JPS63119589A - 熱電材料の製造方法 - Google Patents

熱電材料の製造方法

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JPS63119589A
JPS63119589A JP61265236A JP26523686A JPS63119589A JP S63119589 A JPS63119589 A JP S63119589A JP 61265236 A JP61265236 A JP 61265236A JP 26523686 A JP26523686 A JP 26523686A JP S63119589 A JPS63119589 A JP S63119589A
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JP
Japan
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iron
oxygen
amorphous
silicon
silicide
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JP61265236A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Hayashibara
光男 林原
Moriaki Tsukamoto
守昭 塚本
Norikatsu Yokota
横田 憲克
Masanori Chinen
正紀 知念
Hisamichi Inoue
久道 井上
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱t−電気に直接変換する熱電素子用材料の
製造方法に係シ、特に、高いエネルギー変換効率を有す
るアモルファスFe−8l又はF@−81−0合金の膜
の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
熱を電気に直接変換する変換効率の良い熱電素子用材料
として、アモルファスFe−8t又はFe−8i−0合
金膜が注目されている。
従来、アモルファス合金膜の製造方法にはPVD (P
hysical Vapor Deposition 
)による方法と溶湯急冷による方法とがあった。前者は
、例えば真空蒸着、クラスターイオンビーム蒸着法を用
いるものであシ、気体状の金属又は合金を水冷基板上で
急冷積層してアモルファス膜を製造するものでおる。後
者は、例えば高速回転する水冷ロール又はディスク等に
溶融合金を吹き付けて急冷し、アモルファス合金を製造
するもので、前者に比べ、よシ厚い膜の製造に適してい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
熱電変換効率を高めるためには、アモルファスFe −
8を又はFe −8i−0合金膜をある程度厚くしなけ
ればならない。第3図はアモルファス珪化鉄の厚さとエ
ネルギー変換効率の関係を示した図で、高温側を400
℃とし風速20m/秒で熱除去した場合の解析結果であ
る。この図で膜厚が10咽付近までは膜厚の増加に従い
エネルギー効率が上昇しているが、これは膜厚の増加に
伴い内部に生じる温度差が増加し、熱起電力が上昇する
ためである。一方、膜厚が1O謬以上となると、膜厚の
増加に伴う内部抵抗が増えるためエネルギー変換効率は
向上し々い。従って、この加熱冷却条件では、エネルギ
ー変換効率が最高となる最適膜厚は約10+mと言える
加熱冷却条件を変化させ、同様の解析を行なりた結果、
熱電交換効率を高めるためには、2〜3ms以上の膜厚
が必要であることがわかりた。
ところが従来のPVDによる製造方法では、成膜速度が
小さいため、厚さ2〜3m以上の膜を作るには長時間を
要し、生産性、経済性の面で問題がおった。
一方、溶湯急冷による製造方法では、アモルファス化に
必要な冷却速度、すなわち臨界冷却速度以上の冷却速度
で冷却する必要があるが。
2〜3m以上の膜厚を得るには次のような問題がある。
溶融した金属または化合物をロールあるいはディスク等
で冷却する場合、冷却速度φは次式%式% ここでhは熱伝達係数、Tは溶湯温度、Toはロール又
はディスクの温度、ρは比重、Cは比熱、2は膜厚であ
る。溶湯急冷法によシ製造可能なアモルファス膜の厚さ
2′は上式よシ次の様になる。
2′≦h(T−To)/ρC中! ここで、金′は臨界冷却速度である。
ところが、従来、珪化鉄の臨界冷却速度は105〜b 溶湯急冷法により得られる膜厚は、第1図かられかるよ
うに1O−511sオーダー以下であり1w1Iオーダ
ーの膜厚を得るのは実用上困難であった。
本発明の目的は溶湯急冷法において従来よυ揺かに厚い
■オーダーの厚さのアモルファスFe −8i又はFe
−8t−0合金膜を得ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、 Fe−8t基合金の溶湯急冷において、
溶融物中に1原子%以上の酸素を含有されることによシ
達成される。
このFe、Siを主成分とし、1原子%以上の酸素を含
有する溶融物を得るには、二つの方法がある。
第一の方法は、被溶融材料として、鉄、珪素及び酸素を
主成分とする純物質又は混合物を用いるものでおる。す
なわち、純物質を用いる場合は珪酸化鉄を用いるのであ
シ、混合物を用いる場合は、鉄、珪化鉄、酸化鉄及び珪
酸化鉄から成る第1群から選ばれた1又は2以上の材料
珪素、珪化鉄、酸化珪素及び珪酸化鉄から成る第2群か
ら選ばれた1又は2以上の材料、並びに酸化鉄、酸化珪
素及び珪酸化鉄から成る第3群から選ばれた1又は2以
上の材料の混合物を用いるのである。
第2の方法は、珪化鉄、鉄と珪素の混合物。
鉄と珪化鉄の混合物、珪素と珪化鉄の混合物。
又は鉄、珪素と珪化鉄の混合物、すなわち、酸素を含ま
ない原料を用い、酸素を含む雰囲気中で浴融するもので
ある。
〔作用〕
第4図に示すようにFe−8t系合金溶湯中の酸素濃度
を上げて行くに従い結晶化温度が上って行くことを本発
明者らは見出した。そして一般に結晶化温度とアモルフ
ァス化に必要な臨界冷却速度は、第5図に示すように、
結晶化温度が高くなるほど臨界冷却速度が小さくなると
いう関係にある。なお従来知られているように酸素濃度
を上げるに従い熱電素子としての特性も向上する。第4
図と第5図を併せ見ると、例えば酸素濃度が0の場合は
、溶融した珪化鉄をアモルファス化するためには105
℃/秒程度の冷却速度を必要とするのに対し、酸素濃度
が10原子係程度になると103℃/秒程度の冷却速度
でアモルファス化が可能となる。
溶湯急冷法で製造可能なアモルファス膜厚2′とアモル
ファス化に必要な臨界冷却速度中′との間には z ′=h (T −To ) /ρcT’(h:熱伝
達係数、T:溶湯温度、 To:ロール又はディスクの
温度、ρ:比重、C:比熱)の関係があるから、臨界冷
却速度が小さくなると、得られるアモルファス膜厚は厚
くなる。
10原子係程度の酸素を含む珪化鉄の場合、h=10−
2〜10−’ eat/deg/m2. T −To中
103℃、ρ== 6 g 7cm3c中10−’ c
al/deg、Φ’==103℃/秒であるから、2′
は0.1 m〜1肩となる。こうして得られた膜を重ね
合わせ、熱電素子として必要な厚さく3〜10 m )
にし、あるいは、結晶化温度以下で焼結を行なうことに
よシ、エネルギー変換効率の高いアモルファス熱電素子
が製造可能になる。
〔実施例〕
第2図は、本発明の実施例に用いた装置の概略図である
。F’5−8i 丞合金を溶融するためのルツボ3と抵
抗加熱ヒータ又は高周波加熱コイル4から成る溶融部、
溶融合金噴射のためのアルゴン・ガス導入部6、シャッ
タ5及び噴射された溶湯を急冷するための水冷高速回転
ディスク2を真空容器1中に配置し、真空容器1中の真
空度を測定するための真空計7.容器内の酸素分圧を調
整するための酸素ガス導入系8及び製造過程観察用の窓
9を真空容器1に取付けである。
被溶融原料はルツボ3中で加熱溶融され、溶解後、ルツ
ボ3の下方にあるシャッタ5を開くと同時にアルゴンガ
スを導入し、その圧力で、ルツボ3下端の孔から溶融合
金を水冷高速回転ディスク2に対し噴射する。
水冷高速回転ディスクは、ディスク回転用モータ21に
より高速回転するとともに、ディスク冷却水人口22か
ら流入した冷却水によシ水冷され、排水はディスク冷却
水排出口23から排出される。なお、ディスク表面は、
第2図のように周辺部が斜め上方へ傾斜しているが、こ
れは溶湯とディスクとの接触を良くするためである。
ディスクは周速10 m /秒〜30m/秒で回転させ
、ルツボから噴射した溶融〜Fe−8t系合金\はディ
スクに接触し急冷され、その後遠心力によシディスク周
辺へ飛散する。
まず第1の実施例として、珪化鉄(Feat□)を酸素
雰囲気中で溶融する場合について説明する。粒径1闘程
度の珪化鉄を10〜1O−1torrの酸素雰囲気中で
1200〜1300℃で数時間程度加熱すると珪化鉄は
ほとんど酸化される。
その場合、酸素が鉄と結合するか、あるいは珪素と結合
するかによシ、形成された物質がP型になるかN型にな
るかが決定される。第6図は酸化鉄と酸化珪素の生成自
由エネルギーを示す。
第6図の示すように珪素の方が酸素との結びつきが強く
、一定の酸素分圧をかけて加熱した際に酸化しやすい。
従りて上記の様な熱処理を加えた場合、酸素と珪素の結
合が多数生じるためP型の珪化鉄となシ、組成的にはほ
ぼ全ての珪素が酸素と結びついた珪酸化鉄(Fe(S 
i O) 2 )に近いものが形成される。そして酸素
雰囲気中で珪素と酸素の反応を終えた時点で溶融急冷す
ると、厚さ100μm1幅2〜Loam程度のP型アモ
ルファス珪酸化鉄が得られる。
@2の実施例として同様にP型の珪化鉄または珪酸化鉄
を作るために珪酸化鉄もしくは鉄と酸化珪素とを混合し
溶融する方法を説明する。
ルツゲ内にこれらの材料を入れ、1400〜17001
:で溶融し、ルツ?から噴射し、ディスク等で急冷する
と厚さ100μm、幅2〜10喝程度のP型アモルファ
ス珪化鉄を形成できる。この場合、材料が所望する組成
となっているため、雰囲気ガスと反応させる必要がなく
短時間(〜3o分)で溶融から急冷までの作業が行なえ
る利点がある。
第3図の実施例として、溶融する材料として酸化鉄と珪
素を用いる場合を説明する。酸化鉄としてはFeO、F
e2O,、Fe、04を用い、これと珪素を混合する。
そして酸素濃度を所定の濃度とするため鉄(Fe )も
加える。例えばFeOを0.74g pF6を1.16
g、珪素を1.68 gとすると、Feと81と0の濃
度比それぞれ30原子%、60原子係、10原子係とな
る。この混合した材料を140℃/分で昇温し、130
0〜1500 ′C程度まで急加熱し、溶融後、アルゴ
ンガスを導入しルツ〆から噴射し、ディスクで急冷する
と、鉄と酸素の結合は残るため、Nfiのアモルファス
珪化鉄を形成できる。一方、25℃/分以下で昇温める
いは1300℃以上で30分程度加熱すると、先に述べ
た様に珪素の方が鉄よシも酸化しやすいため、FeO+
Si−+Fs+SiOの反応が促進され、最終的には酸
化鉄は珪素によシ還元され、酸素と珪素が結びついた珪
化鉄となる。(一部はFe(SiO)2の珪酸化鉄とな
っている。)従ってこの珪化鉄を溶融し急冷した場合は
P型のアモルファス珪化鉄(一部はP型の珪酸化鉄)を
生成できる。この様に酸化鉄と珪素を混合し材料に用い
た場合は、加熱条件を変えることで、N型もP型も作成
できる%倣がある。このことを第7図に示した。
アモルファスの製造可能な最大膜厚は酸素濃度に依存す
る。本発明では以上のように従来の溶湯急冷法によシ得
られるアモルファス膜厚に比べ大幅に膜厚が厚くなって
いる。
第5図は、本発明者らが見出した結晶化温度と酸素濃度
との関係を示す。この図から明らかなようK、酸素濃度
が10原子係以下の範囲では、酸素曖度の増加に従い結
晶化温度が上昇し、−万、10原子係以上の範囲では、
結晶化温度がほぼ一足であることがわかった。
この事実と第4図に示す公知事実とを合せ考慮すると、
酸素濃度を10原子係以下の範囲で増加すると、結晶化
温度が上昇し、臨界冷却速度が小さくなることによシ、
製造可能な膜厚z/は、 z ′=h (T −T o ) / p c T ’
から、臨界冷却速度に反比例して大きくなるのである。
鉄と珪素とを主成分とし、1原子幅以上の酸素を含有す
る溶融物を得る方法としては、実施□例1に示した珪化
鉄を酸素雰囲気中で溶融する方法、実施例2に示した珪
酸化鉄単独又は鉄と酸化珪素との混合物を溶融する方法
及び実施例3に示した酸化鉄(Feat Fe 203
1 Fs 304)と珪素の混合物を溶融する場合に限
らず、鉄、酸化鉄。
珪化鉄及び珪酸化鉄から成る第1群中から選ばれた1又
は2以上と、珪素、酸化珪素、珪化鉄及び珪酸化鉄から
成る第2群中から選ばれた1又は2以上との混合物を原
料として用いても。
可能である。なお、原料甲に酸素を含まないもの又は含
んでいても所定の濃度に至っていないものは酸素雰囲気
中で溶融することにより、1原子幅以上の所定の酸素濃
度とすることができ、実施例1から3までと同様に膜厚
0.1〜1閣のアモルファス材料を作成できる。
第8図は、実施例4で用いた装置の概略図である。ディ
スク15の周辺に4ス導入管17によシガスを流し、溶
融した酸素を含む珪化鉄を噴き出しディスク15で急冷
飛散させる。この場合、ディスク15の回転数、ガスの
流量を適切に設定することにより、飛散し溶融状態にあ
る珪化鉄をガスで冷却するとともに粉体化できる。その
結果アモルファス珪化鉄(または珪酸化鉄)のパウダー
を形成することが可能である。
このアモルファスFe−8j基合金粉末は、粉末冶金に
より、圧粉、焼結することにょシ、容易に熱電索子材料
を製造できるという利点を有し、かつ結晶化温度が高い
ため、焼結温度を高くすることが可能で粉末冶金の際、
有利である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、珪化鉄のアモルファス化て必要な臨界
冷却速度を低下させることができ、従来ミクロンオーダ
ーの薄膜しか作成困難であったアモルファスFe−8l
系合金を大量に高速製造できる。その際の製造速度は厚
さ100μm〜1 m 、 幅3〜Lowのアモルファ
スリボン全毎秒10〜30m作成可能で6D、こうして
作成したり、l?ンを厚さ3〜10mmのバルク状の形
に成形し、又は結晶化温度(〜1000℃)以下で焼結
することによシ、エネルギー変換効率の高い熱電素子が
比較的安価に大量に製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は溶湯急冷法におけるFe−8i基合金リデンの
厚さと冷却速度との関係を示す図、第2図は本発明の実
施例で用いた装置を示す図、第3図は素子の厚さとエネ
ルギー変換効率の関係を示す図、第4図は珪化鉄の酸素
濃度と結晶化温度との関係を示す図、第5図は結晶化温
度と臨界冷却速度との関係を示す計算結果の図、第6図
は生成自由エネルギーを示す図、第7図は加熱速度と生
成物のP型、N型の関係を示す図。 第9図は他の実施例に用いる装置の図である。 1・・・真空容器、   2・・・ディスク。 3・・・ルツボ、    4・・・高周波コイル55・
・・シャッタ、    6・・・アルゴンがス導入管。 7・・・真空計、     8・・・酸素ガス導入系、
9・・・窓、      1o甲基板。 11・・・電子銃、   12・・・ルツボ。 13・・・冷却管、   14・・・熱電対。 15・・・ディスク、  16・・・回転軸、17・・
・ガス4人管、  18・・・ルツボ。 19・・・真空壁、    20・・・ノズル。 21・・・ディスク回転用モータ、 22・・・ディスク冷却水入口、 23・・・ディスク冷却水排水口。 6アルコ)刀ス導入9琶 23プイスク席去D7kJ井
出ロ第3図 素子の厚さくTrLrrL) 第4図 酸素1浅(yg子2) 第5図 結晶化湿度(°G) 温液(°C) 第7図 力ロ熱時間(772藷)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 鉄、珪素および酸素を主成分とする純物質又は混合
    物を溶融して鉄と珪素とを主成分とし酸素を1原子%以
    上含有する溶融物とした後、該溶融物を急冷してアモル
    ファス熱電材料を作成することを特徴とする熱電材料製
    造方法。 2 真空雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で溶融した上
    記溶融物を急冷する特許請求の範囲第1項記載の熱電材
    料製造方法。 3 酸素含有雰囲気中で溶融した上記溶融物を急冷する
    特許請求の範囲第1項記載の熱電材料製造方法。 4 珪化鉄の純物質、鉄と珪素の混合物、鉄と珪化鉄の
    混合物、珪素と珪化鉄の混合物、又は鉄、珪素と珪化鉄
    の混合物を酸素を含む雰囲気中で溶解し、鉄と珪素を主
    成分とし酸素を1原子%以上含有する溶融物とした後、
    当該溶融物を急冷してアモルファス熱電材料を作成する
    ことを特徴とする熱電材料製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02223391A (ja) * 1989-02-21 1990-09-05 Japan Atom Power Co Ltd:The 熱電発電装置
JPH02261079A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Japan Atom Power Co Ltd:The 熱電発電装置
JPH0344081A (ja) * 1989-07-12 1991-02-25 Ube Ind Ltd 熱電変換材料用粉末及びその焼結体
JPH0613663A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Toto Ltd 熱電半導体材料
WO1999022411A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Silicon based conductive material and process for production thereof
JP2008116445A (ja) * 2006-10-11 2008-05-22 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology 熱電対式温度センサ及びその製造方法
JP2018107164A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 住友電気工業株式会社 熱電変換材料積層体および熱電変換素子

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02223391A (ja) * 1989-02-21 1990-09-05 Japan Atom Power Co Ltd:The 熱電発電装置
JPH02261079A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Japan Atom Power Co Ltd:The 熱電発電装置
JPH0344081A (ja) * 1989-07-12 1991-02-25 Ube Ind Ltd 熱電変換材料用粉末及びその焼結体
JPH0613663A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Toto Ltd 熱電半導体材料
WO1999022411A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Silicon based conductive material and process for production thereof
US6506321B1 (en) 1997-10-24 2003-01-14 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Silicon based conductive material and process for production thereof
KR100500493B1 (ko) * 1997-10-24 2005-07-14 가부시키가이샤 네오맥스 실리콘계 전도성 재료와 그 제조 방법
JP2008116445A (ja) * 2006-10-11 2008-05-22 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology 熱電対式温度センサ及びその製造方法
JP2018107164A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 住友電気工業株式会社 熱電変換材料積層体および熱電変換素子

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