JPS61292505A - 微小長さの測定基準体 - Google Patents
微小長さの測定基準体Info
- Publication number
- JPS61292505A JPS61292505A JP13516885A JP13516885A JPS61292505A JP S61292505 A JPS61292505 A JP S61292505A JP 13516885 A JP13516885 A JP 13516885A JP 13516885 A JP13516885 A JP 13516885A JP S61292505 A JPS61292505 A JP S61292505A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- specimen
- diffraction grating
- length
- grating
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｒｃ、半導体レーザ、 ＬＥＩＪ等におけ
る微小長さを測定する場合に用いて好適な微小長さの測
定基準体に関する。
る微小長さを測定する場合に用いて好適な微小長さの測
定基準体に関する。
一般に１約ａ２〜７０μｍ程反の微小長さを測定する場
合、ＩＮ測定物を電子ｗ４徽跳で観察すること罠より測
定する。
合、ＩＮ測定物を電子ｗ４徽跳で観察すること罠より測
定する。
ところで、走査型電子顕微鏡における長さの測定の基準
ゲージとしては標準メツシュ等があるが、その構造から
して５ＯＯｆ＆程夏での較正が限度で、とても１万倍を
越える倍率での基準とはなり得なかった。１万倍以上の
倍率でも観察司能なサンプルとしてＨ，ｒＣ等のフォト
リソグラフィ工程で使用されるガラス板上にクロム等で
微細パターンを形成した、いわゆるフォトマスクがある
が、これにも以下のような問題点がある。
ゲージとしては標準メツシュ等があるが、その構造から
して５ＯＯｆ＆程夏での較正が限度で、とても１万倍を
越える倍率での基準とはなり得なかった。１万倍以上の
倍率でも観察司能なサンプルとしてＨ，ｒＣ等のフォト
リソグラフィ工程で使用されるガラス板上にクロム等で
微細パターンを形成した、いわゆるフォトマスクがある
が、これにも以下のような問題点がある。
１） ７万倍以上の倍率ではパターンエッヂにダレが
生じ（第３図参照）、パターンの境界か不明確となり、
標準として３３機能をはたきない。
生じ（第３図参照）、パターンの境界か不明確となり、
標準として３３機能をはたきない。
１１）この標準マスクを検定する別の測定が必要であり
、この検定の誤差も基準に＠まれてしまうことＫなり＃
１度が低下する。
、この検定の誤差も基準に＠まれてしまうことＫなり＃
１度が低下する。
このため、被測定物（特に微細なものに関して）によっ
ては長さを１偏に測定し得ない場合があった。
ては長さを１偏に測定し得ない場合があった。
そこでこの発明は、電子顕＠鏡等による長さ測定におい
て、微小長さを常忙止確に測定することかできろ微小長
さの測定基準体を提供することを目的としている。
て、微小長さを常忙止確に測定することかできろ微小長
さの測定基準体を提供することを目的としている。
この発明は、半導体基板または金属等の結晶体の少くと
もｍ−に干渉露光法を利用して回折格子を形成し、前記
回折格子が形成された結晶体と、被ｍ定物とを、前記回
折格子が別記被測定物に双向する状態で並置するか、あ
るいは被測定物を測定する開に前記回折格子を用いて測
定系の較正をするなとして前記回折格子と前記被測定物
とを直接あるいは間接的に対比させて口１１記被測定物
の長さを測定することを特徴としている。
もｍ−に干渉露光法を利用して回折格子を形成し、前記
回折格子が形成された結晶体と、被ｍ定物とを、前記回
折格子が別記被測定物に双向する状態で並置するか、あ
るいは被測定物を測定する開に前記回折格子を用いて測
定系の較正をするなとして前記回折格子と前記被測定物
とを直接あるいは間接的に対比させて口１１記被測定物
の長さを測定することを特徴としている。
以下、図面を参照しこの発明による測定基準体およびそ
れを用いた微小長さの測定方法の一実施例を説明する。
れを用いた微小長さの測定方法の一実施例を説明する。
まず、第／図イ）に示す結晶体であるＴｎＪ’ 半導体
基板１の上面にフォトレジストを筐布し、次いで例えば
Ｈｅ、＝Ｃｄレーザの放射光（波長３２りθλ）を用い
た干渉露光法によって根状パターンをつける。次に、第
１図（ロ）に示すように、異方性エツチングによって基
板ｌの上面に１次の回折格子２を形成して基準ゲージ３
を作成する。ここで、回折格子２のピッチは例えば２’
１００にであり、深さは例えば１０θＯＡである。異方
性エツチングの特性により、回折格子の形状は鋸歯状と
なる。次に、第２図に示すように、基準ゲージ３と被測
定物４とを、回折格子２が被測定物４に対向する状態で
並置するか、あるいは被測定物を測定する前に回折格子
２を用いて測定系を較正するなどして′電子顕微蹴によ
り観察し、被測定物４と回折格子２との対比に基づいて
被測定物４の長さを測定する。
基板１の上面にフォトレジストを筐布し、次いで例えば
Ｈｅ、＝Ｃｄレーザの放射光（波長３２りθλ）を用い
た干渉露光法によって根状パターンをつける。次に、第
１図（ロ）に示すように、異方性エツチングによって基
板ｌの上面に１次の回折格子２を形成して基準ゲージ３
を作成する。ここで、回折格子２のピッチは例えば２’
１００にであり、深さは例えば１０θＯＡである。異方
性エツチングの特性により、回折格子の形状は鋸歯状と
なる。次に、第２図に示すように、基準ゲージ３と被測
定物４とを、回折格子２が被測定物４に対向する状態で
並置するか、あるいは被測定物を測定する前に回折格子
２を用いて測定系を較正するなどして′電子顕微蹴によ
り観察し、被測定物４と回折格子２との対比に基づいて
被測定物４の長さを測定する。
以上の過程において、回折格子２のピッチは、干渉露光
時におけるレーザ元の回折角を変えることＫよ’）、２
２００Ａ Ｎ２１．ＤＯＡ程＆ （Ｆ）範囲で充分変化
させることがでさ、また、上述したＨｅ−Ｃｄレーザ以
外のレーザを用いれば、さらに回折格子２のピッチを変
えることができる。ｔた、形成した回折格子２のピッチ
は、回折角を測定することにより精度よく求めることが
できる（測定確度±１％以下〕。また、２次の回折格子
とすれば、ピッチおよび深さとも２倍にすることができ
る。
時におけるレーザ元の回折角を変えることＫよ’）、２
２００Ａ Ｎ２１．ＤＯＡ程＆ （Ｆ）範囲で充分変化
させることがでさ、また、上述したＨｅ−Ｃｄレーザ以
外のレーザを用いれば、さらに回折格子２のピッチを変
えることができる。ｔた、形成した回折格子２のピッチ
は、回折角を測定することにより精度よく求めることが
できる（測定確度±１％以下〕。また、２次の回折格子
とすれば、ピッチおよび深さとも２倍にすることができ
る。
また、回折格子２のｌピッチのＭ度は７％以下である。
したがって、ピッチが２ダθθ人の場合、約／７０にの
誤差が発生する。しかし、複数ピッチの長さを計っても
、合計の長さの精度はやけり／７θＡであり、したがっ
て、複数のピッチで測定すると測定精度は北路的に上が
る。これは、ピッチが干渉露光時におけるレーザ元の波
長によって決まることに起因している。
誤差が発生する。しかし、複数ピッチの長さを計っても
、合計の長さの精度はやけり／７θＡであり、したがっ
て、複数のピッチで測定すると測定精度は北路的に上が
る。これは、ピッチが干渉露光時におけるレーザ元の波
長によって決まることに起因している。
なお、回折格子を形成する対象は、異方性エツチングに
よって明瞭な鋸歯が形成される結晶体である。結晶体で
ないものは、所望のエツチング形状を得ることが極めて
困錘である。
よって明瞭な鋸歯が形成される結晶体である。結晶体で
ないものは、所望のエツチング形状を得ることが極めて
困錘である。
以上説明したように、この発明によれば、光の波長とい
う極めて安定性のよいものを用いて長さ測定の基準とな
る回折格子を形成するので、回折格子のピッチの精度が
よ（、この結果、被測定物の長さを正確に計ることがで
きる。また、この発明によれば、回折格子のピッチを被
測定？１５ＫＲ５じて変えることかでさ、これにより、
被測定物の長さを正確に計ることが口Ｊ能となる。
う極めて安定性のよいものを用いて長さ測定の基準とな
る回折格子を形成するので、回折格子のピッチの精度が
よ（、この結果、被測定物の長さを正確に計ることがで
きる。また、この発明によれば、回折格子のピッチを被
測定？１５ＫＲ５じて変えることかでさ、これにより、
被測定物の長さを正確に計ることが口Ｊ能となる。
第１図、第２図は共にこの発明の一実施例を説明するた
めの図であり、第７図（イ）は半導体基板１の正面図、
（ロ）は半導体基板ｌの上面に回折格子２を形成したと
ころを示す正面図、第２図は被測定物４の長さ測定の方
法を示す図、第３図は従来技術の不都合点を説明するた
めの図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・用回折格子、３・
旧・・基準ゲージ、４・・・・・・被測定物。
めの図であり、第７図（イ）は半導体基板１の正面図、
（ロ）は半導体基板ｌの上面に回折格子２を形成したと
ころを示す正面図、第２図は被測定物４の長さ測定の方
法を示す図、第３図は従来技術の不都合点を説明するた
めの図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・用回折格子、３・
旧・・基準ゲージ、４・・・・・・被測定物。
Claims (1)
- 金属または半導体の結晶体よりなり少なくとも一面に約
０．２μｍ〜１０μｍ間隔の回折格子が設けられている
ことを特徴とする微小長さの測定基準体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516885A JPS61292505A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微小長さの測定基準体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516885A JPS61292505A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微小長さの測定基準体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292505A true JPS61292505A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15145420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13516885A Pending JPS61292505A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微小長さの測定基準体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292505A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04289411A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Fujitsu Ltd | 測長ｓｅｍ用基準サンプルの製造方法 |
| JP2006220560A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Sii Nanotechnology Inc | 基板及び微小構造物並びに基準スケールの作製方法及び微小構造物の測長方法 |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP13516885A patent/JPS61292505A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04289411A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Fujitsu Ltd | 測長ｓｅｍ用基準サンプルの製造方法 |
| JP2006220560A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Sii Nanotechnology Inc | 基板及び微小構造物並びに基準スケールの作製方法及び微小構造物の測長方法 |
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