JPS6048921B2 - Ｆｅｔ発振回路 - Google Patents
Ｆｅｔ発振回路Info
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- JPS6048921B2 JPS6048921B2 JP865077A JP865077A JPS6048921B2 JP S6048921 B2 JPS6048921 B2 JP S6048921B2 JP 865077 A JP865077 A JP 865077A JP 865077 A JP865077 A JP 865077A JP S6048921 B2 JPS6048921 B2 JP S6048921B2
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- JP
- Japan
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- fet
- oscillation
- frequency
- gate
- line
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0062—Bias and operating point
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯で使用されるＦＥＴ発振器の異
常発振を防止するなど安定な動作が得られる発振回路に
関する。
常発振を防止するなど安定な動作が得られる発振回路に
関する。
ＳＨＦコンバータの局部発振回路には、±１００ＫＨ
２／−２０℃〜＋５０℃の周波数安定度が要求されるた
め、従来は水晶逓信方式が使用されていたが、近年ＦＥ
Ｔ発振器が実用化される様になつた。
２／−２０℃〜＋５０℃の周波数安定度が要求されるた
め、従来は水晶逓信方式が使用されていたが、近年ＦＥ
Ｔ発振器が実用化される様になつた。
こ のようなＦＥＴ発振器において、発振周波数を安定
化するためにＦＥＴの各端子に接続される線路の一つに
誘電体共振器を結合させることが提案されている。誘導
体共振器を結合させる場合、ＦＥＴのゲートに接続され
た線路に結合させると、出力側の線路に結合させた場合
に比べて発振出力を十分な大きさで得ることができる。
これは誘電体共振器が結合された点のインピーダンスが
低下するので、出力側の線路に結合させると出力信号が
減衰されるためと考えられる。このようにゲートに接続
された線路に誘電体共振器を結合させた発振回路をソー
ス接地のＦＥＴと組合せた例を第１図に示す。ＦＥＴＩ
のソース２に、他端が短絡されその特性インピーダンス
がＺ。１でその長・さが１、のマイクロストリップ線路
５を接続して、ソース２にインピーダンスｌを付加する
。
化するためにＦＥＴの各端子に接続される線路の一つに
誘電体共振器を結合させることが提案されている。誘導
体共振器を結合させる場合、ＦＥＴのゲートに接続され
た線路に結合させると、出力側の線路に結合させた場合
に比べて発振出力を十分な大きさで得ることができる。
これは誘電体共振器が結合された点のインピーダンスが
低下するので、出力側の線路に結合させると出力信号が
減衰されるためと考えられる。このようにゲートに接続
された線路に誘電体共振器を結合させた発振回路をソー
ス接地のＦＥＴと組合せた例を第１図に示す。ＦＥＴＩ
のソース２に、他端が短絡されその特性インピーダンス
がＺ。１でその長・さが１、のマイクロストリップ線路
５を接続して、ソース２にインピーダンスｌを付加する
。
同じく負荷抵抗６をインピーダンス変換器７にインピー
ダンスを変換し、ドレイン３にインピーダンスＺ２を付
加する。誘電体共振器８の共振周波数ｆ。におフいてゲ
ート４からＦＥＴ側をみたインピーダンスＺ、（■−Ｒ
３＋ｊＸ３）が負性抵抗になる様に、ソース２およびド
レイン３の付加インピーダンスＺ１、Ｚ２を各々決める
。また、ゲート４に長さが１２で特性インピーダンスが
Ｚ（Ｙ２であるマイクロストリップ線路９を接ドし、そ
のマイクロストリップ線路９と、ゲートがら距離１。
ダンスを変換し、ドレイン３にインピーダンスＺ２を付
加する。誘電体共振器８の共振周波数ｆ。におフいてゲ
ート４からＦＥＴ側をみたインピーダンスＺ、（■−Ｒ
３＋ｊＸ３）が負性抵抗になる様に、ソース２およびド
レイン３の付加インピーダンスＺ１、Ｚ２を各々決める
。また、ゲート４に長さが１２で特性インピーダンスが
Ｚ（Ｙ２であるマイクロストリップ線路９を接ドし、そ
のマイクロストリップ線路９と、ゲートがら距離１。
の点で誘電体共振器８と結合させると、１３点でインピ
ーダンスは誘電体共振器８の共振周 ι波数ちでは数オ
ームの純抵抗γになる。従つてゲート４からマイクロス
トリップ線路９をみたインピーダンスムは次式で与えら
れる。Ｚ＝４２ｔａｎｈ（γ１＋Ｑ）＝Ｒ。
ーダンスは誘電体共振器８の共振周 ι波数ちでは数オ
ームの純抵抗γになる。従つてゲート４からマイクロス
トリップ線路９をみたインピーダンスムは次式で与えら
れる。Ｚ＝４２ｔａｎｈ（γ１＋Ｑ）＝Ｒ。
＋ＪＸ。Ｑ＝Ｔａｎ−゛ｈ（１）ＺＩ
γ：伝ぱん定数
従つて
ムニーＲ。
＋ＪＸ。Ｚ＝Ｒ。
＋ＪＸ。より
Ｒ３≧Ｒ，
Ｘ３＝ーＸ，
となる様に抵抗γおよび距離１。
を決定すれば、ＦＥＴＩは誘電体共振器８の共振周波数
て発振する。同図において、端子１０はドレイン電圧供
給端子、端子１２はゲート電圧供給端子である。
て発振する。同図において、端子１０はドレイン電圧供
給端子、端子１２はゲート電圧供給端子である。
また、コイル１１は高周波阻止用で、コンデンサ１３は
直流阻止用である。なお、図示した例では、所要インピ
ーダンスＡ，Ｚ２，ｌを実現するためにマイクロストリ
ップ線路を利用した例を示したが、同軸線路を利用して
も実現できることは明らかてある。この第１図に示した
回路において、ソース２およびドレイン３の付加インピ
ーグンスＺｌ，Ｚ２はストリップライン５および７の線
路長を利用して実現しているため、インピーダンスＺ，
，ｌは周波数によつて変化する。
直流阻止用である。なお、図示した例では、所要インピ
ーダンスＡ，Ｚ２，ｌを実現するためにマイクロストリ
ップ線路を利用した例を示したが、同軸線路を利用して
も実現できることは明らかてある。この第１図に示した
回路において、ソース２およびドレイン３の付加インピ
ーグンスＺｌ，Ｚ２はストリップライン５および７の線
路長を利用して実現しているため、インピーダンスＺ，
，ｌは周波数によつて変化する。
この結果、ゲート４からＦＥＴ側をみたインピーダンス
４は、希望発振周．波数Ｆ．（誘電体共振器８の共振周
波数）のみならず種々の周波数で負性抵抗を示す。一方
、ゲート４にはストリップライン９が接続されており、
そのストリップライン９と誘電体共振器８を結合させて
、希望発振周波数Ｆ。（誘電体共振器８の共振く周波数
）で発振する様にしているが、誘電体共振器８の共振周
波数Ｆ。から離れた周波数では、ゲート４からストリッ
プライン９側をみたインピーグンスＡは、誘電体共振器
８が無い場合と同じであり、周波数によつて種々の値（
Ｚ。＝４。Ｃ０ｔｈγ１。）をとる。この結果、ＦＥＴ
Ｉは希望発振周波数Ｆ。（誘電体共振器８の共振周波数
）以外の周波数でも発振する可能性がある。このため、
負荷抵夕抗６の変動や周囲温度変化によつて発振周波数
がジャンプするという問題がある。本発明の目的は、上
記した問題点を解決し、簡単な構成て負荷抵抗の変動や
周囲温度の変化に対して安定に動作するＦＥＴ発振回路
を提供するこｏとにある。
４は、希望発振周．波数Ｆ．（誘電体共振器８の共振周
波数）のみならず種々の周波数で負性抵抗を示す。一方
、ゲート４にはストリップライン９が接続されており、
そのストリップライン９と誘電体共振器８を結合させて
、希望発振周波数Ｆ。（誘電体共振器８の共振く周波数
）で発振する様にしているが、誘電体共振器８の共振周
波数Ｆ。から離れた周波数では、ゲート４からストリッ
プライン９側をみたインピーグンスＡは、誘電体共振器
８が無い場合と同じであり、周波数によつて種々の値（
Ｚ。＝４。Ｃ０ｔｈγ１。）をとる。この結果、ＦＥＴ
Ｉは希望発振周波数Ｆ。（誘電体共振器８の共振周波数
）以外の周波数でも発振する可能性がある。このため、
負荷抵夕抗６の変動や周囲温度変化によつて発振周波数
がジャンプするという問題がある。本発明の目的は、上
記した問題点を解決し、簡単な構成て負荷抵抗の変動や
周囲温度の変化に対して安定に動作するＦＥＴ発振回路
を提供するこｏとにある。
上記の目的を達成するために本発明は、ＦＥＴのゲート
にマイクロストリップ線路または同軸の線路を接続し、
このマイクロストリップ線路または同軸線路に希望発振
周波数を共振周波数とする５誘電体共振器を結合させる
とともに、ＦＥＴをドレイン接地形式とすることによつ
てドレインに不要な寄生インピーグンスが接続されるこ
とを避けて発振周波数がジャンプする可能性を少なくす
る。
にマイクロストリップ線路または同軸の線路を接続し、
このマイクロストリップ線路または同軸線路に希望発振
周波数を共振周波数とする５誘電体共振器を結合させる
とともに、ＦＥＴをドレイン接地形式とすることによつ
てドレインに不要な寄生インピーグンスが接続されるこ
とを避けて発振周波数がジャンプする可能性を少なくす
る。
さらに安定度を良くするために、誘電体共振フ器が結合
されたマイクロストリップ線路または同軸線路に抵抗ダ
ミー（５０〜２００Ω程度）を接続する。このようにす
ることにより、誘電体共振器の共振周波数から離れた周
波数においてゲートに接続された線路のインピーダンス
がほぼ純抵抗となｉることにより誘電体共振器の共振周
波数以外で発振することが防止できる。また、誘電体共
振器が結合された線路に抵抗ダミーを接続した場合は、
安定度が良いので、ＦＥＴはドレイン接地に限らす、ソ
ース接地の形式ても安定した発振動作を得゜ることがで
きる。本発明の特徴によれは、負荷抵抗の変動や周囲温
度変化によつて発振周波数がジャンプする事を妨ぐ事が
できるとともに、ソースあるいはドレインに付加するマ
イクロストリップ線路または同軸線路やバイアス供給用
チョークコイルの使用周波数は誘電体共振器の使用周波
数帯のみを考えれば良く、設計が簡単になる利点がある
。
されたマイクロストリップ線路または同軸線路に抵抗ダ
ミー（５０〜２００Ω程度）を接続する。このようにす
ることにより、誘電体共振器の共振周波数から離れた周
波数においてゲートに接続された線路のインピーダンス
がほぼ純抵抗となｉることにより誘電体共振器の共振周
波数以外で発振することが防止できる。また、誘電体共
振器が結合された線路に抵抗ダミーを接続した場合は、
安定度が良いので、ＦＥＴはドレイン接地に限らす、ソ
ース接地の形式ても安定した発振動作を得゜ることがで
きる。本発明の特徴によれは、負荷抵抗の変動や周囲温
度変化によつて発振周波数がジャンプする事を妨ぐ事が
できるとともに、ソースあるいはドレインに付加するマ
イクロストリップ線路または同軸線路やバイアス供給用
チョークコイルの使用周波数は誘電体共振器の使用周波
数帯のみを考えれば良く、設計が簡単になる利点がある
。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図であり、第１図
と同一機能の素子には同一番号を付してある。この例は
、ＦＥＴＩのドレイン３側をストリップライン５を介し
て接地し、そのストリップライン５のインピーグンスを
通してドレイン接地形式としたものである。そして、ソ
ース２にインピータンス変換器７を介して負荷抵抗６を
接続する。端子１４はソース電圧供給用の端子である。
このようなドレイン接地の回路においても先に示したソ
ース接地と同じ動作原理によつて発振動作が行なわれる
ことは明らかであるが、トレイＺン接地とした場合には
、ソース２とゲート４の間ではＦＥＴ自体の帰還インピ
ーダンスが利用できるので、ストリップライン５を省略
してインピーダンスを介すことなく直接接地することが
できる。このようにすると、ドレイン３に不要な寄生Ｊ
インピーダンスを生じないため、発振周波数がジャンプ
するなどの可能性を低減させることができる。なお、こ
の接地は直流まで接地するものに限らず、通常のＦＥＴ
回路と同様に高周波信号がドレーイン端子部で接地され
るようにした場合でも同様の効果が得られることは明ら
かである。
と同一機能の素子には同一番号を付してある。この例は
、ＦＥＴＩのドレイン３側をストリップライン５を介し
て接地し、そのストリップライン５のインピーグンスを
通してドレイン接地形式としたものである。そして、ソ
ース２にインピータンス変換器７を介して負荷抵抗６を
接続する。端子１４はソース電圧供給用の端子である。
このようなドレイン接地の回路においても先に示したソ
ース接地と同じ動作原理によつて発振動作が行なわれる
ことは明らかであるが、トレイＺン接地とした場合には
、ソース２とゲート４の間ではＦＥＴ自体の帰還インピ
ーダンスが利用できるので、ストリップライン５を省略
してインピーダンスを介すことなく直接接地することが
できる。このようにすると、ドレイン３に不要な寄生Ｊ
インピーダンスを生じないため、発振周波数がジャンプ
するなどの可能性を低減させることができる。なお、こ
の接地は直流まで接地するものに限らず、通常のＦＥＴ
回路と同様に高周波信号がドレーイン端子部で接地され
るようにした場合でも同様の効果が得られることは明ら
かである。
次に第３図は、発振動作をさらに安定にするための実施
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
この回路は第１図に示したソース接地形の発振回路でゲ
ート４に接続されたマイクロストリップ線路９に直流阻
止用コンデンサを接続してさらに線路９’を延長し、こ
のマイクロストリップ線路９’にダミー抵抗１５を接続
した点が特徴てある。このようにダミー抵抗１５を接続
することにより、ゲート４からマイクロストリップ線路
９側を見たインピーグンスムは、誘電体共振８の共振周
波数Ｆ。
ート４に接続されたマイクロストリップ線路９に直流阻
止用コンデンサを接続してさらに線路９’を延長し、こ
のマイクロストリップ線路９’にダミー抵抗１５を接続
した点が特徴てある。このようにダミー抵抗１５を接続
することにより、ゲート４からマイクロストリップ線路
９側を見たインピーグンスムは、誘電体共振８の共振周
波数Ｆ。
から離れた他の周波数では、マイクロストリップ線路９
がダミー抵抗１５で終端されているため、たとえばダミ
ー抵抗値を線路９の特性インピーダンスと等しく選べば
ムニ４。
がダミー抵抗１５で終端されているため、たとえばダミ
ー抵抗値を線路９の特性インピーダンスと等しく選べば
ムニ４。
（＝ＲＯ。）となり、Ｒ゜２＞Ｒ３
にすれば、誘電体共振器８の共振周波数Ｆ。
以外て発振する事はない。この様にグミー抵抗１５を適
当な値に選べば、希望発振周波数ち以外の周波数で発振
する事を防ぐことができる。
当な値に選べば、希望発振周波数ち以外の周波数で発振
する事を防ぐことができる。
この場合の抵抗値は、誘電体共振器８の共振周波数Ｆ。
以外の周波数でゲート側に接続されるインピーダンスが
発振条件を満すよう ’（なインピーダンスにならなけ
れば良いのであるから、必ずしも線路の特性インピーグ
ンスと等しくする必要はない。この結果、発振周波数は
誘電体共振器８の共抗周波数（のみを考慮すれば良いの
で、図示のようにソース接地形式の回路でも十分安定な
動作が得られる。
以外の周波数でゲート側に接続されるインピーダンスが
発振条件を満すよう ’（なインピーダンスにならなけ
れば良いのであるから、必ずしも線路の特性インピーグ
ンスと等しくする必要はない。この結果、発振周波数は
誘電体共振器８の共抗周波数（のみを考慮すれば良いの
で、図示のようにソース接地形式の回路でも十分安定な
動作が得られる。
またドレイン３へのバイアス電圧供給のためのチョーク
コイルは周波数Ｆ。付近のみにおける特性を考慮すれば
良いので、例えば図示のような通常使われる簡単なフィ
ルタ１６が使用できる。ただし、ゲート電圧供給用のチ
ョークコイルは、発振周波数ちのみでなく広い周波数帯
域に渡つて高周波阻止の特性が要求される。第４図は、
本発明のさらに他の一実施例を示す回路図であり、第３
図と同様にソース接地形式の発振回路である。
コイルは周波数Ｆ。付近のみにおける特性を考慮すれば
良いので、例えば図示のような通常使われる簡単なフィ
ルタ１６が使用できる。ただし、ゲート電圧供給用のチ
ョークコイルは、発振周波数ちのみでなく広い周波数帯
域に渡つて高周波阻止の特性が要求される。第４図は、
本発明のさらに他の一実施例を示す回路図であり、第３
図と同様にソース接地形式の発振回路である。
この回路では、マイクロストリップ線路９の終端に接続
されたダミー抵抗１５の他端からＦＥＴＩのゲートバイ
アス電圧を供給するようにしたものである。このように
すれば、例えばダミー抵抗１５の他端に高周波バイパス
用のコンデンサ１７を接続して、チョークコイル１１を
省略することが可能となる。このように、ダミー抵抗１
５を設けることによつて、ソース接地のＦＥＴ発振回路
でも安定な動作が得られるので、第２図に示したような
ドレイン接地の発振回路においてもダミー抵抗を設けれ
ば、さらに動作が安定となることは言うまでもない。
されたダミー抵抗１５の他端からＦＥＴＩのゲートバイ
アス電圧を供給するようにしたものである。このように
すれば、例えばダミー抵抗１５の他端に高周波バイパス
用のコンデンサ１７を接続して、チョークコイル１１を
省略することが可能となる。このように、ダミー抵抗１
５を設けることによつて、ソース接地のＦＥＴ発振回路
でも安定な動作が得られるので、第２図に示したような
ドレイン接地の発振回路においてもダミー抵抗を設けれ
ば、さらに動作が安定となることは言うまでもない。
すなわち、第３，４図に示した実施例におい・て、ドレ
イン接地形式に変更すれば更に安定度が良好となること
は明らかである。また、この場合も先に述べたようにド
レインを直接接地してストリップライン５を省略するこ
とができることは目うまでもない。以上述べた実施例に
おいては、ＦＥＴのゲートに接続する線路をマイクロス
トリップ線路とした例で説明したが、この代りに同軸線
路を接続して構成する例においても本発明の効果が期待
できることは明らかである。
イン接地形式に変更すれば更に安定度が良好となること
は明らかである。また、この場合も先に述べたようにド
レインを直接接地してストリップライン５を省略するこ
とができることは目うまでもない。以上述べた実施例に
おいては、ＦＥＴのゲートに接続する線路をマイクロス
トリップ線路とした例で説明したが、この代りに同軸線
路を接続して構成する例においても本発明の効果が期待
できることは明らかである。
５ 以上述べたように、本発明によれば、ゲートに接続
された線路に誘電体共振器を結合させてＦＥＴ発振回路
を構成する際、ＦＥＴをドレイン接地形式にするか、あ
るいは、ゲートに接続される線路の終端にダミー抵抗を
接続することによつθて、希望発振周波数以外の周波数
において発振条件が生ずるような寄生のインピーダンス
が発生することが防止できるので、負荷抵抗の変動や周
囲温度の変化によつて発振周波数がジャンプするような
事が防止てき、安定な動作をするＦＥＴ発振回路が得ら
れる。
された線路に誘電体共振器を結合させてＦＥＴ発振回路
を構成する際、ＦＥＴをドレイン接地形式にするか、あ
るいは、ゲートに接続される線路の終端にダミー抵抗を
接続することによつθて、希望発振周波数以外の周波数
において発振条件が生ずるような寄生のインピーダンス
が発生することが防止できるので、負荷抵抗の変動や周
囲温度の変化によつて発振周波数がジャンプするような
事が防止てき、安定な動作をするＦＥＴ発振回路が得ら
れる。
第１図はゲートに誘電体共振器を結合させたＦＥＴ発振
回路の例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示
す回路図、第３図は本発明の他の一実施例を示す回路図
、第４図は本発明のさらに他の一実施例を示す回路図で
ある。 １・・・ＦＥＴ）２・・・ソース、３・・・ドレイン、
４ ・・・ゲート、８・・・誘導体発振器、９ ・・・
マイクロストリップ線路、１５・・・ダミー抵抗。
回路の例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示
す回路図、第３図は本発明の他の一実施例を示す回路図
、第４図は本発明のさらに他の一実施例を示す回路図で
ある。 １・・・ＦＥＴ）２・・・ソース、３・・・ドレイン、
４ ・・・ゲート、８・・・誘導体発振器、９ ・・・
マイクロストリップ線路、１５・・・ダミー抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＳＨＦ帯で動作し、ＦＥＴを発振素子とするＦＥＴ
発振回路において、少なくとも上記ＦＥＴのゲートにマ
イクロストリップ線路または同軸線路を接続し、該マイ
クロストリップ線路または同軸線路に、発振周波数に一
致した共振周波数を持つ誘電体共振器を結合させるとと
もに、この線路にダミー抵抗を接続し、かつ、上記ＦＥ
Ｔをドレイン接地形式に配設したことを特徴とするＦＥ
Ｔ発振回路。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のＦＥＴ発振回路におい
て、上記ダミー抵抗は他端にバイアス供給手段が接続さ
れ、上記ＦＥＴのゲートにバイアスを印加する手段を兼
ねたことを特徴とするＦＥＴ発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP865077A JPS6048921B2 (ja) | 1977-01-31 | 1977-01-31 | Ｆｅｔ発振回路 |
| US05/873,526 US4187476A (en) | 1977-01-31 | 1978-01-30 | SHF band oscillator circuit using FET |
| DE2803846A DE2803846C2 (de) | 1977-01-31 | 1978-01-30 | Zentimeterwellen-Oszillatorschaltung mit einem Feldeffekttransistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP865077A JPS6048921B2 (ja) | 1977-01-31 | 1977-01-31 | Ｆｅｔ発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5394753A JPS5394753A (en) | 1978-08-19 |
| JPS6048921B2 true JPS6048921B2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=11698807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP865077A Expired JPS6048921B2 (ja) | 1977-01-31 | 1977-01-31 | Ｆｅｔ発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048921B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199326U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-13 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5726902A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Hitachi Ltd | Fet oscillation circuit |
| JPS5952710U (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-06 | 株式会社東芝 | マイクロ波装置 |
| JPS63217803A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振逓倍器 |
-
1977
- 1977-01-31 JP JP865077A patent/JPS6048921B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199326U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5394753A (en) | 1978-08-19 |
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