JPS6024604B2 - Ｆｅｔ発振器 - Google Patents
Ｆｅｔ発振器Info
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- JPS6024604B2 JPS6024604B2 JP52016263A JP1626377A JPS6024604B2 JP S6024604 B2 JPS6024604 B2 JP S6024604B2 JP 52016263 A JP52016263 A JP 52016263A JP 1626377 A JP1626377 A JP 1626377A JP S6024604 B2 JPS6024604 B2 JP S6024604B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- fet
- microstrip line
- frequency
- impedance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯で使用されるＦＥＴ発振器におい
て、周波数の安定化をはかる手段に関するものである。
て、周波数の安定化をはかる手段に関するものである。
ＳＨＦコンバータの局部発振回路には土１００ｋ比ノー
２０℃〜十５ぴ０の周波数安定度が要求されるため、従
来は水晶逓借方式が使用されていたが、近時ＦＥＴ発振
器が実用化される様になった。
２０℃〜十５ぴ０の周波数安定度が要求されるため、従
来は水晶逓借方式が使用されていたが、近時ＦＥＴ発振
器が実用化される様になった。
譲竜体共振器を使用して周波数安定化を行なったＦＥＴ
発振器の従来例を第１図に示す。第１図でＦＥＴＩのソ
ース２に、他端が短絡されるその特性インピーダンス力
泣ｏ，でその長さが〆・のマイクロストリップ線路５を
接続し、ソース２にインピーダンスＺ，（＝Ｚのｔａｎ
ｈｙそ，，ｙ：伝滋定数）を付加する。同様にＦＥＴ
Ｉのゲート４に、その特性インピーダンス力泣。２でそ
の長さがそ２のマイクロストリップ線路６を接続し、ゲ
ート４にインピーダンスＺを（＝乙２ねｎ ｔｙ夕２）
を付加する。
発振器の従来例を第１図に示す。第１図でＦＥＴＩのソ
ース２に、他端が短絡されるその特性インピーダンス力
泣ｏ，でその長さが〆・のマイクロストリップ線路５を
接続し、ソース２にインピーダンスＺ，（＝Ｚのｔａｎ
ｈｙそ，，ｙ：伝滋定数）を付加する。同様にＦＥＴ
Ｉのゲート４に、その特性インピーダンス力泣。２でそ
の長さがそ２のマイクロストリップ線路６を接続し、ゲ
ート４にインピーダンスＺを（＝乙２ねｎ ｔｙ夕２）
を付加する。
この様にソース２およびゲート４にインピーダンスＺ，
，Ｚ２を付加し、Ｚ，およびＺ２の値を適当に選んで、
誘電体共振器８の共振周波数りこおいて、ＦＥＴＩのド
レィン３からみたインピーダンスＺ（＝−Ｒ３十ｉＸ３
）が負性抵抗になる様にする。また、ＦＥＴＩのドレィ
ン３に特性インピーダンスがＺ３であるマイクロストリ
ップ線路７を接続し、そのマイクロストリップ線隣７の
ドレィン３からの距離そ３の点で誘電体共振器８と結合
させると、ルイン物ら偽−今）（＾は誘電体共振器８の
共振周波数の波長）の点でのインピーダンスは誘電体共
振器８の共振周波数ナ。では数オームの純抵抗ｙとなる
。従ってドレィン３からマイクロストリップ線路７をみ
たインピーダンスＺは次式で与えられる。（乙＝ろ３ｔ
ａｎｈ（ｙそ十Ｑ）＝Ｒ４十ｊＸ４ 〆＝従ってより となる様に、抵抗ッ（すなわちマイクロストリップ線路
７と譲亀体共振器８の結合度）および距離そ３を決定す
れば、ＦＥＴ１は譲電体共振器８の共振周波数らで発振
し、負荷抵抗９に発振出力が伝達する。
，Ｚ２を付加し、Ｚ，およびＺ２の値を適当に選んで、
誘電体共振器８の共振周波数りこおいて、ＦＥＴＩのド
レィン３からみたインピーダンスＺ（＝−Ｒ３十ｉＸ３
）が負性抵抗になる様にする。また、ＦＥＴＩのドレィ
ン３に特性インピーダンスがＺ３であるマイクロストリ
ップ線路７を接続し、そのマイクロストリップ線隣７の
ドレィン３からの距離そ３の点で誘電体共振器８と結合
させると、ルイン物ら偽−今）（＾は誘電体共振器８の
共振周波数の波長）の点でのインピーダンスは誘電体共
振器８の共振周波数ナ。では数オームの純抵抗ｙとなる
。従ってドレィン３からマイクロストリップ線路７をみ
たインピーダンスＺは次式で与えられる。（乙＝ろ３ｔ
ａｎｈ（ｙそ十Ｑ）＝Ｒ４十ｊＸ４ 〆＝従ってより となる様に、抵抗ッ（すなわちマイクロストリップ線路
７と譲亀体共振器８の結合度）および距離そ３を決定す
れば、ＦＥＴ１は譲電体共振器８の共振周波数らで発振
し、負荷抵抗９に発振出力が伝達する。
第１図で端子１２はドレィン電圧供給端子、端子１３は
ゲート電圧供給端子である。また、コイル１１は高周波
阻止用で、コンデンサ官川ま直流阻止用である。なおし
本従来例では所要インピーダンスＺ，Ｚ，乙を得るため
にマイクロストリップ線路を利用したが、同軸線路を利
用してもさしつかえない事は明らかである。ところが第
１図に示す様にＦＥＴＩの出力端ドレィン３側に誘電体
共振器８を結合させる発振回路では、‘１｝ 負荷抵抗
９に伝達される発振出力が５〜１のＢ減衰すること、お
よび｛２１ マイクロストリップ線路７と誘電体共振器
８との結合を弱くして減衰量を小さ〈すれ‘よ、負荷抵
抗９の変動によって発振周波数の変動が大きく、時には
発振周波数のジャンプが生じること、および糊 ソース
２およびゲ−ト４の付加インピーダンスＺ，Ｚ２はマイ
クロストリップ線路５および６の線路長を利用して実現
しているため、インピーダンス乙，Ｚ２は周波数によっ
て変化する。
ゲート電圧供給端子である。また、コイル１１は高周波
阻止用で、コンデンサ官川ま直流阻止用である。なおし
本従来例では所要インピーダンスＺ，Ｚ，乙を得るため
にマイクロストリップ線路を利用したが、同軸線路を利
用してもさしつかえない事は明らかである。ところが第
１図に示す様にＦＥＴＩの出力端ドレィン３側に誘電体
共振器８を結合させる発振回路では、‘１｝ 負荷抵抗
９に伝達される発振出力が５〜１のＢ減衰すること、お
よび｛２１ マイクロストリップ線路７と誘電体共振器
８との結合を弱くして減衰量を小さ〈すれ‘よ、負荷抵
抗９の変動によって発振周波数の変動が大きく、時には
発振周波数のジャンプが生じること、および糊 ソース
２およびゲ−ト４の付加インピーダンスＺ，Ｚ２はマイ
クロストリップ線路５および６の線路長を利用して実現
しているため、インピーダンス乙，Ｚ２は周波数によっ
て変化する。
この結果ドレィン３からＦＥＴＩを見たインピーダンス
Ｚは、誘電体共振器８の共振周波数のみならず種々の周
波数で賃性抵抗を持つため、負荷抵抗９および周囲温度
変化によって発振周波数がジャンプしやすいという欠点
が従来のＦＥＴ発振回路にはあった。本発明の目的は、
上託した従釆技術の欠点をなくし、簡単な構成で負荷抵
抗の変動や周囲温度の変化に対して安定に動作するＦＥ
Ｔ発振器を提供するにある。本発明の構成は、誘電体共
振器を用いて周波数安定化を計ったＦＥＴ発振回路にお
いて、ＦＥＴのソースにマイクロストリップ線路を接続
し、そのマイクロストリップ線路の一点で誘電体共振器
と結合させて譲露体共振器の共振周波数で発振させる事
を特徴とする。
Ｚは、誘電体共振器８の共振周波数のみならず種々の周
波数で賃性抵抗を持つため、負荷抵抗９および周囲温度
変化によって発振周波数がジャンプしやすいという欠点
が従来のＦＥＴ発振回路にはあった。本発明の目的は、
上託した従釆技術の欠点をなくし、簡単な構成で負荷抵
抗の変動や周囲温度の変化に対して安定に動作するＦＥ
Ｔ発振器を提供するにある。本発明の構成は、誘電体共
振器を用いて周波数安定化を計ったＦＥＴ発振回路にお
いて、ＦＥＴのソースにマイクロストリップ線路を接続
し、そのマイクロストリップ線路の一点で誘電体共振器
と結合させて譲露体共振器の共振周波数で発振させる事
を特徴とする。
これによって、ＦＥＴの負荷端ドレイン側に誘電体共振
器を結合させないので、発振出力の減衰は生じなく、ま
たドレィンとソース間のアイソレーションが良いため、
負荷抵抗が変動しても発振周波数の変動は小さくなる利
点がある。また、ＦＥＴのソースに接続されたマイクロ
ストリップ線路の他端にダミー抵抗を接続すれば、ソー
スからストリップラインをみたインピーダンスは譲軍体
共振器の共振周波数以外ではダミー抵抗がみえるため、
ＦＥＴは負性抵抗を示す事はなく、この結果負性抵抗の
変動や周囲温度の変化によって発振周波数がジャンプす
る事はないという利点がある。以下本発明を第２図に示
す実施例に従い詳細に説明する第２図において第１図と
同じ内容のものには同一番号を付してある。
器を結合させないので、発振出力の減衰は生じなく、ま
たドレィンとソース間のアイソレーションが良いため、
負荷抵抗が変動しても発振周波数の変動は小さくなる利
点がある。また、ＦＥＴのソースに接続されたマイクロ
ストリップ線路の他端にダミー抵抗を接続すれば、ソー
スからストリップラインをみたインピーダンスは譲軍体
共振器の共振周波数以外ではダミー抵抗がみえるため、
ＦＥＴは負性抵抗を示す事はなく、この結果負性抵抗の
変動や周囲温度の変化によって発振周波数がジャンプす
る事はないという利点がある。以下本発明を第２図に示
す実施例に従い詳細に説明する第２図において第１図と
同じ内容のものには同一番号を付してある。
図でＦＥＴＩのソース２に、他端がダミー抵抗１４で終
端これ、その特性インピーダンスがＺｍで、その長さが
夕・のマイクロストリップ線路５を接続し、ソースから
の距離そ４の点で誘電体共振器８と結合させると、誘電
体共振器８の共振周波数もでは、ソース物ら（そ４−今
）の歌のインピーダンス‘ま数オームの純抵抗ｙとなる
。従ってソース２からマイクロストリップ線路５をみた
インピーダンスＺ，は次式で与えられる。また、ＦＥＴ
Ｉのゲートに、その特性インピーダンスがＺ２で、その
長さが〆２ のマイクロストリップ線路６を接続し、ゲ
ート４にインピーダンスＺ（＝Ｚのｔａｎｈック２ ）
を付加する。この様にソース２およびゲート４にインピ
ーダンスＺＺ２を付加し、ＺおよびＺの値を適当に選ん
で誘電体共振器８の共振周波数ら‘こおいてＦＥＴＩの
ドレィン３からＦＥＴＩをみたインピーダンスＺ３（ニ
ーＲ３十ｉＸ３）が負性抵抗になる様にする。また、Ｆ
ＥＴＩのドレィン３にインピーダンス変換器１５を接続
し、ドレィン３から負荷側にみたィンピーダンスが乙に
なる様にする。このとき、より となる様にＺ４を選べば、ＦＥＴＩは誘電体共振器８の
共振周波数らで発振し、発振出力が負荷抵抗９に伝達さ
れる。
端これ、その特性インピーダンスがＺｍで、その長さが
夕・のマイクロストリップ線路５を接続し、ソースから
の距離そ４の点で誘電体共振器８と結合させると、誘電
体共振器８の共振周波数もでは、ソース物ら（そ４−今
）の歌のインピーダンス‘ま数オームの純抵抗ｙとなる
。従ってソース２からマイクロストリップ線路５をみた
インピーダンスＺ，は次式で与えられる。また、ＦＥＴ
Ｉのゲートに、その特性インピーダンスがＺ２で、その
長さが〆２ のマイクロストリップ線路６を接続し、ゲ
ート４にインピーダンスＺ（＝Ｚのｔａｎｈック２ ）
を付加する。この様にソース２およびゲート４にインピ
ーダンスＺＺ２を付加し、ＺおよびＺの値を適当に選ん
で誘電体共振器８の共振周波数ら‘こおいてＦＥＴＩの
ドレィン３からＦＥＴＩをみたインピーダンスＺ３（ニ
ーＲ３十ｉＸ３）が負性抵抗になる様にする。また、Ｆ
ＥＴＩのドレィン３にインピーダンス変換器１５を接続
し、ドレィン３から負荷側にみたィンピーダンスが乙に
なる様にする。このとき、より となる様にＺ４を選べば、ＦＥＴＩは誘電体共振器８の
共振周波数らで発振し、発振出力が負荷抵抗９に伝達さ
れる。
この様にソース２に誘電体共振器８を結合させて発振さ
せるＦＥＴ発振器は、出力側に誘電体共振器を結合させ
る事がないため、発振出力は損失なく負荷抵抗に伝達さ
れる。また、負荷抵抗９が変動してもドレィンとソース
間のァィソレーションが良好なため、発振周波数の変動
は十分小さくなる。また、マイクロストリップ線路５は
ダミー抵抗１４で終機されているため、ソースからマイ
クロストリップ線路５をみたインピーダンスＺは、誘電
体共振器８の共振周波数も以外の周波数では、となる。
せるＦＥＴ発振器は、出力側に誘電体共振器を結合させ
る事がないため、発振出力は損失なく負荷抵抗に伝達さ
れる。また、負荷抵抗９が変動してもドレィンとソース
間のァィソレーションが良好なため、発振周波数の変動
は十分小さくなる。また、マイクロストリップ線路５は
ダミー抵抗１４で終機されているため、ソースからマイ
クロストリップ線路５をみたインピーダンスＺは、誘電
体共振器８の共振周波数も以外の周波数では、となる。
今、乙，＝ｙ，とすれば、誘電体共振器８の共振周波数
ら以外の周波数ではＺ，＝Ｚｏ，＝ｙ，となる。ｙ，を
１項段オーム以上の値に選べば「ＦＥＴＩは誘電体共振
器８の共振周波数以外の周波数で負性抵抗を持つ事を避
ける事ができる。今、Ｚの＝ｙ，について説明したが、
ソース２からマイクロストリップ線路５をみたインピー
ダンスＺ，の抵抗分が１項欧オーム以上になる様にすれ
ば、ＦＥＴＩは負性抵抗をを持たないので、必らずしも
る，＝ｙ，に選ぶ必要はなく、適当なｙ，を付加する事
も可能である。この様にしてＦＥＴＩが誘電体共振器８
の共振周波数のみしか負性抵抗を持たない様にする事に
よって、負荷抵抗９および周囲温度の変動によって発振
周波数がジャンプする事を避けることができる。
ら以外の周波数ではＺ，＝Ｚｏ，＝ｙ，となる。ｙ，を
１項段オーム以上の値に選べば「ＦＥＴＩは誘電体共振
器８の共振周波数以外の周波数で負性抵抗を持つ事を避
ける事ができる。今、Ｚの＝ｙ，について説明したが、
ソース２からマイクロストリップ線路５をみたインピー
ダンスＺ，の抵抗分が１項欧オーム以上になる様にすれ
ば、ＦＥＴＩは負性抵抗をを持たないので、必らずしも
る，＝ｙ，に選ぶ必要はなく、適当なｙ，を付加する事
も可能である。この様にしてＦＥＴＩが誘電体共振器８
の共振周波数のみしか負性抵抗を持たない様にする事に
よって、負荷抵抗９および周囲温度の変動によって発振
周波数がジャンプする事を避けることができる。
この様に、１端をＦＥＴのソースに、他端をダミー抵抗
に接続したマイクロストリップ線路または同軸線路の一
点で誘電体共振器と結合させて、誘電体共振器の共振周
波数で発振させたＦＥＴ発振器は、【１’発振出力を損
失なく負荷抵抗に供聯合する事ができ、‘２１負荷抵抗
の変動によって生じる発振周波数の変動を抑圧する事が
でき、【３１負荷抵抗の変化や周囲温度変化によって発
振周波数がジャンプする事を防ぐ事ができるという特徴
がある。
に接続したマイクロストリップ線路または同軸線路の一
点で誘電体共振器と結合させて、誘電体共振器の共振周
波数で発振させたＦＥＴ発振器は、【１’発振出力を損
失なく負荷抵抗に供聯合する事ができ、‘２１負荷抵抗
の変動によって生じる発振周波数の変動を抑圧する事が
でき、【３１負荷抵抗の変化や周囲温度変化によって発
振周波数がジャンプする事を防ぐ事ができるという特徴
がある。
第１図はＦＥＴ発振器の従来例の回路図、第２図は本発
明ＦＥＴ発振器の実施例の回路図である。 １：ＦＥＴ、２：ＦＥＴのソース端子、５：マイクロス
トリップ線路、８：誘電体共振器、９：負荷抵抗、１４
：ダミー抵抗、１５：インピーダンス変換器。 才′図 矛２図
明ＦＥＴ発振器の実施例の回路図である。 １：ＦＥＴ、２：ＦＥＴのソース端子、５：マイクロス
トリップ線路、８：誘電体共振器、９：負荷抵抗、１４
：ダミー抵抗、１５：インピーダンス変換器。 才′図 矛２図
Claims (1)
- １ マイクロストリツプ線路または同軸線路の一端をＦ
ＥＴのソースに接続し他端をアースまたはダミー抵抗に
接続し、該マイクロストリツプ線路または同軸線路の一
点で誘電体共振器と結合させ、上記ＦＥＴのドレイン端
子から上記誘電体共振器の共振周波数で発振する発振出
力を取り出すように構成したことを特徴とするＦＥＴ発
振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016263A JPS6024604B2 (ja) | 1977-02-18 | 1977-02-18 | Ｆｅｔ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016263A JPS6024604B2 (ja) | 1977-02-18 | 1977-02-18 | Ｆｅｔ発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53101961A JPS53101961A (en) | 1978-09-05 |
| JPS6024604B2 true JPS6024604B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=11911658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52016263A Expired JPS6024604B2 (ja) | 1977-02-18 | 1977-02-18 | Ｆｅｔ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024604B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019134678A1 (de) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Multifunktionsmaschine, bildabtastgerät, steuerungsverfahren für die multifunktionsmaschine und computerlesbares speichermedium |
| DE102020000084A1 (de) | 2019-01-17 | 2020-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildlesevorrichtung, verfahren zum steuern einer bildlesevorrichtung und speichermedium |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950124B2 (ja) * | 1978-10-25 | 1984-12-06 | 日本電信電話株式会社 | スロット結合線路形発振器 |
| JPS57107611A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-05 | Alps Electric Co Ltd | Microwave oscillator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51869A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | Gaasfet hatsushinki |
-
1977
- 1977-02-18 JP JP52016263A patent/JPS6024604B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51869A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | Gaasfet hatsushinki |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019134678A1 (de) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Multifunktionsmaschine, bildabtastgerät, steuerungsverfahren für die multifunktionsmaschine und computerlesbares speichermedium |
| DE102020000084A1 (de) | 2019-01-17 | 2020-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildlesevorrichtung, verfahren zum steuern einer bildlesevorrichtung und speichermedium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53101961A (en) | 1978-09-05 |
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