JPS58127419A - Ｆｅｔ増幅器 - Google Patents
Ｆｅｔ増幅器Info
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- JPS58127419A JPS58127419A JP990982A JP990982A JPS58127419A JP S58127419 A JPS58127419 A JP S58127419A JP 990982 A JP990982 A JP 990982A JP 990982 A JP990982 A JP 990982A JP S58127419 A JPS58127419 A JP S58127419A
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- conductor
- capacitor
- impedance
- fet
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＦＥＴの入出力整合回路をマイクロストリッ
プで構成したマイクロ波帯のＦＥＴ増幅器に関するもの
である。
プで構成したマイクロ波帯のＦＥＴ増幅器に関するもの
である。
なおここでは説明を簡単にするために低周波帯で安定係
数が１以下、またマイクロ波帯で１以上となるようなＦ
ＩＴを使用した場合について示しである。
数が１以下、またマイクロ波帯で１以上となるようなＦ
ＩＴを使用した場合について示しである。
第１図（ａｌは従来のＦＥＴ増幅器の正面図、第１図（
１））は第１図（ａｌのマイクロ波帯での叫価回路。
１））は第１図（ａｌのマイクロ波帯での叫価回路。
第１図（Ｃ）は第１図（ａｌの低周波帯での等価回路で
ある。
ある。
第１図（ａｌにおいて（１）はＦＥＴ、（２１はゲート
端子、（３）はソース端子、（４）はドレイン端子、＋
５１゜（６１，（７１はストリップ導体、（８）は誘電
体基板、（９）は接地導体、 Ｑ（Ｉはバイアス端子、
Ｕは抵抗、 Ｑ３はコンデンサである。
端子、（３）はソース端子、（４）はドレイン端子、＋
５１゜（６１，（７１はストリップ導体、（８）は誘電
体基板、（９）は接地導体、 Ｑ（Ｉはバイアス端子、
Ｕは抵抗、 Ｑ３はコンデンサである。
Ｆ 、Ｅ Ｔ （１１のゲート端子（２）とストリップ
導体（５）の一端、ドレイン端子（４）とストリップ導
体（６）の一端、ソース端子（３）と接地導体（９）と
はそれぞれ半田付等で接続されている。ストリップ導体
（７）の一端はストリップ導体（５）に、他の一端はバ
イアス端子α・に接続されバイアス端子（ＩＱと接地導
体（９）との間には抵抗ａＤとコンデンサａＺとが並列
に接続されている。もう１つのストリップ導体（７）の
一端はストリップ導体（６）に接続されており。
導体（５）の一端、ドレイン端子（４）とストリップ導
体（６）の一端、ソース端子（３）と接地導体（９）と
はそれぞれ半田付等で接続されている。ストリップ導体
（７）の一端はストリップ導体（５）に、他の一端はバ
イアス端子α・に接続されバイアス端子（ＩＱと接地導
体（９）との間には抵抗ａＤとコンデンサａＺとが並列
に接続されている。もう１つのストリップ導体（７）の
一端はストリップ導体（６）に接続されており。
他の一端はコンデンサα２を介して接地導体（９）に接
続されている。バイアス端子ａｔｔはＦＫＴＫ適当なバ
イアス電圧を印加するための端子であり。
続されている。バイアス端子ａｔｔはＦＫＴＫ適当なバ
イアス電圧を印加するための端子であり。
＠Ｒ電淵（接続されている。さらにストリップ導体＋５
１．１６１の他の一端はそれぞれ１１源と負荷に接続さ
れている。
１．１６１の他の一端はそれぞれ１１源と負荷に接続さ
れている。
マイクロ波帯での第１図（ａｌの擲価回路を第１図Ｔｂ
ｌに示す。この図においてα３は入力整合回路。
ｌに示す。この図においてα３は入力整合回路。
Ｃ４１は出力整合回路、ａＳはバイアス線路である。
人力整合回路０３は重湯インピーダンスとＦＩＴ（１）
の入力インピーダンスとを整合させる働きを有し、ス）
ＩＪツブ導体（５）、誘電体基板（８）、接地導体（
９）とからなるマイクロストリップで構成されている。
の入力インピーダンスとを整合させる働きを有し、ス）
ＩＪツブ導体（５）、誘電体基板（８）、接地導体（
９）とからなるマイクロストリップで構成されている。
また、出力整合回路α場は負荷インピーダンスとＦ Ｅ
Ｔ （１１の出力インピーダンスとを整合させる働き
を有し、ストリップ導体（６）、誘電体基板（８）、接
地導体（９）とからなるマイクロストリップで構成され
ている。さらにバイアス線路（１５１はス） ＩＪツブ
導体（７）、誘電体基板（８）および接地導体（９）と
からなるマイクロストリップで構成されておシ、バイア
ス線路ａ９の長さは１／４波長に選んでいる。
Ｔ （１１の出力インピーダンスとを整合させる働き
を有し、ストリップ導体（６）、誘電体基板（８）、接
地導体（９）とからなるマイクロストリップで構成され
ている。さらにバイアス線路（１５１はス） ＩＪツブ
導体（７）、誘電体基板（８）および接地導体（９）と
からなるマイクロストリップで構成されておシ、バイア
ス線路ａ９の長さは１／４波長に選んでいる。
コンデンサ（＋２の容量はりアクタンスがマイクロ波帯
でほぼ零となるように選んでおり、 ＦＫＴ （１１
のゲート端子（２）およびドレイン端子（４）からバイ
アス線路αＳ ａｌを見たインピーダンスはほぼ無限大
となる。従って電源から入射したマイクロ波は入力整合
回路α３を通υ、ＦＥＴ（１１で増幅され、さらに出力
整合回路Ｉを通って負荷へと供給される。
でほぼ零となるように選んでおり、 ＦＫＴ （１１
のゲート端子（２）およびドレイン端子（４）からバイ
アス線路αＳ ａｌを見たインピーダンスはほぼ無限大
となる。従って電源から入射したマイクロ波は入力整合
回路α３を通υ、ＦＥＴ（１１で増幅され、さらに出力
整合回路Ｉを通って負荷へと供給される。
第１図（０１は第１図（ａｌの低周波帯での等価回路で
ある。この図においてＯ＠は電源インピーダンス、αり
は負荷インピーダンスである。ストリップ導体＋５１．
（６１，（７１の長さが波長に比べ十分小さく、コン
デンサα２のりアクタンスが抵抗０１１の値に比べて十
分大きな値を持つ低周波帯においてはＦ Ｅ Ｔ ｆｉ
＋のゲート端子（２）から電源側、ドレイン端子から負
荷側を見たインピーダンスはそれぞれ電源インピーダン
スＧｓ、負荷インピーダンス面で表わされる。また、ゲ
ート端子（２）からストリップ導体（７）側を見たイン
ピーダンスは抵抗０１）として表わすことができる。
ある。この図においてＯ＠は電源インピーダンス、αり
は負荷インピーダンスである。ストリップ導体＋５１．
（６１，（７１の長さが波長に比べ十分小さく、コン
デンサα２のりアクタンスが抵抗０１１の値に比べて十
分大きな値を持つ低周波帯においてはＦ Ｅ Ｔ ｆｉ
＋のゲート端子（２）から電源側、ドレイン端子から負
荷側を見たインピーダンスはそれぞれ電源インピーダン
スＧｓ、負荷インピーダンス面で表わされる。また、ゲ
ート端子（２）からストリップ導体（７）側を見たイン
ピーダンスは抵抗０１）として表わすことができる。
Ｆ Ｅ Ｔ （１１のドレイン端子（４）からＦＥＴ側
を見た反射係数Ｉ’ｏｕｔ は第（１）式で与えられ
る。
を見た反射係数Ｉ’ｏｕｔ は第（１）式で与えられ
る。
ここで８１１ 、８１２ 、８２１ 、８２２はＦ Ｅ
Ｔ ｉｌｌの８パラメータ、１１ＢはＦ Ｅ Ｔ （
１１のゲート端子（２）から電源側を見た反射係数であ
る。
Ｔ ｉｌｌの８パラメータ、１１ＢはＦ Ｅ Ｔ （
１１のゲート端子（２）から電源側を見た反射係数であ
る。
低周波帯で安定動作させるには反射係数ｒｏｕｔと負荷
インピーダンス面との関係を適当に選ぶ必要がある。Ｆ
Ｅ Ｔ （１１の８パラメータ、を源インピーダンス
ｒＵｅおよび負荷インピーダンス面は使用するＦ Ｅ
Ｔ （１１，８ｍおよび負荷によって決まる。このよう
な場合、適当な抵抗ａυを用いる事により、負荷インピ
ーダンス■に対して安定となるようなＦｏｎｔ を得
る事ができる。
インピーダンス面との関係を適当に選ぶ必要がある。Ｆ
Ｅ Ｔ （１１の８パラメータ、を源インピーダンス
ｒＵｅおよび負荷インピーダンス面は使用するＦ Ｅ
Ｔ （１１，８ｍおよび負荷によって決まる。このよう
な場合、適当な抵抗ａυを用いる事により、負荷インピ
ーダンス■に対して安定となるようなＦｏｎｔ を得
る事ができる。
’＊ｆｐインピーダンスは通常５０Ω である。しかし
ＦＥＴ増幅器の入力側には導波管が接続されたり、多段
増幅器の場合は他のＦ’ＥＴ増幅器が接続される事があ
る。これらの場合、 ｗ１１！ｌインピーダンスＯｅは
かならずしも５０Ωではなく。
ＦＥＴ増幅器の入力側には導波管が接続されたり、多段
増幅器の場合は他のＦ’ＥＴ増幅器が接続される事があ
る。これらの場合、 ｗ１１！ｌインピーダンスＯｅは
かならずしも５０Ωではなく。
Ｆ’ＢＴ増幅器の入力側に接続されるものによってＦ８
が異なってしまう。このため従来はＦＥＴ増幅器が低周
波帯で安定となるようにＦ８に応じて抵抗ａｔ＋を選択
して使用していた。
が異なってしまう。このため従来はＦＥＴ増幅器が低周
波帯で安定となるようにＦ８に応じて抵抗ａｔ＋を選択
して使用していた。
このようにＦＩＣＴ増幅器の入力側に接続される導波管
のインピーダンスや他のＦＥＴ増幅器のインピーダンス
に応じて抵抗αＢを選択する必要があシ、抵抗圓の選択
が非常にめんどうになる欠点があった。オた。ある１９
インピーダンスαＧに対して抵抗（Ｉｌｌを選択しても
他の電源インピーダンスＱｅになった時に発振する事が
あった。
のインピーダンスや他のＦＥＴ増幅器のインピーダンス
に応じて抵抗αＢを選択する必要があシ、抵抗圓の選択
が非常にめんどうになる欠点があった。オた。ある１９
インピーダンスαＧに対して抵抗（Ｉｌｌを選択しても
他の電源インピーダンスＱｅになった時に発振する事が
あった。
この発明はこれらの欠点を除去するためにＦＥＴ増幅器
の入力整合回路に先端が抵抗とコンデンサとで終端され
た結合線路を用いたもので以下９図面について詳細に説
明する。
の入力整合回路に先端が抵抗とコンデンサとで終端され
た結合線路を用いたもので以下９図面について詳細に説
明する。
第２図（ＩＬ）はこの発明のＦＥＴ増幅器の一実施例の
正面図、第２図（１））は第２図（ａ）のマイクロ波帯
での等価回路、第２図（Ｃ１は第２図（ａｌの低周波帯
での等価回路である。
正面図、第２図（１））は第２図（ａ）のマイクロ波帯
での等価回路、第２図（Ｃ１は第２図（ａｌの低周波帯
での等価回路である。
第２図（ａｌにおいてα目、 ０１はストリップ導体で
ある。ストリップ導体α・の一端はｔＳに接続され、他
の一端はコンデンサＱ２１を介して接地導体（９）に接
続されている。ストリップ導体ａ嘗の一端ｒｄ Ｆ Ｅ
Ｔ ｆｔｌのゲート端子（２）に接続され、他の一端
にはバイアス端子０１が接続されておシ、バイアス端子
α１と接地導体（９）間には抵抗αＢとコンデンサＧ？
とが並列に接続されている。ストリップ導体−と０９と
は所定の間隔を置いて平行に配置されている。
ある。ストリップ導体α・の一端はｔＳに接続され、他
の一端はコンデンサＱ２１を介して接地導体（９）に接
続されている。ストリップ導体ａ嘗の一端ｒｄ Ｆ Ｅ
Ｔ ｆｔｌのゲート端子（２）に接続され、他の一端
にはバイアス端子０１が接続されておシ、バイアス端子
α１と接地導体（９）間には抵抗αＢとコンデンサＧ？
とが並列に接続されている。ストリップ導体−と０９と
は所定の間隔を置いて平行に配置されている。
このＦＥＴ増幅器のマイクロ波帯での等価回路は第２図
（ｂ）のように表わされる。この図において乃は結合線
路である。コンデンサαりの容量はマイクロ波帯でリア
クタンスがほぼ零となるような値に選んであるため、ス
トリップ導体（Ｌ転Ｇｇ、誘電体基板（８）および接地
導体（９）で先端短絡の結合線路■を形成する事ができ
る。
（ｂ）のように表わされる。この図において乃は結合線
路である。コンデンサαりの容量はマイクロ波帯でリア
クタンスがほぼ零となるような値に選んであるため、ス
トリップ導体（Ｌ転Ｇｇ、誘電体基板（８）および接地
導体（９）で先端短絡の結合線路■を形成する事ができ
る。
この結合線路頭は帯域通過フィルタ特性を示すとともに
ストリップ導体（至）、 ＱＳの幅と長さおよびストリ
ップ導体−とα値との間隔を適当な寸法に選ぶ事により
任意の特性インピーダンスを得ることができる。結合線
路（至）の長さを１／４波長に選ぶ事に、よシ、中心周
波数近傍ではある特性インピーダンスを持つ１／４波長
の伝送線路と見なすことができる。
ストリップ導体（至）、 ＱＳの幅と長さおよびストリ
ップ導体−とα値との間隔を適当な寸法に選ぶ事により
任意の特性インピーダンスを得ることができる。結合線
路（至）の長さを１／４波長に選ぶ事に、よシ、中心周
波数近傍ではある特性インピーダンスを持つ１／４波長
の伝送線路と見なすことができる。
従って結合線路■はＦ Ｅ Ｔ （１１の入力インピー
ダンスと電源インピーダンスとを整合させる入力整合回
路Ｇ３として使用できる。
ダンスと電源インピーダンスとを整合させる入力整合回
路Ｇ３として使用できる。
このように広帯域特性が峨求されない通常のＦＥＴ増幅
器においては整合回路として結合線路■を使用しても所
望の増幅特性を得ることができる。
器においては整合回路として結合線路■を使用しても所
望の増幅特性を得ることができる。
第２図（Ｃ１は低周波帯での縣価回路であり、第２図（
ｂｌの結合線路頭は低周波帯では十分大きな特性インピ
ーダンスを持つため、ＰＫＴＩＩ）のゲート端子（２）
から１１８側を見たインピーダンスは抵抗！１Ｂのみと
なＣ＃ Ｆ８は電源インピーダンスに関係なく抵抗面の
みによって決まる。従って適当な抵抗ａυを選ぶ事によ
りｔ源インピーダンスに関係なく低周波帯で安定にする
事ができる。
ｂｌの結合線路頭は低周波帯では十分大きな特性インピ
ーダンスを持つため、ＰＫＴＩＩ）のゲート端子（２）
から１１８側を見たインピーダンスは抵抗！１Ｂのみと
なＣ＃ Ｆ８は電源インピーダンスに関係なく抵抗面の
みによって決まる。従って適当な抵抗ａυを選ぶ事によ
りｔ源インピーダンスに関係なく低周波帯で安定にする
事ができる。
以上のようにＦＩＣＴ増幅器の入力側に任意のインピー
ダンスを持つものが接続された場合でもＰ Ｅ Ｔ ｆ
ｔｌのゲート端子（２）から電源側を見たインピーダン
スは常に抵抗（１１１のみとなる。このため従来のよう
にＦＥＴ増幅器の入力−に接続される導波管、他のＦＥ
Ｔ増幅器のインピーダンスに応じて抵抗仙を選ぶ８豐が
ない利点があシ。
ダンスを持つものが接続された場合でもＰ Ｅ Ｔ ｆ
ｔｌのゲート端子（２）から電源側を見たインピーダン
スは常に抵抗（１１１のみとなる。このため従来のよう
にＦＥＴ増幅器の入力−に接続される導波管、他のＦＥ
Ｔ増幅器のインピーダンスに応じて抵抗仙を選ぶ８豐が
ない利点があシ。
非常に安定なＦＥＴ増幅器を得る事ができる。
第３図、第４図、第５図はこの発明の他の実施例である
。第３図に示すように抵抗ａｎはコンデンサα２を介し
て接地導体（９）に接続しても良い。
。第３図に示すように抵抗ａｎはコンデンサα２を介し
て接地導体（９）に接続しても良い。
また、第４図に示すようにストリップ導体−の一端にバ
イアス回路を設け、バイアス回路αｅと接地導体（９）
との間には抵抗ｏｎとコンデンサＯ２とが並列に接続さ
れたものであっても良い。さらに第５図のように抵抗α
Ｂおよびコンデンサα２はスルホールメッキあるいはボ
ンディングを施こした貫通孔０１１を介して接地導体（
９）に接続した場合であっても良い。
イアス回路を設け、バイアス回路αｅと接地導体（９）
との間には抵抗ｏｎとコンデンサＯ２とが並列に接続さ
れたものであっても良い。さらに第５図のように抵抗α
Ｂおよびコンデンサα２はスルホールメッキあるいはボ
ンディングを施こした貫通孔０１１を介して接地導体（
９）に接続した場合であっても良い。
なお０以上は結合線路を入力整合回路に使用した場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限らず出力整合回
路に使用しても良く、多段増幅器の場合は股間に使用し
ても良い。また結合線路をマイクロストリップで構成し
た場合について説明したがストリップ線路で構成しても
この発明に変わりはない。
ついて説明したが、この発明はこれに限らず出力整合回
路に使用しても良く、多段増幅器の場合は股間に使用し
ても良い。また結合線路をマイクロストリップで構成し
た場合について説明したがストリップ線路で構成しても
この発明に変わりはない。
以上のように、この発明によれば先端を抵抗とコンデン
サとで終端した結合線路をＴｉ’ Ｅ Ｔ増幅器の整合
回路として使用する事により、マイクロ波帯で所望の増
ＩｌＢ！特性が得られるとともに。
サとで終端した結合線路をＴｉ’ Ｅ Ｔ増幅器の整合
回路として使用する事により、マイクロ波帯で所望の増
ＩｌＢ！特性が得られるとともに。
低周波帯で安定なＦＥＴ増幅器を得る事ができる。しか
も従来のようにＦＥＴ増幅器の入力側に接続される導波
管や他のＦＩＩＣＴ増幅器のインピーダンスに応じて抵
抗を選ぶ必豐がなくなシ。
も従来のようにＦＥＴ増幅器の入力側に接続される導波
管や他のＦＩＩＣＴ増幅器のインピーダンスに応じて抵
抗を選ぶ必豐がなくなシ。
設計が非常に簡単になる。
第１図（ａｌは従来のＦＥＴ増幅器の正面図、ＷＸｉ図
（ｋｌ）は第１図（ａｌのマイクロ波帯での等価回路図
、第１図（ＣＩは第１図ｅ）の低周波帯での等価回略図
、第２図（ａ）はこの発明のＦＥＴ増幅器の一実施例の
正面図１．第２図（１）ｌは第２図（ａ）のマイクロ波
帯での等価回路図、第２図（ｃ）は第２図（ａｌの低周
波帯での等価回路図、第３図、第４図、第５図はこの発
明のＦＥＴ増幅器の他の実施例の正面図である。 図において、（１）はＦＥＴ、（２１＃：ｔゲート端子
。 （３）はソース端子、（４）はドレイン端子、 ＋５１
． （６）。 （７）はス） ＩＪツブ導体、（８）は誘電体基板、（
９）は接地導体、 （１Ｇはバイアス端子、α１）は抵
抗、 Ｑ２はコンデンサ、０３は入力整合回路、αΦは
出力整合回路、止はバイアス線路、ａυは１１源インピ
ーダンス、０７１は負荷インピーダンス、α樽、αｇは
ストリップ導体、■は結合線路、 ２１１は貫通孔であ
る。 なお１図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − １１３図 １！４図
（ｋｌ）は第１図（ａｌのマイクロ波帯での等価回路図
、第１図（ＣＩは第１図ｅ）の低周波帯での等価回略図
、第２図（ａ）はこの発明のＦＥＴ増幅器の一実施例の
正面図１．第２図（１）ｌは第２図（ａ）のマイクロ波
帯での等価回路図、第２図（ｃ）は第２図（ａｌの低周
波帯での等価回路図、第３図、第４図、第５図はこの発
明のＦＥＴ増幅器の他の実施例の正面図である。 図において、（１）はＦＥＴ、（２１＃：ｔゲート端子
。 （３）はソース端子、（４）はドレイン端子、 ＋５１
． （６）。 （７）はス） ＩＪツブ導体、（８）は誘電体基板、（
９）は接地導体、 （１Ｇはバイアス端子、α１）は抵
抗、 Ｑ２はコンデンサ、０３は入力整合回路、αΦは
出力整合回路、止はバイアス線路、ａυは１１源インピ
ーダンス、０７１は負荷インピーダンス、α樽、αｇは
ストリップ導体、■は結合線路、 ２１１は貫通孔であ
る。 なお１図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − １１３図 １！４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロストリップで構成された整合回路と。 ＦＥＴとからなるマイクロ波帯のＦＥＴ増幅器において
、誘電体基板上に設けられたス） ＩＪツブ導体の一端
をコンデンサを介して接地するとともに、上記ストリッ
プ導体に所定の間隔を置いて平行に設けられた他のスト
リップ導体の一端を抵抗とコンデンサとで終端し、さら
に上記他のストリップ導体の他の一端と上記ＦＥＴの所
定の端子とを接続したことを特徴とするＦＥＴ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP990982A JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP990982A JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127419A true JPS58127419A (ja) | 1983-07-29 |
| JPH0442845B2 JPH0442845B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=11733230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP990982A Granted JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033715A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増巾装置 |
| JP2003502977A (ja) * | 1999-06-17 | 2003-01-21 | マルコニ データ システムズ リミテッド | 超再生型ａｍ復調器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869678A (en) * | 1973-12-18 | 1975-03-04 | Rca Corp | Multiple transistor microwave amplifier |
| JPS5515847U (ja) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5194598A (ja) * | 1975-02-17 | 1976-08-19 | Kanshitsuteikotai |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP990982A patent/JPS58127419A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869678A (en) * | 1973-12-18 | 1975-03-04 | Rca Corp | Multiple transistor microwave amplifier |
| JPS5515847U (ja) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6033715A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増巾装置 |
| JP2003502977A (ja) * | 1999-06-17 | 2003-01-21 | マルコニ データ システムズ リミテッド | 超再生型ａｍ復調器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442845B2 (ja) | 1992-07-14 |
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