JPS63122037A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63122037A JPS63122037A JP26900286A JP26900286A JPS63122037A JP S63122037 A JPS63122037 A JP S63122037A JP 26900286 A JP26900286 A JP 26900286A JP 26900286 A JP26900286 A JP 26900286A JP S63122037 A JPS63122037 A JP S63122037A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光磁気記録媒体の耐食構造に関する。
光磁気記録媒体は光磁気ディスクなどとして実用化が期
待されている。光磁気記録媒体の記録層としてはＴｂＦ
ｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅなどの粘土類−遷移金
属合金（以下ＲＥ−ＴＭ合金と略記）のアモルファス垂
直磁化膜が用いられ、これに磁場とレーザ光を通用して
信号の記録、再生、消去が行なわれる。このＲＥ−ＴＭ
金合金アモルファス垂直磁化膜を記ｕｔＪＩＩに用いた
光磁気記録媒体は大面積の薄膜を形成することが容易な
ことと、書き込み感度、再生感度が良好なので有望視さ
れている。
待されている。光磁気記録媒体の記録層としてはＴｂＦ
ｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅなどの粘土類−遷移金
属合金（以下ＲＥ−ＴＭ合金と略記）のアモルファス垂
直磁化膜が用いられ、これに磁場とレーザ光を通用して
信号の記録、再生、消去が行なわれる。このＲＥ−ＴＭ
金合金アモルファス垂直磁化膜を記ｕｔＪＩＩに用いた
光磁気記録媒体は大面積の薄膜を形成することが容易な
ことと、書き込み感度、再生感度が良好なので有望視さ
れている。
しかしながらＲＥ−ＴＭ金合金耐食性が十分でなく、大
気中の湿気、酸素ガスにより酸化されその光磁気特性が
劣化するという欠点がある。
気中の湿気、酸素ガスにより酸化されその光磁気特性が
劣化するという欠点がある。
このために従来は例えば当社特許出願昭６１−０３６８
０４号明細書に開示されているように、ポリカーボネー
トなどプラスチック系基板１の上に記録層２を形成し、
この上に５４０□＋ ＳＩＯ＋ ｓｉ、Ｎ、などの保護
Ｎ３を形成していた。第４図にこれを示す。
０４号明細書に開示されているように、ポリカーボネー
トなどプラスチック系基板１の上に記録層２を形成し、
この上に５４０□＋ ＳＩＯ＋ ｓｉ、Ｎ、などの保護
Ｎ３を形成していた。第４図にこれを示す。
この場合保護Ｎ３は記録Ｎ２が直接大気に触れないよう
にしてその特性劣化を防ぐ、なお矢印はレーザ光の記録
Ｎ２の表面における反射とレーザ偏光面の回転とを示す
（カー回転角θ８）。
にしてその特性劣化を防ぐ、なお矢印はレーザ光の記録
Ｎ２の表面における反射とレーザ偏光面の回転とを示す
（カー回転角θ８）。
しかしながら従来の光磁気記録媒体においては、ＳＩＯ
，、Ｓｉｎ、 ＳＩＪ＊などの保ｆ！を層３がピンホー
ルを有すること、またポリカーボネート、ＰＭＭＡ等の
プラスチック基板１は水分透過性であること、さらに記
録層側面は大気に開放されているなどの理由により、大
気中の水分、酸素ガスが記録Ｆ１２に拡散し、その結果
記録層２が劣化を起こすという問題点があった。
，、Ｓｉｎ、 ＳＩＪ＊などの保ｆ！を層３がピンホー
ルを有すること、またポリカーボネート、ＰＭＭＡ等の
プラスチック基板１は水分透過性であること、さらに記
録層側面は大気に開放されているなどの理由により、大
気中の水分、酸素ガスが記録Ｆ１２に拡散し、その結果
記録層２が劣化を起こすという問題点があった。
この発明の目的は大気中の水分、酸素ガスが記録層に拡
散するのを防止して、記録層の光磁気特性を安定に維持
するにある。
散するのを防止して、記録層の光磁気特性を安定に維持
するにある。
上記目的を達成するために、この発明によれば、透明基
板１に記録Ｎ２と保護Ｎ３を設けた光磁気記録媒体の少
なくとも側画表面にパリレン膜４を備える、とするもの
とする。
板１に記録Ｎ２と保護Ｎ３を設けた光磁気記録媒体の少
なくとも側画表面にパリレン膜４を備える、とするもの
とする。
透明基板１は光磁気記録媒体の構造材料である。
同時に大気中の水分１酸素ガスの拡散を防止し記録層を
保護する。記録層２は光変調あるいは磁界変調された信
号を垂直磁化の方向として記録する。
保護する。記録層２は光変調あるいは磁界変調された信
号を垂直磁化の方向として記録する。
保護層３は記１３Ｎ２を大気中の水分、酸素ガスから遮
断してこれを保護する。パリレン膜は光磁気記録媒体の
表面を被覆して、透明基板１．保ｆｌｔ層３と協同して
、大気中の水分、酸素の記録層への拡散を一層完全な形
で防止する。
断してこれを保護する。パリレン膜は光磁気記録媒体の
表面を被覆して、透明基板１．保ｆｌｔ層３と協同して
、大気中の水分、酸素の記録層への拡散を一層完全な形
で防止する。
次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明により得られた光磁気記録媒体の要部断面図
で、第４図と共通の部分は同一符号で示している０本発
明の光磁気記録媒体は、案内溝 （プレグリープ）を設
けたポリカーボネートなどのプラスチック製基板ｌの上
にＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅなどのＲＥ−ＴＭ合合金７
ルルフアス薄膜用いて基板に垂直方向に磁化容易軸を有
する記録層２゜この記録層２の上に厚さ５００ないし５
０００人でＳｊＯ，。
図は本発明により得られた光磁気記録媒体の要部断面図
で、第４図と共通の部分は同一符号で示している０本発
明の光磁気記録媒体は、案内溝 （プレグリープ）を設
けたポリカーボネートなどのプラスチック製基板ｌの上
にＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅなどのＲＥ−ＴＭ合合金７
ルルフアス薄膜用いて基板に垂直方向に磁化容易軸を有
する記録層２゜この記録層２の上に厚さ５００ないし５
０００人でＳｊＯ，。
５１０、５ｉｓＮ＊ナト（Ｄ保！！１１１３．さらにそ
の表面に１μ厚のパリレン膜４が備えられている。
の表面に１μ厚のパリレン膜４が備えられている。
このような光磁気記録媒体は次のようにして調製される
。先ず充分脱ガス処理を行った案内溝を有するポリカー
ボネート基板１の上にＤＣマグネトロンスパッタ法によ
りｒｂｘ。Ｆｅ１ｗＣｏ。の薄膜を記録層２として形成
する。続いて真空を維持したまま、ＲＦマグネトロン法
により膜厚１００ｎ−のＳｌＯ保１１１Ｎ３を形成する
。パリレン膜４は第３図に示す成膜装置により、以下の
方法で形成される。
。先ず充分脱ガス処理を行った案内溝を有するポリカー
ボネート基板１の上にＤＣマグネトロンスパッタ法によ
りｒｂｘ。Ｆｅ１ｗＣｏ。の薄膜を記録層２として形成
する。続いて真空を維持したまま、ＲＦマグネトロン法
により膜厚１００ｎ−のＳｌＯ保１１１Ｎ３を形成する
。パリレン膜４は第３図に示す成膜装置により、以下の
方法で形成される。
バラキシリレンの２量体
を第３図の蒸発室５の内部で蒸発させる （温度１７５
℃、真空度ＩＴｏｒｒ）＊次に分解室６でバラキシリレ
ンの２量体をバラキシリレン に熱分解してモノマーにする （温度６８０℃、真空度
０．５ Ｔｏｒｒ） 。
℃、真空度ＩＴｏｒｒ）＊次に分解室６でバラキシリレ
ンの２量体をバラキシリレン に熱分解してモノマーにする （温度６８０℃、真空度
０．５ Ｔｏｒｒ） 。
熱分解されたモノマは蒸着室７において、光磁気記録媒
体表面に重合しながら付着する （温度２５℃、真空度
０．１ Ｔｏｒｒ） 、このようにしてバラキシリレン
の重合体 であるパリレン膜４が光磁気記録媒体の全表面に形成さ
れる。パリレン膜４はまた第２図に示すように光磁気記
録媒体の側面にのみこれを形成することもできる。なお
冷却トラップ８は一７０℃に保ち、ロータリポンプ９で
０．００１ Ｔｏｒｒに真空引きする。
体表面に重合しながら付着する （温度２５℃、真空度
０．１ Ｔｏｒｒ） 、このようにしてバラキシリレン
の重合体 であるパリレン膜４が光磁気記録媒体の全表面に形成さ
れる。パリレン膜４はまた第２図に示すように光磁気記
録媒体の側面にのみこれを形成することもできる。なお
冷却トラップ８は一７０℃に保ち、ロータリポンプ９で
０．００１ Ｔｏｒｒに真空引きする。
このようにして形成されたパリレン膜４は透明であるう
えピンホールが少なく、水蒸気や酸素ガスの拡散透過量
が非常に少ない、さらにパリレン膜４は光磁気記録媒体
の表面に均一に形成されるので大気中の水分や酸素ガス
の拡散防止用保護膜として適当である。
えピンホールが少なく、水蒸気や酸素ガスの拡散透過量
が非常に少ない、さらにパリレン膜４は光磁気記録媒体
の表面に均一に形成されるので大気中の水分や酸素ガス
の拡散防止用保護膜として適当である。
光磁気記録媒体の記録、再生は例えば次のようにして行
なわれる。’ｉｃ内溝つきの基板１の上に設けられた垂
直磁化膜に対して記録したい方向に直流の弱い外部磁場
をかけておく、この状態では垂直磁化膜の保磁力のため
に垂直磁化膜の磁化の方向は反転しない０次に信号をレ
ーザ光度Ｊ！シて書き込みしたいところにレーザ光を当
てると、レーザ光の熱により垂直磁化膜の保磁力が落ち
、外部磁化の方向に磁化が反転する０以上が記録の原理
である。また再生は直線偏光されたレーザ光を磁性体の
表面で反射させると、偏光面が回転するカー効果を利用
する。磁化の方向によってカー回転角の向きが異なる
（θ工と一〇、）のでその差２θ、を検光子で検出する
（第４図参照）、このようにして記録再生において記
録Ｎ２の保磁力。
なわれる。’ｉｃ内溝つきの基板１の上に設けられた垂
直磁化膜に対して記録したい方向に直流の弱い外部磁場
をかけておく、この状態では垂直磁化膜の保磁力のため
に垂直磁化膜の磁化の方向は反転しない０次に信号をレ
ーザ光度Ｊ！シて書き込みしたいところにレーザ光を当
てると、レーザ光の熱により垂直磁化膜の保磁力が落ち
、外部磁化の方向に磁化が反転する０以上が記録の原理
である。また再生は直線偏光されたレーザ光を磁性体の
表面で反射させると、偏光面が回転するカー効果を利用
する。磁化の方向によってカー回転角の向きが異なる
（θ工と一〇、）のでその差２θ、を検光子で検出する
（第４図参照）、このようにして記録再生において記
録Ｎ２の保磁力。
カー回転角などが重要でその値が大きいことが必要とさ
れるのであるが、先に述べたようにＲＥ−ＴＭ金合金耐
食性が十分でないので酸化により保磁力、カー回転角な
どが小さくなり、光磁気記録媒体として劣化する。
れるのであるが、先に述べたようにＲＥ−ＴＭ金合金耐
食性が十分でないので酸化により保磁力、カー回転角な
どが小さくなり、光磁気記録媒体として劣化する。
光磁気記録媒体の表面をパリレン膜４で被覆して水分、
酸素ガスの拡散透過を防止した際に得られる効果を保磁
力を指標にして以下に説明する。
酸素ガスの拡散透過を防止した際に得られる効果を保磁
力を指標にして以下に説明する。
パリレン膜４を光磁気記録媒体の全表面に形成したのち
、温度６０℃、湿度９０％の恒温恒湿槽中に１００＃間
放置した。記録層２の保磁力の初期値に対する変化は約
５％の減少であった。光磁気記録媒体の側面にのみパリ
レン膜４を設けた場合は、初期値に対する変化は約１０
％の減少であった。比較のためにパリレン膜４を設けな
い光磁気記録媒体を前述と同一条件で試験したところ、
記！３層の保磁力は初期値の２５％変化した０以上のこ
とからパリレン膜４は光磁気記録媒体の表面、裏面、側
面からの水分、酸素ガスの侵入を防ぎ、光磁気記録媒体
の耐食性を大きく向上させることがわかる。
、温度６０℃、湿度９０％の恒温恒湿槽中に１００＃間
放置した。記録層２の保磁力の初期値に対する変化は約
５％の減少であった。光磁気記録媒体の側面にのみパリ
レン膜４を設けた場合は、初期値に対する変化は約１０
％の減少であった。比較のためにパリレン膜４を設けな
い光磁気記録媒体を前述と同一条件で試験したところ、
記！３層の保磁力は初期値の２５％変化した０以上のこ
とからパリレン膜４は光磁気記録媒体の表面、裏面、側
面からの水分、酸素ガスの侵入を防ぎ、光磁気記録媒体
の耐食性を大きく向上させることがわかる。
なかでも側面からの侵入を防止する効果が大きい。
この発明によれば透明基板に記録層と保護層を設けた光
磁気記録媒体の少なくとも側画表面にパリレン膜を備え
るので大気中の水分、！２素ガスの記録層への拡散防止
がより確実となり、その結果記１３Ｆｔの劣化が著しく
減り光磁気記録媒体の信頼性が大きく向上する。
磁気記録媒体の少なくとも側画表面にパリレン膜を備え
るので大気中の水分、！２素ガスの記録層への拡散防止
がより確実となり、その結果記１３Ｆｔの劣化が著しく
減り光磁気記録媒体の信頼性が大きく向上する。
第１図はこの発明の実施例に係るパリレン膜を全表面に
形成した光磁気記録媒体の要部断面図、第２図はこの発
明の実施例に係るパリレン膜を側画表面に形成した光磁
気記録媒体の要部断面図、第３図はパリレン成膜装置の
構成を示す説明図、第４図は従来の光磁気記録媒体の要
部断面図である。 １：基板、２：記録層、３：保ｍ層、４：パリレン膜。 第２図
形成した光磁気記録媒体の要部断面図、第２図はこの発
明の実施例に係るパリレン膜を側画表面に形成した光磁
気記録媒体の要部断面図、第３図はパリレン成膜装置の
構成を示す説明図、第４図は従来の光磁気記録媒体の要
部断面図である。 １：基板、２：記録層、３：保ｍ層、４：パリレン膜。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明基板に記録層と保護層を設けた光磁気記録媒体
の少なくとも側画表面にパリレン膜を備えることを特徴
とする光磁気記録媒体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の記録媒体において、記
録層は希土類−遷移金属合金薄膜であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 ３）特許請求の範囲第１項記載の記録媒体において、光
磁気記録媒体の表面に蒸着法で形成されたパリレン膜を
備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26900286A JPS63122037A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26900286A JPS63122037A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122037A true JPS63122037A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17466304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26900286A Pending JPS63122037A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122037A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294146A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Ricoh Co Ltd | 光磁記録媒体 |
| JPH02301044A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Sharp Corp | 光磁気ディスクの製造方法 |
| US8444933B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microfluidic device and method of manufacturing the same |
| US9321051B2 (en) | 2009-12-22 | 2016-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microfluidic device and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26900286A patent/JPS63122037A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294146A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Ricoh Co Ltd | 光磁記録媒体 |
| JPH02301044A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Sharp Corp | 光磁気ディスクの製造方法 |
| US8444933B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microfluidic device and method of manufacturing the same |
| US9321051B2 (en) | 2009-12-22 | 2016-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microfluidic device and method of manufacturing the same |
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