JPS62272701A - 誘電体共振器への結合のためのマイクロストリツプ伝送線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明］ 産業−■二の利用分野 本発明は、誘電体共振器への結合のためのマイクロスト
リップ伝送線に関する。

従来の技術及び発明が解決しようとする問題点誘電体共
振器によって安定化されるマイクロ波発振器のような電
子装置において、誘電体共振器をマイクロストリップ伝
送線に結合する必′μがある。

後者は、通常、対向する向に金属層又は基’Ｐ−ｉ？＋
ｉを保持するアルミナ又はグラスファイバーがら出来た
絶縁支持物の１つの面に配置された適当な幅の伝導性パ
ス又はマイクロストリップから構成される。

誘電体共振器は、電気的に結合するようにして伝送線に
隣接して配置される。

良好な結合のために、共振器は、伝送線に非常に接近し
ていなければならない。しかし、このような方法では、
それは、あらかじめ決められた値において一定であるべ
きな伝送線の特性インピーダンスを変更する傾向がある
。同時に、伝送線の近接は、望ましくない方法で、共振
周波数と誘電体共振器のＱ因子（Ｑ　−ｆａｃｔｏｒ）
に影響を与える。

上記の問題に対する既知の解決法によれば、共振器と伝
送線の間の結合は、伝導性パスの下のグラウンドプレー
ン（ｇｒｏｕｎｄ　ｐｌａｎｅ）の下部を切りｆｆる、
即ち、該平面から金属を取り除き、共振器を過度に伝送
線に接近せずに増加されることができる１、これは、基
平面に伝導性パスの下の幾分矩形形状のウィンドーを開
くことによって達成され、その幅は更に特性インピーダ
ンスを一定に保持するように増加されている。

懸垂マイクロストリップ（５ｕ３ｐｅｎｄｅｄ　　＋ｅ
ｉｃｒｏ−ｓｔ、ｒｉｐ＞と呼ばれるこの構造は、共振
器との結合に関連する領域外に散乱される広拡散の電磁
気放射を発生ずる欠点を有し、また回路の残り部分に影
響を与える。

問題点を解決するための手段 本発明の「１的は、伝送線と共振器の間の相互影響の発
生なしに、かつマイクロストリップと誘電体共振器の電
気的性質の変更なしに、ある距蘭に配置された誘電体共
振器と有利に結合されることかできるマイクロストリッ
プ伝送線を達成することである。

本発明によると、該目的は、クラウンドブレーンが該伝
導性パスの下に、かつそれを横断して配置された複数の
平行スロットを有することを特徴とする絶縁支持物の相
対する面に適用された伝導性パスと金属グラウンドプレ
ーンを具備するマイクロス１へリップ伝送線によって達
成される。

言い換えれば、発明による伝送線は、マイクロストリッ
プが誘電体共振器と結合し、かつ直接的ではないがグラ
ウンドプレーンのスロットを通りかつ同時にそれとエネ
ルギーを交換することを可能にする講構造又は［スロワ
）線Ｊ　　（ｓｌｏｔ　１ｉｎｅ）をグラウンドプレー
ンに提供する。

このように、スロットは、アンテナとして機能し、誘電
体共振器が伝送線からある距離にとどまることを可能に
する。これは、そうでなければ非常に近接した線の存在
によって変更されるＱ因子（Ｑ　−ｆａｃｔｏｒ　）や
周波数安定性のような誘電体特性を一定に維持するため
に非常に有益である。伝送線において発生ずるものは、
誘電体共振器に影響を与えず、また逆も同じである。エ
ネルギー交換は、電磁気エネルギーが非常に増大する時
、誘電体の共振周波数においてのみ行われる。同時に、
所望の狭さに形成することが容易なスロワ（・は、マイ
クロストリップの外乱を避けるようにして実質的に破壊
なしに見えるグラウンドプレーンの一般１ｆＩｉ造と機
能に影響を与えない。伝送線の特性インピーダンスは、
グラウンドプレーンスロットによって表わされる集中イ
ンダクタンスに対して、伝導性パスをより大きな幅にす
ることにより、このためキャパシタンスをより大きにす
ることにより補償することによって希望値に一定に維持
できる。

実施例 本発明の特徴が、添付図面において実施例として例示さ
れているその可能な実施態様の下記の詳細な説明によっ
てさらに明らかにされている。

第１図において、伝導性パス（ｐａｔｈ　）　２、金属
グラウンドプレーン３、及び伝導性パス２が実質的に中
央位置に置かれる中間絶縁支持物４から構成される伝送
線の１部分を支持する構造１が示されている。

伝導性パス２は、グラウンドプレーン３が伝導性パス２
に平行又は垂直に向けられた複数の狭いスロット６を有
する拡大領域を含む。

この実施態様において、スロワ）−６は、すべて等しく
、かつ伝送信号の波長の小部分、例えば１０分の１、で
あるようにして選択される一定間隔に配置されている。

しかし、予期される使用により、該スロットは異なり、
かつ異なる配置とすることができる。

第１図に示された伝送線は、鎖線の上又は下のどちらか
に配置された誘電体共振器との結合に役立つ。重ねられ
た平面を有する可能な構造が、第２図に示されており、
この場合参照番号７は誘電体共振器を示し、そして参照
番号８は重ねられなた金属ハウジングと遮蔽箱を示して
いる。

第３図と第４図に示された実施態様は、伝導性パス２の
拡大領域５と横断スロット６が絶縁支持物４の側面縁に
シフトされるという点において第１図と第２図に示され
るものとは異なる。こうして、誘電体共振器７は、箱８
内部の平面構成を達成するために１１１造１の上又は下
の代わりに側面に配置されることができる。

第４図に示されるように、箱８は、伝送線の短絡を防ぐ
ために構造１の下にアンダーカット１１を有する。

記載された両方の実施態様において、伝導性パス２は、
スロット６により誘電体共振器７と結合される。言い換
えれば、伝導性パス２は、スロット６と結合し、そして
該スロット６は、誘電体共振器７と結合する。

電気用語において、等価図は第５図に示された如くであ
り、この場合側々のスロット６はグラウンドプレーン３
によって直列に一緒に結合され、かつマイクロストリッ
プ２と交差する集中インダクタンスを構成する。この方
法において、伝送線の即位長さ当たりのインダクタンス
は、従来の破壊なしく　ｕｎｂｒｏｃｋｃｎ　）伝送線
と比較して増大する。

特性インピーダンスを一定に保つために、拡大領域５に
おいて示されたように、伝導性パス２の幅を増大させる
ことが必要かつ十分である。

【図面の簡単な説明】

第１５！１は、本発明によるマイクロストリップ伝送線
の１部分を示す斜視図。 第２図は、金属ハウジングと遮蔽箱における誘電体共振
器と結合された、第１図の而Ｕ−Ｉｔに沿う該伝送線の
断面を示す図。 第３図は、絶縁支持物の外側縁における結合に適したバ
ージョン（Ｖｅｒｓｉｏｎ）における発明による伝送線
を使用することによって達成されることができる更に他
の平面構造を示す図。 第４図は、第３図の面■−ＩＶに沿う該平面構造の断面
図。 第５ｒＡは、上記の図面において示される伝送線の等価
電気図。 ２・・・伝導性パス ３・・・グラウンドブレーン ４・・・中間絶縁支持物 ５・・・拡大領域 ６・・・スロット ７・・・誘電共振器

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁支持物の相対する面に付される伝導性パスと金
   属グラウンドプレーンとを具備する誘電体共振器への結
   合のためのマイクロストリップ伝送線において； グラウンドプレーンが、該伝導性パスの下に、かつそれ
   に横断して配置された複数の平行スロットを有すること
   を特徴とするマイクロストリップ伝送線。 ２、該スロットが、該伝導性パスに垂直に向けられてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の伝送線。 ３、該伝導性パスが、伝送線の上又は下に配置される共
   振器への結合のために該絶縁支持物に対して実質的に中
   央位置に展開している特許請求の範囲第１項に記載の伝
   送線。 ４、該伝導性パスが、該伝送線のそばに配置された共振
   器への結合のために絶縁支持物の縁に沿って展開してい
   る特許請求の範囲第１項に記載の伝送線。 ５、該スロットがすべて、同一幅を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の伝送線。 ６、該スロットがすべて、相互から同一距離に配置され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の伝送線。 ７、該スロットのピッチが、伝送信号の波長よりも小さ
   い特許請求の範囲第１項に記載の伝送線。