JPS614303A - 誘電体帯域通過フイルタ - Google Patents
誘電体帯域通過フイルタInfo
- Publication number
- JPS614303A JPS614303A JP12708784A JP12708784A JPS614303A JP S614303 A JPS614303 A JP S614303A JP 12708784 A JP12708784 A JP 12708784A JP 12708784 A JP12708784 A JP 12708784A JP S614303 A JPS614303 A JP S614303A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- conductors
- electromagnetic field
- output coupling
- dielectric block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、誘電体共振器をいくつか並べて、それらを適
当に結合させて得られた帯域通過フィルタに関する。特
６．二、高域の帯域外減衰特性を改善した誘電体帯域通
過フィルタに関する。
当に結合させて得られた帯域通過フィルタに関する。特
６．二、高域の帯域外減衰特性を改善した誘電体帯域通
過フィルタに関する。
従来の誘電体帯域通過フィルタのコムライン形帯域通過
フィルタの構造例を第２図に示す。第２図は誘電体帯域
通過フィルタのカバーをはずした図である。
フィルタの構造例を第２図に示す。第２図は誘電体帯域
通過フィルタのカバーをはずした図である。
第２図において、一体成形された誘電体ブロック１に穴
をあａｔ、内面に金属を付着させて形成した共振子２と
、それぞれの共振子２の結合調整を −行う空洞３が設
けられている。この誘電体ブロック１の入出力結合用空
洞４には入出力の導体５が接続されている。また、コネ
クタ７が備えられた金属プレート６にこの誘電体ブロッ
ク１を取りつける。さらに、電磁界の放射を防ぐための
金属カバー８がある。 − 従来の構成例では、理論的結合のほかに高周波において
は入出力結合用導体間で電磁界が直接に結合して、帯域
通過フィルタの高域での帯域外滅哀詩性が劣化する。
をあａｔ、内面に金属を付着させて形成した共振子２と
、それぞれの共振子２の結合調整を −行う空洞３が設
けられている。この誘電体ブロック１の入出力結合用空
洞４には入出力の導体５が接続されている。また、コネ
クタ７が備えられた金属プレート６にこの誘電体ブロッ
ク１を取りつける。さらに、電磁界の放射を防ぐための
金属カバー８がある。 − 従来の構成例では、理論的結合のほかに高周波において
は入出力結合用導体間で電磁界が直接に結合して、帯域
通過フィルタの高域での帯域外滅哀詩性が劣化する。
従来の帯域通過フィルタの減衰時性の一例を第４図に示
す。スプリアスレスポンス園波数ｆｓ’でその減衰特性
が急激に劣化している。
す。スプリアスレスポンス園波数ｆｓ’でその減衰特性
が急激に劣化している。
〔発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記の欠点を解決するもので、高域での帯域
外減衰特性を改善することができる装置を提供すること
を目的とする。
外減衰特性を改善することができる装置を提供すること
を目的とする。
本発明は、入出力結合用導体間で電磁界が直接に結合す
ることを防ぐ電磁界遮蔽機構を備えることを特徴とする
。
ることを防ぐ電磁界遮蔽機構を備えることを特徴とする
。
すなわち、一体成形された誘電体ブロックを備え、この
誘電体ブロックには複数個の内導体による共振子および
結合調整用空洞を含み、この誘電体ブロックに入出力信
号を結合するために設けられた二つの入出力結合用導体
を備えた誘電体帯域通過フィルタにおいて、二つの入出
力結合用導体の間に共通電位に接続された導体による電
磁界を（遮蔽する手段を備えたことを特徴とする。
誘電体ブロックには複数個の内導体による共振子および
結合調整用空洞を含み、この誘電体ブロックに入出力信
号を結合するために設けられた二つの入出力結合用導体
を備えた誘電体帯域通過フィルタにおいて、二つの入出
力結合用導体の間に共通電位に接続された導体による電
磁界を（遮蔽する手段を備えたことを特徴とする。
〔作用〕
本発明は、入出力結合用導体間の電磁界を遮蔽すること
ができ、高域での帯域外減衰特性を改善することができ
る。
ができ、高域での帯域外減衰特性を改善することができ
る。
Ｃ実施例〕
以下、本発明の実施例方式を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例の構造を説明する図である
。第１図において、一体成形された誘電体ブロック１に
空洞を設け、内面に金属を付着させて形成した共振子２
と、それぞれの共振子２の結合調整を行う空洞３を設け
る。この誘電体ブロックＩの入出力結合用空洞４に入出
力結合用導体５を接続させる。また、コネクタ７が備え
られた金属プレー１へ６にこの誘電体ブロック１を取り
つりる。さらに、電磁界の放射を防ぐための金属カバー
８がある。
。第１図において、一体成形された誘電体ブロック１に
空洞を設け、内面に金属を付着させて形成した共振子２
と、それぞれの共振子２の結合調整を行う空洞３を設け
る。この誘電体ブロックＩの入出力結合用空洞４に入出
力結合用導体５を接続させる。また、コネクタ７が備え
られた金属プレー１へ６にこの誘電体ブロック１を取り
つりる。さらに、電磁界の放射を防ぐための金属カバー
８がある。
誘電体ブロック１の幅Ｈは、帯域通過フィルタの共振周
波数におけるその波長のほぼ４分の１である。波長が例
えば約１ｃＩ１１とすると、幅Ｈは約２．５鶴である。
波数におけるその波長のほぼ４分の１である。波長が例
えば約１ｃＩ１１とすると、幅Ｈは約２．５鶴である。
本発明の特徴とするところは、入出力結合用導体間の電
磁界の遮蔽をするために、金属導体９を金属プレート６
と金属カバーａに密着するように取りつけるところにあ
る。すなわち、金属プレート６および金属カバー８と共
通電位になるために、高周波において入出力導体間での
電磁界が線画されることになる。
磁界の遮蔽をするために、金属導体９を金属プレート６
と金属カバーａに密着するように取りつけるところにあ
る。すなわち、金属プレート６および金属カバー８と共
通電位になるために、高周波において入出力導体間での
電磁界が線画されることになる。
なお、第１図に示す本発明の実施例では、電磁界を遮蔽
するための金属導体９の形状番−［板状で１個であるが
、この金属導体９の形状は板状および棒状のいずれでも
よく、また、その個数は入出力結合用導体５の間に１個
以上の任意の個数を入れても、本発明を実施することが
できる。
するための金属導体９の形状番−［板状で１個であるが
、この金属導体９の形状は板状および棒状のいずれでも
よく、また、その個数は入出力結合用導体５の間に１個
以上の任意の個数を入れても、本発明を実施することが
できる。
第３図は、本発明による誘電体帯域通過フィルタの減衰
特性の一例を示す図である。縦軸は減衰量ＡＴＴ （ｄ
Ｂ）であり、横軸は周波数ｆ （１１２）である。周波
数ｆ０は帯域通過フィルタの１ｆｌｉ過域の中心周波数
である。スプリアスレスポンス周波数１９は、従来のス
プリアスレスポンス周波数ｆ、′に対して、 ｆ、 ＞ ｆ。
特性の一例を示す図である。縦軸は減衰量ＡＴＴ （ｄ
Ｂ）であり、横軸は周波数ｆ （１１２）である。周波
数ｆ０は帯域通過フィルタの１ｆｌｉ過域の中心周波数
である。スプリアスレスポンス周波数１９は、従来のス
プリアスレスポンス周波数ｆ、′に対して、 ｆ、 ＞ ｆ。
となり、高域での帯域外減衰特性が改善されている。入
お、入出力結合用導体５の間に入れた金属導体９の形状
および個数により、高域での帯域外減衰特性は若干の変
化がある。
お、入出力結合用導体５の間に入れた金属導体９の形状
および個数により、高域での帯域外減衰特性は若干の変
化がある。
本発明は、従来例装置に比較して高域での帯域外減衰特
性を改善することができる。
性を改善することができる。
したがって、高域における減衰域を拡張することができ
、高周波信号においても帯域通過フィルタとして、支障
なく使用することができる効果がある。
、高周波信号においても帯域通過フィルタとして、支障
なく使用することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構造図。
第２図は従来例装置の構造図。
第３図は本発明の一実施例装置による減衰特性の一例を
示す図。 第４図は従来例装置による減衰特性の一例を示す図。 １・・・誘電体ブロック、２・・・共振子、３・・・結
合調整用空洞、４・・・入出力結合用空洞、５・・・入
出力結合用導体、６・・・金属プレート、７・・・コネ
クタ、８・・・金属カバー、９・・・金属導体。
示す図。 第４図は従来例装置による減衰特性の一例を示す図。 １・・・誘電体ブロック、２・・・共振子、３・・・結
合調整用空洞、４・・・入出力結合用空洞、５・・・入
出力結合用導体、６・・・金属プレート、７・・・コネ
クタ、８・・・金属カバー、９・・・金属導体。
Claims (1)
- （１）一体成形された誘電体ブロックを備え、この誘電
体ブロックには複数個の内導体による共振子および結合
調整用空洞を含み、 この誘電体ブロックに入出力信号を結合するために設け
られた二つの入出力結合用導体 を備えた誘電体帯域通過フィルタにおいて、上記二つの
入出力結合用導体の間に共通電位に接続された導体によ
る電磁界を遮蔽する手段を備えたことを特徴とする誘電
体帯域通過フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12708784A JPS614303A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 誘電体帯域通過フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12708784A JPS614303A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 誘電体帯域通過フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614303A true JPS614303A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14951258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12708784A Pending JPS614303A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 誘電体帯域通過フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614303A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121803U (ja) * | 1986-01-25 | 1987-08-03 | ||
| JPH0284402U (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-29 | ||
| JPH0386606U (ja) * | 1989-12-20 | 1991-09-02 | ||
| WO2010080929A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030275B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12708784A patent/JPS614303A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121803U (ja) * | 1986-01-25 | 1987-08-03 | ||
| JPH0352004Y2 (ja) * | 1986-01-25 | 1991-11-11 | ||
| JPH0284402U (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-29 | ||
| JPH0386606U (ja) * | 1989-12-20 | 1991-09-02 | ||
| US8294532B2 (en) | 2008-12-09 | 2012-10-23 | Cts Corporation | Duplex filter comprised of dielectric cores having at least one wall extending above a top surface thereof for isolating through hole resonators |
| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
| US9030275B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation |
| WO2010080929A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| GB2479108A (en) * | 2009-01-08 | 2011-09-28 | Cts Corp | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
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