JPS5811805A - 寸法測定方法 - Google Patents
寸法測定方法Info
- Publication number
- JPS5811805A JPS5811805A JP11139481A JP11139481A JPS5811805A JP S5811805 A JPS5811805 A JP S5811805A JP 11139481 A JP11139481 A JP 11139481A JP 11139481 A JP11139481 A JP 11139481A JP S5811805 A JPS5811805 A JP S5811805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measured
- pattern
- measuring method
- size
- precision
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置及びその製造の際に使用するフォト
マスクの寸法測定方法に関するものである。
マスクの寸法測定方法に関するものである。
現在、フォトマスクは年々微細集積化の一途をたどって
いる。それに伴いマスクパターンも微細化し、寸法測定
も１μｍ前後のパターンを正確に測定する必要性が生じ
ている。特に、超高周波用の半導体装置及びフォトマス
クに於いては、０．５μｍ近傍のサブミクロンパターン
の測定を要求されつつある。
いる。それに伴いマスクパターンも微細化し、寸法測定
も１μｍ前後のパターンを正確に測定する必要性が生じ
ている。特に、超高周波用の半導体装置及びフォトマス
クに於いては、０．５μｍ近傍のサブミクロンパターン
の測定を要求されつつある。
従来、高精度寸法測定装置としてＨ，−Ｎ、レーザを使
用して光波干渉測定する装置が発表されているが、この
ような装置においても２μｍ未満のパターンは再現性良
く測定し得ない。ぞしてサブミクロンパターンともなる
と、全く測定できないのが現状である。
用して光波干渉測定する装置が発表されているが、この
ような装置においても２μｍ未満のパターンは再現性良
く測定し得ない。ぞしてサブミクロンパターンともなる
と、全く測定できないのが現状である。
本発明の目的はこのような２μｔｎ未満の微小パターン
をも高精度に測定する方法を提供することである。
をも高精度に測定する方法を提供することである。
本発明の特徴は、被測定パターンを斜めに傾けて寸法測
定する寸法測定方法にある。
定する寸法測定方法にある。
以下に本発明の一実施例を図を用いて詳細に説明する。
第１図はヘアラインを使った従来の測定方法を、第２図
はＨ，−Ｎｅレーザを使った従来の測定方法を示してい
る。いずれも被測定パターンを測定方向に垂直にセット
して測定を行なっている。その為、被測定パターンの寸
法をそのまま測定せねばならず２μｍ未満のパターンで
は正確な測定が困難になる。
はＨ，−Ｎｅレーザを使った従来の測定方法を示してい
る。いずれも被測定パターンを測定方向に垂直にセット
して測定を行なっている。その為、被測定パターンの寸
法をそのまま測定せねばならず２μｍ未満のパターンで
は正確な測定が困難になる。
第３図は本発明による寸法測定方法の一実施例を示す。
被測定パターンを角度θだけ傾け、図中Ｂ部の寸法を測
定すれば実際に知りたいＡ部の寸法は（１）式より求め
られる。
定すれば実際に知りたいＡ部の寸法は（１）式より求め
られる。
Ａ＝Ｂ、、石θ ・・・（１）
例として、θ＝１１．６度 Ａ＝１μｍのパターンを本
発明による方法で測定する場合を考える。
発明による方法で測定する場合を考える。
ｇｉｎｌｌ、６＝０．２なので、（１）式より実際に測
定するＢ部の寸法はＢ＝５μｍとなる。又、Ｂ部を±０
．１μｍの精度で測定できるとすれば、（１）式よりＡ
部は±０．０２μｍの精度で測定されることになる。即
ち、θ−１１．６度の場合、被測定パターンを５倍に拡
大し、従来測定技術の５倍の精度で測定できる。さらに
θを小さくすれば、より微小なパターンをより精度良く
測定できる。
定するＢ部の寸法はＢ＝５μｍとなる。又、Ｂ部を±０
．１μｍの精度で測定できるとすれば、（１）式よりＡ
部は±０．０２μｍの精度で測定されることになる。即
ち、θ−１１．６度の場合、被測定パターンを５倍に拡
大し、従来測定技術の５倍の精度で測定できる。さらに
θを小さくすれば、より微小なパターンをより精度良く
測定できる。
このように、本発明による寸法測定方法を用いれば２μ
ｍ未満の微小パターンをも高精度に測定することが可能
となる。
ｍ未満の微小パターンをも高精度に測定することが可能
となる。
第１図はヘアラインを用いた従来の測定方法、第２図は
Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いた従来の測定方法、第３図は本
発明による寸法測定方法の一実施例を示す。 なお図において １，１ｔ、１ｔｔ・・・被測定パター
ン、２・・・ヘアライン、３・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザビ
ーム、４・・・Ｈ，−Ｎ、レーザビーム定査方向、Ａ・
・・被測定パターンの実際に知りたい寸法ｊｌ＝Ｂ・・
・本発明による方法で測定する寸法量、である。
Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いた従来の測定方法、第３図は本
発明による寸法測定方法の一実施例を示す。 なお図において １，１ｔ、１ｔｔ・・・被測定パター
ン、２・・・ヘアライン、３・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザビ
ーム、４・・・Ｈ，−Ｎ、レーザビーム定査方向、Ａ・
・・被測定パターンの実際に知りたい寸法ｊｌ＝Ｂ・・
・本発明による方法で測定する寸法量、である。
Claims (1)
- 被測定パターンを斜めに傾けて、寸法測定することを特
徴とする寸法測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139481A JPS5811805A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139481A JPS5811805A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 寸法測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811805A true JPS5811805A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14560038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11139481A Pending JPS5811805A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811805A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193972A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Iseki & Co Ltd | 乗用型作業機けん引車 |
| JPS6296010A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | 井関農機株式会社 | 乗用型苗植機 |
| JPS6438907U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | ||
| JPH0582219U (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-09 | ヤンマー農機株式会社 | 予備苗載台を具備する乗用田植機 |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11139481A patent/JPS5811805A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193972A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Iseki & Co Ltd | 乗用型作業機けん引車 |
| JPS6296010A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | 井関農機株式会社 | 乗用型苗植機 |
| JPS6438907U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | ||
| JPH0582219U (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-09 | ヤンマー農機株式会社 | 予備苗載台を具備する乗用田植機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100533528B1 (ko) | 웨이퍼의 형상 평가방법 및 장치 및 디바이스의 제조방법,웨이퍼 및 웨이퍼의 선별방법 | |
| KR100572940B1 (ko) | 모니터 방법, 노광 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법,에칭 방법 및 노광 처리 장치 | |
| KR0168772B1 (ko) | 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법 | |
| JP2500423B2 (ja) | 位相シフトマスクの検査方法 | |
| JPH0321901B2 (ja) | ||
| JPS5811805A (ja) | 寸法測定方法 | |
| JPS62115830A (ja) | 露光方法 | |
| JPS5846054B2 (ja) | フオトマスク | |
| JP3733171B2 (ja) | 位置検出系性能評価方法 | |
| JPS59188649A (ja) | 光学マスク | |
| JPH0550849B2 (ja) | ||
| JPH01196822A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH07192994A (ja) | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 | |
| JPS6350852B2 (ja) | ||
| JPS63286752A (ja) | パタ−ンの欠陥検査または寸法測定方法 | |
| JP2920990B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡、トンネル走査型顕微鏡等の深さ方向および横方向の倍率或は像の寸法の測定用基準格子板 | |
| JPS61292505A (ja) | 微小長さの測定基準体 | |
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| JPH02125256A (ja) | フォトマスク | |
| JPH02159011A (ja) | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 | |
| JPH03283528A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH10185541A (ja) | 配置精度測定方法、フォトマスク及び半導体装置 | |
| JPH025445A (ja) | パータン目合わせずれ測定方法 | |
| JPS5858807B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPH0770577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |