JPS63132504A - ストリツプライン - Google Patents
ストリツプラインInfo
- Publication number
- JPS63132504A JPS63132504A JP28041186A JP28041186A JPS63132504A JP S63132504 A JPS63132504 A JP S63132504A JP 28041186 A JP28041186 A JP 28041186A JP 28041186 A JP28041186 A JP 28041186A JP S63132504 A JPS63132504 A JP S63132504A
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 12
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- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板または誘電体基板上のストリッ
プラインにおいて、間隙を利用して直列のインダクタと
それに並列な容量を構成したストリップラインに関する
ものである。
プラインにおいて、間隙を利用して直列のインダクタと
それに並列な容量を構成したストリップラインに関する
ものである。
第２図（ａ）、（ｂ）、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の
半導体基板または誘電体基板上のストリップラインを示
す図で、各（ａ）図は間隙を利用したインダクタおよび
容量の構成例を示し、各（ｂ）図はその等価回路を示す
図である。これらの図において、１は半導体基板または
誘電体基板上のストリップライン、２はこのストリップ
ライン１上の間隙、３は前記ストリップライン１上に間
隙２を形成することによって形成される細い線路である
１、また、ＣＩ、Ｃ２は間隙２による容量、Ｌ、、Ｌ、
はインダクタをそれぞれ示す。
半導体基板または誘電体基板上のストリップラインを示
す図で、各（ａ）図は間隙を利用したインダクタおよび
容量の構成例を示し、各（ｂ）図はその等価回路を示す
図である。これらの図において、１は半導体基板または
誘電体基板上のストリップライン、２はこのストリップ
ライン１上の間隙、３は前記ストリップライン１上に間
隙２を形成することによって形成される細い線路である
１、また、ＣＩ、Ｃ２は間隙２による容量、Ｌ、、Ｌ、
はインダクタをそれぞれ示す。
第２図、第３図で示されるストリップライン１上の間Ｗ
Ｘ２およびその間［２を接続する細い線略３は、図示の
ように間隙２に相当する等価的な容ｔｈｔＣ□、Ｃ１お
よびＣ２と細いＳ路３に相当する等価的なインダクタＬ
１およびり、の並列接続で示される。−例として、電力
の伝送方向の間隙２の長さは数μｍから数十μｍ２間隙
２を接続する細い線略３０幅は数μｍから数十μｍであ
り、半導体基板または誘電体基板上に金属蒸着した後に
、光露光法により微細パターンを形成して構成する。
Ｘ２およびその間［２を接続する細い線略３は、図示の
ように間隙２に相当する等価的な容ｔｈｔＣ□、Ｃ１お
よびＣ２と細いＳ路３に相当する等価的なインダクタＬ
１およびり、の並列接続で示される。−例として、電力
の伝送方向の間隙２の長さは数μｍから数十μｍ２間隙
２を接続する細い線略３０幅は数μｍから数十μｍであ
り、半導体基板または誘電体基板上に金属蒸着した後に
、光露光法により微細パターンを形成して構成する。
電力の伝送に関しては、各（ｂ）図の等価回路で示され
るように、間隙２および細い線路３は容量Ｃ，，Ｃ１お
よびＣ２とインダクタＬ、およびＬ２の並列接続となる
ため、帯域反射型の伝送特性となる。
るように、間隙２および細い線路３は容量Ｃ，，Ｃ１お
よびＣ２とインダクタＬ、およびＬ２の並列接続となる
ため、帯域反射型の伝送特性となる。
なお、上記従来例における構造寸法例では、通常、この
帯域反射伝送特性は＜す波帯で現れる。。
帯域反射伝送特性は＜す波帯で現れる。。
第２図、第３図の従来のストリップライン１での間隙２
を利用したインダクタＬ１およびＬ 、と容Ｊｆ Ｃｔ
、Ｃ＊およびＣ１ｌの構成例においては、等両前な容
量は間隙２を狭くすることで比較的大きくとｔするが、
間隙２を狭くするためインダクタＬｌおよび】７□が小
さくなり、他方、等両前なインダクタ［−□およびＬ２
は間隙２を広くすることで比較的大きくとれるが、間隙
２を広くするため賽ｊｔ ｃ ｔ −Ｃ８およびＣ２が
小さくなる等の問題点があった。
を利用したインダクタＬ１およびＬ 、と容Ｊｆ Ｃｔ
、Ｃ＊およびＣ１ｌの構成例においては、等両前な容
量は間隙２を狭くすることで比較的大きくとｔするが、
間隙２を狭くするためインダクタＬｌおよび】７□が小
さくなり、他方、等両前なインダクタ［−□およびＬ２
は間隙２を広くすることで比較的大きくとれるが、間隙
２を広くするため賽ｊｔ ｃ ｔ −Ｃ８およびＣ２が
小さくなる等の問題点があった。
そのため、帯域反射伝送特性をミリ波帯からマイクロ波
（１）に下げることが短しかった。
（１）に下げることが短しかった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ストリップライン上の間隙の容量および細
い線略のインダクタの両者とも増加できるストリップラ
インを得ることを目的とするものである。
れたもので、ストリップライン上の間隙の容量および細
い線略のインダクタの両者とも増加できるストリップラ
インを得ることを目的とするものである。
この発明に係るストリップラインは、半導体基板または
誘電体基板上に構成したストリップラインに、このスト
リップラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広い
間隙をスｌ、リップラインの中心線に対称に形成すると
ともに、広い間隙の中心ｌＩＳにストリップラインをつ
なぐ細い線路を形成しｋものである。
誘電体基板上に構成したストリップラインに、このスト
リップラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広い
間隙をスｌ、リップラインの中心線に対称に形成すると
ともに、広い間隙の中心ｌＩＳにストリップラインをつ
なぐ細い線路を形成しｋものである。
この発明においては、ストリップライン上の間隙をスト
リップラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広く
形成したため、等両前な容量およびインダクタを従来の
一様に間隙を形成したものに比べて大きくとることがで
き、帯域反射伝送特性をミリ波帯からマイクロ波帯へ下
げることができる。
リップラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広く
形成したため、等両前な容量およびインダクタを従来の
一様に間隙を形成したものに比べて大きくとることがで
き、帯域反射伝送特性をミリ波帯からマイクロ波帯へ下
げることができる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示すストリップラ
インで、間隙を利用したインダクタおよび賽社の構成例
を示すものである。また、第１図（ｂ）はその等価回路
を示すものである。
インで、間隙を利用したインダクタおよび賽社の構成例
を示すものである。また、第１図（ｂ）はその等価回路
を示すものである。
これらの図において、１は半導体基板または誘電体基板
上のストリップライン、４は乙のストす・ツブライン１
の側縁に狭く形成された間隙、５は前記ストす・ツブラ
イン１の中心部で広（形成された間隙、６は前記ストリ
ップライン１の電力伝送方向の中心線に沿って広い間隙
５を形成することにより設けられたストリップライン１
をつなぐ細い線路である。ストリップライン１は、半導
体基板または誘電体基板上にチタン（’ｌ” ｉ ）お
よび金（Ａ ｕ ）の蒸着および光露光法により構成さ
れる。
上のストリップライン、４は乙のストす・ツブライン１
の側縁に狭く形成された間隙、５は前記ストす・ツブラ
イン１の中心部で広（形成された間隙、６は前記ストリ
ップライン１の電力伝送方向の中心線に沿って広い間隙
５を形成することにより設けられたストリップライン１
をつなぐ細い線路である。ストリップライン１は、半導
体基板または誘電体基板上にチタン（’ｌ” ｉ ）お
よび金（Ａ ｕ ）の蒸着および光露光法により構成さ
れる。
第１図において、等両前なインダクタし３はストリップ
ライン１の中心部の間Ｆ１！５を広くしであるため、ス
トリップライン１の中心部を結ぶ細い線路６を長くとる
ことができるので、太き（することができる３、また、
等両前な′８ｆ７ｋＣｓ −Ｃ３は、ストリップライン
１の側縁の間隙４の容量にストリップライン１の中心部
の間隙５と細い線路６ （７）容量が付加されて、大き
くとることができる。したがって、容Ｊｔ Ｃｓ、Ｃ３
とインダクタＬ３の並列接続で与えられる間隙部は、等
両前にマイクロ波波帯で帯域反射伝送特性を与えること
ができる。
ライン１の中心部の間Ｆ１！５を広くしであるため、ス
トリップライン１の中心部を結ぶ細い線路６を長くとる
ことができるので、太き（することができる３、また、
等両前な′８ｆ７ｋＣｓ −Ｃ３は、ストリップライン
１の側縁の間隙４の容量にストリップライン１の中心部
の間隙５と細い線路６ （７）容量が付加されて、大き
くとることができる。したがって、容Ｊｔ Ｃｓ、Ｃ３
とインダクタＬ３の並列接続で与えられる間隙部は、等
両前にマイクロ波波帯で帯域反射伝送特性を与えること
ができる。
なお、上記実施例では、中心部を結ぶ細い線路６を直線
の線路としたが、この発明はこれに限らずストリップラ
イン１の中心部の間隙５内でループを形成し、インダク
タＬ３の増加を図ることができる。
の線路としたが、この発明はこれに限らずストリップラ
イン１の中心部の間隙５内でループを形成し、インダク
タＬ３の増加を図ることができる。
〔発明の効果〕
乙の発明は説明しｔコとおり、半導体基板または誘電体
基板上に構成したストリップラインに、このストリップ
ラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広い間隙を
ストリップラインの中心線に対称に形成するとともに、
広い間隙の中心部にストリップラインをつなぐ細い線路
を形成したので、等両前なインダクタと容量を増加させ
ることができ、マイクロ波（１テに帯域反射伝送特性を
もたせることができる利点がある。
基板上に構成したストリップラインに、このストリップ
ラインの両側縁部では狭く、中心部付近では広い間隙を
ストリップラインの中心線に対称に形成するとともに、
広い間隙の中心部にストリップラインをつなぐ細い線路
を形成したので、等両前なインダクタと容量を増加させ
ることができ、マイクロ波（１テに帯域反射伝送特性を
もたせることができる利点がある。
第り図（ａ）はこの発明の一実施例を示すストリップラ
インの構成図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の等価回
路図、第２図（ａ）、（ｂ）および第３図（ａ）、（ｂ
）は従来のストリップラインを示すもので、各（ａ）図
はストリップラインの構成図であり、各（ｂ１図は等両
回路を示す図である。 図において、１はストリップライン、４，５は間隙、６
は細い線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
インの構成図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の等価回
路図、第２図（ａ）、（ｂ）および第３図（ａ）、（ｂ
）は従来のストリップラインを示すもので、各（ａ）図
はストリップラインの構成図であり、各（ｂ１図は等両
回路を示す図である。 図において、１はストリップライン、４，５は間隙、６
は細い線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
Claims (1)
- 半導体基板または誘電体基板上に構成したストリップラ
インにおいて、前記ストリップラインの両側縁部では狭
く、中心部付近では広い間隙を前記ストリップラインの
中心線に対称に形成するとともに、前記広い間隙の中心
部に前記ストリップラインをつなぐ細い線路を形成した
ことを特徴とするストリップライン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041186A JPS63132504A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | ストリツプライン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041186A JPS63132504A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | ストリツプライン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132504A true JPS63132504A (ja) | 1988-06-04 |
Family
ID=17624664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28041186A Pending JPS63132504A (ja) | 1986-11-24 | 1986-11-24 | ストリツプライン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000022480A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型フィルタ |
| JP2016158112A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 古河電気工業株式会社 | 無線装置 |
-
1986
- 1986-11-24 JP JP28041186A patent/JPS63132504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000022480A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型フィルタ |
| JP2016158112A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 古河電気工業株式会社 | 無線装置 |
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