JPS5934702A - マイクロ波半導体発振器 - Google Patents
マイクロ波半導体発振器Info
- Publication number
- JPS5934702A JPS5934702A JP14592482A JP14592482A JPS5934702A JP S5934702 A JPS5934702 A JP S5934702A JP 14592482 A JP14592482 A JP 14592482A JP 14592482 A JP14592482 A JP 14592482A JP S5934702 A JPS5934702 A JP S5934702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- transmission line
- microwave
- length
- semiconductor oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロストリップ線路で構成されるマイク
ロ波半導体発振器に関するものである。
ロ波半導体発振器に関するものである。
第１図は従来のマイクロストリップ線路で構成されるマ
イクロ波ＦＥ’ｌ’使用のドレイン接地形マイクロ波半
導体発振器？示すものである。
イクロ波ＦＥ’ｌ’使用のドレイン接地形マイクロ波半
導体発振器？示すものである。
図において（１）はマイクロ波Ｆ ＨＴ 、 ｆ２）ｊ
ｄゲート電極（Ｇ）に接続されるマイクロストリップ伝
送線路であり、その長さは１ｇである。（３）はドレイ
ン電極（Ｄ）に接続されるマイクロストリップ伝送線路
、（４）はソース電極（Ｓ）に接続されるマイクロスト
リップ伝送線路、（５）は出力整合用のマイクロス）
ＩＪツブ伝送線路（６）は直流阻止用コンデンサー、（
７）は出力マイクロスリップ−路、（８）は高周波チョ
ーク、（９）はバイアス用抵抗器、（ｌｆｊは直流電圧
（ＶＤ）印加端子である。
ｄゲート電極（Ｇ）に接続されるマイクロストリップ伝
送線路であり、その長さは１ｇである。（３）はドレイ
ン電極（Ｄ）に接続されるマイクロストリップ伝送線路
、（４）はソース電極（Ｓ）に接続されるマイクロスト
リップ伝送線路、（５）は出力整合用のマイクロス）
ＩＪツブ伝送線路（６）は直流阻止用コンデンサー、（
７）は出力マイクロスリップ−路、（８）は高周波チョ
ーク、（９）はバイアス用抵抗器、（ｌｆｊは直流電圧
（ＶＤ）印加端子である。
次に動作について説明する。この半導体発振器は、マイ
クロ波）’ ｌｉ〕Ｔ Ｏ）のドレイン１１１極（Ｄ）
か４波＾ 長（７）のスリップ伝送線路（３）で高周波的に短絡さ
れでいるため、マイクロ波Ｆ Ｅ Ｔ （１）はゲート
インヒー′ダンスに負性抵抗を生じる。これによシ発振
動作を行い、その発振周波数は主としてゲート電Ｔｈ（
Ｇ）が接続されたストリップ伝送線路（２１長（Ｉｇ）
に依存し、およそ１ｇが７波長となる発振周波数となる
。ところで、仁の従来のマイクロ波半導体発振器では、
その発振周波数に大きなばらつきな生じる。これは、マ
イクロ波ＦＥＴおよびその他素子の定数のばらつき、素
子取付は位置のばらつき、あるいはマイクロ波ストリッ
プ線路のバタン精度に基くインピーダンスのばらつきに
起因している。従って、従来のマイクロ波半導体発振器
において一定の発振周波数を実現させるためには、素子
の選択、あるいはマイクロ波ストリップ線路の補正を行
なわねばならず、その周波数調整に時間および熟練を要
し、コスト面での経済性を著しく欠いていた。
クロ波）’ ｌｉ〕Ｔ Ｏ）のドレイン１１１極（Ｄ）
か４波＾ 長（７）のスリップ伝送線路（３）で高周波的に短絡さ
れでいるため、マイクロ波Ｆ Ｅ Ｔ （１）はゲート
インヒー′ダンスに負性抵抗を生じる。これによシ発振
動作を行い、その発振周波数は主としてゲート電Ｔｈ（
Ｇ）が接続されたストリップ伝送線路（２１長（Ｉｇ）
に依存し、およそ１ｇが７波長となる発振周波数となる
。ところで、仁の従来のマイクロ波半導体発振器では、
その発振周波数に大きなばらつきな生じる。これは、マ
イクロ波ＦＥＴおよびその他素子の定数のばらつき、素
子取付は位置のばらつき、あるいはマイクロ波ストリッ
プ線路のバタン精度に基くインピーダンスのばらつきに
起因している。従って、従来のマイクロ波半導体発振器
において一定の発振周波数を実現させるためには、素子
の選択、あるいはマイクロ波ストリップ線路の補正を行
なわねばならず、その周波数調整に時間および熟練を要
し、コスト面での経済性を著しく欠いていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ゲート側マイクロスリップ伝送線
路の地導体面にストＩＪツブ伝送線路と直交する方向に
スリン）ｆ設け、このスリットの巾、及び長さを変化さ
せることにょシ、安定に発振周波数のばらつき調整がで
きるマイクロ波半導体発振器を提供するものである。
めになされたもので、ゲート側マイクロスリップ伝送線
路の地導体面にストＩＪツブ伝送線路と直交する方向に
スリン）ｆ設け、このスリットの巾、及び長さを変化さ
せることにょシ、安定に発振周波数のばらつき調整がで
きるマイクロ波半導体発振器を提供するものである。
この発明に係る一実施例を図によって説明する。
第２図においてＱｌｌはゲート電極側マイクロストリッ
プ伝送線路（２）に直交して地導体０３面に形成された
スリットである。（６）はマイクロ波半導体発振器を構
成するためのアルミナな用いた基板である。
プ伝送線路（２）に直交して地導体０３面に形成された
スリットである。（６）はマイクロ波半導体発振器を構
成するためのアルミナな用いた基板である。
なお、符号（１）〜ＱＯは第１図に示したものと同一で
ある。第８図はゲート電極マイクロストリップ伝送線路
（２）とスリット０υの間の電磁界分布の比較説明図で
あシ、第３図（ａ）はスリン）０υのない場合、第８図
（ｂ）はスリット０υ４・設けた場合の電磁界分布を示
すものである。
ある。第８図はゲート電極マイクロストリップ伝送線路
（２）とスリット０υの間の電磁界分布の比較説明図で
あシ、第３図（ａ）はスリン）０υのない場合、第８図
（ｂ）はスリット０υ４・設けた場合の電磁界分布を示
すものである。
第２図におけるマイクロ波半導体発振器は第１図の従来
のものと同様に発振動作を行なうが、この場合、ゲート
電極マイクロストリップ伝送線路（２）に直交して地２
ｙＦ、体θｅ側にスリットθυを設けているため、第８
図（ｌ〕）のようにＡｉｌ記伝送線路（２）と１ｊＩＩ
記スリツト０υとの電（１ｋｔ界の結合は第３図（、Ｉ
）の場合より大となる。したがってこのスリットθυの
大きさを調整することによシ、前記伝送線路（２）の電
磁界分布を著しく変化できるため実効誘電率に影響し波
長短縮率が変化する。これによりイ半波長に相当する発
振周波数条件が変っていくことな利用し、発振器の各フ
ァクターのばらつきをスリットａυの巾及び長さを調整
して発振周波数のばらつきを調整することが可能となる
。
のものと同様に発振動作を行なうが、この場合、ゲート
電極マイクロストリップ伝送線路（２）に直交して地２
ｙＦ、体θｅ側にスリットθυを設けているため、第８
図（ｌ〕）のようにＡｉｌ記伝送線路（２）と１ｊＩＩ
記スリツト０υとの電（１ｋｔ界の結合は第３図（、Ｉ
）の場合より大となる。したがってこのスリットθυの
大きさを調整することによシ、前記伝送線路（２）の電
磁界分布を著しく変化できるため実効誘電率に影響し波
長短縮率が変化する。これによりイ半波長に相当する発
振周波数条件が変っていくことな利用し、発振器の各フ
ァクターのばらつきをスリットａυの巾及び長さを調整
して発振周波数のばらつきを調整することが可能となる
。
例えば、９．０００ Ｍｌ（ｚ帯発振出力１００ｍＷの
マイクロ波半導体発振器においてこの発明を実施前の発
振周波数のばらつきは約８００Ｍ出であったが、この発
明の実施によシ発振出力な変えることなく±１０ＭＨｚ
以内にすることができた。
マイクロ波半導体発振器においてこの発明を実施前の発
振周波数のばらつきは約８００Ｍ出であったが、この発
明の実施によシ発振出力な変えることなく±１０ＭＨｚ
以内にすることができた。
上記実施例ではゲート電極側マイクロストリップ伝送線
路と直交した地導体（２）面のスリン） （＋１１の１
１）、および長さ？調整するようにしたが、このスリッ
ト０υを一定のｒｌＪと長さに形成しておき、このスリ
ット０υ上？回転あるいはスライドする導体を移動させ
ることによシ、等測的にスリット０υの大きさ全変化さ
せて発振周波数ケ調整する手段な用いても同様を効果を
得ることができる。
路と直交した地導体（２）面のスリン） （＋１１の１
１）、および長さ？調整するようにしたが、このスリッ
ト０υを一定のｒｌＪと長さに形成しておき、このスリ
ット０υ上？回転あるいはスライドする導体を移動させ
ることによシ、等測的にスリット０υの大きさ全変化さ
せて発振周波数ケ調整する手段な用いても同様を効果を
得ることができる。
以上のように、この発明によればマイクロ波半導体発振
器の各素子およびその取付位置のばらつきに起因する発
振周波数のばらつきケ吸収する手段として、共振回路を
形成するストップ線路に直交するスリットを地導体面に
設け、このスリットの大きさを変化させることとしたｔ
こめ、短時間かつ容易に所望の発振周波数の設定が出来
る効果がある。
器の各素子およびその取付位置のばらつきに起因する発
振周波数のばらつきケ吸収する手段として、共振回路を
形成するストップ線路に直交するスリットを地導体面に
設け、このスリットの大きさを変化させることとしたｔ
こめ、短時間かつ容易に所望の発振周波数の設定が出来
る効果がある。
第１図は従来のマイクロ波半導体発振器の回路構成図、
第２図は本発明の一実施例を示すマイクロ波半導体発振
器の構成図、第８図は第２図の動作を説明するための動
作説明図である。 ・図中、（１）はマイクロ波Ｆ
ＥＴ、（２）はゲート電１馳マイクロストリップ伝送線
路、ＯＬはスリット、０２はアルミナ基板、０３は地導
体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分な示す。 代理人 葛野信− 第１図 ９ Ｄ 第２図 第３図
第２図は本発明の一実施例を示すマイクロ波半導体発振
器の構成図、第８図は第２図の動作を説明するための動
作説明図である。 ・図中、（１）はマイクロ波Ｆ
ＥＴ、（２）はゲート電１馳マイクロストリップ伝送線
路、ＯＬはスリット、０２はアルミナ基板、０３は地導
体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分な示す。 代理人 葛野信− 第１図 ９ Ｄ 第２図 第３図
Claims (1)
- ストリップ線路とマイクロ波ＦＥＴで構成されるマイク
ロ波半導体発振器において、上記ストリップ線路のうち
共振回路を形成するストリップ線路と直交するスリット
をその地導体面に設け、上記スリットの大きさを変化さ
せることにより、その発振周波数を調整すること？特徴
とするマイクロ波半導体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14592482A JPS5934702A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | マイクロ波半導体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14592482A JPS5934702A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | マイクロ波半導体発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934702A true JPS5934702A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15396224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14592482A Pending JPS5934702A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | マイクロ波半導体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4875025A (en) * | 1986-05-14 | 1989-10-17 | Siemens Telecomunicazioni S.P.A. | Microstrip transmission line for coupling to a dielectric resonator |
| JPH0529818A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｔｅｍモード共振器 |
-
1982
- 1982-08-21 JP JP14592482A patent/JPS5934702A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4875025A (en) * | 1986-05-14 | 1989-10-17 | Siemens Telecomunicazioni S.P.A. | Microstrip transmission line for coupling to a dielectric resonator |
| JPH0529818A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｔｅｍモード共振器 |
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