JPS593883B2 - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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Publication number
JPS593883B2
JPS593883B2 JP51141018A JP14101876A JPS593883B2 JP S593883 B2 JPS593883 B2 JP S593883B2 JP 51141018 A JP51141018 A JP 51141018A JP 14101876 A JP14101876 A JP 14101876A JP S593883 B2 JPS593883 B2 JP S593883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
microwave
wavelength
bias
bias circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP51141018A
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English (en)
Other versions
JPS5365613A (en
Inventor
勉 神野
秀夫 菅原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5365613A publication Critical patent/JPS5365613A/ja
Publication of JPS593883B2 publication Critical patent/JPS593883B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2007—Filtering devices for biasing networks or DC returns

Landscapes

  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマイクロ波増幅回路等のバイアス回路に関し、
更に詳しくはマイクロ波帯安定化回路を備えたバイアス
回路に関するものである。
一般にマイクロ波増幅回路においては、１段もしくは多
段のマイクロ波増幅器のインピーダンス整合の目的でマ
ツチング回路が用いられる。
しかし、このマツチング回路では一般に信号帯域よりは
るかに低い周波数では不整合であり、その反射波のまわ
り込みによって低周波スプリアス発振を発生する場合が
ある。
この発振を防止し、広い範囲にわたって整合がとれるマ
イクロ波帯安定化回路が提案されている。
即ち、第１図の破線円回路１０ばこのマイクロ波帯安定
化回路の構成を示すものであり、２分の１波長線路のス
トリップライン１と該ストリップライン１０両端にπ型
に接続された２分の１波長のオープンスタブ２，３と集
中定数抵抗４，５の直列回路とにより構成される。
ストリップライン１の特性インピーダンスをＲ１とすれ
ば、゛その入力インピーダンスＺｉｎは負荷抵抗をＲ１
，、としたとき である。
この式においてとして表わされるからＲ１〜Ｒｏの場合
、この伝送線路は帯域通過特性を示す。
またオープンスタブ２および３の長さは左！であり、且
つ特性インピ−ダンスをＲ２とし抵抗４および５の値を
γとすれば、ストリップライン２および３のインピーダ
ンスＺば （ここにおいて で表わされるから、中心波長λｇに対してインピーダン
スは無限大であり、帯域外でインピーダンスは減少して
抵抗ｒに漸近する。
このようにπ型回路を構成することによって帯域通過特
性をもたせることができ、帯域外の信号は抵抗ｒに消費
される。
第１図において、６はマイクロ波入力端子、７はマイク
ロ波出力端子でありば該マイクロ波出力端子７は通常マ
ツチング回路を介してマイクロ波増幅器を構成するトラ
ンジスタのベース等に接続される。
８は直流阻止コンデンサ、９は直流バイアス電源、１１
はコイル、１２は２分の１波長のオープンスタブをそれ
ぞれ示し、前記マイクロ波出力端子７に接続されるマイ
クロ波増幅器の直流バイアスがオープンスタブ１２の中
間点より供給される。
本発明は第１図の回路構成を簡単化しうるバイアス回路
を提供することを目的とするものであり、そしてこの目
的は本発明によれば、マイクロ波能動素子の前段に設け
られ、且つ通過すべき中心周波数の波長λｇに対して２
分１波長線路のストリップラインと、該ストリップライ
ンの両端にπ型に接続された集中定数抵抗と波長λｇに
対して２分の１波長のオープンスタブとの直列回路から
成る１対のマイクロ波安定化回路とを有し、更に前記オ
ープンスタブのいずれか一方の中間点より前記マイクロ
波能動素子へのバイアス供給を行なうようにしたことを
特徴とするバイアス回路を提供することによって達成さ
れる。
以下、本発明実施例を図面に従って詳述する。
第２図は本発明実施例によるバイアス回路の構成を示す
ものであり、同図において第１図と同一番号を付した個
所は同一のものであることを示す。
第２図が第１図と異なるのは、従来のバイアス回路の一
部をマイクロ波帯安定化回路１０のオープンスタブ２（
オープンスタブ３でもよい）で代用したことである。
即ち、直流バイアス電源９からコイル１１を介して２分
の１波長のオープンスタブ２の中間点に直流バイアス２
が供給されるものである。
向、オープンスタブ２の中間点にバイアスを供給する理
由はコイル１１の高周波特性への影響を防ぐためである
。
即ち帯域内でオープンスタブ２は共振するので、その中
間点においては高周波特性への影響はない。
第３図は第２図における出力端子７より見た挿入損失（
破線）及び反射損失（実線）の特性を示すものであり、
良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のバイアス回路の構成を示す図、第２図は
本発明実施例によるバイアス回路の構成を示す図、第３
図は第２図の特性を示す図である。 図面において、１は２分の１波長のストリップライン、
２，３は２分の１波長のオープンスタブ、４．５は集中
定数抵抗、９は直流バイアス電源、１０はマイクロ波帯
安定化回路、１１はコイルをそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ マイクロ波能動素子の前段に設けられ、且つ通過す
    べき中心周波数の波長λｇに対して２分の１波長線路の
    ストリップラインと、該ストリップラインの両端にπ型
    に接続された集中定数抵抗と波長λｇに対して２分の１
    波長のオープンスタブとの直列回路から成る１対のマイ
    クロ波安定化回路とを有し、更に前記オープンスタブの
    いずれか一方の中間点より前記マイクロ波能動素子への
    バイアス供給を行なうようにしたことを特徴とするバイ
    アス回路。
JP51141018A 1976-11-24 1976-11-24 バイアス回路 Expired JPS593883B2 (ja)

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JP51141018A JPS593883B2 (ja) 1976-11-24 1976-11-24 バイアス回路

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JPS5365613A JPS5365613A (en) 1978-06-12
JPS593883B2 true JPS593883B2 (ja) 1984-01-26

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57115852A (en) * 1981-01-10 1982-07-19 Mitsubishi Electric Corp Microwave transistor mount
JPS58101501U (ja) * 1981-12-29 1983-07-11 富士通株式会社 バイアス回路
US4754229A (en) * 1986-01-08 1988-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Matching circuit for a microwave device

Also Published As

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JPS5365613A (en) 1978-06-12

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