JPH0442845B2 - - Google Patents
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- JPH0442845B2 JPH0442845B2 JP57009909A JP990982A JPH0442845B2 JP H0442845 B2 JPH0442845 B2 JP H0442845B2 JP 57009909 A JP57009909 A JP 57009909A JP 990982 A JP990982 A JP 990982A JP H0442845 B2 JPH0442845 B2 JP H0442845B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- impedance
- resistor
- capacitor
- terminal
- Prior art date
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- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はFETの入出力整合回路をマイクロ
ストリツプで構成し、約1GHz以上のマイクロ波
帯のFET増幅器に関するものである。
ストリツプで構成し、約1GHz以上のマイクロ波
帯のFET増幅器に関するものである。
マイクロ波帯のFET増幅器は上述のマイクロ
波帯のみでなく約1GHz以下の低周波帯において
も発振することなく安定動作することが要求され
る。従つて、この種の増幅器においては低周波帯
からマイクロ波帯までの広帯域にわたつて安定性
を考慮した回路設計を行う必要がある。
波帯のみでなく約1GHz以下の低周波帯において
も発振することなく安定動作することが要求され
る。従つて、この種の増幅器においては低周波帯
からマイクロ波帯までの広帯域にわたつて安定性
を考慮した回路設計を行う必要がある。
一般にマイクロ波帯のFET増幅器に使用する
FETはマイクロ波帯でも十分な利得を有するも
のが用いらる。この種のFETは低周波帯でより
高い利得が得られ、また、FETのインピーダン
スも非常に高いことから、FET自身が低周波帯
で不安定動作することが多い。
FETはマイクロ波帯でも十分な利得を有するも
のが用いらる。この種のFETは低周波帯でより
高い利得が得られ、また、FETのインピーダン
スも非常に高いことから、FET自身が低周波帯
で不安定動作することが多い。
FETが安定であるかを示すフアクタとして
FETのＳパラメータか求まるいわゆる安定係数
がある。この安定係数が１以上の場合はFETに
どのような電源インピーダンスあるいは負荷のイ
ンピーダンスが接続されても発振などの不安定動
作をすることがなく、１以下であれば接続される
電源あるいは負荷インピーダンスによつて不安定
動作することを示す。
FETのＳパラメータか求まるいわゆる安定係数
がある。この安定係数が１以上の場合はFETに
どのような電源インピーダンスあるいは負荷のイ
ンピーダンスが接続されても発振などの不安定動
作をすることがなく、１以下であれば接続される
電源あるいは負荷インピーダンスによつて不安定
動作することを示す。
ミリ波で使用するような高性能のFETではマ
イクロ波帯でも安定係数が１以下となるものもあ
るが、ここでは説明を簡単にするため低周波帯で
安定係数が１以下、マイクロ波帯で安定係数が１
以上となるようなFETを使用した場合について
示す。
イクロ波帯でも安定係数が１以下となるものもあ
るが、ここでは説明を簡単にするため低周波帯で
安定係数が１以下、マイクロ波帯で安定係数が１
以上となるようなFETを使用した場合について
示す。
なお、ここで安定係数（stability factor）が
示された例としてはIEEE TRANSACTION
ON MICROWAVE THEORY AND
TECHNIQUES.VOL.MTT−24，No.６，
JUNE1976のpp.292，式(18)等がある。
示された例としてはIEEE TRANSACTION
ON MICROWAVE THEORY AND
TECHNIQUES.VOL.MTT−24，No.６，
JUNE1976のpp.292，式(18)等がある。
第１図ａは従来のFET増幅器の正面図、第１
図ｂは第１図ａのマイクロ波帯での等価回路、第
１図ｃは第１図ａの低周波帯での等価回路であ
る。
図ｂは第１図ａのマイクロ波帯での等価回路、第
１図ｃは第１図ａの低周波帯での等価回路であ
る。
第１図ａにおいて１はFET、２はゲート端子、
３はソース端子、４はドレイン端子、５，６，７
はストリツプ導体、８は誘電体基板、９は接地導
体、１０はバイアス端子、１１は抵抗、１２はコ
ンデンサである。
３はソース端子、４はドレイン端子、５，６，７
はストリツプ導体、８は誘電体基板、９は接地導
体、１０はバイアス端子、１１は抵抗、１２はコ
ンデンサである。
FET１のゲート端子２とストリツプ導体５の
一端、ドレイン端子４とストリツプ導体６の一
端、ソース端子３と接地導体９とはそれぞれ半田
付等で接続されている。ストリツプ導体７の一端
はストリツプ導体５に、他の一端はバイアス端子
１０に接続されバイアス端子１０と接地導体９と
の間には抵抗１１とコンデンサ１２とが並列に接
続されれている。もう１つのストリツプ導体７の
一端はストリツプ導体６に接続されており、他の
一端はコンデンサ１２を介して接地導体９に接続
されている。バイアス端子１０はFETに適当な
バイアス電圧を印加するための端子であり、直流
電源に接続されている。さらにストリツプ導体
５，６の他の一端はそれぞれ導波管、同軸線路等
の伝送路Ｔを介してマイクロ波信号源Ｓと負荷と
に接続されている。
一端、ドレイン端子４とストリツプ導体６の一
端、ソース端子３と接地導体９とはそれぞれ半田
付等で接続されている。ストリツプ導体７の一端
はストリツプ導体５に、他の一端はバイアス端子
１０に接続されバイアス端子１０と接地導体９と
の間には抵抗１１とコンデンサ１２とが並列に接
続されれている。もう１つのストリツプ導体７の
一端はストリツプ導体６に接続されており、他の
一端はコンデンサ１２を介して接地導体９に接続
されている。バイアス端子１０はFETに適当な
バイアス電圧を印加するための端子であり、直流
電源に接続されている。さらにストリツプ導体
５，６の他の一端はそれぞれ導波管、同軸線路等
の伝送路Ｔを介してマイクロ波信号源Ｓと負荷と
に接続されている。
上記マイクロ波信号源Ｓは、例えば図示しない
アンテナからの信号或いは図示しない前段の増幅
器の出力信号に対する等価的信号源であり、この
種の技術における一般的表現に対応して、以下、
電源と適宜記す。
アンテナからの信号或いは図示しない前段の増幅
器の出力信号に対する等価的信号源であり、この
種の技術における一般的表現に対応して、以下、
電源と適宜記す。
マイクロ波帯での第１図ａの等価回路を第１図
ｂに示す。この図において１３は入力整合回路、
１４は出力整合回路、１５はバイアス線路であ
る。入力整合回路１３は電源インピーダンスと
FET１の入力インピーダンスとを整合させる働
きを有し、ストリツプ導体５、誘導体基板８、接
地導体９とからなるマイクロストリツプで構成さ
れている。また、出力整合回路１４は負荷インピ
ーダンスFET１の出力インピーダンスとを整合
させる働きを有し、ストリツプ導体６、誘電体基
板８、接地導体９とからなるマイクロストリツプ
で構成されている。さらにバイアス線路１５はス
トリツプ導体７、誘電体基板８および接地導体９
とからなるマイクロストリツプで構成されてお
り、バイアス線路１５の長さは1/4波長に選んで
いる。
ｂに示す。この図において１３は入力整合回路、
１４は出力整合回路、１５はバイアス線路であ
る。入力整合回路１３は電源インピーダンスと
FET１の入力インピーダンスとを整合させる働
きを有し、ストリツプ導体５、誘導体基板８、接
地導体９とからなるマイクロストリツプで構成さ
れている。また、出力整合回路１４は負荷インピ
ーダンスFET１の出力インピーダンスとを整合
させる働きを有し、ストリツプ導体６、誘電体基
板８、接地導体９とからなるマイクロストリツプ
で構成されている。さらにバイアス線路１５はス
トリツプ導体７、誘電体基板８および接地導体９
とからなるマイクロストリツプで構成されてお
り、バイアス線路１５の長さは1/4波長に選んで
いる。
コンデンサ１２の容量はリアクタンスがマイク
ロ波帯でほぼ零となるように選んでおり、FET
１のゲート端子２およびドレイン端子４からバイ
線路１５側を見たインピーダンスはほぼ無限大と
なる。従つて電源から入射したマイクロ波は入力
整合回路１３を通り、FET１で増幅され、さら
に出力整合回路１４を通つて負荷へと供給され
る。
ロ波帯でほぼ零となるように選んでおり、FET
１のゲート端子２およびドレイン端子４からバイ
線路１５側を見たインピーダンスはほぼ無限大と
なる。従つて電源から入射したマイクロ波は入力
整合回路１３を通り、FET１で増幅され、さら
に出力整合回路１４を通つて負荷へと供給され
る。
第１図ｂにおいて、入力端子は第１図ａの伝送
路Ｔの出力側に相当し、入力端子には第１図ａの
信号源Ｓの出力信号相当の信号が入力される。
路Ｔの出力側に相当し、入力端子には第１図ａの
信号源Ｓの出力信号相当の信号が入力される。
第１図ｃは第１図ａの低周波帯での等価回路で
ある。この図において１６は電源インピーダン
ス、１７は負荷インピーダンスでる。ストリツプ
導体５，６，７の長さが波に比べ十分小さく、コ
ンデンサ１２のリアクタンスが抵抗１１の値に比
べて十分大きな値を持つ低周波帯においては
FET１のゲート端子２から電源側、ドレイン端
子から負荷側を見たインピーダンスはそれぞれ電
源インピーダンス１６，負荷インピーダンス１７
で表わされる。また、ゲート端子２からストリツ
プ導体７側を見たインピーダンスは抵抗１１とし
て表わすことができる。
ある。この図において１６は電源インピーダン
ス、１７は負荷インピーダンスでる。ストリツプ
導体５，６，７の長さが波に比べ十分小さく、コ
ンデンサ１２のリアクタンスが抵抗１１の値に比
べて十分大きな値を持つ低周波帯においては
FET１のゲート端子２から電源側、ドレイン端
子から負荷側を見たインピーダンスはそれぞれ電
源インピーダンス１６，負荷インピーダンス１７
で表わされる。また、ゲート端子２からストリツ
プ導体７側を見たインピーダンスは抵抗１１とし
て表わすことができる。
FET１のドレイン端子４からFET側を見た反
射係数Γoutは第(1)式で与えられる。
射係数Γoutは第(1)式で与えられる。
Γout＝S22＋S21S12Γs／１−S11Γs …(1)
ここでS11，S12，S21，S22はFET１のＳパラメ
ータ、ΓsはFET１のゲート端子２から電源側を
見た反射係数である。
ータ、ΓsはFET１のゲート端子２から電源側を
見た反射係数である。
低周波帯で安定動作させるには反射係数Γputと
負荷インピーダンス１７との関係を適当に選ぶ必
要がある。FET１のＳパラメータ、電源インピ
ーダンス１６および負荷インピーダンス１７は使
用するFET１、電源および負荷によつて決まる。
このような場合、適当な抵抗１１を用いる事によ
り、負荷インピーダンス１７に対して安定となる
ようなΓputを得る事ができる。
負荷インピーダンス１７との関係を適当に選ぶ必
要がある。FET１のＳパラメータ、電源インピ
ーダンス１６および負荷インピーダンス１７は使
用するFET１、電源および負荷によつて決まる。
このような場合、適当な抵抗１１を用いる事によ
り、負荷インピーダンス１７に対して安定となる
ようなΓputを得る事ができる。
電源インピーダンスは通常50Ωである。しかし
FET増幅器の入力側には導波管が接続されたり、
多多段増幅器の場合は他のFET増幅器が接続さ
れる事がある。これらの場合、電源インピーダン
ス１６はかならずしも50Ωではなく、FET増幅
器の入力側に接続されるものによつてΓsが異なつ
てしまう。このため従来はFET増幅器が低周波
帯で安定となるようにΓsに応じて抵抗１１を選択
して使用していた。
FET増幅器の入力側には導波管が接続されたり、
多多段増幅器の場合は他のFET増幅器が接続さ
れる事がある。これらの場合、電源インピーダン
ス１６はかならずしも50Ωではなく、FET増幅
器の入力側に接続されるものによつてΓsが異なつ
てしまう。このため従来はFET増幅器が低周波
帯で安定となるようにΓsに応じて抵抗１１を選択
して使用していた。
このようにFET増幅器の入力側に接続される
導波管のインピーダンスや他のFET増幅器のイ
ンピーダンスに応じて抵抗１１を選択する必要が
あり、抵抗１１の選択が非常にめんどうになる欠
点があつた。また、ある電源インピーダンス１６
に対して抵抗１１を選択しても他の電源インピー
ダンス１６になつた時に発振する事があつた。そ
の結果、信号以外の不要な電波がFET増幅器か
ら発生するため、受信機に使用する場合には受信
信号を検出できなくなつたり、送信機に使用する
場合には通信等が出来なくなる問題があつた。
導波管のインピーダンスや他のFET増幅器のイ
ンピーダンスに応じて抵抗１１を選択する必要が
あり、抵抗１１の選択が非常にめんどうになる欠
点があつた。また、ある電源インピーダンス１６
に対して抵抗１１を選択しても他の電源インピー
ダンス１６になつた時に発振する事があつた。そ
の結果、信号以外の不要な電波がFET増幅器か
ら発生するため、受信機に使用する場合には受信
信号を検出できなくなつたり、送信機に使用する
場合には通信等が出来なくなる問題があつた。
この発明の目的は、安定して動作可能な、特に
低周波数帯において安定して動作できるFET増
幅器を提供することである。
低周波数帯において安定して動作できるFET増
幅器を提供することである。
この発明はこれらの欠点を除去するために
FET増幅器の入力整合回路に先端が抵抗とコン
デンサとで終端された結合線路を用いたもので以
下、図面について詳細に説明する。
FET増幅器の入力整合回路に先端が抵抗とコン
デンサとで終端された結合線路を用いたもので以
下、図面について詳細に説明する。
第２図ａはこの発明のFET増幅器の一実施例
の正面図、第２図ｂは第２図ａのマイクロ波帯で
の等価回路、第２図ｃは第２図ａの低周波帯での
等価回路である。
の正面図、第２図ｂは第２図ａのマイクロ波帯で
の等価回路、第２図ｃは第２図ａの低周波帯での
等価回路である。
第２図ａにおいて１８，１９はストリツプ導体
である。ストリツプ導体１８の一端は導波管、同
軸線路等の伝送路Ｔを介してマイクロ波信号源Ｓ
に接続され、他の一端はコンデンサ１２を介して
接地導体９に接続されている。ストリツプ導体１
９の一端はFET１のゲート端子２に接続され、
他の一端にはバイアス端子１０が接続されてお
り、バイアス端子１０と接地導体９間には抵抗１
１とコンデンサ１２とが並列に接続されている。
ストリツプ導体１８，１９はそれぞれ導体１８
ａ，１９ｂと導体１８ｂ，１９ｂとの直列体から
構成されており、ストリツプ導体１８ａと１９ａ
とは所定の間隔を置いて平行に配置されている。
である。ストリツプ導体１８の一端は導波管、同
軸線路等の伝送路Ｔを介してマイクロ波信号源Ｓ
に接続され、他の一端はコンデンサ１２を介して
接地導体９に接続されている。ストリツプ導体１
９の一端はFET１のゲート端子２に接続され、
他の一端にはバイアス端子１０が接続されてお
り、バイアス端子１０と接地導体９間には抵抗１
１とコンデンサ１２とが並列に接続されている。
ストリツプ導体１８，１９はそれぞれ導体１８
ａ，１９ｂと導体１８ｂ，１９ｂとの直列体から
構成されており、ストリツプ導体１８ａと１９ａ
とは所定の間隔を置いて平行に配置されている。
上記マイクロ波信号源Ｓは、例えば図示しない
アンテナからの信号或いは図示しない前段の増幅
器の出力信号に対する等価的信号源であり、この
種の技術における一般的表現に対応して、以下、
電源と適宜記す。
アンテナからの信号或いは図示しない前段の増幅
器の出力信号に対する等価的信号源であり、この
種の技術における一般的表現に対応して、以下、
電源と適宜記す。
上記バイアス端子１０に図示しないワイヤボン
デイング、リボン等によりバイアス電圧が印加さ
れる。
デイング、リボン等によりバイアス電圧が印加さ
れる。
このFET増幅器のマイクロ波帯での等価回路
は第２図ｂのように表わされる。この図において
２０は導体１８ａと導体１９ａとからなる結合線
路である。コンデンサ１２の容量はマイクロ波帯
でリアクタンスがほぼ零となるような値に選んで
あるため、結合線路２０はストリツプ導体１８，
１９、誘電体基板８および接地導体９で実質上先
端短絡の線路とみなす事ができる。
は第２図ｂのように表わされる。この図において
２０は導体１８ａと導体１９ａとからなる結合線
路である。コンデンサ１２の容量はマイクロ波帯
でリアクタンスがほぼ零となるような値に選んで
あるため、結合線路２０はストリツプ導体１８，
１９、誘電体基板８および接地導体９で実質上先
端短絡の線路とみなす事ができる。
第２図ｂにおいて、入力端子は第２図ａの伝送
路Ｔの出力側に相当し、入力端子には第２図ａの
信号源Ｓの出力信号相当の信号が入力される。
路Ｔの出力側に相当し、入力端子には第２図ａの
信号源Ｓの出力信号相当の信号が入力される。
この結合線路２０は帯域通過フイルタ特性を示
すとともにストリツプ導体１８，１９の幅と長さ
およびストリツプ導体１８と１９との間隔を適当
な寸法に選ぶ事により任意の特性インピーダンス
を得ることができる。結合線路２０の長さを1/4
波長に選ぶ事により、中心周波数近傍ではある特
性インピーダンスを持つ1/4波長の伝送線路と見
なすことができる。
すとともにストリツプ導体１８，１９の幅と長さ
およびストリツプ導体１８と１９との間隔を適当
な寸法に選ぶ事により任意の特性インピーダンス
を得ることができる。結合線路２０の長さを1/4
波長に選ぶ事により、中心周波数近傍ではある特
性インピーダンスを持つ1/4波長の伝送線路と見
なすことができる。
従つて結合線路２０はFET１の入力インピー
ダンスと電源インピーダンスとを整合させる入力
整合回路１３として使用できる。
ダンスと電源インピーダンスとを整合させる入力
整合回路１３として使用できる。
このように広帯域特性が要求されない通常の
FET増幅器においては整合回路として結合線路
２０を使用しても所望の増幅特性を得ることがで
きる。
FET増幅器においては整合回路として結合線路
２０を使用しても所望の増幅特性を得ることがで
きる。
第２図ｃは低周波帯での等価回路であり、第２
図ｂの結合線路２０は低周波帯では十分大きな特
性インピーダンスを持つため、FET１のゲート
端子２から電源側を見たインピーダンスは抵抗１
１のみとなり、Γsは電源インピーダンスに関係な
く抵抗１１のみによつて決まる。従つて適当な抵
抗１１を選ぶ事により電源インピーダンスに関係
なく低周波帯で安定にする事ができる。
図ｂの結合線路２０は低周波帯では十分大きな特
性インピーダンスを持つため、FET１のゲート
端子２から電源側を見たインピーダンスは抵抗１
１のみとなり、Γsは電源インピーダンスに関係な
く抵抗１１のみによつて決まる。従つて適当な抵
抗１１を選ぶ事により電源インピーダンスに関係
なく低周波帯で安定にする事ができる。
尚、第２図ｃにおける符号Ｃは導体１８ａと導
体１９ｂとの間に生ずるキヤパシタンスを示しこ
の大きさは低周波に対し極めて大きいインピーダ
ンスであり、入力端子から見て電気回路的には開
放状態となつている。
体１９ｂとの間に生ずるキヤパシタンスを示しこ
の大きさは低周波に対し極めて大きいインピーダ
ンスであり、入力端子から見て電気回路的には開
放状態となつている。
以上のようにFET増幅器の入力側に任意のイ
ンピーダンスを持つものが接続された場合でも
FET１のゲート端子２から電源側を見たインピ
ーダンスは常に抵抗１１のみとなる。このため従
来のようにFET増幅器の入力側に接続される導
波管、他のFET増幅器のインピーダンスに応じ
て抵抗１１を選ぶ必要がない利点があり、非常常
に安定なFET増幅器を得る事ができる。
ンピーダンスを持つものが接続された場合でも
FET１のゲート端子２から電源側を見たインピ
ーダンスは常に抵抗１１のみとなる。このため従
来のようにFET増幅器の入力側に接続される導
波管、他のFET増幅器のインピーダンスに応じ
て抵抗１１を選ぶ必要がない利点があり、非常常
に安定なFET増幅器を得る事ができる。
第３図、第４図、第５図はこの発明の他の実施
例である。第３図に示すように抵抗１１はコンデ
ンサ１２を介して接地導体９に接続しても良い。
また、第４図に示すようにストリツプ導体１８の
一端にバイアス回路を設け、バイアス端子１０と
接地導体９との間には抵抗１１とコンデンサ１２
とが並列に接続されたものであつても良い。さら
に第５図のように抵抗１１およびコンデンサ１２
はスルホールメツキあるいはボンデイングを施こ
した貫通孔２１を介して接地導体９に接続した場
合であつても良い。
例である。第３図に示すように抵抗１１はコンデ
ンサ１２を介して接地導体９に接続しても良い。
また、第４図に示すようにストリツプ導体１８の
一端にバイアス回路を設け、バイアス端子１０と
接地導体９との間には抵抗１１とコンデンサ１２
とが並列に接続されたものであつても良い。さら
に第５図のように抵抗１１およびコンデンサ１２
はスルホールメツキあるいはボンデイングを施こ
した貫通孔２１を介して接地導体９に接続した場
合であつても良い。
なお、以上は結合線路を入力整合回路に使用し
た場合について説明したが、この発明はこれに限
らず出力整合回路に使用しても良く、多段増幅器
の場合は段間に使用しても良い。また結合線路を
マイクロストリツプで構成した場合について説明
したがストリツプ線路で構成してもこの発明に変
わりはない。
た場合について説明したが、この発明はこれに限
らず出力整合回路に使用しても良く、多段増幅器
の場合は段間に使用しても良い。また結合線路を
マイクロストリツプで構成した場合について説明
したがストリツプ線路で構成してもこの発明に変
わりはない。
以上のように、この発明によれば先端を抵抗と
コンデンサとで終端した結合線路をFET増幅器
の整合回路として使用する事により、マイクロ波
帯で所望の増幅特性が得られるとともに、低周波
帯で安定なFET増幅器を得る事ができる。しか
も従来のようにFET増幅器の入力側に接続され
る導波管や他のFET増幅器のインピーダンスに
応じて抵抗を選ぶ必要がなくなり、設計が非常に
簡単になる。
コンデンサとで終端した結合線路をFET増幅器
の整合回路として使用する事により、マイクロ波
帯で所望の増幅特性が得られるとともに、低周波
帯で安定なFET増幅器を得る事ができる。しか
も従来のようにFET増幅器の入力側に接続され
る導波管や他のFET増幅器のインピーダンスに
応じて抵抗を選ぶ必要がなくなり、設計が非常に
簡単になる。
第１図ａは従来のFET増幅器の正面図、第１
図ｂは第１図ａのマイクロ波帯での等価回路図、
第１図ｃは第１図ａの低周波帯での等価回路図、
第２図ａはこの発明のFET増幅器の一実施例の
正面図、第２図ｂは第２図ａのマイクロ波帯での
等価回路図、第２図ｃは第２図ａの低周波帯での
等価回路図、第３図、第４図、第５図はこの発明
のFET増幅器の他の実施例の正面図である。 図において、１はFET、２はゲート端子、３
はソース端子、４はドレイン端子、５，６，７は
ストリツプ導体、８は誘電体基板、９は接地導
体、１０はバイアス端子、１１は抵抗、１２はコ
ンデンサ、１３は入力整合回路、１４は出力整合
回路、１５はバイアス線路、１６は電源インピー
ダンス、１７は負荷インピーダンス、１８，１９
はストリツプ導体、２０は結合線路、２１は貫通
孔である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を示してある。
図ｂは第１図ａのマイクロ波帯での等価回路図、
第１図ｃは第１図ａの低周波帯での等価回路図、
第２図ａはこの発明のFET増幅器の一実施例の
正面図、第２図ｂは第２図ａのマイクロ波帯での
等価回路図、第２図ｃは第２図ａの低周波帯での
等価回路図、第３図、第４図、第５図はこの発明
のFET増幅器の他の実施例の正面図である。 図において、１はFET、２はゲート端子、３
はソース端子、４はドレイン端子、５，６，７は
ストリツプ導体、８は誘電体基板、９は接地導
体、１０はバイアス端子、１１は抵抗、１２はコ
ンデンサ、１３は入力整合回路、１４は出力整合
回路、１５はバイアス線路、１６は電源インピー
ダンス、１７は負荷インピーダンス、１８，１９
はストリツプ導体、２０は結合線路、２１は貫通
孔である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一符号を示してある。
Claims (1)
- １ マイクロストリツプで構成された整合回路
と、FETとからなるマイクロ波帯のFET増幅器
において、誘電体基板上に設けられたストリツプ
導体の一端をマイクロ波信号電源端子とし、他の
一端をコンデンサを介して接地するとともに、上
記ストリツプ導体に所定の間隔を置いて平行に設
けられた他のストリツプ導体の一端を抵抗とコン
デンサとの並列回路で終端し、上記FETの出力
端子からFETを見た反射係数ΓOUTが｜ΓOUT｜≦１
となるように抵抗とコンデンサの値を選ぶことに
よつて上記FET増幅器が低周波帯において不安
定動作しないようにし、さらに上記他のストリツ
プ導体の他の一端と上記FETの制御入力端子と
を接続したことを特徴とするFET増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP990982A JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP990982A JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127419A JPS58127419A (ja) | 1983-07-29 |
| JPH0442845B2 true JPH0442845B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=11733230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP990982A Granted JPS58127419A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | Ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127419A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033715A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増巾装置 |
| GB2351193A (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Marconi Electronic Syst Ltd | AM receiver |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869678A (en) * | 1973-12-18 | 1975-03-04 | Rca Corp | Multiple transistor microwave amplifier |
| JPS5515847U (ja) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP990982A patent/JPS58127419A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58127419A (ja) | 1983-07-29 |
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