JPS63238701A - マイクロ波線路 - Google Patents
マイクロ波線路Info
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- JPS63238701A JPS63238701A JP62075499A JP7549987A JPS63238701A JP S63238701 A JPS63238701 A JP S63238701A JP 62075499 A JP62075499 A JP 62075499A JP 7549987 A JP7549987 A JP 7549987A JP S63238701 A JPS63238701 A JP S63238701A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000252233 Cyprinus carpio Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N microline Chemical compound OC12OC3(C)COC2(O)C(C(/Cl)=C/C)=CC(=O)C21C3C2 YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は概ね１ＧＨｚ以上の周波数帯の信号を伝送する
ためのマイクロ波線路に関する。
ためのマイクロ波線路に関する。
［従来の技術］
第６図は従来例のマイクロ波線路として用いられている
コプレナー線路の斜視図である。第６図において、誘電
体もしくは半導体にてなる基板Ｉ上に幅１２１の１条の
中心導体２が形成され、さらに、接地された外側導体３
及び４がそれぞれ、該中心導体２から所定間隔ρ、たけ
離れてかつ中心導体２と共平面関係で基板１上に形成さ
れる。
コプレナー線路の斜視図である。第６図において、誘電
体もしくは半導体にてなる基板Ｉ上に幅１２１の１条の
中心導体２が形成され、さらに、接地された外側導体３
及び４がそれぞれ、該中心導体２から所定間隔ρ、たけ
離れてかつ中心導体２と共平面関係で基板１上に形成さ
れる。
このコプレナー線路は導体２ないし４がすべて基板ｌの
上面にあるため、接地を完全にかつ容易に行うことがで
きるとともに、中心導体２に対して半導体素子を直列に
も並列にも容易に接続できるという特徴を持っている。
上面にあるため、接地を完全にかつ容易に行うことがで
きるとともに、中心導体２に対して半導体素子を直列に
も並列にも容易に接続できるという特徴を持っている。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、従来のコプレナー線路においては、該線
路を流れる高周波電流が中心導体２と外側導体３．４の
向かい合った縁端部３ ａ、 ４ ａに集中するため、
導体損失が大きく、また、中心導体２と外側導体３，４
との間隔ａ、を狭くすることは同一平面上で導体２ない
し４を形成する上で制約があり、従って、中心導体２と
外側導体３．４間の静電容量を大きくすることができず
、特性インピーダンスを低くしにくいという問題点があ
った３さらに、このコプレナー線路では、線路上の電磁
界が周囲のマイクロ波線路や半導体素子へ干渉を、
与えないように該コプレナー線路と他の線路又は半導体
素子との間で十分な間隔をとる必要があった。このため
、これらの線路及び半導体素子を含むマイクロ波集積回
路全体が大きくなるという問題点があった。
路を流れる高周波電流が中心導体２と外側導体３．４の
向かい合った縁端部３ ａ、 ４ ａに集中するため、
導体損失が大きく、また、中心導体２と外側導体３，４
との間隔ａ、を狭くすることは同一平面上で導体２ない
し４を形成する上で制約があり、従って、中心導体２と
外側導体３．４間の静電容量を大きくすることができず
、特性インピーダンスを低くしにくいという問題点があ
った３さらに、このコプレナー線路では、線路上の電磁
界が周囲のマイクロ波線路や半導体素子へ干渉を、
与えないように該コプレナー線路と他の線路又は半導体
素子との間で十分な間隔をとる必要があった。このため
、これらの線路及び半導体素子を含むマイクロ波集積回
路全体が大きくなるという問題点があった。
本発明は、これらの問題点を解決し、導体損失が小さく
、特性インピーダンスを低くすることができ、しかも周
辺のマイクロ波線路や半導体素子に該マイクロ波線路の
電磁界の影響を与えないマイクロ波線路を提供して、マ
イクロ波集積回路全体を小型化することを目的とする。
、特性インピーダンスを低くすることができ、しかも周
辺のマイクロ波線路や半導体素子に該マイクロ波線路の
電磁界の影響を与えないマイクロ波線路を提供して、マ
イクロ波集積回路全体を小型化することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、中心導体と、上記中心導体から所定幅の間隙
を介して両側に形成された外側導体を共平面関係で基板
上に設けたマイクロ波線路において、上記中心導体と上
記外側導体が形成された基板上に、少なくとも上記間隙
を覆うように導体膜を形成したことを特徴とする。
を介して両側に形成された外側導体を共平面関係で基板
上に設けたマイクロ波線路において、上記中心導体と上
記外側導体が形成された基板上に、少なくとも上記間隙
を覆うように導体膜を形成したことを特徴とする。
［作用］
以上のように構成することにより、上記導体膜が少なく
とも上記間隙を覆うように形成されているので、上記中
心導体と外側導体との間の電流分布を従来例に比較して
分散させることができ、上記マイクロ波線路の導体損失
を軽減させることができるとともに、静電容量を増大さ
せ、上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを低くす
ることができる。また、上記導体膜が少なくとも上記間
隙を覆うように形成されているので、上記マイクロ線路
から外部への電磁界が上記導体膜によって遮蔽され、こ
れによって、上記電磁界の漏洩を防止することができる
。
とも上記間隙を覆うように形成されているので、上記中
心導体と外側導体との間の電流分布を従来例に比較して
分散させることができ、上記マイクロ波線路の導体損失
を軽減させることができるとともに、静電容量を増大さ
せ、上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを低くす
ることができる。また、上記導体膜が少なくとも上記間
隙を覆うように形成されているので、上記マイクロ線路
から外部への電磁界が上記導体膜によって遮蔽され、こ
れによって、上記電磁界の漏洩を防止することができる
。
［実施例］
第１の実施例
第１図（Ａ）は本発明の一実施例であるマイクロ波線路
の斜視図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の八−Ａ′線に
ついての縦断面図であり、第１図（Ａ）及び（Ｂ）にお
いて上述の図面と同一のものについては同一の符号を付
している。
の斜視図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の八−Ａ′線に
ついての縦断面図であり、第１図（Ａ）及び（Ｂ）にお
いて上述の図面と同一のものについては同一の符号を付
している。
第１図（Ａ）及び（Ｂ）において、第６図の従来例のマ
イクロ波線路と同様に、誘電体又は半導体にてなる基板
１上に、例えばＡｕにてなる幅ＱＩの１条の中心導体２
か公知の薄膜形成方法により形成され、接地された例え
ばＡｕにてなる外部導体３及び４がそれぞれ該中心導体
２の両外側の基板ｌ上に間隔１２．たけ離れて中心導体
２と共平面関係で上記薄膜形成方法により形成される。
イクロ波線路と同様に、誘電体又は半導体にてなる基板
１上に、例えばＡｕにてなる幅ＱＩの１条の中心導体２
か公知の薄膜形成方法により形成され、接地された例え
ばＡｕにてなる外部導体３及び４がそれぞれ該中心導体
２の両外側の基板ｌ上に間隔１２．たけ離れて中心導体
２と共平面関係で上記薄膜形成方法により形成される。
以下、導体及び導体膜は上述と同様に公知の薄膜形成方
法により形成される。ここで、中心導体２と外側導体３
．４間に幅１２２の２ｇｌの間隙が形成され、この導体
２ないし４によってコプレナー線路を形成している。さ
らに、導体２ないし４が形成されていない基板ｌ上、並
びに導体２上及び導体３．４の導体２側の縁端部３ ａ
、 ４ ａ上に例えばＳｉＮにてなる絶縁膜５を形成し
た後、ＡＱ、導体膜６が、上記絶縁膜５を介して導体２
並びに導体３，４の導体２側の縁端部３ ａ、 ４ ａ
を覆うように、該絶縁膜５上に形成される。
法により形成される。ここで、中心導体２と外側導体３
．４間に幅１２２の２ｇｌの間隙が形成され、この導体
２ないし４によってコプレナー線路を形成している。さ
らに、導体２ないし４が形成されていない基板ｌ上、並
びに導体２上及び導体３．４の導体２側の縁端部３ ａ
、 ４ ａ上に例えばＳｉＮにてなる絶縁膜５を形成し
た後、ＡＱ、導体膜６が、上記絶縁膜５を介して導体２
並びに導体３，４の導体２側の縁端部３ ａ、 ４ ａ
を覆うように、該絶縁膜５上に形成される。
従来のコプレナー線路においては、高周波電流が中心導
体２と外側導体３．４の向かい合った縁端部３ ａ、
４ ａに集中するのに対し、本実施例では導体膜６が高
周波電流が集中していた中心導体２と外側導体３，４の
縁端部３ ａ、 ４ ａ全面を覆っているため、該コプ
レナー線路を流れる高周波電流の該線路の幅方向の分布
が広くなり、従来のような電流集中が軽減され、したが
って、該コプレナー線路でマイクロ波信号を伝送する際
の導体損失が低藏される。また、本実施例によるマイク
ロ波線路の特性インピーダンスは導体膜６を形成してい
るため中心導体２と外側導体３．４間の静電容量を大き
くでき、従来の構造のものより特性インピーダンスを低
くすることができる。さらに、間隙４３間に集中してい
るコプレナー線路の電磁界を幅（（！ｌ ＋ ２ Ｌ）
に比べて広い幅Ｑ３を有する導体膜６で覆っているため
、導体膜６の」二部周辺には上記電磁界が存在しなくな
る。このことにより、周辺のマイクロ波線路や半導体素
子への干渉を抑えることができ、従って、これらのマイ
クロ波線路及び半導体素子を含むマイクロ波集積回路を
小形化することが可能となる。
体２と外側導体３．４の向かい合った縁端部３ ａ、
４ ａに集中するのに対し、本実施例では導体膜６が高
周波電流が集中していた中心導体２と外側導体３，４の
縁端部３ ａ、 ４ ａ全面を覆っているため、該コプ
レナー線路を流れる高周波電流の該線路の幅方向の分布
が広くなり、従来のような電流集中が軽減され、したが
って、該コプレナー線路でマイクロ波信号を伝送する際
の導体損失が低藏される。また、本実施例によるマイク
ロ波線路の特性インピーダンスは導体膜６を形成してい
るため中心導体２と外側導体３．４間の静電容量を大き
くでき、従来の構造のものより特性インピーダンスを低
くすることができる。さらに、間隙４３間に集中してい
るコプレナー線路の電磁界を幅（（！ｌ ＋ ２ Ｌ）
に比べて広い幅Ｑ３を有する導体膜６で覆っているため
、導体膜６の」二部周辺には上記電磁界が存在しなくな
る。このことにより、周辺のマイクロ波線路や半導体素
子への干渉を抑えることができ、従って、これらのマイ
クロ波線路及び半導体素子を含むマイクロ波集積回路を
小形化することが可能となる。
以上の実施例では、導体膜６は中心導体２と２個の間隙
の幅（ｆ！ｌ ＋ ２ Ｌ）に比較して広い幅Ｑ３を有
しているが、北記コプレナー線路から外部への漏洩を防
止し、コプレナー線路の導体損失を小さくかつ特性イン
ピーダンスを低くするためには、上記導体膜６が少なく
とも上記２ｇの間隙を覆うように形成すればよい。
の幅（ｆ！ｌ ＋ ２ Ｌ）に比較して広い幅Ｑ３を有
しているが、北記コプレナー線路から外部への漏洩を防
止し、コプレナー線路の導体損失を小さくかつ特性イン
ピーダンスを低くするためには、上記導体膜６が少なく
とも上記２ｇの間隙を覆うように形成すればよい。
第２の実鼻鯉
第２図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第２図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。また、以下の実
施例の図面において縦断面図のみを示すが、第１図（Ａ
）と同様にこの同一の縦断面を有する線路が該縦断面と
垂直な方間（以下、線路の長手方向という。）に連続的
に形成されている。
縦断面図であり、第２図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。また、以下の実
施例の図面において縦断面図のみを示すが、第１図（Ａ
）と同様にこの同一の縦断面を有する線路が該縦断面と
垂直な方間（以下、線路の長手方向という。）に連続的
に形成されている。
このマイクロ波線路が、上述の第１の実施例と異なるの
は、導体膜６の幅方向の両端部６ ａ、 ６ ｂがそれ
ぞれ導体３．・１と接続されて形成されていることであ
る。従って、第１の実施例と同様に導体損失が低減され
、また、特性インピーダンスを低くすることができる。
は、導体膜６の幅方向の両端部６ ａ、 ６ ｂがそれ
ぞれ導体３．・１と接続されて形成されていることであ
る。従って、第１の実施例と同様に導体損失が低減され
、また、特性インピーダンスを低くすることができる。
さらに、間隙（２２間に集中している電磁界を接地され
た導体膜６で覆い、その導体膜６の両縁端部６ ａ、
６ ｂをそれぞれ導体膜２および４に接続しているため
、導体膜６の上部周辺には電磁界が存在しない。このこ
とにより、周辺のマイクロ波線路や半導体素子への干渉
をなくすことができろ。
た導体膜６で覆い、その導体膜６の両縁端部６ ａ、
６ ｂをそれぞれ導体膜２および４に接続しているため
、導体膜６の上部周辺には電磁界が存在しない。このこ
とにより、周辺のマイクロ波線路や半導体素子への干渉
をなくすことができろ。
第３の実施例
第３図は本発明の第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第３図において上述と同一のものにつ
いては同一の符号を付している。
縦断面図であり、第３図において上述と同一のものにつ
いては同一の符号を付している。
このマイクロ波線路が上述の第２の実施例と異なるのは
、第２図において、導体膜３．４と導体膜６との重なり
をなくして一体化し、導体＠３゜４および導体膜６を同
一の導体膜７で形成してことである。なお、中心導体２
と導体膜７との幅方向の間隔は基板ｌの上表面１ａにお
いて、Ｑ、となっている。第１及び第２の実施例におけ
る外側導体３．４と導体膜６の形成を、この第３の実施
例では導体膜７の１回の形成工程で行うことができるの
で、製造工程を簡略化でき上述の第１及び第２の実施例
に比べて製造コストを低減できる。本実施例においても
、第１の実施例と同様に導体損失が低減され、特性イン
ピーダンスを低くすることができる。さらにコプレナー
線路の電磁界は一体化した導体膜２，４および６と導体
膜３の間に存在するため、周辺のマイクロ波線路や半導
体素子への干渉をなくすことができる。
、第２図において、導体膜３．４と導体膜６との重なり
をなくして一体化し、導体＠３゜４および導体膜６を同
一の導体膜７で形成してことである。なお、中心導体２
と導体膜７との幅方向の間隔は基板ｌの上表面１ａにお
いて、Ｑ、となっている。第１及び第２の実施例におけ
る外側導体３．４と導体膜６の形成を、この第３の実施
例では導体膜７の１回の形成工程で行うことができるの
で、製造工程を簡略化でき上述の第１及び第２の実施例
に比べて製造コストを低減できる。本実施例においても
、第１の実施例と同様に導体損失が低減され、特性イン
ピーダンスを低くすることができる。さらにコプレナー
線路の電磁界は一体化した導体膜２，４および６と導体
膜３の間に存在するため、周辺のマイクロ波線路や半導
体素子への干渉をなくすことができる。
第４の実施例
第４図は本発明の第４の実施例であるマイクコ波線路の
縦断面図であり、第４図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。このマイクロ波
線路が上述の第２の実施例と異なるのは、第２図におい
て、導体膜６の中心導体２直上部に中心導体２の幅（！
１よりも短い一定の幅乙を存するスリット９を中心導体
２の長手方向に沿って、上記中心導体２と外側導体３．
４との間に形成された間隙と、所定幅の中心導体２の外
側導体３，４側の縁端部３ａ、ｒｌａを覆うように設け
たことである。
縦断面図であり、第４図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。このマイクロ波
線路が上述の第２の実施例と異なるのは、第２図におい
て、導体膜６の中心導体２直上部に中心導体２の幅（！
１よりも短い一定の幅乙を存するスリット９を中心導体
２の長手方向に沿って、上記中心導体２と外側導体３．
４との間に形成された間隙と、所定幅の中心導体２の外
側導体３，４側の縁端部３ａ、ｒｌａを覆うように設け
たことである。
従って、２藺の導体膜８ａ、８ｂが間隔ρ４だけ離れて
導体３，４及び絶縁膜５上に形成され、導体膜８ ａ、
８ ｂがそれぞれ外側導体３．４に接続される。
導体３，４及び絶縁膜５上に形成され、導体膜８ ａ、
８ ｂがそれぞれ外側導体３．４に接続される。
導体膜８ａ、８ｂは公知の膜形成方法により１枚の導体
膜を形成した後、スリット９の部分の導体膜を除去して
形成してもよいし、また、公知の導体パターン形成方法
により分離された導体膜８ａ、８ｂを１回の工程で形成
してもよい。
膜を形成した後、スリット９の部分の導体膜を除去して
形成してもよいし、また、公知の導体パターン形成方法
により分離された導体膜８ａ、８ｂを１回の工程で形成
してもよい。
公知のコプレナー線路の電磁界分布より、導体２ないし
４が形成するコプレナー線路からこのスリット９を介し
て外部への電磁界漏洩量は極めて少ない。従って、この
マイクロ波線路は、上述の第１ないし第２の実施例と同
様の効果を有するとともに、スリット９により導体３と
４が直流的に分離されているため、導体３および４に接
続された半導体素子の直流バイアスを個々に供給できる
という特徴を有している。
４が形成するコプレナー線路からこのスリット９を介し
て外部への電磁界漏洩量は極めて少ない。従って、この
マイクロ波線路は、上述の第１ないし第２の実施例と同
様の効果を有するとともに、スリット９により導体３と
４が直流的に分離されているため、導体３および４に接
続された半導体素子の直流バイアスを個々に供給できる
という特徴を有している。
上述の説明では、マイクロ波線路として導体膜２を中心
導体としたコプレナー線路としたが、スリット９間に電
界成分を有するスロット線路として使用することも可能
である。
導体としたコプレナー線路としたが、スリット９間に電
界成分を有するスロット線路として使用することも可能
である。
以上の第４の実施例において、上記コプレナー線路から
外部への漏洩を防止し、コプレナー線路の導体損失を小
さくかつ特性インピーダンスを低くするためには、上記
導体膜８ ａ、 ８ ｂを、少なくとも上記中心導体２
と外側導体３．４との間に形成された２個の間隙を覆う
ように、形成すればよい。
外部への漏洩を防止し、コプレナー線路の導体損失を小
さくかつ特性インピーダンスを低くするためには、上記
導体膜８ ａ、 ８ ｂを、少なくとも上記中心導体２
と外側導体３．４との間に形成された２個の間隙を覆う
ように、形成すればよい。
第５の実施例
第５図は本発明の第５の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第５図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。
縦断面図であり、第５図において上述の図面と同一のも
のについては同一の符号を付している。
このマイクロ波線路が上述の第３の実施例と異なるのは
、第３図において導体膜７の中心導体２直上部に中心導
体２の幅Ｉ２．よりも十分に短い一定の幅を有するスリ
ット９を中心導体２の長手方向に沿って設けたことであ
る。従って、導体膜７が分割された２個の導体膜７ ａ
、 ７ ｂにとって代わり、該導体膜８ａ、８ｂが、間
隔Ｑ４だけ離れて絶縁膜５上及び基板ｌ上に形成され、
導体膜８ ａ、 ８ ｂが、中心導体２のコプレナー線
路の外側導体として働く。
、第３図において導体膜７の中心導体２直上部に中心導
体２の幅Ｉ２．よりも十分に短い一定の幅を有するスリ
ット９を中心導体２の長手方向に沿って設けたことであ
る。従って、導体膜７が分割された２個の導体膜７ ａ
、 ７ ｂにとって代わり、該導体膜８ａ、８ｂが、間
隔Ｑ４だけ離れて絶縁膜５上及び基板ｌ上に形成され、
導体膜８ ａ、 ８ ｂが、中心導体２のコプレナー線
路の外側導体として働く。
公知のコプレナー線路の電磁界分布より、導体２．７ａ
、７ｂが形成するコプレナー線路からこのスリット９を
介して外部への電磁界漏洩量は極めて少ない。従って、
このマイクロ波線路は上述の第３の実施例と同様の効果
を有する。また、本実施例では、スリット９により導体
７ａと７ｂが直流的に分離されているため、上述の第４
の実施例と同様に、導体７ａおよび７ｂに接続された半
導体素子の直流バイアスを個々に供給できるという特徴
を有している。
、７ｂが形成するコプレナー線路からこのスリット９を
介して外部への電磁界漏洩量は極めて少ない。従って、
このマイクロ波線路は上述の第３の実施例と同様の効果
を有する。また、本実施例では、スリット９により導体
７ａと７ｂが直流的に分離されているため、上述の第４
の実施例と同様に、導体７ａおよび７ｂに接続された半
導体素子の直流バイアスを個々に供給できるという特徴
を有している。
上述の説明では、マイクロ波線路として中心導体２を有
するコプレナー線路としたが、スリット９間に電界成分
を有するスロット線路として使用することら可能である
。
するコプレナー線路としたが、スリット９間に電界成分
を有するスロット線路として使用することら可能である
。
以上の第５の実施例において、上記コプレナー線路から
外部への漏洩を防止し、コプレナー線路の導体損失を小
さくかつ特性インピーダンスを低くするためには、上記
導体膜７ ａ、 ７ ｂを、少なくとも上記中心導体２
と導体膜７ ａ、 ７ ｂとの間に形成された２個の間
隙を覆うように、形成すればよい。
外部への漏洩を防止し、コプレナー線路の導体損失を小
さくかつ特性インピーダンスを低くするためには、上記
導体膜７ ａ、 ７ ｂを、少なくとも上記中心導体２
と導体膜７ ａ、 ７ ｂとの間に形成された２個の間
隙を覆うように、形成すればよい。
他の実施例
中心導体２及び上記間隙を覆う導体膜６並びに、導体膜
７ 、７ ａ、 ７ ｂ、 ８ ａ、 ８ ｂの各中心
導体２及び上記間隙を覆う部分は、透孔を有する板形状
や網目形状であってもよい。
７ 、７ ａ、 ７ ｂ、 ８ ａ、 ８ ｂの各中心
導体２及び上記間隙を覆う部分は、透孔を有する板形状
や網目形状であってもよい。
以上の実施例において、導体及び導体膜を公知の薄膜形
成方法により形成しているが、これに限らず、他の種類
の導体及び導体膜の形成方法により形成してもよい。
成方法により形成しているが、これに限らず、他の種類
の導体及び導体膜の形成方法により形成してもよい。
以上の実施例において、絶縁膜５を形成しているが、中
心導体２と導体膜６．７．７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂとの
所定の間隔を保持できれば全面に形成する必要かなく、
また、上記所定の間隔を保持できれば絶縁膜５を形成し
なくζもよい。
心導体２と導体膜６．７．７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂとの
所定の間隔を保持できれば全面に形成する必要かなく、
また、上記所定の間隔を保持できれば絶縁膜５を形成し
なくζもよい。
以上の実施例において、上記中心導体と外側導体との間
の電流分布を従来例に比較して分散させ、上記コプレナ
ー線路の導体損失を軽減させるとともに静電容量を増大
させ、かつ上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを
低くするために、また、上記コプレナー線路から外部へ
漏れる電磁界を遮蔽するためには、上記導体膜を少なく
とも上記間隙を覆うように形成すればよい。
の電流分布を従来例に比較して分散させ、上記コプレナ
ー線路の導体損失を軽減させるとともに静電容量を増大
させ、かつ上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを
低くするために、また、上記コプレナー線路から外部へ
漏れる電磁界を遮蔽するためには、上記導体膜を少なく
とも上記間隙を覆うように形成すればよい。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、中心導体と、上記
中心導体から所定幅の間隙を介して両側に形成された外
側導体を共平面関係で基板上に設けたマイクロ波線路に
おいて、上記中心導体と上記外側導体が形成された基板
上に、少なくとも上記間隙を覆うように導体膜を形成し
ｆこので、上記中心導体と外側導体との間の７１ＸＭＥ
分布を従来例に比較して分散させ、上記コプレナー線路
の導体損失を軽減させるとともに、静電容量を増大させ
、上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを低くする
ことができる。また、上記導体膜の形成によって、上記
マイクロ波線路のｍ’！界が外部へ漏洩することを防止
することかでき、従来例のように、上記電磁界が近傍の
マイクロ線路や半導体素子等に影響を与えることがない
ので、上記マイクロ線路を含むマイクロ集積回路全体を
、小型化することができる。
中心導体から所定幅の間隙を介して両側に形成された外
側導体を共平面関係で基板上に設けたマイクロ波線路に
おいて、上記中心導体と上記外側導体が形成された基板
上に、少なくとも上記間隙を覆うように導体膜を形成し
ｆこので、上記中心導体と外側導体との間の７１ＸＭＥ
分布を従来例に比較して分散させ、上記コプレナー線路
の導体損失を軽減させるとともに、静電容量を増大させ
、上記マイクロ波線路の特性インピーダンスを低くする
ことができる。また、上記導体膜の形成によって、上記
マイクロ波線路のｍ’！界が外部へ漏洩することを防止
することかでき、従来例のように、上記電磁界が近傍の
マイクロ線路や半導体素子等に影響を与えることがない
ので、上記マイクロ線路を含むマイクロ集積回路全体を
、小型化することができる。
第１図（Ａ）は本発明の第１の実施例であるマイクロ波
線路の斜視図、 第１図（Ｊ３）は第１図（Ａ）のマイクロ波線路の八−
〜′線についての縦断面図、 第２図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第３図は本発明め第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第４図は本発明の第４の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第５図は本発明の第５の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第６図は従来例のコプレナー線路の斜視図である。 ■・・・基板、 ２・・・中心導体、３．４・・
外側導体、 ５・・絶縁膜、６．７．７ａ、７ｂ、
８ａ、８ｂ−導体膜、９・・・スリット。 特許出願人 株式会社 エイ・ティ・アール光電波通信
研究所 代 理 人 弁理士 青 山 葆ほか２８第 １ 図
（Ｂ） 第２図 第３図 第４図 １″！２″カーｌｉ
線路の斜視図、 第１図（Ｊ３）は第１図（Ａ）のマイクロ波線路の八−
〜′線についての縦断面図、 第２図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第３図は本発明め第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第４図は本発明の第４の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第５図は本発明の第５の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第６図は従来例のコプレナー線路の斜視図である。 ■・・・基板、 ２・・・中心導体、３．４・・
外側導体、 ５・・絶縁膜、６．７．７ａ、７ｂ、
８ａ、８ｂ−導体膜、９・・・スリット。 特許出願人 株式会社 エイ・ティ・アール光電波通信
研究所 代 理 人 弁理士 青 山 葆ほか２８第 １ 図
（Ｂ） 第２図 第３図 第４図 １″！２″カーｌｉ
Claims (4)
- （１）中心導体と、上記中心導体から所定幅の間隙を介
して両側に形成された外側導体を共平面関係で基板上に
設けたマイクロ波線路において、上記中心導体と上記外
側導体が形成された基板上に、少なくとも上記間隙を覆
うように導体膜を形成したことを特徴とするマイクロ波
線路。 - （２）上記導体膜が絶縁膜を介して形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波線路。 - （３）上記外側導体と上記導体膜を１個の導体膜で形成
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイ
クロ波線路。 - （４）上記導体膜を分離する所定幅のスリットを上記中
心導体に沿って上記導体膜に設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載のマイクロ
波線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075499A JP2610617B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マイクロ波線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075499A JP2610617B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マイクロ波線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238701A true JPS63238701A (ja) | 1988-10-04 |
| JP2610617B2 JP2610617B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=13578017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075499A Expired - Lifetime JP2610617B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マイクロ波線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610617B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075423A (en) * | 1997-11-26 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Controlling signal trace characteristic impedance via a conductive epoxy layer |
| EP1251579A1 (de) * | 2001-04-21 | 2002-10-23 | Alcatel | Koplanare Wellenleitung mit niedrigem Wellenwiderstand auf Siliziumträger unter Verwendung eines Materials mit hoher Dielektrizitätskonstanten |
| US6674347B1 (en) | 1999-03-23 | 2004-01-06 | Nec Corporation | Multi-layer substrate suppressing an unwanted transmission mode |
| JP2016537691A (ja) * | 2013-11-25 | 2016-12-01 | フラウンホファー‐ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | 電気光学変調器装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164705U (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-02 | ||
| JPS61206302U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 | ||
| JPS62294303A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP62075499A patent/JP2610617B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164705U (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-02 | ||
| JPS61206302U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 | ||
| JPS62294303A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075423A (en) * | 1997-11-26 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Controlling signal trace characteristic impedance via a conductive epoxy layer |
| US6674347B1 (en) | 1999-03-23 | 2004-01-06 | Nec Corporation | Multi-layer substrate suppressing an unwanted transmission mode |
| EP1251579A1 (de) * | 2001-04-21 | 2002-10-23 | Alcatel | Koplanare Wellenleitung mit niedrigem Wellenwiderstand auf Siliziumträger unter Verwendung eines Materials mit hoher Dielektrizitätskonstanten |
| JP2016537691A (ja) * | 2013-11-25 | 2016-12-01 | フラウンホファー‐ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | 電気光学変調器装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2610617B2 (ja) | 1997-05-14 |
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