JPH04236305A - 基板に対するマスクの位置合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板に対するマスクの
位置合わせ方法に係り、詳しくはサーマルヘッドの製造
工程等において表面が凹凸部を有した基板に形成したレ
ジスト層をパターニングするためのマスクの位置合わせ
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、サーマルヘッド等に使用される基
板に配線パターンを形成する場合、基板に成膜した金属
層上にレジストを塗布し、そのレジスト層に対してマス
クを配置し露光してレジストをパターニングする工程が
ある。そして、基板に対するマスクの位置合わせは高密
度で精度の高い配線パターンを形成する上で重要である
。この位置合わせの方法として、基板に予め形成した位
置合わせ用のマークを認識しマスクに形成した同じく位
置合わせ用のマークとを光学的に測定しながら位置合わ
せを行う方法がある。又、基板上に凸部が形成されてい
る基板についてはこの凸部を認識しマスクに形成した位
置合わせ用のマークとを光学的に測定しながら位置合わ
せを行う方法がある。

【０００３】特に、サーマルヘッド等に使用される基板
のように部分的に突出したグレーズ層（凸部）が形成さ
れた基板に対してマスクの位置合わせは後者の方法が採
用されている。この位置合わせ方法について説明すると
、図２２に示すように耐熱性絶縁基板５０にはその表面
の一部に断面半円形状の部分的グレーズ層５１が形成さ
れているとともに配線パターンを形成するための金属層
５２が形成されている。更に、その金属層５２の表面に
フォトレジスト５３が塗布されている。

【０００４】従って、フォトレジスト５３が塗布された
基板５０はグレーズ層５１が形成された部分が断面半円
弧状に突出している。この基板５０の上側に位置合わせ
マークを形成したマスクを配置し、発光装置にて真上か
らグレーズ層５１の延びる方向と直交する方向にスリッ
ト光を照射し、その反射光を受光装置にて検出する。こ
の時、反射光は平面部分と異なり凸部に照射された光は
曲面によって方向が変えられるため、受光装置は図２３
に示すような反射光量の相違によって中央部が円弧とな
る反射光のパターンｈを検出する。

【０００５】そして、受光装置にて検出した反射光のパ
ターンｈを画像処理し、図２３に示す反射光のパターン
ｈで示される形状の偏位及び傾き等によって、基板とマ
スクと相対位置関係を求める。相対位置が求まると、そ
の基板５０を移動及び回転調整して基板５０に対してマ
スクの位置合わせを行う。又、別の方法として、基板５
０の上側に位置合わせマークを形成したマスクを配置し
、斜め上方からグレーズ層５１の延びる方向と直交する
方向にスリット光を照射し、その反射光を発光装置と対
称位置に受光装置に配置し斜め上方から受光する場合、
その反射光は平面部分と凸部曲面に照射された光は光路
長が違って受光装置に受光される。受光装置は前記と同
様な中央部が円弧となる反射光のパターンｈを検出する
。

【０００６】そして、受光装置にて検出した反射光のパ
ターンｈを画像処理し、この反射光のパターンｈで示さ
れる形状の偏位及び傾き等によって、基板とマスクと相
対位置関係を求めている。相対位置が求まると、その基
板５０を移動及び回転調整して基板５０に対してマスク
を位置合わせを行う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２４
に示すように段差状のグレーズ層５１が形成された基板
５０に対してマスクの位置合わせを行う場合、その絶縁
基板５０の真上からスリット光を照射しても、凸部は平
面で曲面でないので段差部分にて若干スリット光が若干
偏向されるだけで、その他の直線光は偏向されない。こ
の結果、受光装置で検出できる反射光のパターンｈは図
２５に示すような変化が少ない反射光のパターンｈとな
り、グレーズ層５１、即ち凸部の位置を認識することが
できず、マスクと基板との位置合わせを行うことができ
ない。

【０００８】そこで、段差状のグレーズ層５１が形成さ
れた基板５０の場合、図２６に示すように斜め上方から
グレーズ層５１の延びる方向と直交する方向にスリット
光を照射し、その反射光を受光装置にて斜め上方から受
光し、前記光路長の差を利用して形成される反射光のパ
ターンｈにて相対位置を検出する方法が考えられる。し
かしながら、図２８に示すように段差状の形成されたグ
レーズ層５１の段差が小さいなると、凸部上面と凸部を
除く上面とに照射され反射して受光装置に受光される光
の光路長の差は小さくなる。その結果、図２９に示す反
射光のパターンｈとなり、その凸部の反射光部分と凸部
を除く反射光部分との差が認識できなくなる。これは段
差が小さくなればなるほど光路長の差が小さくなり、認
識ができなくなる。従って、この段差状に形成された凸
部の基板に対してマスクの位置合わせを精度よく行うこ
とは非常に困難なものとなっていた。

【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は段差部の小さい凹凸部を
有した基板において前記凹凸部を正確に認識することが
でき、基板に対してマスクを正確かつ確実に位置合わせ
を行うことができる基板に対するマスクの位置合わせ方
法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、基板に対してレジスト層をパターニングする
ためのマスクの位置合わせ方法において、前記基板の下
部から該基板に形成された凹凸部に対して光を照射し、
前記基板の凹凸部の段差面から透過する光をマスクに設
けた位置合わせ用のマークにて一部遮蔽し、その位置合
わせ用のマークにて一部遮蔽されて通過する透過光に基
づいて前記基板とマスクとの相対位置関係を測定するこ
とをその要旨とする。

【００１１】

【作用】基板の下部から光を照射すると、その光は基板
に設けられた凹凸部の段差面を介してのみ透過し、その
透過した光は更にマスクを透過する。このとき、マスク
に設けられた位置合わせ用のマークにより一部透過光が
遮蔽されることになる。従って、この一部遮蔽されて欠
けた透過光のパターンにおいて、その欠けた部分の位置
に基づいて前記基板とマスクの相対位置関係を割り出す
ことができ、その割り出した相対位置からマスクと基板
の位置合わせが可能になる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図２１に従って説明する。図１は位置合わせ装置の概略
図を示し、ステージ１はＸ軸回りの傾斜角αとＹ軸回り
の傾斜角β、Ｚ軸回りの回転角θ、Ｘ軸方向の偏位量ｘ
とＹ軸方向の偏位量ｙの５種類の自由度に関して移動自
在に支持されており、後述する位置調整装置２によって
前記５種類の自由度α，β，θ，ｘ，ｙに関してその姿
勢を個々に微調整することができるようになっている。

【００１３】前記ステージ１の上面には３本の位置決め
ピン３が立設固定されるとともに、図示しない真空装置
に接続された吸引口４が形成されている。このステージ
１における上面に基板Ｐが載置可能になっており、該基
板Ｐの２辺を前記位置決めピン３に当接させるとともに
、基板Ｐを吸引口４により吸引することによりステージ
１の上面の所定の位置に基板Ｐを固定することができる
ようになっている。

【００１４】また、ステージ１の上方には基板Ｐの表面
に形成したエッチング用のレジスト層をパターニングす
るためのガラス製のマスクＭが該基板Ｐと所定の間隙を
持って略平行に固定されている。そして、このマスクＭ
に対してステージ１を前記位置調整装置２により移動さ
せて基板Ｐの姿勢を微調整することによりマスクＭと基
板Ｐとの位置合わせが行われる。

【００１５】前記ステージ１内部にはレーザよりなる面
光を上方に照射する発光器５Ａ，５Ｂが設けられ、基板
Ｐの裏面に面光を照射するようになっている。更に、前
記マスクＭの上方には２個のＣＣＤ平面センサからなる
受光器６Ａ，６Ｂが配設され、前記発光器５Ａ，５Ｂか
ら照射された面光の内、基板Ｐ及びマスクＭを透過した
透過光ｈａ，ｈｂを受光するようになっている。透過光
ｈａ，ｈｂを検出した受光器６Ａ，６Ｂはその検出パタ
ーンを画像処理装置７を介して前記位置調整装置２に出
力される。

【００１６】次に、マスクＭと位置合わせを行う前記基
板Ｐの製造プロセスについて説明する。図３、図４は基
板Ｐの一部を示し、光を透過するアルミナよりなる耐熱
性絶縁基板Ｐ１の上面に形成した同じく光を透過するグ
レーズ層Ｐ２の表面に正四角形のレジストパターンＲＰ
を形成する。次に、レジストパターンＲＰをマスクにフ
ッ硝酸エッチッグ液にてエッチングを行い、図５に示す
ようにグレーズ層Ｐ２の表面に段差を有する断面矩形状
の凸部１０を形成する。尚、この凸部１０の形成は断面
矩形で基板Ｐ１の長手方向にのび、その上面に回路パタ
ーンが形成される凸条部１１（図１参照）を形成する時
に同時に形成される。

【００１７】続いて、レジストパターンＲＰを除去した
後、図６，７に示すように該グレーズ層Ｐ２の表面に回
路パターン形成のための金属又は抵抗体等の回路パター
ン被形成膜Ｐ３をスパッタ等で成膜する。この成膜プロ
セスにおいて、グレーズ層Ｐ２の表面に被形成膜Ｐ３が
形成されるが、凸部１０を囲む側面、即ち段差面は傾斜
が急なので成膜されない。従って、絶縁基板Ｐ１の裏面
から面光が凸部１０に向けて照射されると、その光は被
形成膜Ｐ３によって成膜された部分では該光は遮蔽され
るが、成膜されていない凸部１０を囲む段差面部分では
同段差面を介して光が透過することになる。

【００１８】そして、前記金属層又は抵抗体層等からな
る被形成膜Ｐ３に回路パターンを形成するために、図８
，図９に示すようにフォトレジストを塗布してフォトレ
ジスト層Ｐ４を形成することにより、同レジスト層Ｐ４
をパターニングするためのマスクＭと位置合わせをする
前記基板Ｐが形成される。この時、前記段差面を介して
透過する光はレジスト層Ｐ４を透過した光は同レジスト
層Ｐ４の透過し上面から凸部１０を囲む正四角形の透過
パターンが写し出される。尚、前記凸部１０は図１、図
１２に示すように基板Ｐの左右両端部の所定の個所に形
成される。

【００１９】次に、前記レジスト層Ｐ４をパターニング
するための前記マスクＭについて説明する。図１０，１
１に示すように、マスクＭには平面十字状の位置合わせ
用のマーク１２が印刷されている。この平面十字のマー
ク１２は前記平面四角形状の凸部１０と重ね合わせたと
き、マーク１２の四方の各先端部分１２ｂが凸部１０の
四角形状からはみ出る長さに形成されている。なお、こ
の位置合わせ用のマーク１２はマスクＭにレジスト層Ｐ
４をパターニングするためのレジストパターンを形成す
る際に同時に形成する。

【００２０】そして、このマーク１２は前記基板Ｐに形
成した一対の凸部１０に対応してマスクＭに形成され、
それぞれマーク１２の交差部１２ａが平面四角の凸部１
０の中心、即ち前記段差面から透過光によって形成され
る正四角形の透過光パターン１３の中心に位置し、マー
ク１２の各先端部分１２ｂが平面四角の透過光パターン
１３の各辺を二等分する位置が設定したマスクＭと基板
Ｐとの相対位置となるように予め所定の位置に形成され
ている。

【００２１】従って、マスクＭと基板Ｐとを図１に示す
ように配置し、発光器５Ａ，５Ｂから照射された面光の
内、基板Ｐを介して透過した正四角形状の透過光パター
ン１３はその各辺の一部がマスクＭに形成した十字形状
のマーク１２に遮断される。そして、その各辺が一部欠
けた正四角形状の透過光パターン１３Ａ，１３Ｂはそれ
ぞれの受光器６Ａ，６Ｂに受光される。その結果、受光
器６Ａ，６Ｂが受光した各辺の長さを同じにするととも
に、各辺の一部欠けた正四角形状の透過光パターン１３
Ａ，１３Ｂにおいて、その各辺の一部欠けた部分が全て
その辺において中央位置に位置させることで、位置合わ
せが確実に行われたことになる。即ち、その各辺の長さ
と一部欠けた部分の位置によって、その時のマスクＭと
基板Ｐとの相対位置がわかることになる。

【００２２】つまり、図１２，１３，１５に示すように
透過光パターン１３Ａ，１３Ｂの四角形状のＸ軸方向（
図１５において上下方向）における１辺の長さＬ２，Ｌ
４と、前記平面正四角形の凸部１０のＸ軸方向（図１２
において上下方向）の実際の１辺の長さＬ１２，Ｌ１４
を比較することにより、その時の基板Ｐの傾斜角（ステ
ージ１のＹ軸回りの傾斜角）βを算出できる。そして、
傾斜角βが０となるように調整すれば傾斜角βの調整が
正確に行われたことになる。

【００２３】又、透過光パターン１３Ａ，１３ＢのＹ軸
方向（図１４において左右方向）における１辺の長さＬ
１，Ｌ３と、凸部１０のＸ軸方向（図１２において左右
方向）における実際の１辺の長さＬ１１，Ｌ１３を比較
することにより、その時の基板Ｐの傾斜角（ステージ１
のＸ軸回りの傾斜角）αを算出できる。そして、傾斜角
αが０となるように調整すれば傾斜角αの調整が正確に
行われたことになる。

【００２４】又、図１６，１７に示すように透過光パタ
ーン１３Ａ，１３Ｂの上辺及び下辺を構成する各小辺の
長さｌ１，ｌ２，ｌ１ａ，ｌ２ａまたはｌ５，ｌ６，ｌ
５ａ，ｌ６ａの相対バランスを比較することにより、そ
の時の基板ＰのマスクＭに対する回転角（ステージ１の
Ｚ軸回りの回転角）θを算出できる。そして、回転角θ
が０となるように調整すれば回転角θの調整が正確に行
われたことになる。

【００２５】更に、図１９に示すように透過光パターン
１３ＡのＹ軸方向の一辺を２分する長さｌ１，ｌ２を比
較することによって、その時の基板ＰのマスクＭに対す
るＹ軸方向における偏位量ｙを算出することができる。 そして、偏位量ｙが０となるように調整すれば偏位量ｙ
の調整が正確に行われたことになる。又、図１８に示す
ように同様にＸ軸における一辺を２分する長さｌ３，ｌ
４を比較することによって、その時の基板ＰのマスクＭ
に対するＸ軸方向における偏位量ｘを算出することがで
きる。そして、偏位量ｘが０となるように調整すれば偏
位量ｘの調整が正確に行われたことになる。

【００２６】そして、この受光器６Ａ，６Ｂにて検出さ
れた透過光パターン１３Ａ，１３Ｂにて形成された各辺
の一部欠けた正四角形状を画像処理装置７にて画像処理
し、各辺の一部かけた部分の位置を求める。そして、画
像処理装置７にて画像処理して求めた各辺の一部かけた
部分の位置に基づいて位置調整装置２はマスクＭに対す
る基板Ｐの偏位及び傾きを演算して基板Ｐの姿勢を微調
整し、マスクＭと基板Ｐとの位置合わせを行う。

【００２７】次に、前記位置調整装置２について説明す
る。図２において、β傾斜角算出回路２１は画像処理装
置７からの位置データに基づいて透過光パターン１３Ａ
のＸ軸方向における１辺の長さＬ２と、予め記憶された
前記平面正四角形の凸部１０のＸ軸方向の１辺の長さＬ
１２を比較して、その時の基板Ｐの傾斜角βを算出する
。

【００２８】α傾斜角算出回路２２は画像処理装置７か
らの位置データに基づいて透過光透過光パターン１３Ａ
のＹ軸方向における１辺の長さＬ１と、予め記憶された
凸部１０のＸ軸方向における１辺の長さＬ１１を比較し
て、その時の基板Ｐの傾斜角傾斜角αを算出する。θ回
転角算出回路２３は同じく位置データに基づいて透過光
パターン１３Ａの上辺及び下辺の各小辺の長さｌ１，ｌ
２，ｌ１ａ，ｌ２ａを比較して、その時の基板Ｐのマス
クＭに対する回転角θを算出する。

【００２９】ｘ偏位量算出回路２４は同じく位置データ
に基づいて透過光パターン１３ＡのＸ軸における一辺を
２分する長さｌ３，ｌ４を比較して、その時の基板Ｐの
マスクＭに対するＸ軸方向における偏位量ｘを算出する
。又、ｙ偏位量算出回路２５は位置データに基づいて四
角形状のＹ軸方向の一辺を２分する長さｌ１，ｌ２を比
較して、その時の基板ＰのマスクＭに対するＹ軸方向に
おける偏位量ｙを算出する。

【００３０】前記β算出回路２１によって算出された傾
斜角βはβ判定回路３１に入力され、そのβ判定回路３
１は入力された前記傾斜角βの値が所定の許容範囲内に
あるがどうかを判定して、許容範囲外であれば駆動信号
出力回路３６に前記傾斜角βを出力し、許容範囲内であ
れば前記α傾斜角算出回路２２を動作させるようになっ
ている。前記駆動信号出力回路３６は前記傾斜角βに基
づいて傾斜角補正用駆動信号Ａβを傾斜角補正モータ４
１に出力し、その傾斜角補正モータ４１を傾斜角補正用
駆動信号Ａβに基づいて駆動させる。そして、この傾斜
角補正モータ４１の動作により前記ステージ１のＹ軸回
りの傾斜が補正されるようになっている。ステージ１の
傾斜角βが所定の許容範囲内に収まると、前記β判定回
路３１は前記α傾斜角算出回路２２を算出動作させるよ
うになっている。

【００３１】α傾斜角算出回路２２は前記β傾斜角算出
回路２１と同様にして算出した傾斜角αをα判定回路３
２に出力するようになっている。α傾斜角算出回路２２
によって算出された傾斜角αはα判定回路３２に入力さ
れ、そのα判定回路３２は入力された傾斜角αの値が所
定の許容範囲内にあるがどうかを判定して、許容範囲外
であれば駆動信号出力回路３７に前記傾斜角βを出力し
、許容範囲内であれば前記θ回転角算出回路２３を動作
させるようになっている。

【００３２】前記駆動信号出力回路３７はこの傾斜角α
に基づいて傾斜角補正用駆動信号Ａαを傾斜角補正モー
タ４２に出力し、その傾斜角補正モータ４２を傾斜角補
正用駆動信号Ａαに基づいて駆動させる。そして、この
傾斜角補正モータ４２の動作により前記ステージ１のＹ
軸回りの傾斜が補正されるようになっている。ステージ
１の傾斜角αが所定の許容範囲内に収まると、前記α判
定回路３２はθ回転角算出回路２３を算出動作させるよ
うになっている。

【００３３】以下、前記θ回転角算出回路２３、ｘ偏位
量算出回路２４及びｙ偏位量算出回路２５は、前記各算
出回路２１，２２と略同様の機能を備え、又、θ判定回
路３３、ｘ判定回路３４及びｙ判定回路３５も前記各判
定回路３１，３２と略同様の機能を備え、それぞれ駆動
信号出力回路３８，３９，４０からの各補正用駆動信号
Ａθ，Ａｘ，Ａｙに基づいて回転角、ｘ方向及びｙ方向
の補正モータ４３〜４５を駆動制御して偏位を補正する
。

【００３４】次に、この位置調整装置２の作用について
簡単に説明する。受光器６Ａ，６Ｂが対応する各辺の一
部が欠けた四角形状の透過光パターン１３Ａ，１３Ｂを
検出し、その透過光パターン１３Ａ，１３Ｂが画像処理
装置７にて画像処理され、その位置データが位置調整装
置２に出力される。位置調整装置２はまずβ傾斜角算出
回路２１において基板Ｐの傾斜角βが算出され、傾斜角
補正モータ４１を駆動制御して基板Ｐの傾斜角βが許容
範囲内になるように微調整する。次に、上記の調整によ
り傾斜角βの調整が完了すると、β判定回路３１はα傾
斜角算出回路２２を動作させ、α傾斜角算出回路２２は
傾斜角βが調整された透過光パターン１３Ａ，１３Ｂに
基づいて基板Ｐの傾斜角αを算出する。そして、α算出
回路２２の算出した傾斜角αに基づいて傾斜角補正モー
タ４２を駆動制御して基板Ｐの傾斜角αが許容範囲内に
なるように微調整する。傾斜角αの調整が完了すると、
α判定回路３２はθ回転角算出回路２３を動作させ、θ
回転角算出回路２３は傾斜角β，αが調整された透過光
パターン１３Ａ，１３Ｂに基づいて基板Ｐの回転角θを
算出する。そして、算出した回転角θに基づいて傾斜角
補正モータ４３を駆動制御して基板Ｐの回転角θが許容
範囲内になるように微調整する。

【００３５】回転角θの調整が完了すると、θ判定回路
３３はｘ偏位量算出回路２４を動作させ、ｘ偏位量算出
回路２４は傾斜角β，α及び回転角θが調整された透過
光パターン１３Ａ，１３Ｂに基づいて基板Ｐの偏位量ｘ
を算出する。そして、算出した偏位量ｘに基づいて傾斜
角補正モータ４４を駆動制御して基板Ｐの偏位量ｘが許
容範囲内になるように微調整する。偏位量ｘの調整が完
了すると、ｘ判定回路３４はｙ偏位量算出回路２５を動
作させ、ｙ偏位量算出回路２５は傾斜角β，α、回転角
θ及び偏位量ｘが調整された透過光パターン１３Ａ，１
３Ｂに基づいて基板Ｐの偏位量ｙを算出する。そして、
算出した偏位量ｙに基づいて傾斜角補正モータ４５を駆
動制御して基板Ｐの偏位量ｙが許容範囲内になるように
微調整する。

【００３６】偏位量ｙの調整が完了すると、基板Ｐはマ
スクＭに対する位置合わせが精度よく行われたことにな
る。そして、露光処理に移り、レジスト層Ｐ４へのパタ
ーニングを実行する。露光処理が終わり、回路パターン
形成のためのレジストパターンが形成される。この時、
凸部１０の形成部分は図２０に示すようにマーク１２に
よって、十字形状のレジストパターンが形成される。そ
して、公知のエッチング処理を行うことにより前記回路
パターン被形成膜Ｐ３による回路パターンがグレーズ層
Ｐ２上に形成される。又、凸部１０の形成部分は図２１
に示すように回路パターン被形成膜Ｐ３による十字形状
のパターンが形成される。

【００３７】以上詳述したように、本実施例においては
前記基板Ｐのグレーズ層Ｐ２に段差を有する凸部１０を
形成し、そのグレーズ層Ｐ２にパターン被形成膜Ｐ３を
形成した時、前記凸部１０の段差面にはパターン被形成
膜Ｐ３にて被覆されず、その段差面を介してのみ光が透
過するようにしたので、その段差面から透過する光のパ
ターンにて凸部１０の位置（即ち、基板Ｐの位置）を認
識させるすることができる。従って、光路長の差が小さ
い、即ち段差の小さい凸部１０でも確実に認識すること
ができる。しかも、マスクＭに形成したマーク１２にて
透過光の一部遮蔽させて、一部分が欠けた透過光パター
ン１３Ａ，１３Ｂを形成し、その切り欠ける部分の位置
を解析するといった非常に簡単な方法で精度の高いマス
クＭと基板Ｐとの相対位置関係を測定することができる
。又、本実施例の位置合わせのための凸部１０の形成は
、一段高い位置に回路パターンをつくるために凸条部１
１の形成と同時に、即ち同じプロセスで行われるため、
製造プロセスが非常に簡単となる。

【００３８】尚、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば前記実施例では凸部１０が平面四角形
であったが、これを円形、多角形等に各種形状にして実
施してもよい。又、凸部１０に変えて、段差面を有する
凹部を形成して実施してもよい。更に、前記実施例では
凸部１０を２つ設けたが、１つで実施してもよい。勿論
、３以上設けてもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、段
差部の小さい凹凸部を有した基板において前記凹凸部を
正確に認識することができ、基板に対してマスクを正確
かつ確実に位置合わせを行うことができる優れた効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による基板に対するマスクの
位置合わせを行う装置を示す全体の概略構成図である。

【図２】基板に対してマスクを位置調整する位置調整装
置の内部回路構成を示すブロック回路図である。

【図３】基板に対してグレーズ層を形成するとともに、
該グレーズ層の表面にレジスト層を形成した状態を示す
平面図である。

【図４】基板に対してグレーズ層を形成するとともに、
該グレーズ層の表面にレジスト層を形成した状態を示す
側面図である。

【図５】レジスト層が形成されていないグレーズ層がエ
ッチング処理によって若干除去されてレジスト層の下部
にグレーズ層の部分凸部が形成された状態を示す側面図
である。

【図６】グレーズ層の表面及び凸部の表面に対し金属層
を形成した状態を示す平面図である。

【図７】グレーズ層の表面及び凸部の表面に対し金属層
を形成した状態を示す側面図である。

【図８】グレーズ層の表面及び凸部の表面に対し金属層
を形成した状態でそれらの表面にレジスト層を形成した
状態を示す平面図である。

【図９】グレーズ層の表面及び凸部の表面に対し金属層
を形成した状態でそれらの表面にレジスト層を形成した
状態を示す断面図である。

【図１０】グレーズ層の凸部の上方にマスクの位置決め
用のマークが位置することを示す側面図である。

【図１１】グレーズ層の凸部の上方にマスクの位置決め
用のマークが位置することを示す平面図である。

【図１２】基板をステージの上面に載置固定した状態を
示す平面図である。

【図１３】基板の上方に対しマスクを位置させてマスク
のマークを透過する透過光を受光部が受光する状態を示
す平面図である。

【図１４】ステージのＹ軸回りの傾斜角βが０でない場
合、受光部が受光する透過光の形状を示す説明図である
。

【図１５】ステージのＸ軸回りの傾斜角αが０でない場
合、受光部が受光する透過光の形状を示す説明図である
。

【図１６】ステージのＺ軸回りの回転角θが０でない場
合、一方の受光部が受光する透過光の形状を示す説明図
である。

【図１７】ステージのＺ軸回りの回転角θが０でない場
合、他方の受光部が受光する透過光の形状を示す説明図
である。

【図１８】ステージのＸ軸方向の偏位量ｘが０でない場
合、受光部が受光する透過光の形状を示す説明図である
。

【図１９】ステージのＹ軸方向の偏位量ｙが０でない場
合、受光部が受光する透過光の形状を示す説明図である
。

【図２０】エッチッグ処理後、マスクのマークにより露
光処理されなかったレジスト層のみが残った状態を示す
平面図である。

【図２１】エッチング処理されなかったレジスト層を剥
離してレジスト層により保護された金属層がグレーズ層
に形成された状態を示す平面図である。

【図２２】従来の基板の上面に形成された曲面状のグレ
ーズ層により真上からの直線光が偏向されることを示す
説明図である。

【図２３】球面状のグレーズ層により偏向された直線光
を受光した状態を示す説明図である。

【図２４】従来の基板の上面に形成された断面凸状のグ
レーズ層により真上からの直線光が偏向されることを示
す説明図である。

【図２５】断面凸状のグレーズ層により偏向された直線
光を受光した状態を示す説明図である。

【図２６】従来の基板の上面に形成された断面凸状のグ
レーズ層により斜めからの直線光が偏向されることを示
す説明図である。

【図２７】断面凸状のグレーズ層により斜めからの偏向
された直線光を受光した状態を示す説明図である。

【図２８】従来の基板の上面に形成された段差部が小さ
い断面凸状のグレーズ層により斜めからの直線光が偏向
されることを示す説明図である。

【図２９】段差部が小さい断面凸状のグレーズ層により
斜めからの偏向された直線光を受光した状態を示す説明
図である。

【符号の説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板に対してレジスト層をパターニン
   グするためのマスクの位置合わせ方法において、前記基
   板の下部から該基板に形成された凹凸部に対して光を照
   射し、前記基板の凹凸部の段差面から透過する光をマス
   クに設けた位置合わせ用のマークにて一部遮蔽し、その
   位置合わせ用のマークにて一部遮蔽されて通過する透過
   光に基づいて前記基板とマスクとの相対位置関係を測定
   することを特徴とする基板に対するマスクの位置合わせ
   方法。