JPH01136968A - 光記録媒体用スパツタリングターゲツト - Google Patents
光記録媒体用スパツタリングターゲツトInfo
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- JPH01136968A JPH01136968A JP29208787A JP29208787A JPH01136968A JP H01136968 A JPH01136968 A JP H01136968A JP 29208787 A JP29208787 A JP 29208787A JP 29208787 A JP29208787 A JP 29208787A JP H01136968 A JPH01136968 A JP H01136968A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体に係り、特に、目的組成のスパッタ
膜を得るのに好適なスパッタリングターゲットに関する
。
膜を得るのに好適なスパッタリングターゲットに関する
。
従来法によるカルコゲナイド系光記録媒体用スパッタリ
ングターゲットの製造法には以下に示す方法がある。
ングターゲットの製造法には以下に示す方法がある。
（１）目的の組成に配合した原料を溶解し、ターゲット
の形状に加工した鋳型に鋳造して製造する。
の形状に加工した鋳型に鋳造して製造する。
（２）目的組成に配合した原料を溶解し、インゴットと
し、インゴットを粉砕し粉末にしてホットプレス、また
は、室温でプレスする方法。
し、インゴットを粉砕し粉末にしてホットプレス、また
は、室温でプレスする方法。
（３）目的組成になるよう粉末元素をそれぞれ配合混合
し仮成形後、ホットプレスする。
し仮成形後、ホットプレスする。
しかし、これらの方法で製造したターゲットの結晶構造
は多相になっている。多相のターゲットでスパッタ膜を
作製すると、それぞれの相でスパッタレートが異なるた
め、組成制御が困難で目的組成のスパッタ膜が作製でき
ず問題になっている。
は多相になっている。多相のターゲットでスパッタ膜を
作製すると、それぞれの相でスパッタレートが異なるた
め、組成制御が困難で目的組成のスパッタ膜が作製でき
ず問題になっている。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記従来ターゲットの結晶構造は多相であり。
それぞれの相のスパッタレートが異なり１組成制御が困
難であった。
難であった。
本発明の目的はターゲットの結晶構造を単相にすること
にある。
にある。
カルコゲナイド化合物はテルル、セレンなどを含む。こ
れらの元素は容易にアモルファス化しやすい。
れらの元素は容易にアモルファス化しやすい。
そこで、上記目的は液体を急冷してアモルファス単相と
することによって達成される。
することによって達成される。
液体急冷法にはガン法、ピストンアンビル法。
トーションカタパル法、遠心法、単ロール法、双ロール
法、スプレー法、キャビテーション法１回転液中噴出法
、スパーク法、水流中紡糸法９回転液中紡糸法などがあ
る。これらの方法による冷却速度は１０番〜１０８℃／
秒で非常に早い。従って、カルコゲナイド化合物は液体
急冷法によって容易にアモルファス化できる。液体急冷
法でアモルファス化した試料の形状は不定形薄片状なの
で、これを粉砕して粉末にし、プレス成形で所定のター
ゲット形状にすればよい。本発明のターゲットを用いて
スパッタ膜を作製すると、目的組成の膜が再現性よく作
製できる。なぜなら、従来法と異なりアモルファス単相
であり、スパッタレートが一定しているためである。
法、スプレー法、キャビテーション法１回転液中噴出法
、スパーク法、水流中紡糸法９回転液中紡糸法などがあ
る。これらの方法による冷却速度は１０番〜１０８℃／
秒で非常に早い。従って、カルコゲナイド化合物は液体
急冷法によって容易にアモルファス化できる。液体急冷
法でアモルファス化した試料の形状は不定形薄片状なの
で、これを粉砕して粉末にし、プレス成形で所定のター
ゲット形状にすればよい。本発明のターゲットを用いて
スパッタ膜を作製すると、目的組成の膜が再現性よく作
製できる。なぜなら、従来法と異なりアモルファス単相
であり、スパッタレートが一定しているためである。
液体急冷法でアモルファス化が可能なカルコゲナイド化
合物には、以下に示す組成のものがある。
合物には、以下に示す組成のものがある。
ＡｕｚＳｅＴｅ 、ＡｇＧａＴｅｚ 、Ａｇａ
ＧｅＴｅｅ（ＡｕＳｂ）ｚＴｅａ 、 ＢｉｚＧｅａ
Ｔｅｅ 、 ＡｕＡｇＴｅ４ＡｇＩｎａＴｅａ
、Ｂｉ＋ＧｅＴｅ７ ＋ＡｇａＳｎＳｅｓＡｇＧａ
Ｓｅｚ 、ＢｉａＰｂＴｅ７ 、ＡｇＳｎＳｅＡ
ｇＳｎ５ｅｚＡ 、Ｂ１Ｐｂ＋Ｔｅ＋ｓ 、Δ
ｇａＡｕＴｅ２ＡｇｅＧａＳｅｚ 、 ＢｉｚＰｂ
ｚＳｅｓ 、 Ａｇ５ｂＴｅｚＢｉａＴｅＳ２
、ＡｇＢｉＴｅｚ 、ＢｉＧａｚＳｅ４ＣｕＩｎ
６Ｔｅａ 、ＧａＧｅ５ｅａ 、ＢｉｚＳａＴ
ｅ２ＣｕＩｎＴｅ２ 、ＧａＧｅ５ｅａ 、Ａｓ
３ＩｎＳｅ３ＣｕａＳｂＳｅ＋ 、 ＧａＳｅａＡ
ｇｓ 、 ＡｓＴＱ、ＳｅｚＣｕＡｇＳｅ
、Ｇａ２ＰｂＳｅ４ 、ＴＱ４ＳｎＳｅＣｒｚＰｚＳ
ｅｅ 、ＧｅＰｔＳｅ 、ＡｓＧｅＳｅＣｓ
ＣｕｇＳｅａ 、ＺｎＩｎｚＴｅ４ 、ＡｕＣｕ
ＴｅａＩｎａＳｂＴｅｚ 、ＣｄＩｎｚＴｅ４．Ｍ
ｇ２Ｇａ２Ｓｅ４ｒＣｄＧａｚＳｅ４． ＣｕｚＳｎＴ
ｅｓ 、 ＭｎＧａｚＳｅ＋Ｃｄ４ＧｅＳｅｓ
、ＣｕｚＧｅＴｅａ 、Ｎ１５ｅＴｅ’
ＣｄＩｎｚＳｅ４ ＋ Ｐｂ３ＳｂＴｅｉ
＊ ＴＱｚＳｎｚＳｅ５ ＋５ｂｚＳｅＴｅ＋
、ＴＱ２ｓｎｓｅａ 、Ｓｂ、５ｎＴｅ４Ｔ
ＱｚＳｎＳｅａ 、ＴＱＣｕ２Ｓｅｚ 、
ＡｇＡＱＳｅｚＣｕＡＱＴｅ２ 、ＡｇＧａＳｅｚ
、ＣｕＧａ５ｅｚＣｕＧａＴｅｚ 、Ａｇ
ＧａＳｅｚ 、ＡｇＧａＴｅｚＣｕＩｎＳｅｚ
、ＣｕＩｎＴｅｚ 、ＡｇＩｎＳｅｚ
ＡｇＩｎＴｅ２ 、（Ｎｉ、Ｐｂ）ｚＳｂＴｅ 、
Ｐｄ（Ｓｂ、Ｂｉ）Ｔｅ 。
ＧｅＴｅｅ（ＡｕＳｂ）ｚＴｅａ 、 ＢｉｚＧｅａ
Ｔｅｅ 、 ＡｕＡｇＴｅ４ＡｇＩｎａＴｅａ
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ＱｚＳｎＳｅａ 、ＴＱＣｕ２Ｓｅｚ 、
ＡｇＡＱＳｅｚＣｕＡＱＴｅ２ 、ＡｇＧａＳｅｚ
、ＣｕＧａ５ｅｚＣｕＧａＴｅｚ 、Ａｇ
ＧａＳｅｚ 、ＡｇＧａＴｅｚＣｕＩｎＳｅｚ
、ＣｕＩｎＴｅｚ 、ＡｇＩｎＳｅｚ
ＡｇＩｎＴｅ２ 、（Ｎｉ、Ｐｂ）ｚＳｂＴｅ 、
Ｐｄ（Ｓｂ、Ｂｉ）Ｔｅ 。
（Ｃｕ、Ｇａ）ＣｄＳｅｚ、ＣｕＣｄｚＩｎＳｅａ
、ＣｕＡＱ４ＩｎＳｅｓ ＋ＣｕＣｄ５１Ｓｅ
ｎ 、Ｃｕ２ＣｏＳｎＳｅ４ 、ＣｕＺｎ２Ｇａ
Ｓｅ４ ＋ＣｕｚＦｅＧｅＳｅ４ 、 Ｃｕｚ
ＦｅＳｉＳｅａ 、 Ｃｕ２Ｆｅ５ｎＳｅ３．ａ
−ａ。
、ＣｕＡＱ４ＩｎＳｅｓ ＋ＣｕＣｄ５１Ｓｅ
ｎ 、Ｃｕ２ＣｏＳｎＳｅ４ 、ＣｕＺｎ２Ｇａ
Ｓｅ４ ＋ＣｕｚＦｅＧｅＳｅ４ 、 Ｃｕｚ
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−ａ。
ＣｕｚＭｎＧｅＳｅ４ 、ＣｕＭｎ５ｉＳｅ４ 、Ｃ
ｕＭｎ５ｎＳｅ４ 。
ｕＭｎ５ｎＳｅ４ 。
ＣｕｚＮｉＧａＳｅａ 、Ｃｕ５ＦｅＴＱｚＴｅ＋
、ＣｕａＴ（ｌｚＦｅｓａａ 。
、ＣｕａＴ（ｌｚＦｅｓａａ 。
ＣｕＭｎ５ｉＳｅ４ 、ＣｕｚＺｎＳｉＳｅａ 、
ＧａｚＩｎＡｓＳｅｓ ｔＡｇＡＱ４ＩｎＳｅａ
、 ＰｂＢｉｚ（Ｓｅ、Ｔｅ）ｔ、ＣｕＣｄｚＧ
ａＴｅａ 。
ＧａｚＩｎＡｓＳｅｓ ｔＡｇＡＱ４ＩｎＳｅａ
、 ＰｂＢｉｚ（Ｓｅ、Ｔｅ）ｔ、ＣｕＣｄｚＧ
ａＴｅａ 。
ＣｕＭｎ５ｎＳｅ４ 、ＡｇＣｄｚＩｎＴｅａ 、Ｃ
ｕＭｎ５ｉＳｅ４ 。
ｕＭｎ５ｉＳｅ４ 。
Ｃｕ５ＦｅＴＱｚＴｅ＋ 、ＣｕＭｎ５ｉＳｅ４
、ＰｂＢｉｚ（Ｓｅ、Ｔｅ）ａ 。
、ＰｂＢｉｚ（Ｓｅ、Ｔｅ）ａ 。
Ａｇ Ｉ ｎＡＬＴｅｓ
〔実施例〕
第１図は液体急冷法（片ロール法）による本発明アモル
ファススパッタリングターゲツト材の不定形薄片の製造
法を示す。耐熱性容器１中にターゲツト材の原料を装入
し、ワークコイル４によって加熱する。加熱された溶融
物３は耐熱性容器１の底部に設けられたノズル２より高
速回転しているロール５の表面に噴出され急冷されてア
モルファス不定形薄片６が製造される。製造雰囲気は脱
ガスのため真空中が好ましく、ガスの巻き込みが少ない
ものについては大気中でもよい。片ロール法による製造
条件は、ロールの材質が銅にクロームメツキをした直径
３００１ＴＩ１１のものを用い、ロール回転数は３００
０ｒｐｍとした。冷却速度はロールの回転数にほぼ比例
するので、回転数が遅いとアモルファスにならず結晶質
になってしまうので注意を要する。耐熱性容器１の材質
は溶融物３と反応しないものが好ましく、本カルコゲナ
イド化合物の場合は黒鉛を用いた。溶融物３の噴出温度
は融点プラ、ス１５０℃とした。その結果、不定形薄片
の厚さは１０〜２０μｍのものが得られた。
ファススパッタリングターゲツト材の不定形薄片の製造
法を示す。耐熱性容器１中にターゲツト材の原料を装入
し、ワークコイル４によって加熱する。加熱された溶融
物３は耐熱性容器１の底部に設けられたノズル２より高
速回転しているロール５の表面に噴出され急冷されてア
モルファス不定形薄片６が製造される。製造雰囲気は脱
ガスのため真空中が好ましく、ガスの巻き込みが少ない
ものについては大気中でもよい。片ロール法による製造
条件は、ロールの材質が銅にクロームメツキをした直径
３００１ＴＩ１１のものを用い、ロール回転数は３００
０ｒｐｍとした。冷却速度はロールの回転数にほぼ比例
するので、回転数が遅いとアモルファスにならず結晶質
になってしまうので注意を要する。耐熱性容器１の材質
は溶融物３と反応しないものが好ましく、本カルコゲナ
イド化合物の場合は黒鉛を用いた。溶融物３の噴出温度
は融点プラ、ス１５０℃とした。その結果、不定形薄片
の厚さは１０〜２０μｍのものが得られた。
これら不定形薄片をＸ線回折により同定した結果、アモ
ルファスになっていた。第２図は双ロール法による製造
で、加圧された二個のロール５．７間に溶融物３を噴出
させ急冷された不定形薄片を製造する方法である。本実
験の場合のロール間加圧力は８００ｋｇとした。また、
ロール材質はＣｕ−Ｂｅ合金製で直径が２００ｅｗｓの
ものを用い、回転数は１５００ｒｐｍとした。製造した
不定形薄片をＸ線回折した結果、アモルファスになって
いた。
ルファスになっていた。第２図は双ロール法による製造
で、加圧された二個のロール５．７間に溶融物３を噴出
させ急冷された不定形薄片を製造する方法である。本実
験の場合のロール間加圧力は８００ｋｇとした。また、
ロール材質はＣｕ−Ｂｅ合金製で直径が２００ｅｗｓの
ものを用い、回転数は１５００ｒｐｍとした。製造した
不定形薄片をＸ線回折した結果、アモルファスになって
いた。
表１は従来法（結晶質ターゲット）及び本発明法（アモ
ルファスターゲット）によるスパッタリングターゲット
の製造工程を示す。
ルファスターゲット）によるスパッタリングターゲット
の製造工程を示す。
表 １
従来法はターゲット原料を溶解し、ターゲット形状に加
工された鋳型に鋳造成形する方法と、溶解後、−旦、イ
ンゴットとしてこれを破砕して粉末とし、この粉末をホ
ットプレス、及び、単にプレス（室温）する三つの方法
がある。いずれの場合も、溶解→鋳造、溶解→インゴッ
ト過程での凝固速度は液体急冷法とは比較にならずきわ
めて遅い。従って、結晶構造は多相が析出した混合相と
なっており、このターゲットを用いてスパッタ膜を作製
すると、目的組成の膜が得られないことは、前述したと
おりである。その点、本発明法はアモルファス単相であ
るため、目的組成のスパッタ膜が得られる。なお、製造
したアモルファス不定形薄片は粉末に破砕しプレス成形
しターゲット形状とした。プレス荷重は２ 、０ ｔｏ
ｎ／ ｒｙｌで室温で行なった。
工された鋳型に鋳造成形する方法と、溶解後、−旦、イ
ンゴットとしてこれを破砕して粉末とし、この粉末をホ
ットプレス、及び、単にプレス（室温）する三つの方法
がある。いずれの場合も、溶解→鋳造、溶解→インゴッ
ト過程での凝固速度は液体急冷法とは比較にならずきわ
めて遅い。従って、結晶構造は多相が析出した混合相と
なっており、このターゲットを用いてスパッタ膜を作製
すると、目的組成の膜が得られないことは、前述したと
おりである。その点、本発明法はアモルファス単相であ
るため、目的組成のスパッタ膜が得られる。なお、製造
したアモルファス不定形薄片は粉末に破砕しプレス成形
しターゲット形状とした。プレス荷重は２ 、０ ｔｏ
ｎ／ ｒｙｌで室温で行なった。
表２は従来法と本発明法によって製造したターゲットで
スパッタ膜を作成し、膜の組成を分析し比較したもので
ある。
スパッタ膜を作成し、膜の組成を分析し比較したもので
ある。
表 ２
透明ガラス基板上に膜厚１１００ｎにＤＣマグネトロン
型スパッタリング法により成膜した。スパッタ条件は基
板水冷、出力ｉ ｏ ｏｗ、初期真空度８．５ＸＩＯ−
’Ｐａ、Ａｒ分圧２０ ｍＴｏｒｒである０表中のター
ゲットの組成は分析値ではなく配合値を示す。
型スパッタリング法により成膜した。スパッタ条件は基
板水冷、出力ｉ ｏ ｏｗ、初期真空度８．５ＸＩＯ−
’Ｐａ、Ａｒ分圧２０ ｍＴｏｒｒである０表中のター
ゲットの組成は分析値ではなく配合値を示す。
その結果、従来法で作製した膜の組成はターゲット組成
と大巾に異なる。特に、Ｔｅ、Ｓｓが減少している。こ
れは多相であるため、それぞれの相のスパッタレイトが
異なるためである。
と大巾に異なる。特に、Ｔｅ、Ｓｓが減少している。こ
れは多相であるため、それぞれの相のスパッタレイトが
異なるためである。
本発明のアモルファス単相ターゲットを用いた場合は、
ターゲットの配合組成とほぼ同じですぐれていることが
明らかである。
ターゲットの配合組成とほぼ同じですぐれていることが
明らかである。
本発明によれば、ターゲットの組成制御が容易で、再現
性よく目的組成のスパッタ膜が作製できる。
性よく目的組成のスパッタ膜が作製できる。
第１図は本発明の一実施例の片ロール法によるアモルフ
ァス不定形薄片の製造法を示す説明図、第２図は本発明
の他の実施例である双ロール法によるアモルファス不定
形薄片の製造法を示す説明図である。
ァス不定形薄片の製造法を示す説明図、第２図は本発明
の他の実施例である双ロール法によるアモルファス不定
形薄片の製造法を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相変化を利用して可逆的に記録、消去を行なう光記
録媒体を作製するスパッタリングターゲットにおいて、 前記光記録媒体がアモルファス合金からなることを特徴
とする光記録媒体用スパッタリングターゲット。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記光記録媒体がカルコゲナイド化合物からなることを
特徴とする光記録媒体用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29208787A JPH01136968A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体用スパツタリングターゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29208787A JPH01136968A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体用スパツタリングターゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136968A true JPH01136968A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17777380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29208787A Pending JPH01136968A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体用スパツタリングターゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676352A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US11145810B2 (en) | 2019-03-20 | 2021-10-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory device |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP29208787A patent/JPH01136968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676352A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US11145810B2 (en) | 2019-03-20 | 2021-10-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory device |
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