JPS61194741A - ビツト救済装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置のビット救済装置に関し、特に検査
機能を有してビット救済不良を解消し、信顛性の高い救
済を行うことのできるビット救済装置に関するものであ
る。

〔背景技術〕□ 一般に半導体装置、とりわけ同一構成の回路を多数個有
するメモリ装置では、一部の回路の欠陥によりその装置
全体が不良となることを防止して装置の歩留向上を図る
ために、所謂冗長回路を装置に一体に形成しておき、欠
陥回路をこの冗長回路に置き換える方法がとられている
。リンク（ヒユーズ）はこの回路の切り換え用に利用さ
れるもので、冗長回路の一部として多結晶シリコン（ポ
リシリコン）等により形成し、これを必要に応じて切断
することにより欠陥救済（回路切換）、すなわちビット
救済を行うことができる。

このビット救済においては、これまで不良ビットに対す
るリンクを検出光学系にて検出し、その溶断位置に位置
合わせを行った上でこの検出光学系と同軸のレーザ系に
てレーザ光をリンク上にスポット投射し、リンクをレー
ザ光エネルギによって？容断していた。

ところで、このレーザ光スポットはスポット径が大きす
ぎるとリンクの隣接部まで溶断してしまうために所要の
スポット径以上にはできず、現状ではリンクの幅より若
干大きい程度である。このため、前記したリンクの位置
検出や、検出光学径とレーザ径の間に位置ずれが生じて
いると、レーザ光スポットがリンクに対して正しく投射
されず溶断不良が発生することがある。

しかしながら、従来のビット救済装置は、前述のように
単にリンク位置の検出とレーザ光のスポット投射機能し
か備えていないため、リンクの溶断状態、つまりビット
救済作用によって形成された溶断部（溶断ホール）の確
認を行うことは不可能である。したがって、ビット救済
がおこなわれた半導体装置を改めてテスタ等にて検査し
てビット救済の良否を確認する方法がとられている。

ところが、検出光学系とレーザ光学系との間の相対位置
ずれが原因としてビット救済不良が生じているような場
合には、多数のビットａ済不良が生じる可能性があり、
その修正等に繁雑な手間をではない。また、このような
ビット救済不良の生ずる確率も大きくなり、製造自動化
の障害にもなる。

〔発明の目的〕

本発明の目的はビット救済作用の結果をその都度検査し
、ビット救済不良がその装置側の原因によるときにはこ
れを直ちに修正して以後のビット救済不良の発生を防止
しかつその増大を防ぎ、これによりビット救済の信頼性
の向上を図ることのできるビット救済装置を提供するこ
とにある。

また、本発明の他の目的は後工程における検査を不要と
し、半導体装置の製造効率の向上を図ることのできるビ
ット救済装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、
ビット救済前および救済後のリンクを検出する検出系と
、リンク溶断を行うレーザ系と、これらをコントロール
する制御系とを備え、制御部はリンクおよび溶断の各位
置を算出する演算部と、リンクと溶断部位の各位置を比
較してその良否を判定する比較部と、リンクの検出結果
および溶断の良否の結果に基づいてＸＹテーブル、レー
ザ源をコントロールしてリンク溶断位置の設定およびリ
ンク溶断作用を行わせる各コントローラとを備えること
により、リンクの溶断作用毎に溶断部位を検出してビッ
ト救済の良否を検査すると共に、ビット救済が不適なと
きには直ちにこれに対処してこの不良および次のビット
救済を適正に行なわせることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示す全体構成図であり、１
０は半導体装置１を載置したＸＹテーブルでＸＹ駆動部
１１により平面ＸＹ方向に移動できる。２０はＸＹテー
ブル１０の上方に設けた光学系であり、レーザ光学系２
１と検出光学系２２を有する。レーザ光学系２１はレー
ザ源２３、シャッタ２４および対物レンズ２５を有し、
レーザ光を対物レンズ２５によって収束して半導体装置
１の表面上、すなわちパッシベーション膜（図示せず）
に開設された窓を通してその下層に形成された多結晶シ
リコン等からなるリンク２上に投射できる。検出光学系
２２は照明用光源２６、コンデンサレンズ２７、ハーフ
ミラ−２Ｂ、２９゜３０、ミラー３１およびＸ方向、Ｙ
方向の光検出器（ＣＣＤ）３２．３３を備え、照明用光
源２６で半導体装置１の表面を照明しながらリンク２を
ＣＣＤ３２，３３によって検出する。そして、前記ＸＹ
駆動部１１、レーザ光源２３、ＣＣＤ３２゜３３を制御
部４０によって相互に接続している。

前記制御部４０は、ＣＣＤ３２，３３の検出信号から必
要な信号を取り出す信号処理部４１、この検出信号から
リンク２や後述する溶断部位（ホール）の中心位置を算
出する演算部４２、この中心位置を一時的に記憶するメ
モリ部４３、リンク２と溶断部位とを比較する比較部４
４、前記ＸＹ駆動部１１をコントロールするＸＹコント
ローラ４５、レーザ源２３ないしシャフタ２４をコント
ロールするレーザコ〉′トローラ４６および前記各部を
シーケンス的にコントロールするシーケンス部４７を有
している６ 次に、以上の構成のビット救済装置によるビット救済作
用を説明する。

先ず、検出光学系２２の照明用光源２６で半導体装置１
の表面、更に言えば不良冗長回路につながる切断すべき
リンク２を照明し、Ｘ５Ｙ方向の各ＣＣＤ３２，３３で
リンク２をＸ、Ｙ方向に走査して検出する。すると第２
図のＳＸＩ、ＳＹＩの信号が得られ、この信号を信号処
理部４１で処理しかつ演算部４２で所定の演算を行うこ
とによりリンク２の幅、長さ寸法Ｗ１．ＬＩを得、さら
にリンク中心位置Ｘｉ、Ｙｌを求めることができる。こ
の中心位置ＸＩ、Ｙｌはメモリ部４３に記憶され、かつ
一方ではＸＹコントローラ４５を作動してＸＹ駆動部１
１にてＸＹテーブル１０を作動し、リンク２の中心をレ
ーザ光学系２１の中心に位置設定する。そして、レーザ
コントローラ４６を作動してレーザ源２３のレーザ光を
対物レンズ２５で収束してリンク２上に投射し、リンク
２を溶断することになる。

次いで、溶断が完了すると、検出光学系２２は前述と同
様にＣＣＤ３２．３３を用いて直ちにリンク２の再検出
を行い、第３図のように夫々信号ＳＸ２．ＳＹ２を得、
信号処理部４１および演算部４２では今度は溶断部位つ
まり溶断ホール３の幅と長さく径＞Ｗ２．Ｌ２を検出し
、かつその中心位置Ｘ２．Ｙ２を求めることができる。

そして、このＷ２．Ｌ２．Ｘ２．Ｙ２のデータと、前記
メモリ部４３内に記憶したデータＷｌ、ＬＬ、Ｘｉ。

Ｙｌとを比較部４４において比較することにより、リン
ク２の溶断を確認できる。この結果、同図のように溶断
が適正に行われているときにはシーケンス部４７の作用
によって、ＸＹコントローラ４５を作動し、次のリンク
へと移動する。

一方、第４図のように、溶断ホール３Ａに位置ずれが生
じていると、信号ＳＸ３．ＳＹ３から溶断ホール３Ａ（
この場合は残存リンク２）の幅、長さ寸法Ｗ３．Ｌ３お
よび中心位置Ｘ３．Ｙ３が求められ、これを比較部４４
においてメモリ部４３のリンク２のデータＷｌ、ＬＬ、
Ｘｉ、Ｙｌと比較することにより溶断が適正に行われて
いないことが判る。そして、これらデータの比較から検
出光学系２２に対するレーザ光学系２１の相対位置ずれ
量が算出でき、以後のレーザ光投射に際してはＸＹコン
トローラ４５でフィードバック的にＸＹテーブル１０等
の制御を行い、相対位置ずれ分を補正して正しい溶断を
行うことができる。

勿論、先に行ったリンクの溶断不良部位を再度溶断し直
すこともできる。

したがって、このビット救済装置によれば検出光学系２
２でリンク２を検出しかつレーザ光学系２１でビット救
済を行った後に直ちにその良否を検査することができる
ので、後工程での検査工程は不要であり製造工程の効率
を向上できると共に以後のビット救済では制御部４０の
作用によって位置補正を自動的に行うことができるので
、ビット救済不良を未然に防止できビット救済の信頼性
を向上できる。

〔効果〕

（１）ビット救済用のリンク検出系と、レーザ系および
制御部を備え、制御部内には演算部、比較部、各コント
ローラを設けているので、リンクを検出してビット救済
を行った後に、直ちにこのピント救済の良否を検査しか
つ不適な場合にはその修正を行うことができるので、次
のビット救済はもとより先に行ったピッ＋−ａ済を全て
良好なものにでき、ビット救済不良の発生を未然に防止
して信頼性の高いビット救済を可能とする。

（２）ビット救済を行いながらその都度ビット救済の良
否を検査できるので、後工程において改めて検査を行う
必要はなく、半導体装置の製造効率を向上できる。

（３）リンクの位置を検出してビット救済作用およびビ
ット救済の適否の検査、さらにその修正を自動的に行う
ことができるので、ビット救済効率の向上および信頼性
を向上できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、検出光学系
、レーザ光学系等の具体的な構成は適宜変更できる。ま
た、制御部内の構成も適宜変更でき、さらに新たな構成
を付加することもできる。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背量となった利用分野である半導体装置の冗長回
路用のリンクを溶断してビット救済を行う例に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、レーザ光の投射によって回路の一部を切断して素子
の救済を図るものであれば同様に適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のビット救済装置の全体構成
図、 第２図はリンクの平面図とその検出信号図、第３図は正
しい溶断状態のリンクの平面図とその検出信号図、 第４図は不適な溶断状態のリンクの平面図とその検出信
号図である。 １・・・半導体装置、２・・・リンク、１０・・・ＸＹ
テーブル、１１・・・ｘｙ駆動部、２０・・・光学系、
２１・・・レーザ光学系、２２・・・検出光学系、２３
・・・レーザ源、２４・・・シャッタ、２５・・・対物
レンズ、２６・・・照明用光源、２．８，２９．３０・
・・ハーフミラ−１３１・・・ミラー、３２．３３・・
・ＣＣＤ、４０・・・制御部、４１・・・信号処理部、
４２・・・演算部、４３・・・メモリ部、４４・・・比
較部、４５・・・ＸＹコントローラ、４６・・・レーザ
コントローラ、４７・・・シーケンス部。 第　　１　　図 第　　　２　　図 δγ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ビット救済前および救済後のリンクを夫々検出する
   検出系と、ビット救済のためのリンクの溶断を行うレー
   ザ系と、これら検出系とレーザ系とをコントロールする
   制御系とを備え、前記制御系は検出系からの検出信号に
   基づいて前記リンクおよび溶断部位を夫々算出する演算
   部と、リンクおよび溶断部位の各位置を夫々比較してそ
   の適否を判定する比較部と、リンクや溶断部位の位置お
   よびこれらの比較結果に基づいてＸＹテーブル、レーザ
   源をコントロールしリンク溶断位置の設定と溶断作用を
   行わせる各コントローラとを備えることを特徴とするビ
   ット救済装置。 ２、検出系はＸ、Ｙ方向に夫々配したＣＣＤを検出素子
   としている特許請求の範囲第１項記載のビット救済装置
   。 ３、検出系と制御部はリンクを移動させるＸＹテーブル
   と共にフィードバック閉回路を構成している特許請求の
   範囲第１項または第２項記載のビット救済装置。