JPH03227124A - 注入同期発振装置 - Google Patents
注入同期発振装置Info
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- JPH03227124A JPH03227124A JP2149390A JP2149390A JPH03227124A JP H03227124 A JPH03227124 A JP H03227124A JP 2149390 A JP2149390 A JP 2149390A JP 2149390 A JP2149390 A JP 2149390A JP H03227124 A JPH03227124 A JP H03227124A
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- Japan
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- oscillator
- dielectric resonator
- microstrip line
- self
- injection
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 19
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マイクロ波帯通信装置等に用いる注入同期発
振装置に関するものである。
振装置に関するものである。
[従来の技術]
近年、衛星通信が盛んになろうとしている。そこでは、
局部発振器として高安定で低い位相雑音のマイクロ波発
振装置が要求されている。
局部発振器として高安定で低い位相雑音のマイクロ波発
振装置が要求されている。
このようなマイクロ波発振装置としては、従来、第6図
に示す位相同期発振装置と、第7図に示す注入同期発振
装置とがあった。
に示す位相同期発振装置と、第7図に示す注入同期発振
装置とがあった。
第6図に示す従来の位相同期発振装置は、水晶発振器1
.増幅器2及びステップリカバリダイオード3からなる
高調波発生器4と、電圧制御発振器5と、高調波発生器
4の出力と電圧制御発振器5の出力との位相を比較して
位相差に応じた直流の誤差電圧を出力する位相比較器6
と、該誤差電圧の中から交流骨を除去して電圧制御発振
器5に負帰還するループフィルタ7とで構成されていた
。
.増幅器2及びステップリカバリダイオード3からなる
高調波発生器4と、電圧制御発振器5と、高調波発生器
4の出力と電圧制御発振器5の出力との位相を比較して
位相差に応じた直流の誤差電圧を出力する位相比較器6
と、該誤差電圧の中から交流骨を除去して電圧制御発振
器5に負帰還するループフィルタ7とで構成されていた
。
このような位相同期発振装置では、水晶発振器1の出力
を増幅器2を介して非線形素子としてのステップリカバ
リダイオード3に与えて逓倍することにより水晶発振周
波数f、の2倍、3倍、・・・N倍の高調波信号を得る
。この高調波信号を位相比較器6に入力する。一方、自
走周波数N−f。
を増幅器2を介して非線形素子としてのステップリカバ
リダイオード3に与えて逓倍することにより水晶発振周
波数f、の2倍、3倍、・・・N倍の高調波信号を得る
。この高調波信号を位相比較器6に入力する。一方、自
走周波数N−f。
付近で発振している電圧制御発振器5の出力の一部も位
相比較器6に入力する。位相比較器6では、両人力の位
相を比較し、位相差に応じた誤差電圧を出力し、これを
ループフィルタ7を介して電圧制御発振器5に負帰還す
る。これにより、常に電圧制御発振器5の出力をN−f
の周波数に同期させている。
相比較器6に入力する。位相比較器6では、両人力の位
相を比較し、位相差に応じた誤差電圧を出力し、これを
ループフィルタ7を介して電圧制御発振器5に負帰還す
る。これにより、常に電圧制御発振器5の出力をN−f
の周波数に同期させている。
一方、第7図に示す従来の注入同期発振装置は、前述し
た第6図と同様の構成の高調波発生器4と、該高調波発
生器4の高調波信号の中から特定周波数(N−f )
のマイクロ波信号を通過させる帯域通過フィルタ8と、
自走周波数N−f 付近で発振している自励発振器9
と、帯域通過フィルタ8の出力を自励発振器9に与える
とともに該自励発振器9の出力を負荷側に出力するサー
キュレータ10とで構成されていた。
た第6図と同様の構成の高調波発生器4と、該高調波発
生器4の高調波信号の中から特定周波数(N−f )
のマイクロ波信号を通過させる帯域通過フィルタ8と、
自走周波数N−f 付近で発振している自励発振器9
と、帯域通過フィルタ8の出力を自励発振器9に与える
とともに該自励発振器9の出力を負荷側に出力するサー
キュレータ10とで構成されていた。
このような注入同期発振装置は、高調波発生器4の出力
の高周波信号のうち、例えばN−f の周波数成分の
みを帯域通過フィルタ8で選択してサーキュレータ10
を介して同期をとって周波数をロックすることにより、
該自励発振器9からサーキュレータ10を経て高安定な
周波数N−f。
の高周波信号のうち、例えばN−f の周波数成分の
みを帯域通過フィルタ8で選択してサーキュレータ10
を介して同期をとって周波数をロックすることにより、
該自励発振器9からサーキュレータ10を経て高安定な
周波数N−f。
のマイクロ波信号を出力する。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来の位相同期発振装置では、回路構成
が複雑で、部品点数が多くなる問題点があった。
が複雑で、部品点数が多くなる問題点があった。
一方、従来の注入同期発振装置では、帯域通過フィルタ
8やサーキュレータ10が必要となり、高価で大型化す
る問題点があった。
8やサーキュレータ10が必要となり、高価で大型化す
る問題点があった。
本発明の目的は、構造を簡易化して小形化及びコストダ
ウンを図ることができる注入同期発振装置を提供するこ
とにある。
ウンを図ることができる注入同期発振装置を提供するこ
とにある。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明は高調波発生器から出力される高調波信号のう
ちの特定周波数のマイクロ波信号を自励発振器に注入し
て、該自励発振器の発振周波数をロックすることにより
該自励発振器から安定した特定周波数のマイクロ波信号
を出力する注入同期発振装置において、前記自励発振器
として誘電体共振器発振器が用いられ、前記高周波発生
器の出力端にはマイクロストリップラインの一端が接続
され、前記マイクロストリップラインの他端には終端抵
抗が接続され、前記マイクロストリップラインと前記誘
電体共振器発振器の誘電体共振器とが磁界結合されてい
ることを特徴とする。
、本発明は高調波発生器から出力される高調波信号のう
ちの特定周波数のマイクロ波信号を自励発振器に注入し
て、該自励発振器の発振周波数をロックすることにより
該自励発振器から安定した特定周波数のマイクロ波信号
を出力する注入同期発振装置において、前記自励発振器
として誘電体共振器発振器が用いられ、前記高周波発生
器の出力端にはマイクロストリップラインの一端が接続
され、前記マイクロストリップラインの他端には終端抵
抗が接続され、前記マイクロストリップラインと前記誘
電体共振器発振器の誘電体共振器とが磁界結合されてい
ることを特徴とする。
[作用]
このように高調波発生器の出力の一部をマイクロストリ
ップラインで誘電体共振器発振器の誘電体共振器に磁界
結合させているので、サーキュレータが不要である。ま
た、誘電体共振器が帯域通過フィルタの役目をするので
、帯域通過フィルタも不要となる。
ップラインで誘電体共振器発振器の誘電体共振器に磁界
結合させているので、サーキュレータが不要である。ま
た、誘電体共振器が帯域通過フィルタの役目をするので
、帯域通過フィルタも不要となる。
[実施例コ
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明に係る注入同期発振装置の第1実施例
を示したものである。なお、前述した第6図及び第7図
と対応する部分には、同一符号を付けて示している。本
実施例では、自励発振器9として誘電体共振器発振器(
以下、DROと称する)を用いている。該DRO9は、
誘電体共振器11と、該誘電体共振器11に磁界結合さ
れたマイクロストリップライン12と、該マイクロスト
リップライン12の一端に接続された終端抵抗13と、
該マイクロストリップライン12の他端にゲートが接続
された電界効果トランジスタ(以下、FETという)1
4と、該FET14のドレインに接続された174波長
の長さのオープンスタブ15と、該FET14のドレイ
ンに一端が接続され他端が直流電源端子16に接続され
た高周波チョークコイル17と、該高周波チョークコイ
ル17と直流電源入力端子16との接続点に一端が接続
され他端が接地されたコンデンサ18と、FET14の
ソースに一端が接続されたインダクタンス素子19と、
該インダクタンス素子19の他端に一端が接続され他端
が接地されたバイアス抵抗20と、該バイアス抵抗20
に並列接続されたバイパスコンデンサ21と、FET1
4のソースとインダクタンス素子19との接続点に一端
が接続され他端が出力端子22に接続された直流遮断用
コンデンサ23とで構成されている。
を示したものである。なお、前述した第6図及び第7図
と対応する部分には、同一符号を付けて示している。本
実施例では、自励発振器9として誘電体共振器発振器(
以下、DROと称する)を用いている。該DRO9は、
誘電体共振器11と、該誘電体共振器11に磁界結合さ
れたマイクロストリップライン12と、該マイクロスト
リップライン12の一端に接続された終端抵抗13と、
該マイクロストリップライン12の他端にゲートが接続
された電界効果トランジスタ(以下、FETという)1
4と、該FET14のドレインに接続された174波長
の長さのオープンスタブ15と、該FET14のドレイ
ンに一端が接続され他端が直流電源端子16に接続され
た高周波チョークコイル17と、該高周波チョークコイ
ル17と直流電源入力端子16との接続点に一端が接続
され他端が接地されたコンデンサ18と、FET14の
ソースに一端が接続されたインダクタンス素子19と、
該インダクタンス素子19の他端に一端が接続され他端
が接地されたバイアス抵抗20と、該バイアス抵抗20
に並列接続されたバイパスコンデンサ21と、FET1
4のソースとインダクタンス素子19との接続点に一端
が接続され他端が出力端子22に接続された直流遮断用
コンデンサ23とで構成されている。
また、本実施例では、高調波発生器4の出力端にマイク
ロストリップライン24の一端が接続され、該マイクロ
ストリップライン24の他端に50Ωの終端抵抗25が
接続されている。
ロストリップライン24の一端が接続され、該マイクロ
ストリップライン24の他端に50Ωの終端抵抗25が
接続されている。
そして、該マイクロストリップライン24と誘電体共振
器11とが磁界結合されている。
器11とが磁界結合されている。
このような構造の注入同期発振装置においては、高調波
発生器4からの高周波信号のうちN−f。
発生器4からの高周波信号のうちN−f。
の周波数成分をマイクロストリップライン24を経て誘
電体共振器11のフィルタ特性を利用してDRO9に入
力する。一方、DRO9においては、FET14のドレ
インにλg/4のオープンスタブ15が接続され、発振
周波数帯(N−f)で負性抵抗をもたせ、且つゲートに
Qの高い誘電体共振器(共振周波数N−f)11を装荷
しているので、N−f にほぼ等しい周波数で発振し
ている。
電体共振器11のフィルタ特性を利用してDRO9に入
力する。一方、DRO9においては、FET14のドレ
インにλg/4のオープンスタブ15が接続され、発振
周波数帯(N−f)で負性抵抗をもたせ、且つゲートに
Qの高い誘電体共振器(共振周波数N−f)11を装荷
しているので、N−f にほぼ等しい周波数で発振し
ている。
かかる状態で、マイクロストリップライン24を経てN
−f、の周波数成分が入力されると、誘電体共振器11
を介してFET14に入力され、注入同期が行われる。
−f、の周波数成分が入力されると、誘電体共振器11
を介してFET14に入力され、注入同期が行われる。
マイクロストリップライン24に伝搬した他の高調波成
分は、終端抵抗25により吸収される。
分は、終端抵抗25により吸収される。
以上の結果として、FET14のソースからは、スプリ
アスの少ない高安定なN−f のマイクロ波信号が出
力されることになる。
アスの少ない高安定なN−f のマイクロ波信号が出
力されることになる。
第2図は、第1実施例の注入同期発振装置の出力をスペ
クトラムアナライザで測定した結果を示したものである
。図において、AはDRO9単体のスペクトラム、Bは
注入同期後のスペクトラムである。図から明らかなよう
に、10KH2離調で約10dB位相雑音が改善されて
いる。
クトラムアナライザで測定した結果を示したものである
。図において、AはDRO9単体のスペクトラム、Bは
注入同期後のスペクトラムである。図から明らかなよう
に、10KH2離調で約10dB位相雑音が改善されて
いる。
第3図は、第1実施例の注入同期発振装置の出力のスプ
リアスをスペクトラムアナライザで測定した結果を示し
たもので、−57dBCMAXである。
リアスをスペクトラムアナライザで測定した結果を示し
たもので、−57dBCMAXである。
誘電体共振器11の位置を検討すれば、更に低いレベル
も可能である。
も可能である。
第4図は、本発明に係る注入同期発振装置の第2実施例
を示したものである。なお、前述した第3図と対応する
部分には、同一符号を付けて示している。本実施例では
、DRO9の発振素子としてガンダイオード26を用い
た例を示したものである。即ち、本実施例では、マイク
ロストリップライン12の他端に直流遮断用コンデンサ
27の一端が接続され、該コンデンサ27の他端にはイ
ンピーダンスチューニング用コイル28の一端が接続さ
れ、該コイル28の他端にはガンダイオード26の一端
が接続され、該ガンダイオード26の他端は接地され、
直流遮断用コンデンサ27とインピーダンスチューニン
グ用コイル28との接続点にはインピーダンスチューニ
ング用コンデンサ29の一端と高周波用チョークコイル
17の一端とがそれぞれ接続され、コンデンサ29の他
端は接地され、チョークコイル17の他端は直流電源端
子16に接続されている。
を示したものである。なお、前述した第3図と対応する
部分には、同一符号を付けて示している。本実施例では
、DRO9の発振素子としてガンダイオード26を用い
た例を示したものである。即ち、本実施例では、マイク
ロストリップライン12の他端に直流遮断用コンデンサ
27の一端が接続され、該コンデンサ27の他端にはイ
ンピーダンスチューニング用コイル28の一端が接続さ
れ、該コイル28の他端にはガンダイオード26の一端
が接続され、該ガンダイオード26の他端は接地され、
直流遮断用コンデンサ27とインピーダンスチューニン
グ用コイル28との接続点にはインピーダンスチューニ
ング用コンデンサ29の一端と高周波用チョークコイル
17の一端とがそれぞれ接続され、コンデンサ29の他
端は接地され、チョークコイル17の他端は直流電源端
子16に接続されている。
このような構造でも、第1実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
とができる。
第5図は、本発明に係る注入同期発振装置の第3実施例
を示したものである。なお、前述した第4図と対応する
部分には、同一符号を付けて示している。本実施例では
、DRO9の発振素子としてバイポーラトランジスタ3
0を用いた例を示したものである。即ち、本実施例では
、直流遮断用コンデンサ27の他端にバイポーラトラン
ジスタ30のベースが接続され、該バイポーラトランジ
スタ30のコレクタには1/4波長のオープンスタブ1
5の一端と高周波チョーク17の一端とが接続され、該
高調波チョーク17の他端は直流電源端子16に接続さ
れ、該バイポーラトランジスタ30のエミッタにはバイ
アス抵抗20の一端が接続され、該バイアス抵抗20の
他端は接地され、該バイポーラトランジスタ30のエミ
ッタとバイアス抵抗20の接続点には直流遮断用コンデ
ンサ23の一端が接続され、該コンデンサ23の他端は
出力端子22に接続され、該バイポーラトランジスタ3
0のベースにはバイアス抵抗31.32の各一端が接続
され、バイアス抵抗32の他端はオープンスタブ15と
高周波チョークコイル17との接続点に接続されている
。
を示したものである。なお、前述した第4図と対応する
部分には、同一符号を付けて示している。本実施例では
、DRO9の発振素子としてバイポーラトランジスタ3
0を用いた例を示したものである。即ち、本実施例では
、直流遮断用コンデンサ27の他端にバイポーラトラン
ジスタ30のベースが接続され、該バイポーラトランジ
スタ30のコレクタには1/4波長のオープンスタブ1
5の一端と高周波チョーク17の一端とが接続され、該
高調波チョーク17の他端は直流電源端子16に接続さ
れ、該バイポーラトランジスタ30のエミッタにはバイ
アス抵抗20の一端が接続され、該バイアス抵抗20の
他端は接地され、該バイポーラトランジスタ30のエミ
ッタとバイアス抵抗20の接続点には直流遮断用コンデ
ンサ23の一端が接続され、該コンデンサ23の他端は
出力端子22に接続され、該バイポーラトランジスタ3
0のベースにはバイアス抵抗31.32の各一端が接続
され、バイアス抵抗32の他端はオープンスタブ15と
高周波チョークコイル17との接続点に接続されている
。
このような構造でも、第1実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
とができる。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明に係る注入同期発振装置では
、自励発振器として誘電体共振器発振器を用い、高調波
信号発生器の出力をマイクロストリップラインで誘電体
共振器発振器の誘電体共振器に磁界結合させているので
、サーキュレータが不要となる利点がある。また、誘電
体共振器が帯域通過フィルタの役目をするので、帯域通
過フィルタも不要となる利点がある。従って、本発明の
注入同期発振装置によれば、サーキュレータと帯域通過
フィルタとが不要となるので、コストダウンが図れ、且
つ小形化を図ることができる。
、自励発振器として誘電体共振器発振器を用い、高調波
信号発生器の出力をマイクロストリップラインで誘電体
共振器発振器の誘電体共振器に磁界結合させているので
、サーキュレータが不要となる利点がある。また、誘電
体共振器が帯域通過フィルタの役目をするので、帯域通
過フィルタも不要となる利点がある。従って、本発明の
注入同期発振装置によれば、サーキュレータと帯域通過
フィルタとが不要となるので、コストダウンが図れ、且
つ小形化を図ることができる。
第1図は本発明に係る注入同期発振装置の第1実施例の
回路図、第2図及び第3図は第1実施例の装置の出力波
形図、第4図及び第5図は本発明に係る注入同期発振装
置の第2.第3実施例の回路図、第6図は従来の位相同
期発振装置の回路図、第7図は従来の注入同期発振装置
の回路図である。 1・・・水晶発振器、2・・・増幅器、3・・・ステッ
プリカバリダイオード、4・・・高調波発生器、8・・
・帯域通過フィルタ、9・・・誘電体共振器発振器(自
動発振器)、10・・・サーキュレタ、11・・・誘電
体共振器、12・・・マイクロストリップライン、13
・・・終端抵抗、14・・・電界効果トランジスタ、1
5・・・オープンスタブ、16・・・直流電源端子、1
7・・・高周波チョークコイル、18・・・コンデンサ
、19・・・インダクタンス素子、20・・・バイアス
抵抗、21・・・バイパスコンデンサ、−22・・・出
力端子、23・・・直流遮断用コンデンサ、24・・・
マイクロストリップライン、25・・・終端抵抗、26
・・・ガンダイオード、27・・・直流遮断用コンデン
サ、28・・・インピーダンスチューニング用コイル、
29・・・インピーダンスチューニング用コンデンサ、
30・・・バイポーラ第 図 第 図 周 殿 叔 第 図 第 図
回路図、第2図及び第3図は第1実施例の装置の出力波
形図、第4図及び第5図は本発明に係る注入同期発振装
置の第2.第3実施例の回路図、第6図は従来の位相同
期発振装置の回路図、第7図は従来の注入同期発振装置
の回路図である。 1・・・水晶発振器、2・・・増幅器、3・・・ステッ
プリカバリダイオード、4・・・高調波発生器、8・・
・帯域通過フィルタ、9・・・誘電体共振器発振器(自
動発振器)、10・・・サーキュレタ、11・・・誘電
体共振器、12・・・マイクロストリップライン、13
・・・終端抵抗、14・・・電界効果トランジスタ、1
5・・・オープンスタブ、16・・・直流電源端子、1
7・・・高周波チョークコイル、18・・・コンデンサ
、19・・・インダクタンス素子、20・・・バイアス
抵抗、21・・・バイパスコンデンサ、−22・・・出
力端子、23・・・直流遮断用コンデンサ、24・・・
マイクロストリップライン、25・・・終端抵抗、26
・・・ガンダイオード、27・・・直流遮断用コンデン
サ、28・・・インピーダンスチューニング用コイル、
29・・・インピーダンスチューニング用コンデンサ、
30・・・バイポーラ第 図 第 図 周 殿 叔 第 図 第 図
Claims (1)
- 高調波発生器から出力される高調波信号のうちの特定
周波数のマイクロ波信号を自励発振器に注入して、該自
励発振器の発振周波数をロックすることにより該自励発
振器から安定した特定周波数のマイクロ波信号を出力す
る注入同期発振装置において、前記自励発振器として誘
電体共振器発振器が用いられ、前記高周波発生器の出力
端にはマイクロストリップラインの一端が接続され、前
記マイクロストリップラインの他端には終端抵抗が接続
され、前記マイクロストリップラインと前記誘電体共振
器発振器の誘電体共振器とが磁界結合されていることを
特徴とする注入同期発振装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2149390A JP2577106B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 注入同期発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2149390A JP2577106B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 注入同期発振装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03227124A true JPH03227124A (ja) | 1991-10-08 |
JP2577106B2 JP2577106B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=12056500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2149390A Expired - Fee Related JP2577106B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 注入同期発振装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2577106B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05218745A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入同期形プッシュプッシュ逓倍発振器 |
JPH0697736A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入同期形逓倍発振器 |
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JP2013005279A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 注入同期発振器 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2149390A patent/JP2577106B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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