JPH0613663A - 熱電半導体材料 - Google Patents
熱電半導体材料Info
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- JPH0613663A JPH0613663A JP4191616A JP19161692A JPH0613663A JP H0613663 A JPH0613663 A JP H0613663A JP 4191616 A JP4191616 A JP 4191616A JP 19161692 A JP19161692 A JP 19161692A JP H0613663 A JPH0613663 A JP H0613663A
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱起電力の温度依存性が優れた熱電半導体材
料を提供する。 【構成】 Fe0.33Si0.66B0.01の組成を有し、ロール
周速度10m/秒、#600研磨ロール面の条件の半導体
アモルファスリボンを作成した。このリボンの熱起電力
の温度差依存性は、図1に示すように温度差300度で
約150mVの高出力を達成していた(図1の曲線10m/S
参照)。
料を提供する。 【構成】 Fe0.33Si0.66B0.01の組成を有し、ロール
周速度10m/秒、#600研磨ロール面の条件の半導体
アモルファスリボンを作成した。このリボンの熱起電力
の温度差依存性は、図1に示すように温度差300度で
約150mVの高出力を達成していた(図1の曲線10m/S
参照)。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高出力熱電発電システ
ムに有用な熱電半導体材料に関する。
ムに有用な熱電半導体材料に関する。
【0002】
【従来の技術】熱電半導体材料としてBi−Te系材料が
よく知られているが、出力の向上に限界があり、また価
格の面においても問題があった。一方、FeSi2 系鉄ケ
イ化物の中に熱電特性が良好なものがあることは「Pro
c. 6th Int. Conf. Thermoelectric Energy Conversion
(IEEE, New York 1986),1.: K. Matsubara et al.」
によって知られている。また熱電特性が1255K以下
で形成されるβ相の構造と関連があり、グラニュラー
化、アモルファス化あるいはMn、Cr等のドーピングに
よって飛躍的に改善されることも「Japanese J. of App
l. Phys., 30 (1991),2569: K. Matsubara et al.」に
よって知られている。なおβ相とは図8に示す結晶構造
である。同図において、空孔とFe原子(●で表示)と
が体心点に交互に配置され、残りの格子点にはSi原子
(○で表示)が配置された歪んだ構造となっている。
よく知られているが、出力の向上に限界があり、また価
格の面においても問題があった。一方、FeSi2 系鉄ケ
イ化物の中に熱電特性が良好なものがあることは「Pro
c. 6th Int. Conf. Thermoelectric Energy Conversion
(IEEE, New York 1986),1.: K. Matsubara et al.」
によって知られている。また熱電特性が1255K以下
で形成されるβ相の構造と関連があり、グラニュラー
化、アモルファス化あるいはMn、Cr等のドーピングに
よって飛躍的に改善されることも「Japanese J. of App
l. Phys., 30 (1991),2569: K. Matsubara et al.」に
よって知られている。なおβ相とは図8に示す結晶構造
である。同図において、空孔とFe原子(●で表示)と
が体心点に交互に配置され、残りの格子点にはSi原子
(○で表示)が配置された歪んだ構造となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記ドーピングについ
ては、添加する微量金属の種類によって効果に大きな差
があり、また組成物の結晶形についても、例えば同じア
モルファスであっても成型条件によって熱電特性が大き
く変化し、熱電対等の実用に供するには不十分であっ
た。
ては、添加する微量金属の種類によって効果に大きな差
があり、また組成物の結晶形についても、例えば同じア
モルファスであっても成型条件によって熱電特性が大き
く変化し、熱電対等の実用に供するには不十分であっ
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、FeSi2系鉄ケイ化物としてホウ素原子又はマ
ンガン原子を含むものを用い、この組成物を薄膜形状、
特にスピンキャスト法(液体急冷法)によりアモルファ
スリボンに形成することによって、高出力で高いエネル
ギー変換効率を持つ熱電半導体材料を提供するものであ
る。
発明は、FeSi2系鉄ケイ化物としてホウ素原子又はマ
ンガン原子を含むものを用い、この組成物を薄膜形状、
特にスピンキャスト法(液体急冷法)によりアモルファ
スリボンに形成することによって、高出力で高いエネル
ギー変換効率を持つ熱電半導体材料を提供するものであ
る。
【0005】本発明の熱電半導体材料の具体的な例とし
ては、ホウ素含有組成物についてはFe0.33Si0.66B
0.01 、Fe0.327Si0.653B0.020が挙げられ、N型半導
体として有用である。またマンガン含有組成物について
はFe0.323Mn0.010Si0.667を挙げることができ、P型
半導体として有用である。ここで各元素の添え字はそれ
ぞれの元素のアトム比を表す。ホウ素含有組成物中に占
めるホウ素原子のモル比は、0.01〜0.02が好ま
しい。またマンガン含有組成物中に占めるマンガン原子
の比は、0.01近傍が好ましい。上記組成物は、例え
ば真空中あるいは空気中で各成分を混合した原料を高周
波溶解することにより得ることができる。
ては、ホウ素含有組成物についてはFe0.33Si0.66B
0.01 、Fe0.327Si0.653B0.020が挙げられ、N型半導
体として有用である。またマンガン含有組成物について
はFe0.323Mn0.010Si0.667を挙げることができ、P型
半導体として有用である。ここで各元素の添え字はそれ
ぞれの元素のアトム比を表す。ホウ素含有組成物中に占
めるホウ素原子のモル比は、0.01〜0.02が好ま
しい。またマンガン含有組成物中に占めるマンガン原子
の比は、0.01近傍が好ましい。上記組成物は、例え
ば真空中あるいは空気中で各成分を混合した原料を高周
波溶解することにより得ることができる。
【0006】本発明の熱電半導体材料を薄膜状に形成す
る方法としては、蒸着による方法等どのようなものでも
よいが、特に下記製造例に詳述するスピンキャスト法に
よりアモルファスのリボンを形成する方法が好ましい。
またこのスピンキャスト法による形成時において、ロー
ルの周速度は10〜52m/秒が好ましい。なお、スピン
キャスト法によって得られたリボンを粉砕し、その後、
成形して焼成しアニール処理する手段によって熱電半導
体材料として使いやすいバルク形状とすることもでき
る。
る方法としては、蒸着による方法等どのようなものでも
よいが、特に下記製造例に詳述するスピンキャスト法に
よりアモルファスのリボンを形成する方法が好ましい。
またこのスピンキャスト法による形成時において、ロー
ルの周速度は10〜52m/秒が好ましい。なお、スピン
キャスト法によって得られたリボンを粉砕し、その後、
成形して焼成しアニール処理する手段によって熱電半導
体材料として使いやすいバルク形状とすることもでき
る。
【0007】上記のリボンは平均粒径8〜10μmに迄
粉砕して使用することが好ましい。上記焼成のために例
えばPVA(ポリビニルアルコール)のようなバインダ
ーを混入して造粒する。この造粒物の平均粒径は20〜
150μmとすることが好ましい。またプレス成形後の
真空焼成は、1100〜1120℃で2時間前後行うこ
とが好ましい。最後のアニール処理は840℃前後で約
50時間行うことが好ましい。
粉砕して使用することが好ましい。上記焼成のために例
えばPVA(ポリビニルアルコール)のようなバインダ
ーを混入して造粒する。この造粒物の平均粒径は20〜
150μmとすることが好ましい。またプレス成形後の
真空焼成は、1100〜1120℃で2時間前後行うこ
とが好ましい。最後のアニール処理は840℃前後で約
50時間行うことが好ましい。
【0008】
【作用】本発明の、アモルファスリボン形状を有する熱
電半導体材料を一対の素子として用いると、約1mV/Kの
高出力を得ることができる。
電半導体材料を一対の素子として用いると、約1mV/Kの
高出力を得ることができる。
【0009】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。製造例 スピンキャストによるアモルファスリボンの形成を次の
ようにして行った。すなわち、まず前記の高周波溶解に
よって得られた組成物をインゴットとし、このインゴッ
トから切り出した半導体の小片をφ9mmの石英管中で溶
解後、φ20cmの銅円板上で片ロール法によるスピンキ
ャストを行いリボンを得た。ロールの周速度は10、5
2m/秒の2種とした。スピンキャスト時の噴射ガスはA
rガス、噴射圧は1.4気圧であった。またロールの表
面状態は3態あり、粗度が#600のサンドペーパーに
よる研磨面、#180のサンドペーパーによるリボン長
手方向に対して平行な縦きず面、及び 同じく#180
のサンドペーパーによるリボン長手方向に対して垂直方
向の横きず面のいずれかである。こうして得た各リボン
を空気中で1063Kに1時間保持した。
説明する。製造例 スピンキャストによるアモルファスリボンの形成を次の
ようにして行った。すなわち、まず前記の高周波溶解に
よって得られた組成物をインゴットとし、このインゴッ
トから切り出した半導体の小片をφ9mmの石英管中で溶
解後、φ20cmの銅円板上で片ロール法によるスピンキ
ャストを行いリボンを得た。ロールの周速度は10、5
2m/秒の2種とした。スピンキャスト時の噴射ガスはA
rガス、噴射圧は1.4気圧であった。またロールの表
面状態は3態あり、粗度が#600のサンドペーパーに
よる研磨面、#180のサンドペーパーによるリボン長
手方向に対して平行な縦きず面、及び 同じく#180
のサンドペーパーによるリボン長手方向に対して垂直方
向の横きず面のいずれかである。こうして得た各リボン
を空気中で1063Kに1時間保持した。
【0010】各試料の測定は次のように行った。 (a).熱起電力 銅電極の片側を水冷し、反対側を電気炉で加熱しながら
測定した。 (b).X線回折 理学電機製Geigerflex2031型ゴニオメーターを用いてC
oKα線によるX線回折を室温で行い、日立製作所製S-2
0走査電子顕微鏡(以下、SEMと略称する)で表面を
観察した。 (c).メスバウアー効果 半導体試料に対してγ線の線源を移動させ、この移動に
よって生じたドップラーのずれの影響を受けたγ線エネ
ルギーが、上記半導体試料に吸収される様子をエネルギ
ーの関数として計数器によって計測した。
測定した。 (b).X線回折 理学電機製Geigerflex2031型ゴニオメーターを用いてC
oKα線によるX線回折を室温で行い、日立製作所製S-2
0走査電子顕微鏡(以下、SEMと略称する)で表面を
観察した。 (c).メスバウアー効果 半導体試料に対してγ線の線源を移動させ、この移動に
よって生じたドップラーのずれの影響を受けたγ線エネ
ルギーが、上記半導体試料に吸収される様子をエネルギ
ーの関数として計数器によって計測した。
【0011】実施例1 上記製造例の方法により、Fe0.33Si0.66B0.01の組成
を有し、ロール周速度10m/秒、#600研磨ロール面
の条件の半導体アモルファスリボンを作製した。このリ
ボンの熱起電力の温度差依存性を図1に、またSEM像
を図9に示した。本実施例のリボンは、温度差300度
で約150mVの高出力を達成していた(図1の曲線10m/
S参照)。図9のSEM像を見ると、前記β相が棒状に
伸びて微細な組織を形成しており、この結果熱起電力が
高くなったものと考えられる。
を有し、ロール周速度10m/秒、#600研磨ロール面
の条件の半導体アモルファスリボンを作製した。このリ
ボンの熱起電力の温度差依存性を図1に、またSEM像
を図9に示した。本実施例のリボンは、温度差300度
で約150mVの高出力を達成していた(図1の曲線10m/
S参照)。図9のSEM像を見ると、前記β相が棒状に
伸びて微細な組織を形成しており、この結果熱起電力が
高くなったものと考えられる。
【0012】実施例2 上記製造例の方法により、Fe0.327Si0.653B0.020の
組成を有し、ロール周速度10m/秒、ロール面3種(#
600研磨、#180研磨縦きず及び#180研磨横き
ず)の条件の半導体アモルファスリボンを作製した。こ
のリボンの熱起電力の温度差依存性を図2に示した。本
実施例のリボンのうち、#600研磨(図2の曲線10m/
s)及び#180研磨横きず(同図の曲線10m/s横)の2
本は、温度差300度で約150mVの高出力を達成して
いた。また#180研磨縦きずのリボン(同図曲線10m/
s縦)についても、後述の比較例(同図曲線AA)と比べ
て明確に良好な熱起電力を示した。ロール面に縦きずが
ある場合に低めの熱起電力となるのは、β相が横きずと
垂直方向、すなわちリボンの縁に平行方向に棒状に伸び
る傾向があることに起因すると考えられる。
組成を有し、ロール周速度10m/秒、ロール面3種(#
600研磨、#180研磨縦きず及び#180研磨横き
ず)の条件の半導体アモルファスリボンを作製した。こ
のリボンの熱起電力の温度差依存性を図2に示した。本
実施例のリボンのうち、#600研磨(図2の曲線10m/
s)及び#180研磨横きず(同図の曲線10m/s横)の2
本は、温度差300度で約150mVの高出力を達成して
いた。また#180研磨縦きずのリボン(同図曲線10m/
s縦)についても、後述の比較例(同図曲線AA)と比べ
て明確に良好な熱起電力を示した。ロール面に縦きずが
ある場合に低めの熱起電力となるのは、β相が横きずと
垂直方向、すなわちリボンの縁に平行方向に棒状に伸び
る傾向があることに起因すると考えられる。
【0013】実施例3 上記製造例の方法により、Fe0.323Mn0.010Si0.667の
組成を有し、ロール周速度10m/秒又は52m/秒の2
種、ロール面3種(#600研磨、#180研磨縦きず
及び#180研磨横きず)の条件の半導体アモルファス
リボンを作製した。このリボンの熱起電力の温度差依存
性を図3に、また#180研磨縦きず及び#180研磨
横きずのSEM像を図10及び図11にそれぞれ示し
た。本実施例のリボンはいずれも温度差300度で約1
50mVの高出力を達成していた(図3の線分[10m/s]は
ロール周速度10m/秒の#600研磨、曲線[10m/s横]
は同#180研磨横きず、曲線[10m/s縦]は同#180
研磨縦きず、点[52m/s]はロール周速度52m/秒の#6
00研磨の結果をそれぞれ示す)。
組成を有し、ロール周速度10m/秒又は52m/秒の2
種、ロール面3種(#600研磨、#180研磨縦きず
及び#180研磨横きず)の条件の半導体アモルファス
リボンを作製した。このリボンの熱起電力の温度差依存
性を図3に、また#180研磨縦きず及び#180研磨
横きずのSEM像を図10及び図11にそれぞれ示し
た。本実施例のリボンはいずれも温度差300度で約1
50mVの高出力を達成していた(図3の線分[10m/s]は
ロール周速度10m/秒の#600研磨、曲線[10m/s横]
は同#180研磨横きず、曲線[10m/s縦]は同#180
研磨縦きず、点[52m/s]はロール周速度52m/秒の#6
00研磨の結果をそれぞれ示す)。
【0014】実施例4 本例は、本発明に基づくP型,N型の素子を一対に接合
して、熱電半導体モジュールを作製する方法に関するも
のである。N型半導体は次のようにして作製した。すな
わち、実施例2によって形成(ロール面は#600研
磨)したアモルファスリボンを粉砕し、平均粒径10μ
m程度の大きさにした。次にこれにバインダーとしてP
VAを混入し、平均粒径120μmに造粒した後プレス
成形し、1100℃で3時間の真空焼成を行った。最後
に840℃で1時間アニール処理し目的のP型半導体と
した。またP型半導体については、Fe0.330Si0.660M
n0.0 10の組成のものをP型と同じように処理して形成し
た。こうして得られたP型半導体及びN型半導体を一対
に接合して熱起電力を測定したところ、1mV/Kの高出力
を得た。
して、熱電半導体モジュールを作製する方法に関するも
のである。N型半導体は次のようにして作製した。すな
わち、実施例2によって形成(ロール面は#600研
磨)したアモルファスリボンを粉砕し、平均粒径10μ
m程度の大きさにした。次にこれにバインダーとしてP
VAを混入し、平均粒径120μmに造粒した後プレス
成形し、1100℃で3時間の真空焼成を行った。最後
に840℃で1時間アニール処理し目的のP型半導体と
した。またP型半導体については、Fe0.330Si0.660M
n0.0 10の組成のものをP型と同じように処理して形成し
た。こうして得られたP型半導体及びN型半導体を一対
に接合して熱起電力を測定したところ、1mV/Kの高出力
を得た。
【0015】比較例1 実施例1と同じ組成のインゴットのままの半導体を用い
て、熱起電力の温度差依存性の測定を行った(本例では
インゴットは空気中で作製し、その後空気中で1063
K、100時間の熱処理を行った(以後AAと略す))。
その結果、図1の曲線AAに示したようにこの半導体は温
度依存性をほとんど持たず、また図12のSEM像から
不均一な粗い組織で形成されていることが分った。
て、熱起電力の温度差依存性の測定を行った(本例では
インゴットは空気中で作製し、その後空気中で1063
K、100時間の熱処理を行った(以後AAと略す))。
その結果、図1の曲線AAに示したようにこの半導体は温
度依存性をほとんど持たず、また図12のSEM像から
不均一な粗い組織で形成されていることが分った。
【0016】比較例2 実施例2と同じ組成の、インゴットのままの半導体を用
いて熱起電力の温度差依存性の測定を行った(インゴッ
トの形成条件は比較例2のものと同様のAAである)。そ
の結果、図2の曲線Dに示したようにこの半導体も温度
依存性をほとんど持たないことが分った。
いて熱起電力の温度差依存性の測定を行った(インゴッ
トの形成条件は比較例2のものと同様のAAである)。そ
の結果、図2の曲線Dに示したようにこの半導体も温度
依存性をほとんど持たないことが分った。
【0017】比較例3 実施例3と同じ組成の、インゴットのままの半導体を用
いて熱起電力の温度差依存性の測定を行った。この結果
を図3に示す。同図において、曲線AAは前記の条件で形
成したインゴットの結果を表し、曲線VAはインゴットを
真空中で作製し、その後空気で1063K、100時間
の熱処理を行ったもの、曲線VVはインゴットの作製、熱
処理(温度、時間の条件は上記のものと同じ)とも真空
中で行ったものの結果である。これら3種類の半導体
は、温度差700度で100mV程度の熱起電力を示すも
のの、温度差300度では、実施例3の各半導体に比較
して1/3以下の能力でしかなかった。
いて熱起電力の温度差依存性の測定を行った。この結果
を図3に示す。同図において、曲線AAは前記の条件で形
成したインゴットの結果を表し、曲線VAはインゴットを
真空中で作製し、その後空気で1063K、100時間
の熱処理を行ったもの、曲線VVはインゴットの作製、熱
処理(温度、時間の条件は上記のものと同じ)とも真空
中で行ったものの結果である。これら3種類の半導体
は、温度差700度で100mV程度の熱起電力を示すも
のの、温度差300度では、実施例3の各半導体に比較
して1/3以下の能力でしかなかった。
【0018】比較例4 上記製造例の方法により、Fe0.323Ti0.010Si0.667の
組成を有する5種類の半導体を作製して熱起電力の温度
差依存性を測定し、その結果を図5に示した。同図にお
いて、曲線[10m/s]はロール周速度10m/秒、#600
研磨ロール面の条件の半導体アモルファスリボン、曲線
[52m/s]はロール周速度52m/秒、#600研磨ロール
面の条件の半導体アモルファスリボン、曲線AA、VA、VV
はそれぞれ上記で説明したインゴットである。同図で明
白なように、Ti原子を含む半導体はアモルファスリボ
ンであっても温度依存性が低い。
組成を有する5種類の半導体を作製して熱起電力の温度
差依存性を測定し、その結果を図5に示した。同図にお
いて、曲線[10m/s]はロール周速度10m/秒、#600
研磨ロール面の条件の半導体アモルファスリボン、曲線
[52m/s]はロール周速度52m/秒、#600研磨ロール
面の条件の半導体アモルファスリボン、曲線AA、VA、VV
はそれぞれ上記で説明したインゴットである。同図で明
白なように、Ti原子を含む半導体はアモルファスリボ
ンであっても温度依存性が低い。
【0019】比較例5 比較例4と同様に、Fe0.323Ni0.010Si0.667の組成を
有する5種類の半導体を作製して熱起電力の温度差依存
性を測定し、その結果を図6に示した。同図において、
曲線10m/s、曲線52m/s、曲線AA、VA、VVはそれぞれ比較
例4で説明したと同様の熱電半導体材料である。同図で
明白なようにNi原子を含む半導体は、Ti含有半導体ほ
どではないものの起電力は低い。
有する5種類の半導体を作製して熱起電力の温度差依存
性を測定し、その結果を図6に示した。同図において、
曲線10m/s、曲線52m/s、曲線AA、VA、VVはそれぞれ比較
例4で説明したと同様の熱電半導体材料である。同図で
明白なようにNi原子を含む半導体は、Ti含有半導体ほ
どではないものの起電力は低い。
【0020】比較例6 比較例4及び5と同様にして、V、Cr、Cu、Coの各
元素を含む組成物の、ロール周速度10m/秒、#600
研磨ロール面の条件の半導体アモルファスリボン(図7
の線分10m/s)、ロール周速度52m/秒、#600研磨
ロール面の条件の半導体アモルファスリボン(同図の線
分52m/s)、AA、VA、VVインゴットを作製した。次にこ
れら半導体の、室温から300Kの温度差を与えた場合
の単位温度当たりの熱起電力を測定し、図7にプロット
した。なお比較のため同図には本発明に基づくMn及び
B含有半導体並びに微量元素を含まない半導体(Feと
表示した)の結果も載せた。この図から、N型半導体と
しては本願発明のMn元素を含有するものが、又P型半
導体としては本願発明のB元素を含有するものがいずれ
も0.5mV/Kの熱起電力を示すが、他の元素はいずれも
低い値を示した。
元素を含む組成物の、ロール周速度10m/秒、#600
研磨ロール面の条件の半導体アモルファスリボン(図7
の線分10m/s)、ロール周速度52m/秒、#600研磨
ロール面の条件の半導体アモルファスリボン(同図の線
分52m/s)、AA、VA、VVインゴットを作製した。次にこ
れら半導体の、室温から300Kの温度差を与えた場合
の単位温度当たりの熱起電力を測定し、図7にプロット
した。なお比較のため同図には本発明に基づくMn及び
B含有半導体並びに微量元素を含まない半導体(Feと
表示した)の結果も載せた。この図から、N型半導体と
しては本願発明のMn元素を含有するものが、又P型半
導体としては本願発明のB元素を含有するものがいずれ
も0.5mV/Kの熱起電力を示すが、他の元素はいずれも
低い値を示した。
【0021】参考例 上記製造例の方法により、Fe0.28Mn0.02Si0.70の組
成の半導体を作製しメスバウアー効果を測定した。この
結果を図4に示す。本図によれば、低エネルギー側と高
エネルギー側に互いに半値幅と強度の異なる2つのピー
クが観察される。ローレンツ型プロフィルを仮定して最
小二乗法を適用することにより、観察結果は図8におけ
るIサイトをFeとMn原子が占有し、IIサイトをFe
原子が占有しているとして解釈できる。このことはFe
とMn原子のIサイトの占有状態がP型の熱起電力の発
生メカニズムと関係が深いことを示している。
成の半導体を作製しメスバウアー効果を測定した。この
結果を図4に示す。本図によれば、低エネルギー側と高
エネルギー側に互いに半値幅と強度の異なる2つのピー
クが観察される。ローレンツ型プロフィルを仮定して最
小二乗法を適用することにより、観察結果は図8におけ
るIサイトをFeとMn原子が占有し、IIサイトをFe
原子が占有しているとして解釈できる。このことはFe
とMn原子のIサイトの占有状態がP型の熱起電力の発
生メカニズムと関係が深いことを示している。
【0022】
【発明の効果】以上に説明した如く、本発明の熱電半導
体材料は熱起電力の温度依存性が非常に高い優秀なもの
である。特に本発明に基づくP型半導体と、N型半導体
を一対に接合すれば1mV/Kの高出力を得ることができ、
高出力熱電半導体モジュールの製造が可能となる。
体材料は熱起電力の温度依存性が非常に高い優秀なもの
である。特に本発明に基づくP型半導体と、N型半導体
を一対に接合すれば1mV/Kの高出力を得ることができ、
高出力熱電半導体モジュールの製造が可能となる。
【図1】実施例1及び比較例1の結果を表す温度差−熱
起電力線図である。
起電力線図である。
【図2】実施例2及び比較例2の結果を表す温度差−熱
起電力線図である。
起電力線図である。
【図3】実施例3及び比較例3の結果を表す温度差−熱
起電力線図である。
起電力線図である。
【図4】参考例のMossbauer効果の測定結果を表すグラ
フである。
フである。
【図5】比較例4の結果を表す温度差−熱起電力線図で
ある。
ある。
【図6】比較例5の結果を表す温度差−熱起電力線図で
ある。
ある。
【図7】比較例6の結果を表す微量金属含有半導体の熱
起電力のグラフである。
起電力のグラフである。
【図8】β相の単位胞の一部を示す図である。
【図9】実施例1の熱電半導体材料となる金属組織の電
子顕微鏡写真である。
子顕微鏡写真である。
【図10】実施例3の熱電半導体材料となる金属組織の
電子顕微鏡写真である。
電子顕微鏡写真である。
【図11】同じく実施例3の熱電半導体材料となる金属
組織の電子顕微鏡写真である。
組織の電子顕微鏡写真である。
【図12】比較例1の熱電半導体材料となる金属組織の
電子顕微鏡写真である。
電子顕微鏡写真である。
10m/s…ロール周速度10m/秒でスピンキャストを行った
アモルファスリボン、52m/s…ロール周速度52m/秒でス
ピンキャストを行ったアモルファスリボン、AA…空気中
で成形し、空気中で熱処理したインゴット、VA…空気中
で成形し、真空中で熱処理したインゴット、VV…真空中
で成形し、真空中で熱処理したインゴット。
アモルファスリボン、52m/s…ロール周速度52m/秒でス
ピンキャストを行ったアモルファスリボン、AA…空気中
で成形し、空気中で熱処理したインゴット、VA…空気中
で成形し、真空中で熱処理したインゴット、VV…真空中
で成形し、真空中で熱処理したインゴット。
Claims (2)
- 【請求項1】 FeSi2系鉄ケイ化物を含有する薄膜形
状の熱電半導体材料であって、前記FeSi2系鉄ケイ化
物がホウ素原子又はマンガン原子を含む熱電半導体材
料。 - 【請求項2】 前記薄膜形状が、スピンキャスト法によ
って形成されたアモルファスのリボンである請求項1に
記載の熱電半導体材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4191616A JPH0613663A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 熱電半導体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4191616A JPH0613663A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 熱電半導体材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0613663A true JPH0613663A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=16277603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4191616A Pending JPH0613663A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 熱電半導体材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0613663A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653393B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-11-25 | Soft99 Corporation | Paintwork coating composition and coating cloth |
US20180148581A1 (en) * | 2013-09-30 | 2018-05-31 | Certainteed Corporation | Stain repellent and voc eliminating coatings and use thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4860018A (ja) * | 1971-12-01 | 1973-08-23 | ||
JPS63119589A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | 熱電材料の製造方法 |
JPH01165183A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Seiko Instr & Electron Ltd | 熱電素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4191616A patent/JPH0613663A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4860018A (ja) * | 1971-12-01 | 1973-08-23 | ||
JPS63119589A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | 熱電材料の製造方法 |
JPH01165183A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Seiko Instr & Electron Ltd | 熱電素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653393B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-11-25 | Soft99 Corporation | Paintwork coating composition and coating cloth |
US6987074B2 (en) | 2000-10-19 | 2006-01-17 | Soft99 Corporation | Paintwork coating composition and coating cloth |
US20180148581A1 (en) * | 2013-09-30 | 2018-05-31 | Certainteed Corporation | Stain repellent and voc eliminating coatings and use thereof |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010403 |