JPS6294971A - レ−ザ−トリミングの不良表示方法 - Google Patents
レ−ザ−トリミングの不良表示方法Info
- Publication number
- JPS6294971A JPS6294971A JP60235743A JP23574385A JPS6294971A JP S6294971 A JPS6294971 A JP S6294971A JP 60235743 A JP60235743 A JP 60235743A JP 23574385 A JP23574385 A JP 23574385A JP S6294971 A JPS6294971 A JP S6294971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- trimming
- substrate
- fault indication
- fault
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザートリミングにおける不良ブロックの
不良表示方法に関する。
不良表示方法に関する。
従来、絶縁基板上に多数個形成さｆ′ｌ−た薄膜又は厚
膜素子をレーザー光によりトリミングし、不良と判定さ
れた場合、不良ブロックにレーザー光を照射して不良表
示するか、１枚の基板のトリミング終了後、不良と判定
されたブロックにインクで印を付けるか、不良ブロック
番号全記録しておき、スナツピング時に不良ブロック番
号の記録を見ながら取り除く方法が取られていた。
膜素子をレーザー光によりトリミングし、不良と判定さ
れた場合、不良ブロックにレーザー光を照射して不良表
示するか、１枚の基板のトリミング終了後、不良と判定
されたブロックにインクで印を付けるか、不良ブロック
番号全記録しておき、スナツピング時に不良ブロック番
号の記録を見ながら取り除く方法が取られていた。
従来のレーザートリミングでは、レーザー光の切削径が
数μ惧から１００μ情程度であり、トリミングと同じ切
削径でレーザー光によりたとえば×印あるいは一点に照
射して不良表示をする場合、表示の大きさが小さすぎて
、後工程での自動認識装置での認識が難かしかった。又
、目視による確認も顕微鏡全使用しなけれＪｆできなか
った。従って、上述のごときレーザー光を照射して不良
表示をする場合は、レーザートリミング装置のビームポ
ジショナ全数十回移動させてレーザー光全照射し、切削
径を巾広くして表示する必要があり、不良表示に長時間
を必要とする為、レーザートリミング装置の運転効率が
悪くなる欠点がある。又、１枚の基板のトリミング終了
後インクで不良ブロックに印をつけたり、不良ブロック
の記録を見ながら取り除く方法では、不良ブロック表示
の誤まりや不良ブロック除去の誤まりが発生するばかり
でなく、前記作業によるトリミングの作業工数増大をま
ねくという欠点がある。
数μ惧から１００μ情程度であり、トリミングと同じ切
削径でレーザー光によりたとえば×印あるいは一点に照
射して不良表示をする場合、表示の大きさが小さすぎて
、後工程での自動認識装置での認識が難かしかった。又
、目視による確認も顕微鏡全使用しなけれＪｆできなか
った。従って、上述のごときレーザー光を照射して不良
表示をする場合は、レーザートリミング装置のビームポ
ジショナ全数十回移動させてレーザー光全照射し、切削
径を巾広くして表示する必要があり、不良表示に長時間
を必要とする為、レーザートリミング装置の運転効率が
悪くなる欠点がある。又、１枚の基板のトリミング終了
後インクで不良ブロックに印をつけたり、不良ブロック
の記録を見ながら取り除く方法では、不良ブロック表示
の誤まりや不良ブロック除去の誤まりが発生するばかり
でなく、前記作業によるトリミングの作業工数増大をま
ねくという欠点がある。
本発明は、絶縁基板上に多数個形成された薄膜又は厚膜
素子をレーザートリミングし、不良と判定されたブロッ
クに於ける該基板上面を、レーザー焦点位置よりずらし
、かつ該トリミングで必要とするレーザー出力よりも実
質的に太きい出力で該ブロックにレーザー光を照射し、
該レーザート’Ｊ ミンク時の切削径よりも実質的に大
きい切削径で印をつけることを特徴とするレーザートリ
ミングの不良表示方法である。
素子をレーザートリミングし、不良と判定されたブロッ
クに於ける該基板上面を、レーザー焦点位置よりずらし
、かつ該トリミングで必要とするレーザー出力よりも実
質的に太きい出力で該ブロックにレーザー光を照射し、
該レーザート’Ｊ ミンク時の切削径よりも実質的に大
きい切削径で印をつけることを特徴とするレーザートリ
ミングの不良表示方法である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
実施例により不良表示した基板を示す平面図である。
実施例により不良表示した基板を示す平面図である。
通常のトリミングを行う時は、基板１１全トリミング位
置２に置いて、レーザー光３を照射している。従ってト
リミング位置２においてレーザー光３が一番絞られ、切
削径も一番細い状態となる。
置２に置いて、レーザー光３を照射している。従ってト
リミング位置２においてレーザー光３が一番絞られ、切
削径も一番細い状態となる。
次にトリミングにおいて不良と判定されｆ？：、場合、
基板１１を不良表示位置１に移動すると、基板１１の上
面はレーザー光３の焦点位置からずれる為、第１図に示
すごとくレーザー光３の照射範囲が広がり、又レーザー
アッテネータ６′ｊｔ可変し、基板上に照射するレーザ
ー出力を上げることにより不良表示用レーザー照射跡９
より広い表示中で不良表示が可能となる為、トリミング
の後工程での、たとえばパターンパッチング法等による
認識装置による前記不良表示用レーザー照射跡１０の自
動認識が可能となる。
基板１１を不良表示位置１に移動すると、基板１１の上
面はレーザー光３の焦点位置からずれる為、第１図に示
すごとくレーザー光３の照射範囲が広がり、又レーザー
アッテネータ６′ｊｔ可変し、基板上に照射するレーザ
ー出力を上げることにより不良表示用レーザー照射跡９
より広い表示中で不良表示が可能となる為、トリミング
の後工程での、たとえばパターンパッチング法等による
認識装置による前記不良表示用レーザー照射跡１０の自
動認識が可能となる。
第３図はトリミング時と、第１図の方法による不良表示
での基板上に照射するレーザー出力の状態を示す特性図
であり、トリミング時のレーザー出力３１と、焦点から
ずらした時のレーザー出カ３２と、焦点からずらした後
レーザーアッテネータ−を可変してレーザー出力を大き
くした時のレーザー出力３２とレーザービーム巾を示す
。
での基板上に照射するレーザー出力の状態を示す特性図
であり、トリミング時のレーザー出力３１と、焦点から
ずらした時のレーザー出カ３２と、焦点からずらした後
レーザーアッテネータ−を可変してレーザー出力を大き
くした時のレーザー出力３２とレーザービーム巾を示す
。
以上説明したように本発明は、トリミング時にレーザー
トリミング装置でレーザー光を照射して不良表示を行う
為、不良表示の誤まりが発生しないばかりでなく、トリ
ミングの後工程で、自動認識できる不良表示が可能な為
不良ブロック除去の誤まりを起さない効果がある。又、
不良表示全行う時は、基板を移動し、レーザーアッテネ
ータ−を可変するだけである為、短時間で表示可能であ
り、レーザートリミング装置の運転効率を低下させるこ
とがない。
トリミング装置でレーザー光を照射して不良表示を行う
為、不良表示の誤まりが発生しないばかりでなく、トリ
ミングの後工程で、自動認識できる不良表示が可能な為
不良ブロック除去の誤まりを起さない効果がある。又、
不良表示全行う時は、基板を移動し、レーザーアッテネ
ータ−を可変するだけである為、短時間で表示可能であ
り、レーザートリミング装置の運転効率を低下させるこ
とがない。
番１図は本考案の一実施例の構成図、第２図は第１図の
実施例により不良表示し之基板？示す平面図、第３図は
第１図におけるレーザ出力を示す特性図である。 １・・・・・・不良表示位置、２・・・・・・トリミン
グ位置、３・・・・・・レーザー光、４・・・・・・集
光レンズ、５・・・・・・反射ミラー、６・・・・・・
レーザーアッテネータ、７・・・・・・レーザーアッテ
ネータ制御装置、８・・・・・レーザー発掘器、９・・
・・・・レーザートリミング用レーザー照射跡、１０・
・・・・・不良表示用レーザー照射跡、１１・・・・・
・基板。 ″＼−一一一゛
実施例により不良表示し之基板？示す平面図、第３図は
第１図におけるレーザ出力を示す特性図である。 １・・・・・・不良表示位置、２・・・・・・トリミン
グ位置、３・・・・・・レーザー光、４・・・・・・集
光レンズ、５・・・・・・反射ミラー、６・・・・・・
レーザーアッテネータ、７・・・・・・レーザーアッテ
ネータ制御装置、８・・・・・レーザー発掘器、９・・
・・・・レーザートリミング用レーザー照射跡、１０・
・・・・・不良表示用レーザー照射跡、１１・・・・・
・基板。 ″＼−一一一゛
Claims (1)
- 絶縁基板上に多数個形成された薄膜又は厚膜素子をレ
ーザートリミングし、不良と判定されたブロックに於け
る該基板上面をレーザー焦点位置よりずらし、かつ該ト
リミングで必要とするレーザー出力よりも実質的に大き
い出力で該ブロックにレーザー光を照射し、該レーザー
トリミング時の切削径よりも実質的に大きい切削径で印
をつけることを特徴とするレーザートリミングの不良表
示方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235743A JPS6294971A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | レ−ザ−トリミングの不良表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235743A JPS6294971A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | レ−ザ−トリミングの不良表示方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294971A true JPS6294971A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16990562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235743A Pending JPS6294971A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | レ−ザ−トリミングの不良表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294971A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194110A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seishin Shoji Kk | チップ抵抗体基板の不良検出方法、チップ抵抗体基板の不良検出装置およびトリミング装置 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235743A patent/JPS6294971A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194110A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seishin Shoji Kk | チップ抵抗体基板の不良検出方法、チップ抵抗体基板の不良検出装置およびトリミング装置 |
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