JPS63128347A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS63128347A JPS63128347A JP61274001A JP27400186A JPS63128347A JP S63128347 A JPS63128347 A JP S63128347A JP 61274001 A JP61274001 A JP 61274001A JP 27400186 A JP27400186 A JP 27400186A JP S63128347 A JPS63128347 A JP S63128347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- alignment
- orientation flat
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 206010021403 Illusion Diseases 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、(基板とフォトマスクの)密着屋露光装置に
より、基板上に塗布・焼き付けたフォトレジストを感光
させる露光作業におい【用いるフォトマスクに関する。
より、基板上に塗布・焼き付けたフォトレジストを感光
させる露光作業におい【用いるフォトマスクに関する。
所望の周波数特性を得るためには、(1)基板の所望す
る方位(伝搬面)を切断時に得ることと、(2)切断し
た基板面の正しい方向にパターンを付すことが重要であ
るが、前者については特開昭60=160213号公報
の如く、い(つかの提案がされてきた。ところが、後者
については充分な配慮がされていなかった。
る方位(伝搬面)を切断時に得ることと、(2)切断し
た基板面の正しい方向にパターンを付すことが重要であ
るが、前者については特開昭60=160213号公報
の如く、い(つかの提案がされてきた。ところが、後者
については充分な配慮がされていなかった。
従来技術は基板の所望する方位に高精度でパターンを形
成する点について配慮が不充分である。
成する点について配慮が不充分である。
従って基板の所望する方位からパターンの形成方向がズ
してしまい、目的の周波数特性を得られないという問題
があった。
してしまい、目的の周波数特性を得られないという問題
があった。
本発明の目的は基板の所望する方位にパターンを高清度
で形成するための技術を提供することである。
で形成するための技術を提供することである。
上記目的は、基板のオリフラと、パターン形成用フォト
マスクの位置合わせを高精度で行なうことにより達成さ
れる。
マスクの位置合わせを高精度で行なうことにより達成さ
れる。
そのために、フォトマスク上の位置合わせパターンを、
対向する多角形の2頂点が連なるものとした。
対向する多角形の2頂点が連なるものとした。
フォトマスク上の位置合わせパターンとして、対向する
多角形の2頂点を連ねる。2つの多角形の頂点が接しな
がら対向することで、その接する場所に1つの点が生じ
る。この2頂点を連ねることで、点が1つの直接状に伸
びるわけである。
多角形の2頂点を連ねる。2つの多角形の頂点が接しな
がら対向することで、その接する場所に1つの点が生じ
る。この2頂点を連ねることで、点が1つの直接状に伸
びるわけである。
上記直線上の点を目印に基板のオリフラとの位置合わせ
を行なうことで高精度位置合わせが可能となる。
を行なうことで高精度位置合わせが可能となる。
位置合わせ用パターンとして直線を用いた場合。
直線の太さ分だけオリフラがずれる可能性があり、高f
f/1度位置合わせとしては不十分である。
f/1度位置合わせとしては不十分である。
また、位置合わせ用の上記2頂点間の点が、多角形の頂
点にあるため、位置合わせ作業も容易である。
点にあるため、位置合わせ作業も容易である。
以下、本発明の一実施例を第1〜第3図により説明する
。
。
第1図にフォトマスクと基板オリフラとの位置合わせ作
業の概念図を示す。通常、基板なg −y及びθ方向に
動かしフォトマスク内の位置合わせパターンに基板のオ
リフラを合わせる。
業の概念図を示す。通常、基板なg −y及びθ方向に
動かしフォトマスク内の位置合わせパターンに基板のオ
リフラを合わせる。
第2図に示した如き従来の位置合わせパターン(例;位
置合わせパターン間の間隔200μm、パターン幅20
0μm)で直径3インチの基板を位置合わせした際、フ
ォトマスクからの基板オリフラのズレ角θは最大で±1
7°である。ところが、第3図に示した如き、本発明に
よる位置合わせパターンを用いれば、上記最大ズレ角θ
は士(L5°以内におさまる。
置合わせパターン間の間隔200μm、パターン幅20
0μm)で直径3インチの基板を位置合わせした際、フ
ォトマスクからの基板オリフラのズレ角θは最大で±1
7°である。ところが、第3図に示した如き、本発明に
よる位置合わせパターンを用いれば、上記最大ズレ角θ
は士(L5°以内におさまる。
上述した如く、本発明によれば、フォトマスクと基板オ
リフラとの位置合わせが極めて高精度で行なえる。
リフラとの位置合わせが極めて高精度で行なえる。
本発明によれば、(1)フォトマスクを通して基板オリ
フラが鮮明に見えるまた(2)位置合わせパターンを多
角形の2頂点ではさまれた恰好にしているため、位置合
わせ作業時に目の錯角が無いあるいは(3)フォトマス
ク上の位置合わせパターンそのものに幅か無いため、パ
ターン幅によって生ずるズ、 3 。
フラが鮮明に見えるまた(2)位置合わせパターンを多
角形の2頂点ではさまれた恰好にしているため、位置合
わせ作業時に目の錯角が無いあるいは(3)フォトマス
ク上の位置合わせパターンそのものに幅か無いため、パ
ターン幅によって生ずるズ、 3 。
しが無い等の効果があるため、フォトマスクと、基板オ
リフラとの位置合わせを極めて高精度で行なえるという
効果がある。
リフラとの位置合わせを極めて高精度で行なえるという
効果がある。
第1図は、基板のオリ7うと、フォトマスクの位置合わ
せ作業の概念図である。 第2図は、従来の位置合わせパターンの例である。 第3図は、本発明の一実施例。位置合わせパターンであ
る。 1・・・フォトマスク 2・・・基板 3・・・基板のオリ7う 4・・・位置合わせマーク ・ 4 ・ 此1国 晃2囚 第づ目
せ作業の概念図である。 第2図は、従来の位置合わせパターンの例である。 第3図は、本発明の一実施例。位置合わせパターンであ
る。 1・・・フォトマスク 2・・・基板 3・・・基板のオリ7う 4・・・位置合わせマーク ・ 4 ・ 此1国 晃2囚 第づ目
Claims (1)
- 1、ガラス板上にクロム等の材料を用いて所定のパター
ンを付して成るフォトマスクにおいて、基板のオリフラ
とフォトマスクの位置合わせを行なうための位置合わせ
用パターンを、対向する2つの多角形の2頂点が連なる
ものにしたことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274001A JPS63128347A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274001A JPS63128347A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63128347A true JPS63128347A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17535565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61274001A Pending JPS63128347A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63128347A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6522375B1 (en) * | 1999-03-04 | 2003-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection type liquid crystal display and a method for fabricating the same |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61274001A patent/JPS63128347A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6522375B1 (en) * | 1999-03-04 | 2003-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection type liquid crystal display and a method for fabricating the same |
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