JPH09260975A - 高出力電力増幅器 - Google Patents
高出力電力増幅器Info
- Publication number
- JPH09260975A JPH09260975A JP6240696A JP6240696A JPH09260975A JP H09260975 A JPH09260975 A JP H09260975A JP 6240696 A JP6240696 A JP 6240696A JP 6240696 A JP6240696 A JP 6240696A JP H09260975 A JPH09260975 A JP H09260975A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- open
- bonding
- strip line
- power amplifier
- output power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オープンスタブの組み合わせを変更するだけ
で所望の中心周波数を得ることができる高出力電力増幅
器を提供することである。 【解決手段】 ボンディングによりＧａＡｓチップ２が
接続されているＲＦストリップライン５にその両側から
オープンスタブ６がボンディング４により接続されてい
る。左右の両オープンスタブ６は複数個に分割されて形
成され、分割された各オープンスタブが互いにボンディ
ング４により電気的に接続されている。
で所望の中心周波数を得ることができる高出力電力増幅
器を提供することである。 【解決手段】 ボンディングによりＧａＡｓチップ２が
接続されているＲＦストリップライン５にその両側から
オープンスタブ６がボンディング４により接続されてい
る。左右の両オープンスタブ６は複数個に分割されて形
成され、分割された各オープンスタブが互いにボンディ
ング４により電気的に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は所定の周波数帯域に
おいて最大電力を得るための高出力電力増幅器に関する
ものである。
おいて最大電力を得るための高出力電力増幅器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高出力電力増幅器は、図２に示す
ようにゲート端子２７より入力された信号がＧａＡｓチ
ップ２２のインピーダンスに整合された入力整合回路を
通過し、ＧａＡｓチップ２２で増幅された後、出力側基
板２３上に形成されたＲＦストリップラインを通過して
ドレイン端子に達する。この際、出力側基板２３上に形
成されたオープンスタブ２６は使用周波数において最大
電力が得られるように決定されている。以下、この従来
技術を第１の従来技術と呼ぶ。
ようにゲート端子２７より入力された信号がＧａＡｓチ
ップ２２のインピーダンスに整合された入力整合回路を
通過し、ＧａＡｓチップ２２で増幅された後、出力側基
板２３上に形成されたＲＦストリップラインを通過して
ドレイン端子に達する。この際、出力側基板２３上に形
成されたオープンスタブ２６は使用周波数において最大
電力が得られるように決定されている。以下、この従来
技術を第１の従来技術と呼ぶ。
【０００３】又、特開平１−１５５７０１号公報には、
マイクロ波を伝送するストリップラインに誘電体共振器
を結合し、前記ストリップラインと前記誘電体共振器の
結合点から８分の１波長の位置に一対のオープンスタブ
を設けて構成される誘電体帯域除去フィルタの帯域幅の
可変機構が開示されている。この誘電体帯域除去フィル
タは、前記ストリップラインと前記誘電体共振器の結合
点から負荷抵抗を見たインピーダンスは、常にある値の
純抵抗に見え、かつ１対のオープンスタブの長さを変化
することにより、前記ストリップラインと前記誘電体共
振器の結合量が変化し帯域除去フィルタの減衰帯域幅を
変化させることができる。以下、この従来技術を第２の
従来技術と呼ぶ。
マイクロ波を伝送するストリップラインに誘電体共振器
を結合し、前記ストリップラインと前記誘電体共振器の
結合点から８分の１波長の位置に一対のオープンスタブ
を設けて構成される誘電体帯域除去フィルタの帯域幅の
可変機構が開示されている。この誘電体帯域除去フィル
タは、前記ストリップラインと前記誘電体共振器の結合
点から負荷抵抗を見たインピーダンスは、常にある値の
純抵抗に見え、かつ１対のオープンスタブの長さを変化
することにより、前記ストリップラインと前記誘電体共
振器の結合量が変化し帯域除去フィルタの減衰帯域幅を
変化させることができる。以下、この従来技術を第２の
従来技術と呼ぶ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た第１の従来技術では、使用周波数帯域を変えたい場合
にはオープンスタブの形状を変えると共に、そのオープ
ンスタブの形状にあわせた形状の基板を新たに作成しな
ければならなかった。
た第１の従来技術では、使用周波数帯域を変えたい場合
にはオープンスタブの形状を変えると共に、そのオープ
ンスタブの形状にあわせた形状の基板を新たに作成しな
ければならなかった。
【０００５】又、上記した第２の従来技術では、結合量
を変化させ帯域除去フィルタの減衰帯域幅を変化するも
のであって中心周波数を変化するものではない。したが
って中心周波数を変化させたい場合には共振周波数を変
える必要があるため、誘電体共振器そのものを変えなけ
ればならないという問題が生ずる。
を変化させ帯域除去フィルタの減衰帯域幅を変化するも
のであって中心周波数を変化するものではない。したが
って中心周波数を変化させたい場合には共振周波数を変
える必要があるため、誘電体共振器そのものを変えなけ
ればならないという問題が生ずる。
【０００６】本発明の課題は、オープンスタブの組み合
わせを変更するだけで所望の中心周波数を得ることがで
きる高出力電力増幅器を提供することである。
わせを変更するだけで所望の中心周波数を得ることがで
きる高出力電力増幅器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ボンデ
ィングによりＧａＡｓチップが接続されているストリッ
プラインにその両側からオープンスタブがボンディング
により接続されてなる高出力電力増幅器において、前記
左右の両オープンスタブは複数個に分割されて形成さ
れ、分割された各オープンスタブが互いにボンディング
により電気的に接続されてなることを特徴とする高出力
電力増幅器が得られる。
ィングによりＧａＡｓチップが接続されているストリッ
プラインにその両側からオープンスタブがボンディング
により接続されてなる高出力電力増幅器において、前記
左右の両オープンスタブは複数個に分割されて形成さ
れ、分割された各オープンスタブが互いにボンディング
により電気的に接続されてなることを特徴とする高出力
電力増幅器が得られる。
【０００８】又、本発明によれば、ボンディングにより
ＧａＡｓチップが接続されているストリップラインにそ
の両側からオープンスタブがボンディングにより接続さ
れてなる高出力電力増幅器において、前記左右の両オー
プンスタブは複数個に分割されて形成され、分割された
各オープンスタブの少なくとも２つ以上を、所望の中心
周波数を得るように組み合わせて、互いにボンディング
により電気的に接続されてなることを特徴とする高出力
電力増幅器が得られる。
ＧａＡｓチップが接続されているストリップラインにそ
の両側からオープンスタブがボンディングにより接続さ
れてなる高出力電力増幅器において、前記左右の両オー
プンスタブは複数個に分割されて形成され、分割された
各オープンスタブの少なくとも２つ以上を、所望の中心
周波数を得るように組み合わせて、互いにボンディング
により電気的に接続されてなることを特徴とする高出力
電力増幅器が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一
実施の形態における高出力電力増幅器を示した図であ
り、１はパッケージ、２はＧａＡｓチップ、３は出力基
板、４はボンディング、５はＲＦストリップライン、６
はオープンスタブ、７はゲート端子、８はドレイン端
子、９はコンデンサである。
いて図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一
実施の形態における高出力電力増幅器を示した図であ
り、１はパッケージ、２はＧａＡｓチップ、３は出力基
板、４はボンディング、５はＲＦストリップライン、６
はオープンスタブ、７はゲート端子、８はドレイン端
子、９はコンデンサである。
【００１０】ゲート端子７に高周波電力が入力された
後、ＧａＡｓチップ２で増幅される。その後ＧａＡｓチ
ップ２から出力された信号は、出力側基板３上に形成さ
れたＲＦストリップライン５を通過してドレイン端子８
に達する。本実施の形態では、オープンスタブ６は、Ｒ
Ｆストリップライン５を挟んで、左右にそれぞれ３個に
分割されたオープンスタブＡ，Ｂ，Ｃで構成されてい
る。オープンスタブＡ，Ｂ，Ｃは、出力基板３上に分割
されて形成され、互いにボンディング４にて電気的に接
続されている。オープンスタブＡはボンディング４にて
ＲＦストリップライン５に電気的に接続されている。
尚、オープンスタブ６は、ＲＦストリップライン５とグ
ランドの間をコンデンサをかました状態、すなわち並列
Ｃと等価である。
後、ＧａＡｓチップ２で増幅される。その後ＧａＡｓチ
ップ２から出力された信号は、出力側基板３上に形成さ
れたＲＦストリップライン５を通過してドレイン端子８
に達する。本実施の形態では、オープンスタブ６は、Ｒ
Ｆストリップライン５を挟んで、左右にそれぞれ３個に
分割されたオープンスタブＡ，Ｂ，Ｃで構成されてい
る。オープンスタブＡ，Ｂ，Ｃは、出力基板３上に分割
されて形成され、互いにボンディング４にて電気的に接
続されている。オープンスタブＡはボンディング４にて
ＲＦストリップライン５に電気的に接続されている。
尚、オープンスタブ６は、ＲＦストリップライン５とグ
ランドの間をコンデンサをかました状態、すなわち並列
Ｃと等価である。
【００１１】本発明に係る高出力電力増幅器は内部に構
成されたオープンスタブ６とボンディング４により所望
の周波数に整合されている。上記したようにオープンス
タブ６を複数個に分割し、かつボンディング４により接
続し、複数のオープンスタブを、例えばオープンスタブ
Ａ，Ｂ，Ｃを組み合わせて変更することにより周波数帯
域を可変し、所望の中心周波数を得ることができる。
成されたオープンスタブ６とボンディング４により所望
の周波数に整合されている。上記したようにオープンス
タブ６を複数個に分割し、かつボンディング４により接
続し、複数のオープンスタブを、例えばオープンスタブ
Ａ，Ｂ，Ｃを組み合わせて変更することにより周波数帯
域を可変し、所望の中心周波数を得ることができる。
【００１２】尚、オープンスタブＡ，Ｂ，Ｃの組み合わ
せ変更は各オープンスタブ間に形成されているボンディ
ング４を組み合わせたいものどうしに施すことによって
行われる。
せ変更は各オープンスタブ間に形成されているボンディ
ング４を組み合わせたいものどうしに施すことによって
行われる。
【００１３】以下、図２及び図３を参照して本発明によ
る周波数変化の効果について説明する。図２に示すよう
に、オープンスタブの組み合わせによって中心周波数が
変化することがわかる。例えばオープンスタブＡのみの
場合、中心周波数は１．５ＧＨｚとなり、オープンスタ
ブＡとオープンスタブＢを組み合わせた場合には中心周
波数は１．８ＧＨｚとなり、オープンスタブＡとオープ
ンスタブＢとオープンスタブＣを組み合わせた場合には
中心周波数は２．３ＧＨｚとなる。
る周波数変化の効果について説明する。図２に示すよう
に、オープンスタブの組み合わせによって中心周波数が
変化することがわかる。例えばオープンスタブＡのみの
場合、中心周波数は１．５ＧＨｚとなり、オープンスタ
ブＡとオープンスタブＢを組み合わせた場合には中心周
波数は１．８ＧＨｚとなり、オープンスタブＡとオープ
ンスタブＢとオープンスタブＣを組み合わせた場合には
中心周波数は２．３ＧＨｚとなる。
【００１４】図３はスミス図表である。図３からわかる
ように上記した並列Ｃはスミス図表のアドミタンス上を
容量性の方向に向かっているので、並列Ｃが大きければ
より多く容量性に向かうことになる。例えば、オープン
スタブＡとオープンスタブＢとオープンスタブＣを組み
合わせた場合には中心周波数１．５ＧＨｚのときが最も
インピーダンス特性が良いことがわかる。
ように上記した並列Ｃはスミス図表のアドミタンス上を
容量性の方向に向かっているので、並列Ｃが大きければ
より多く容量性に向かうことになる。例えば、オープン
スタブＡとオープンスタブＢとオープンスタブＣを組み
合わせた場合には中心周波数１．５ＧＨｚのときが最も
インピーダンス特性が良いことがわかる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、分割された複数個のオ
ープンスタブを組み合わせることにより、新たに対応す
る出力基板を作成しなくても所望の中心周波数を得るこ
とができる。
ープンスタブを組み合わせることにより、新たに対応す
る出力基板を作成しなくても所望の中心周波数を得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態における高出力電力増幅
器を示した図である。
器を示した図である。
【図２】本発明による周波数変化の効果を説明するため
の図である。
の図である。
【図３】本発明による周波数変化の効果を説明するため
の図である。
の図である。
【図４】従来の高出力電力増幅器を示した図である。
１ パッケージ ２ ＧａＡｓチップ ３ 出力基板 ４ ボンディング ５ ＲＦストリップライン ６ オープンスタブ ７ ゲート端子 ８ ドレイン端子 ９ コンデンサ
Claims (2)
- 【請求項１】 ボンディングによりＧａＡｓチップが接
続されているストリップラインにその両側からオープン
スタブがボンディングにより接続されてなる高出力電力
増幅器において、前記左右の両オープンスタブは複数個
に分割されて形成され、分割された各オープンスタブが
互いにボンディングにより電気的に接続されてなること
を特徴とする高出力電力増幅器。 - 【請求項２】 ボンディングによりＧａＡｓチップが接
続されているストリップラインにその両側からオープン
スタブがボンディングにより接続されてなる高出力電力
増幅器において、前記左右の両オープンスタブは複数個
に分割されて形成され、分割された各オープンスタブの
少なくとも２つ以上を、所望の中心周波数を得るように
組み合わせて、互いにボンディングにより電気的に接続
されてなることを特徴とする高出力電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240696A JPH09260975A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 高出力電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240696A JPH09260975A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 高出力電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260975A true JPH09260975A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13199237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6240696A Withdrawn JPH09260975A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 高出力電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10763797B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency power amplifier |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP6240696A patent/JPH09260975A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10763797B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency power amplifier |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |