JPS63124459A - 完全密着型等倍センサ− - Google Patents
完全密着型等倍センサ−Info
- Publication number
- JPS63124459A JPS63124459A JP61270413A JP27041386A JPS63124459A JP S63124459 A JPS63124459 A JP S63124459A JP 61270413 A JP61270413 A JP 61270413A JP 27041386 A JP27041386 A JP 27041386A JP S63124459 A JPS63124459 A JP S63124459A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- film
- connection
- electrode
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
挟嵐分互
本発明はセンサ一部にかかる単位荷重を軽減した完全密
着型等倍センサーに関する。
着型等倍センサーに関する。
災米艮監
一般に、例えば論理、駆動回路が形成された各種プリン
ト配線板等の半導体装置は近時において軽薄短小化が急
速に進んでいる。イメージセンサ−においてもこの例外
ではなく、縮小光学系の不要な完全密着型等倍センサー
が主流になりつＮある。このような完全密着型等倍セン
サーにおいてはセンサ一部および薄膜トランジスタ一部
と電極部とを同一平面上に形成することが必要とされる
。この場合、センサー面は保護膜を介して原稿面と接触
しており、かつその面で原稿面は移動する。この原稿は
光信号をセンサ一部に完全に伝えるべく、ある一定の荷
重でセンサ一部と接触している。
ト配線板等の半導体装置は近時において軽薄短小化が急
速に進んでいる。イメージセンサ−においてもこの例外
ではなく、縮小光学系の不要な完全密着型等倍センサー
が主流になりつＮある。このような完全密着型等倍セン
サーにおいてはセンサ一部および薄膜トランジスタ一部
と電極部とを同一平面上に形成することが必要とされる
。この場合、センサー面は保護膜を介して原稿面と接触
しており、かつその面で原稿面は移動する。この原稿は
光信号をセンサ一部に完全に伝えるべく、ある一定の荷
重でセンサ一部と接触している。
従来の完全密着型等倍センサーは第２図に示すように、
透明絶縁基板１上にセンサ一部２と薄膜トランジスター
（ＴＰＴ）部３とを形成し、これらを保護膜４により被
覆し、その接続部は前記基板１上に設けた接続用金属電
極膜５および６を順次積層し、これにワイヤーボンド型
の接続配線７を設けたものであるため、これら接続配線
７のパッド、それにワイヤを保護するための電極保護膜
８を充分に覆う必要がある。そのため、接続部での電極
保護膜８の厚さが数ｍｍにも及び、原稿面がこの電極保
護膜８のコーナー部に当接することにより、原稿荷重が
このコーナ一部に集中してしまい、原稿単位荷重に耐え
得る保護膜を形成することはむずかしかった。
透明絶縁基板１上にセンサ一部２と薄膜トランジスター
（ＴＰＴ）部３とを形成し、これらを保護膜４により被
覆し、その接続部は前記基板１上に設けた接続用金属電
極膜５および６を順次積層し、これにワイヤーボンド型
の接続配線７を設けたものであるため、これら接続配線
７のパッド、それにワイヤを保護するための電極保護膜
８を充分に覆う必要がある。そのため、接続部での電極
保護膜８の厚さが数ｍｍにも及び、原稿面がこの電極保
護膜８のコーナー部に当接することにより、原稿荷重が
このコーナ一部に集中してしまい、原稿単位荷重に耐え
得る保護膜を形成することはむずかしかった。
従って従来は第２図に示すように原稿荷重をセンサ一部
２およびＴＦＴ部３にのみ負荷させるようにしていた。
２およびＴＦＴ部３にのみ負荷させるようにしていた。
これにより、センサ一部２およびＴＦＴ部３に加わる単
位面積当りの荷重が大きくなり、保護膜４がこれら原稿
の単位荷重によって大きく摩耗され、センサー寿命を著
しく短かくしていたという問題点を有するものであった
。
位面積当りの荷重が大きくなり、保護膜４がこれら原稿
の単位荷重によって大きく摩耗され、センサー寿命を著
しく短かくしていたという問題点を有するものであった
。
且−一」寛
本発明は上記に示した如き従来の問題点を改善し、セン
サ一部に加わる原稿の単位面積当りの荷重を分散し、そ
れによりセンサー寿命がより向上した完全密着型等倍セ
ンサーを提供することを目的とするものである。
サ一部に加わる原稿の単位面積当りの荷重を分散し、そ
れによりセンサー寿命がより向上した完全密着型等倍セ
ンサーを提供することを目的とするものである。
構 成
本発明は透明絶縁基板上にセンサーとその駆動回路とな
るＴＰＴとを一体に形成してなる完全密着型等倍センサ
ーにおいて、センサーとＴＰＴを形成した同一基板上に
設けた接続用金属電極膜に柔軟性のある平坦なケーブル
もしくは配線を接続したことを特徴とするものである。
るＴＰＴとを一体に形成してなる完全密着型等倍センサ
ーにおいて、センサーとＴＰＴを形成した同一基板上に
設けた接続用金属電極膜に柔軟性のある平坦なケーブル
もしくは配線を接続したことを特徴とするものである。
以下に本発明の実施例を示す添付図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、この第１
図において、透明絶縁基板１上にはセンサ一部２および
ＴＦＴ部３が設けられ、これらは保護膜４で覆われてい
る。そして同じく透明絶縁基板１上には接続用金属電極
膜５および６が設けられている。これらの点は第２図に
示した従来例のものと同一である。しかし、接続用金属
電極膜６上には熱溶融型接着剤９を介して、その上面に
ポリイミド等の絶縁フィルム１０が貼着された平坦状で
柔軟性のある接続用金属電極１１が接続されている。そ
して、この接続用金属電極１１が設けられた接続部には
電極保護膜８が設けられている。
図において、透明絶縁基板１上にはセンサ一部２および
ＴＦＴ部３が設けられ、これらは保護膜４で覆われてい
る。そして同じく透明絶縁基板１上には接続用金属電極
膜５および６が設けられている。これらの点は第２図に
示した従来例のものと同一である。しかし、接続用金属
電極膜６上には熱溶融型接着剤９を介して、その上面に
ポリイミド等の絶縁フィルム１０が貼着された平坦状で
柔軟性のある接続用金属電極１１が接続されている。そ
して、この接続用金属電極１１が設けられた接続部には
電極保護膜８が設けられている。
このように、本発明によれば、接続部における接続用金
属電極１１が平坦で柔軟性を有するものであるため、電
極保護膜８を設けた接続部の厚さを薄くすることができ
るようになる。これにより、原稿１２の荷重がセンサ一
部２およびＴＦＴ部３上の保護膜４と接続部の電極保護
膜８に、分散され、センサ一部２に負荷される単位面積
当りの荷重が軽減されるようになる。
属電極１１が平坦で柔軟性を有するものであるため、電
極保護膜８を設けた接続部の厚さを薄くすることができ
るようになる。これにより、原稿１２の荷重がセンサ一
部２およびＴＦＴ部３上の保護膜４と接続部の電極保護
膜８に、分散され、センサ一部２に負荷される単位面積
当りの荷重が軽減されるようになる。
第３図は本発明の他の実施例を示すものであり、第１図
に示した構成のものにおいて、ペーパーガイド１３を設
け、このペーパーガイド１３により原稿１２の荷重の一
部を分散支承するものである。
に示した構成のものにおいて、ペーパーガイド１３を設
け、このペーパーガイド１３により原稿１２の荷重の一
部を分散支承するものである。
なお、本発明は完全密着型等倍センサーについて適用さ
れるものではあるが、その他の論理、駆動回路が形成さ
れた各種プリント配線板等にも好適なものであることは
いうまでもなく、これにより、装置の軽薄短小化に寄与
するものである。
れるものではあるが、その他の論理、駆動回路が形成さ
れた各種プリント配線板等にも好適なものであることは
いうまでもなく、これにより、装置の軽薄短小化に寄与
するものである。
また、本発明において、透明絶縁基板１としては石英基
板等が、接続用金属膜５としてはＣｒ接続用金属膜６と
してはＡＱ等が用いられる。
板等が、接続用金属膜５としてはＣｒ接続用金属膜６と
してはＡＱ等が用いられる。
羞−一部
以上のような本発明によれば、電極保護膜を゛設けた接
続部の厚さが薄くなるため、センサー部およびＴＦＴ部
に負荷される原稿の荷重が分散されて軽減され、保護膜
の耐摩耗性および寿命が向上し、さらに単位面積当りの
荷重が軽減されるため加圧によるセンサーあるいはＴＰ
Ｔの電気特性の変化が軽減でき、安定して素子を駆動す
ることができるという効果を有する。
続部の厚さが薄くなるため、センサー部およびＴＦＴ部
に負荷される原稿の荷重が分散されて軽減され、保護膜
の耐摩耗性および寿命が向上し、さらに単位面積当りの
荷重が軽減されるため加圧によるセンサーあるいはＴＰ
Ｔの電気特性の変化が軽減でき、安定して素子を駆動す
ることができるという効果を有する。
第１図は本発明に係る完全密着型等倍センサーの一実施
例を示す断面説明図である。 第２図は従来の完全密着型等倍センサーを示す断面説明
図である。 第３図は本発明に係る完全密着型等倍センサーの他の実
施例を示す断面説明図である。
例を示す断面説明図である。 第２図は従来の完全密着型等倍センサーを示す断面説明
図である。 第３図は本発明に係る完全密着型等倍センサーの他の実
施例を示す断面説明図である。
Claims (1)
- １、透明絶縁基板上にセンサーとその駆動回路となる薄
膜トランジスターとを一体に形成してなる完全密着型等
倍センサーにおいて、センサーと薄膜トランジスターを
形成した同一基板上に設けた接続用金属電極膜に柔軟性
のある平坦なケーブルもしくは配線を接続したことを特
徴とする完全密着型等倍センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270413A JPS63124459A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 完全密着型等倍センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61270413A JPS63124459A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 完全密着型等倍センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124459A true JPS63124459A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17485915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61270413A Pending JPS63124459A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 完全密着型等倍センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124459A (ja) |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61270413A patent/JPS63124459A/ja active Pending
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