JPS63128787A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPS63128787A JPS63128787A JP27571286A JP27571286A JPS63128787A JP S63128787 A JPS63128787 A JP S63128787A JP 27571286 A JP27571286 A JP 27571286A JP 27571286 A JP27571286 A JP 27571286A JP S63128787 A JPS63128787 A JP S63128787A
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Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
回路基板にスルーホールおよび薄膜回路素子を形成して
なる混成集積回路において、 少なくとも、回路素子形成用の下地層および導体層を形
成したのち、スルーホールの導体層を形成することによ
り、 混成集積回路の製造工程を簡略化し高性能化を可能にし
たものである。
なる混成集積回路において、 少なくとも、回路素子形成用の下地層および導体層を形
成したのち、スルーホールの導体層を形成することによ
り、 混成集積回路の製造工程を簡略化し高性能化を可能にし
たものである。
本発明はガラスまたはセラミックにてなる回路基板に、
スルーホールおよび薄膜回路素子を形成してなる混成集
積回路のi遣方法、特に薄膜回路素子とスルーホールの
導体層とを形成する工程の改良に関する。
スルーホールおよび薄膜回路素子を形成してなる混成集
積回路のi遣方法、特に薄膜回路素子とスルーホールの
導体層とを形成する工程の改良に関する。
第3図は従来方法による混成集積回路”の要部の模式側
断面図であり、混成集積回路1は回路基板2に一対のス
ルーホール3を形成′したのち、回路素子形成用の下地
層4と一対の導体層5を形成してなる。そこで、下地層
4がタンタル(Ta)からなる抵抗体であり、一対の導
体層5が金(AU)等からなる電極であるとき、それは
薄膜抵抗素子を構成する。
断面図であり、混成集積回路1は回路基板2に一対のス
ルーホール3を形成′したのち、回路素子形成用の下地
層4と一対の導体層5を形成してなる。そこで、下地層
4がタンタル(Ta)からなる抵抗体であり、一対の導
体層5が金(AU)等からなる電極であるとき、それは
薄膜抵抗素子を構成する。
なお、スルーホール3は基板2に穿設し表面を粗化処理
した透孔6に!Pl(Cu)等からなる導体層7を形成
してなり、酸化され易い導体層7は、その形成後に実施
される回路素子の製造工程から完全に保護する必要があ
る。
した透孔6に!Pl(Cu)等からなる導体層7を形成
してなり、酸化され易い導体層7は、その形成後に実施
される回路素子の製造工程から完全に保護する必要があ
る。
混成集積回路lにおいて、スルーホール3の完成後に形
成される薄膜抵抗素子はその抵抗値を安定化させる熱処
理ができない、即ち該熱処理時にスルーホール3の導体
層7が酸化されるため、高性能の薄膜抵抗素子が得られ
ないという問題点があった。
成される薄膜抵抗素子はその抵抗値を安定化させる熱処
理ができない、即ち該熱処理時にスルーホール3の導体
層7が酸化されるため、高性能の薄膜抵抗素子が得られ
ないという問題点があった。
また、下地層4″の形成に際し下地膜の不要部分を溶去
するエツチング液、例えば下地層4がタンタルであると
きHFとHNO,のン昆合液等のエツチング液から、酸
化され易い銅にてなる導体層7を完全に保護することが
困難である。
するエツチング液、例えば下地層4がタンタルであると
きHFとHNO,のン昆合液等のエツチング液から、酸
化され易い銅にてなる導体層7を完全に保護することが
困難である。
と共に、導体層7のフランジ部分は基板2より突出する
ため、例えば基板2の表面に薄膜を被着させるため基板
搭載面に搭載したとき、該基板搭載面と基板2の裏面と
の間にできる隙間から該裏面に不要の被膜が形成される
。そこで、基板2の裏面をレジストで覆う必要があった
が、該レジストの形成が複雑であるという問題点があっ
た。
ため、例えば基板2の表面に薄膜を被着させるため基板
搭載面に搭載したとき、該基板搭載面と基板2の裏面と
の間にできる隙間から該裏面に不要の被膜が形成される
。そこで、基板2の裏面をレジストで覆う必要があった
が、該レジストの形成が複雑であるという問題点があっ
た。
本発明方法は第1図によれば、ガラスまたはセラミック
にてなりスルーホール用の透孔6を設けた回路基板2に
、少なくとも薄膜からなる回路素子形成用の下地層12
および導体層13を形成したのち、銅にてなるスルーホ
ール16の導体層17を形成することを特徴とした混成
集積回路の製造方法である。
にてなりスルーホール用の透孔6を設けた回路基板2に
、少なくとも薄膜からなる回路素子形成用の下地層12
および導体層13を形成したのち、銅にてなるスルーホ
ール16の導体層17を形成することを特徴とした混成
集積回路の製造方法である。
上記手段によれば、回路素子形成用の下地層およびスル
ーホールに接続する導体層を形成したのち、スルーホー
ルの導体層を形成することにより、薄膜抵抗素子の安定
化処理を可能とし、基板の両面に回路素子を形成した混
成集積回路の製造工程を簡略化し、タンタル膜のエツチ
ング液にスルーホールの導体層が触れることを完全に無
くすことになり、混成首席回路の高性能化と低価格化が
実現される。
ーホールに接続する導体層を形成したのち、スルーホー
ルの導体層を形成することにより、薄膜抵抗素子の安定
化処理を可能とし、基板の両面に回路素子を形成した混
成集積回路の製造工程を簡略化し、タンタル膜のエツチ
ング液にスルーホールの導体層が触れることを完全に無
くすことになり、混成首席回路の高性能化と低価格化が
実現される。
以下に、図面を用いて本発明方法の実施例による混成集
積回路を説明する。
積回路を説明する。
第1図は本発明の一実施例による混成集積回路の要部の
模式側断面図、第2図は該混成集積回路の主要工程図で
ある。
模式側断面図、第2図は該混成集積回路の主要工程図で
ある。
第3図と共通部分に同一符号を使用した第1図において
、混成集積回路11は表面に粗化処理を施した透孔6を
設けた基板2の所定部に窒化タンタルにてなる抵抗体(
下地層)12と、抵抗体12の端部に積層した一対の導
体層(電極)13と、抵抗体12の表呈面に生成させた
熱酸化層14からなる抵抗素子15を形成したのち、ス
ルーホール16の導体層(銅層)17を形成してなる。
、混成集積回路11は表面に粗化処理を施した透孔6を
設けた基板2の所定部に窒化タンタルにてなる抵抗体(
下地層)12と、抵抗体12の端部に積層した一対の導
体層(電極)13と、抵抗体12の表呈面に生成させた
熱酸化層14からなる抵抗素子15を形成したのち、ス
ルーホール16の導体層(銅層)17を形成してなる。
次いで第2図を使用し、混成集積回路11の製造工程を
順次説明する。
順次説明する。
第2図(イ)において、レニザドリリング等により透孔
6を穿設した基板2は、透孔6の内壁および開口部周囲
等の所定部を除くタンタルマスク21をパターン形成す
る。
6を穿設した基板2は、透孔6の内壁および開口部周囲
等の所定部を除くタンタルマスク21をパターン形成す
る。
次いで、第2図(II)に示すように、マスク21から
表呈する基板表面に例えば1μm程度の凹凸を形成させ
る粗面化処理(エツチング)を行う。
表呈する基板表面に例えば1μm程度の凹凸を形成させ
る粗面化処理(エツチング)を行う。
次いで、マスク21を溶去したのち第2図(ハ)に示す
ように、抵抗体12と一対の電極13をパターン形成す
る。ただし、抵抗体12と電極13は抵抗膜と電極膜を
積層形成したのち、図示しないマスクを形成し該マスク
を利用し不要部分を溶去したものである。また、電極1
3はチタン−パラジウム−金の積層構成になっている。
ように、抵抗体12と一対の電極13をパターン形成す
る。ただし、抵抗体12と電極13は抵抗膜と電極膜を
積層形成したのち、図示しないマスクを形成し該マスク
を利用し不要部分を溶去したものである。また、電極1
3はチタン−パラジウム−金の積層構成になっている。
次いで、熱酸化手段で第2図(ニ)に示すように、抵抗
体12の表呈面に酸化層14を生成(安定化処理)した
のち、スルーホール16の導体層17を形成し混成集積
回路11が得られる。ただし、導体層17は無電解めっ
きしてなる銅層に電解めっきしてなる銅層を積層形成し
、その上にニッケル層を被着したのち、不要部を溶去し
てなる。
体12の表呈面に酸化層14を生成(安定化処理)した
のち、スルーホール16の導体層17を形成し混成集積
回路11が得られる。ただし、導体層17は無電解めっ
きしてなる銅層に電解めっきしてなる銅層を積層形成し
、その上にニッケル層を被着したのち、不要部を溶去し
てなる。
このような混成集積回路11において、600〜900
℃に加熱する抵抗体12の安定化処理は導体層17の形
成に先立つため可能であり、強酸を使用する電極13お
よび抵抗体12のエツチング形成に係わらず欠点のない
導体層17が得られ、かつ、裏面に不要膜を付着させる
ことなく表面の薄膜形成、即ち抵抗体12および電極1
3等を形成するための薄膜形成が可能になる。
℃に加熱する抵抗体12の安定化処理は導体層17の形
成に先立つため可能であり、強酸を使用する電極13お
よび抵抗体12のエツチング形成に係わらず欠点のない
導体層17が得られ、かつ、裏面に不要膜を付着させる
ことなく表面の薄膜形成、即ち抵抗体12および電極1
3等を形成するための薄膜形成が可能になる。
薄膜抵抗素子の安定化処理を可能とし、基板の裏面に不
要膜を被着させることなく表面の薄膜形成が可能となっ
て混成集積回路の製造工程を簡略化し、タンタル膜のエ
ツチング液にスルーホールの導体層が触れることを完全
に無くすことになり、混成首席回路の高性能化と低価格
化を実現した効果がある。
要膜を被着させることなく表面の薄膜形成が可能となっ
て混成集積回路の製造工程を簡略化し、タンタル膜のエ
ツチング液にスルーホールの導体層が触れることを完全
に無くすことになり、混成首席回路の高性能化と低価格
化を実現した効果がある。
第1図は本発明の一実施例による混成集積回路の要部の
模式側断面図、 第2図は該混成集積回路の主要工程図、第3図は従来方
法による混成集積回路の要部の模式側断面図、 である。 図中において、 2は回路基板、 6はスルーホールの透孔、 11は混成集積回路、 12は回路素子形成用の下地層、 16はスルーホール、 13は電極(導体層)、 17はスルーホールの導体層、 を示す。 二弓 、、l′、1.”、
模式側断面図、 第2図は該混成集積回路の主要工程図、第3図は従来方
法による混成集積回路の要部の模式側断面図、 である。 図中において、 2は回路基板、 6はスルーホールの透孔、 11は混成集積回路、 12は回路素子形成用の下地層、 16はスルーホール、 13は電極(導体層)、 17はスルーホールの導体層、 を示す。 二弓 、、l′、1.”、
Claims (1)
- ガラスまたはセラミックにてなりスルーホール用の透
孔(6)を設けた回路基板(2)に、少なくとも薄膜か
らなる回路素子形成用の下地層(12)および導体層(
13)を形成したのち、銅にてなるスルーホール(16
)の導体層(17)を形成することを特徴とした混成集
積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27571286A JPS63128787A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27571286A JPS63128787A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63128787A true JPS63128787A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17559319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27571286A Pending JPS63128787A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63128787A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199540A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Fujitsu Ltd | 回路基板とその製造方法、及び抵抗素子 |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27571286A patent/JPS63128787A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199540A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Fujitsu Ltd | 回路基板とその製造方法、及び抵抗素子 |
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