーザー・ビ
ームにより、所定の回路の一部を切断するために位置合
せを行なうレーザー・トリミング装置に於いて、前記位
置合せを行なった後に所定のパターンを用いて前記位置
合せの正否を確認する機能を存することにより描成され
る。
ームにより、所定の回路の一部を切断するために位置合
せを行なうレーザー・トリミング装置に於いて、前記位
置合せを行なった後に所定のパターンを用いて前記位置
合せの正否を確認する機能を存することにより描成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式図である。
防震台１０１上にＸ−Ｙ方向に移動可能なステージ１０
２を設置する。防震台１０１はステージ１０２が周囲の
震動を受けるのを防ぎ、テスージの位置を高精度に制御
するためのものである。このステージ１０２の上にトリ
ミングを必要とするウェハー１００をαせるためのウェ
ハ一台１０３を設こし、レーザー及びモニター画像用の
集光レンズ１０４、自動焦点及びウェハーアライメント
のための光学系１０５を集光レンズ１０４と共に設置す
る。集光レンズ１０４はレーザー光源１１０から出力さ
れるレーザー光１０９とミラー１０６を介したアライメ
ント制御系１０７に入る光１０８とを集光するものであ
る。レーザー光調整のためのレーザー光学系１１３も設
置される。
２を設置する。防震台１０１はステージ１０２が周囲の
震動を受けるのを防ぎ、テスージの位置を高精度に制御
するためのものである。このステージ１０２の上にトリ
ミングを必要とするウェハー１００をαせるためのウェ
ハ一台１０３を設こし、レーザー及びモニター画像用の
集光レンズ１０４、自動焦点及びウェハーアライメント
のための光学系１０５を集光レンズ１０４と共に設置す
る。集光レンズ１０４はレーザー光源１１０から出力さ
れるレーザー光１０９とミラー１０６を介したアライメ
ント制御系１０７に入る光１０８とを集光するものであ
る。レーザー光調整のためのレーザー光学系１１３も設
置される。
第２図は本発明のレーザー・トリミング装このＦｕｓｅ
切断へのシーケンスの一例のフローチャートである。ウ
ェハーはプリアライメント即ち大まかなアライメントが
行なわれてからウェハ一台１０３上に社置される。截置
されたウェハー１００上にはあらかじめある決まった位
置にウェハーアライメントパターンが形成されている。
切断へのシーケンスの一例のフローチャートである。ウ
ェハーはプリアライメント即ち大まかなアライメントが
行なわれてからウェハ一台１０３上に社置される。截置
されたウェハー１００上にはあらかじめある決まった位
置にウェハーアライメントパターンが形成されている。
アライメント光学系１０５により、このウェハーアライ
メントパターンを用いて、ウェハーアライメント即ちＸ
方向、Ｙ方向の座標系の決定及びウェハーの回転方向の
回転量の補正等が行なわれる。その後、それらのデータ
をもとにあらかじめ入力されているＦｕｓｅ座標データ
に従ってＸ−Ｙステージ１０２が移動し、最初に切断す
べきヒユーズが切断すべき位置に運ばれる。ここで、レ
ーザー１１０より出力されたレーザー光１０９はレーザ
ー光学系１１３によりアライメントに適した条件に設定
され、集光レンズ１０４により集光され％ Ｆｕｓｅに
照射される。ここで、前記ウェハーアライメントが正し
く行なわれている場合には、Ｆｕｓｅにレーザー光が正
しく照射される。ゆえに、ヒユーズパターンからの反射
光を受光し、信号処理を施すことによって、アライメン
トが正しかったと判断され、レーザー１１０からのレー
ザー光１０９はレーザー光学系１１３によりＦｕｓｅ切
断に適したパワーへと調整され、ヒユーズ切断が実行さ
れる。ところが、前記ウェハーアライメントが正しく行
なわれなかった即ち、アライメントパターンでなくアラ
イメントパターン近傍の別パターンをアライメントマー
クと誤認してしまった場合には本来Ｆｕｓｅが来るべき
位置にＦｕｓｅが来ない。このため、アライメントレー
ザー光はＦｕｓｅに照射されず別の部分に照射されてし
まい、ヒユーズからの反射光は受光できない。ゆえに、
アライメントが正しくなかったと判断され、再びウェハ
ーアライメントを行なうことになる。ここで、再ウェハ
ーアライメントは自動で行なう場合と、手動で行なう場
合とがある。また、そのウェハーについては処理を中断
し、次のウェハーの処理へと進むこともある。
メントパターンを用いて、ウェハーアライメント即ちＸ
方向、Ｙ方向の座標系の決定及びウェハーの回転方向の
回転量の補正等が行なわれる。その後、それらのデータ
をもとにあらかじめ入力されているＦｕｓｅ座標データ
に従ってＸ−Ｙステージ１０２が移動し、最初に切断す
べきヒユーズが切断すべき位置に運ばれる。ここで、レ
ーザー１１０より出力されたレーザー光１０９はレーザ
ー光学系１１３によりアライメントに適した条件に設定
され、集光レンズ１０４により集光され％ Ｆｕｓｅに
照射される。ここで、前記ウェハーアライメントが正し
く行なわれている場合には、Ｆｕｓｅにレーザー光が正
しく照射される。ゆえに、ヒユーズパターンからの反射
光を受光し、信号処理を施すことによって、アライメン
トが正しかったと判断され、レーザー１１０からのレー
ザー光１０９はレーザー光学系１１３によりＦｕｓｅ切
断に適したパワーへと調整され、ヒユーズ切断が実行さ
れる。ところが、前記ウェハーアライメントが正しく行
なわれなかった即ち、アライメントパターンでなくアラ
イメントパターン近傍の別パターンをアライメントマー
クと誤認してしまった場合には本来Ｆｕｓｅが来るべき
位置にＦｕｓｅが来ない。このため、アライメントレー
ザー光はＦｕｓｅに照射されず別の部分に照射されてし
まい、ヒユーズからの反射光は受光できない。ゆえに、
アライメントが正しくなかったと判断され、再びウェハ
ーアライメントを行なうことになる。ここで、再ウェハ
ーアライメントは自動で行なう場合と、手動で行なう場
合とがある。また、そのウェハーについては処理を中断
し、次のウェハーの処理へと進むこともある。
本実施例ではウェハー位置決め確認として、Ｆｕｓｅパ
ター７を用いたが、これはＦｕｓｅパターンのみでなく
、専用のパターンをウェハー上に形成して用いてもよい
。また、確認として反射光を用いたが、確認がなされれ
ば良いのであって、パターン認識法、回折法等でも良い
第３図は本発明の実施例２を説明するための偵式図であ
る。
ター７を用いたが、これはＦｕｓｅパターンのみでなく
、専用のパターンをウェハー上に形成して用いてもよい
。また、確認として反射光を用いたが、確認がなされれ
ば良いのであって、パターン認識法、回折法等でも良い
第３図は本発明の実施例２を説明するための偵式図であ
る。
防震台２０１上にＸ−Ｙ方向に移動可能なステージ２０
２を設置する。このステージ２０２の上にトリミングを
必要とするウェハー２００をαせるためのウェハ一台２
０３を設置し、レーザー及びモニター画像用の集光レン
ズ２０４、自動焦点及びウェハーアライメントのための
光学系２０５、ウェハーアライメント確認のための光学
系２１１を集光レンズ２０４と共に設置する。集光レン
ズ２０４はレーザー光源２１０から出力されるレーザー
光２０９とミラー２０６を介したテレビモニター用カメ
ラ２０７に入る光２０８とを集光するものである。レー
ザー光学系２１３はレーザー光２０９を調整するもので
ある。
２を設置する。このステージ２０２の上にトリミングを
必要とするウェハー２００をαせるためのウェハ一台２
０３を設置し、レーザー及びモニター画像用の集光レン
ズ２０４、自動焦点及びウェハーアライメントのための
光学系２０５、ウェハーアライメント確認のための光学
系２１１を集光レンズ２０４と共に設置する。集光レン
ズ２０４はレーザー光源２１０から出力されるレーザー
光２０９とミラー２０６を介したテレビモニター用カメ
ラ２０７に入る光２０８とを集光するものである。レー
ザー光学系２１３はレーザー光２０９を調整するもので
ある。
ウェハー２００はウェハ一台２０３上に截置された後、
ウェハーアライメント光学系２０５によりウェハーアラ
イメントが行なわれ、Ｘ及びＹ座標系及びウェハーの回
転補正が行なわれる。
ウェハーアライメント光学系２０５によりウェハーアラ
イメントが行なわれ、Ｘ及びＹ座標系及びウェハーの回
転補正が行なわれる。
次に、ウェハーアライメントの結果をもとに、あらかじ
めウェハー上に形成されているウェハー７ライメント確
認パターンが所定の位！に来るように、ｘ−ｙステージ
が移動する。その後、アライメント確認のための光学系
２１１により、アライメント確認パターンが所定の位置
に存在するか否かの確認が行なわれる。ここで、前記ウ
ェハーアライメントが正しく行なわれていなかった場合
には、アライメント確認パターンが所定の位置に来てお
らず、判定は否となり、再びウェハーアライメントを行
なうあるいはこのウェハーの処理を中止し、次のウェハ
ーの処理へ進む等の処置がとられる。また、前記ウェハ
ーアライメントが正しく行なわれていれば、アライメン
ト確認バター７が所定の位置に来ており、判定は正とな
り、シーケンスはＦｕｓｅｔ７７断へと進む。ウェハー
アライメント確認のための光学系では確認のみでなく、
アライメント機能を育することもあり、この場合、ウェ
ハーアライメントだけの場合に比し、さらにＦｕｓｅ位
置決めの精度を向上することも可能である。
めウェハー上に形成されているウェハー７ライメント確
認パターンが所定の位！に来るように、ｘ−ｙステージ
が移動する。その後、アライメント確認のための光学系
２１１により、アライメント確認パターンが所定の位置
に存在するか否かの確認が行なわれる。ここで、前記ウ
ェハーアライメントが正しく行なわれていなかった場合
には、アライメント確認パターンが所定の位置に来てお
らず、判定は否となり、再びウェハーアライメントを行
なうあるいはこのウェハーの処理を中止し、次のウェハ
ーの処理へ進む等の処置がとられる。また、前記ウェハ
ーアライメントが正しく行なわれていれば、アライメン
ト確認バター７が所定の位置に来ており、判定は正とな
り、シーケンスはＦｕｓｅｔ７７断へと進む。ウェハー
アライメント確認のための光学系では確認のみでなく、
アライメント機能を育することもあり、この場合、ウェ
ハーアライメントだけの場合に比し、さらにＦｕｓｅ位
置決めの精度を向上することも可能である。
以上説明したように本発明のレーザー・トリミング装置
はウェハーアライメント終了後、ウェハーアライメント
確認パターンを用いて、ウェハーアライメント正否確認
を行なう機能を育することにより、ウェハーアライメン
トマーク誤認識による、ヒユーズ部以外へのレーザー光
照射即ち、半導体装置の破壊を防ぐことが出来、高品質
の半導体装置を安価に大量に提供できるという効果があ
る。
はウェハーアライメント終了後、ウェハーアライメント
確認パターンを用いて、ウェハーアライメント正否確認
を行なう機能を育することにより、ウェハーアライメン
トマーク誤認識による、ヒユーズ部以外へのレーザー光
照射即ち、半導体装置の破壊を防ぐことが出来、高品質
の半導体装置を安価に大量に提供できるという効果があ
る。
第１図は本発明の実施例の模式図、第２図は本実施例を
説明するための流れ図、第３図は本発明の第２の実施例
を示すための模式図、第４図は従来のレーザー・トリミ
ング装置の一例の模式図、第５図は従来のレーザ−０ト
リミング装置のウェハー処理のフローチャートを示す図
である。 １００ 、２００ 、３００ 、・・・ウェハー。 １０１．２０１，３０１ 、・・・防震台。 １０２．２０２，３０２・・・ステージ。 １０３ 、２０３ 、３０３・・・ウェハ一台。 １０４ 、２０４ 、３０４・・・集光レンズ。 １０５ 、２０５・・・アライメント光学系。 １０ｆ３ 、２０（ｉ 、 ３０Ｂ ・・・ ミ ラ
− 。 １０７ 、３０７・・・アライメント制御系。 １０８ 、２０８ 、３０８ 、・・・光。 １０９ 、２０９ 、３０９・・・レーザー光。 １１０．２１０，３１０・・・レーザー。 ２１１・・・アライメント確認光学系。 １１３．２１３，３１３・・・レーザー光学系。 ２１４・・・テレビモニター。 早 １ 図 序 ２ 図 榮 ３ 図 第４図
説明するための流れ図、第３図は本発明の第２の実施例
を示すための模式図、第４図は従来のレーザー・トリミ
ング装置の一例の模式図、第５図は従来のレーザ−０ト
リミング装置のウェハー処理のフローチャートを示す図
である。 １００ 、２００ 、３００ 、・・・ウェハー。 １０１．２０１，３０１ 、・・・防震台。 １０２．２０２，３０２・・・ステージ。 １０３ 、２０３ 、３０３・・・ウェハ一台。 １０４ 、２０４ 、３０４・・・集光レンズ。 １０５ 、２０５・・・アライメント光学系。 １０ｆ３ 、２０（ｉ 、 ３０Ｂ ・・・ ミ ラ
− 。 １０７ 、３０７・・・アライメント制御系。 １０８ 、２０８ 、３０８ 、・・・光。 １０９ 、２０９ 、３０９・・・レーザー光。 １１０．２１０，３１０・・・レーザー。 ２１１・・・アライメント確認光学系。 １１３．２１３，３１３・・・レーザー光学系。 ２１４・・・テレビモニター。 早 １ 図 序 ２ 図 榮 ３ 図 第４図
Claims (1)
- レーザービームにより所定の回路の一部を切断するため
に位置合せを行なうレーザー・トリミング装置に於いて
、前記位置合せを行なった後に所定のパターンを用いて
前記位置合せの正否を確認する機能を有することを特徴
とするレーザー・トリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28331986A JPS63136546A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28331986A JPS63136546A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136546A true JPS63136546A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17663923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28331986A Pending JPS63136546A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | レ−ザ−・トリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02299251A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| US5763853A (en) * | 1994-04-20 | 1998-06-09 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194741A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | ビツト救済装置 |
| JPS61212081A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 光学装置 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP28331986A patent/JPS63136546A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194741A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | ビツト救済装置 |
| JPS61212081A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 光学装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02299251A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
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