JPS6311628A - 希土類金属の製造法 - Google Patents
希土類金属の製造法Info
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、希土類金属の製造法に関し、特に効率良く高
純度の希土類金属が製造し得る方法に関する。
純度の希土類金属が製造し得る方法に関する。
希土類金属は近年、高性能磁石の原料、光磁気ディスク
用薄膜の原料等の用途が見出され、使用分野が広がると
ともに従来少なかった酸素濃度の低い高純度単体金属の
需要も増加している。
用薄膜の原料等の用途が見出され、使用分野が広がると
ともに従来少なかった酸素濃度の低い高純度単体金属の
需要も増加している。
希土類金属の製造法には溶融塩電解法と金属還元剤によ
る熱還元法等が従来から知られている(例えば、技報堂
出版(掬「レア・アース」(iqgo年グ月3θ日発行
)第100〜10/頁、(掬ジスク「レア・アースの雇
新応用技行」(iqgs年3月S日発行)第ss、s6
及びsg頁〕。通常高純度の希土類金属を得るには塩化
希±(無水物)、フッ化希土なカルシウム、水素比カル
シウム等を還元剤として用いタンタルルツボ中で還元す
る熱還元法が用いられる。
る熱還元法等が従来から知られている(例えば、技報堂
出版(掬「レア・アース」(iqgo年グ月3θ日発行
)第100〜10/頁、(掬ジスク「レア・アースの雇
新応用技行」(iqgs年3月S日発行)第ss、s6
及びsg頁〕。通常高純度の希土類金属を得るには塩化
希±(無水物)、フッ化希土なカルシウム、水素比カル
シウム等を還元剤として用いタンタルルツボ中で還元す
る熱還元法が用いられる。
この熱還元法の反応は通常塩化希土、フッ化希土と還元
剤を混合してメンタルルツボに仕込み、真空中又はアル
ゴンガス中で1xoo〜/600℃に加熱して行なわれ
る。
剤を混合してメンタルルツボに仕込み、真空中又はアル
ゴンガス中で1xoo〜/600℃に加熱して行なわれ
る。
反応後希土類金属より比重が軽い塩化カルシウム、フッ
化カルシウム等のスラグは上層に、希土類金属は下層に
分離する。その後、ルツボを冷却し、室温迄さがったと
ころで空気中又はアルゴングローブボックス中に取り出
し、ルツボな転倒させてスラグな取り出し、再びルツボ
を炉内に入れ金属を溶解し鋳型に鋳込み、希土類インゴ
ットを得ていた。
化カルシウム等のスラグは上層に、希土類金属は下層に
分離する。その後、ルツボを冷却し、室温迄さがったと
ころで空気中又はアルゴングローブボックス中に取り出
し、ルツボな転倒させてスラグな取り出し、再びルツボ
を炉内に入れ金属を溶解し鋳型に鋳込み、希土類インゴ
ットを得ていた。
しかし、この方法では加熱、冷却、加熱をくり返す為、
エネルギー的にも時間的にもロスが多く、又、ルツボの
炉体からの取り外し、取り付けの際空気による汚染があ
った。
エネルギー的にも時間的にもロスが多く、又、ルツボの
炉体からの取り外し、取り付けの際空気による汚染があ
った。
更に、スラグ、希土類金属とも固体の状態で両者を分離
する為、境界面の分離が少しでも悪くなると金属側にス
ラグが残り純度が下がる問題点が有り、又、還元状態に
よってはスラグが金属に固着して機械的に分離すること
ができずにルツボな破壊する必要が生じる場合もあり、
これらの問題点を解決することが望まれていた。
する為、境界面の分離が少しでも悪くなると金属側にス
ラグが残り純度が下がる問題点が有り、又、還元状態に
よってはスラグが金属に固着して機械的に分離すること
ができずにルツボな破壊する必要が生じる場合もあり、
これらの問題点を解決することが望まれていた。
本発明者等は、上記熱還元法による希土類金属製造に係
る問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、希土類金
属とスラグな特定の方法で分離することによって上記問
題が解決されることを知得して本発明に到達した。
る問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、希土類金
属とスラグな特定の方法で分離することによって上記問
題が解決されることを知得して本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、希土類のハロゲン化物をカ
ルシウム又は水素化カルシウムにより還元し、得られた
希土類金属とスラグを分離する希土類金属の製造法にお
いて、スラグ分離用治具な溶融したスラグ中に入れた状
態で、該スラグを凝固させてスラグ分離用治具と一体化
させ、該分離用治具と共にスラグを除去することKより
希土類金属とスラグな分離することを特徴とする希土類
金属の製造法に存する。
ルシウム又は水素化カルシウムにより還元し、得られた
希土類金属とスラグを分離する希土類金属の製造法にお
いて、スラグ分離用治具な溶融したスラグ中に入れた状
態で、該スラグを凝固させてスラグ分離用治具と一体化
させ、該分離用治具と共にスラグを除去することKより
希土類金属とスラグな分離することを特徴とする希土類
金属の製造法に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
なお、本発明において希土類とは、イツトIJウム及び
原子番号37〜7/の元素からなる群を示す。
原子番号37〜7/の元素からなる群を示す。
使用する希土類の7Sロゲン化物はフッ化物、塩化物等
がいずれでも使用できるが、結晶水を有する場合は通常
無水塩とした後に用いる。一般的にはフン化物、塩化物
、特にはフッ化物が用いられ、また希土類元素は単独で
用いられる。
がいずれでも使用できるが、結晶水を有する場合は通常
無水塩とした後に用いる。一般的にはフン化物、塩化物
、特にはフッ化物が用いられ、また希土類元素は単独で
用いられる。
このハロゲン化物は公知の種々の方法で製造でき、例え
ばフッ化物においては、希土類含有鉱物等から単離され
た酸化ランタン、酸化セリウム等の希土類酸化物と酸性
フッ化アンモンを混合し1.300℃に加熱して得る方
法、希土類水溶液にフッ酸を加えて希土類のフッ化物を
沈殿させ、r過洗浄、乾燥して得る方法等が挙げられる
。
ばフッ化物においては、希土類含有鉱物等から単離され
た酸化ランタン、酸化セリウム等の希土類酸化物と酸性
フッ化アンモンを混合し1.300℃に加熱して得る方
法、希土類水溶液にフッ酸を加えて希土類のフッ化物を
沈殿させ、r過洗浄、乾燥して得る方法等が挙げられる
。
還元剤として金属カルシウム又は水素化カルシウムを使
用するが、これらは高純度のものが望ましい。還元反応
は下記の式に従って進行し、還元剤が少なすぎると希土
類金属の収率が低下し、多すぎると還元剤からのカルシ
ウム除去の必要が生じるので、還元剤は、通常0.9〜
i、s倍当量の範囲の量使用する。特に、カルシウム含
有量の低い希土類金属を希望する場合は当量以下、希土
類金属の収率な向上させたい場合は当量以上の還元剤を
使用することが好ましい。
用するが、これらは高純度のものが望ましい。還元反応
は下記の式に従って進行し、還元剤が少なすぎると希土
類金属の収率が低下し、多すぎると還元剤からのカルシ
ウム除去の必要が生じるので、還元剤は、通常0.9〜
i、s倍当量の範囲の量使用する。特に、カルシウム含
有量の低い希土類金属を希望する場合は当量以下、希土
類金属の収率な向上させたい場合は当量以上の還元剤を
使用することが好ましい。
2、 RX3+、? Oa −+ ユR+30aX*
、2RXs+30aJ(*−+uR+30aXt +3
H!(R:希土類元素、X:〕・ロゲン元素)還元反応
は、通常、希土類ハロゲン化物と還元剤とをタンタル製
等のルツボに入れ、真空銹導炉、抵抗体発熱炉等の還元
炉中にて真空又は不活性ガス雰囲気下、1200〜76
00℃の温度で反応が完結するまで行なう。原料は必ず
しも希土類ハロゲン化物を仕込む等が可能である。
、2RXs+30aJ(*−+uR+30aXt +3
H!(R:希土類元素、X:〕・ロゲン元素)還元反応
は、通常、希土類ハロゲン化物と還元剤とをタンタル製
等のルツボに入れ、真空銹導炉、抵抗体発熱炉等の還元
炉中にて真空又は不活性ガス雰囲気下、1200〜76
00℃の温度で反応が完結するまで行なう。原料は必ず
しも希土類ハロゲン化物を仕込む等が可能である。
なお、還元反応は例えば、第1図に示したようにルツボ
(IJ K蓋(2)をし、断熱材(3)で囲み高周波誘
導コイル(4)によって加熱することによって行える。
(IJ K蓋(2)をし、断熱材(3)で囲み高周波誘
導コイル(4)によって加熱することによって行える。
使用するルツボ(1)の形状は、スラグの固体が取シ出
せるものであれば、どの様な形状でも良いが、好ましく
は第一図の様に上方に行くに従って径が広がる形のルツ
ボが好ましい。
せるものであれば、どの様な形状でも良いが、好ましく
は第一図の様に上方に行くに従って径が広がる形のルツ
ボが好ましい。
ルツボの上部は開放のまま運転をする事も可能であるが
、放熱を防ぎ、又還元剤の気散を防ぐ為に蓋(2)をす
る事が望ましい。
、放熱を防ぎ、又還元剤の気散を防ぐ為に蓋(2)をす
る事が望ましい。
上記反応の進行に伴なって、生成した希土類金属は比重
が高い為に下層へ移行し、ノ・ロゲン化カルシウム、カ
ルシウム等からなるスラグは上層へ移行する。
が高い為に下層へ移行し、ノ・ロゲン化カルシウム、カ
ルシウム等からなるスラグは上層へ移行する。
本発明は、スラグが溶融している間に該スラグ中にスラ
グ分離用治具を入れ、この状態でスラグな凝固させて上
記分離用治具と一体化させ、スラグ分離用治具と共にス
ラグな除去することグの実質量も引き上げ又は移動する
状態を指す。
グ分離用治具を入れ、この状態でスラグな凝固させて上
記分離用治具と一体化させ、スラグ分離用治具と共にス
ラグな除去することグの実質量も引き上げ又は移動する
状態を指す。
具体的には例えば第1図に示した様に、スラグ分離用治
具(5Jを溶融しているスラグ(6)部分にのみ挿入し
た状態でスラグな凝固させ、スラグ除去棒(7)を引き
上げることによってスラグ(6)を希土類金属(8)か
ら分離することができる。この時スラグ除去棒(刀は遠
隔操作によって上下させることも可能である。
具(5Jを溶融しているスラグ(6)部分にのみ挿入し
た状態でスラグな凝固させ、スラグ除去棒(7)を引き
上げることによってスラグ(6)を希土類金属(8)か
ら分離することができる。この時スラグ除去棒(刀は遠
隔操作によって上下させることも可能である。
スラグ分離用治具は反応の初期より反応後にスラグが凝
固するまでの間のどの時点でもルツボ内に入れる事がで
きる。分離用治具の材質としては、希土類金′属の品質
に悪い影響を与えないものならば何でも良いが、例えば
タンタル、ニオブ、鉄、ステンレス等が好ましい。スラ
グと反応しないタンタル、ニオブな使用すれば反応前よ
りルツボ内に治具を入れておく事ができる。しかし、ス
ラグの凝固寸前にルツボ内に治具を入れるのであればス
ラグと反応する物も使用可能であり、例えば安価な鉄、
ステンレス等も使用できる。この場合、表面がスラグと
反応する為に強固な結合ができ、スラグの分離時にスラ
グが落ちると言う様な事もなく好ましい。
固するまでの間のどの時点でもルツボ内に入れる事がで
きる。分離用治具の材質としては、希土類金′属の品質
に悪い影響を与えないものならば何でも良いが、例えば
タンタル、ニオブ、鉄、ステンレス等が好ましい。スラ
グと反応しないタンタル、ニオブな使用すれば反応前よ
りルツボ内に治具を入れておく事ができる。しかし、ス
ラグの凝固寸前にルツボ内に治具を入れるのであればス
ラグと反応する物も使用可能であり、例えば安価な鉄、
ステンレス等も使用できる。この場合、表面がスラグと
反応する為に強固な結合ができ、スラグの分離時にスラ
グが落ちると言う様な事もなく好ましい。
スラグ分離用治具の形状は、つばや表面に凹凸を設けて
スラグとの密着性を良くしたもの等が挙げられるが、ス
ラグ分離用治具と共に凝固したスラグを引き上げられる
ものであれば上記の形状に限定されるものではなく、ス
ラグと反応する材質であれば棒状、管状等の簡素な形状
でもよい。第3図(alにタンタル、ニオブ等に適した
下方に円板状の:)トを設けた形状、(bl、(clに
鉄等に適し念、ネジ形、ボルト形の各々のスラグ分離用
治具(5ツ、(IJ、(s/f/)の例を示した。
スラグとの密着性を良くしたもの等が挙げられるが、ス
ラグ分離用治具と共に凝固したスラグを引き上げられる
ものであれば上記の形状に限定されるものではなく、ス
ラグと反応する材質であれば棒状、管状等の簡素な形状
でもよい。第3図(alにタンタル、ニオブ等に適した
下方に円板状の:)トを設けた形状、(bl、(clに
鉄等に適し念、ネジ形、ボルト形の各々のスラグ分離用
治具(5ツ、(IJ、(s/f/)の例を示した。
なお、スラグ分離用治具はスラグ除去棒(7)とネジ、
取付共等によシ着脱自在に設けた方が好ましいが、これ
ら治具とスラグ除去棒とが分離不能なものであってもよ
い。
取付共等によシ着脱自在に設けた方が好ましいが、これ
ら治具とスラグ除去棒とが分離不能なものであってもよ
い。
スラグを分離する温度はスラグの融点(例えば、フッ化
カルシウム/340℃、塩化カルシウム772℃〕以下
であれば希土類金属が凝固していても分離は可能である
。しかしながら、希土類金属の融点以上の温度において
、凝固したスラグを溶融した希土類金属から分離した方
が、金属の分離がより完全に行なわれ、かつ冷却に要す
る時間も短縮されるので好ましく、このような分離が実
施し得る化合物例えばフッ化ランタン、フッ化セリウム
、フン化プラセオジム又はフッ化ネオジムの使用が望ま
れる。なお、希土類金属の溶融時にスラグな除去する場
合には還元剤が過剰に用いられているとカルシウムが溶
融して希土類金属と共に残留する為、反応開始前に用い
る還元剤は希土類ハロゲン化物に対して7倍当量以下と
することが好ましいが、スラグを分離して得られた希土
類金属は・そのまま鋳型に鋳込むことも可能であるし・
また金属中に混入している還元剤からのカルシウム等を
取り除く為、真空蒸留の後鋳型に鋳込むことも可能であ
る。
カルシウム/340℃、塩化カルシウム772℃〕以下
であれば希土類金属が凝固していても分離は可能である
。しかしながら、希土類金属の融点以上の温度において
、凝固したスラグを溶融した希土類金属から分離した方
が、金属の分離がより完全に行なわれ、かつ冷却に要す
る時間も短縮されるので好ましく、このような分離が実
施し得る化合物例えばフッ化ランタン、フッ化セリウム
、フン化プラセオジム又はフッ化ネオジムの使用が望ま
れる。なお、希土類金属の溶融時にスラグな除去する場
合には還元剤が過剰に用いられているとカルシウムが溶
融して希土類金属と共に残留する為、反応開始前に用い
る還元剤は希土類ハロゲン化物に対して7倍当量以下と
することが好ましいが、スラグを分離して得られた希土
類金属は・そのまま鋳型に鋳込むことも可能であるし・
また金属中に混入している還元剤からのカルシウム等を
取り除く為、真空蒸留の後鋳型に鋳込むことも可能であ
る。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例/
第1図17)タンタル製ルツボに、フッ化ネオジム3.
0’7!lK9と金属カルシウム/、θrpkgを入れ
真空誘導炉のコイル中に入れ、アルゴン雰囲気下、1l
Ioθ℃でi、s時間還元した。
0’7!lK9と金属カルシウム/、θrpkgを入れ
真空誘導炉のコイル中に入れ、アルゴン雰囲気下、1l
Ioθ℃でi、s時間還元した。
還元後、加熱を中止してコイル中で放冷し、/、100
℃にkつだ時に軟鋼製のスラグ分離用治具をスラグ中に
入れ、SOO°C迄冷却した所でスラグな上に引き上は
メタルと分離した。
℃にkつだ時に軟鋼製のスラグ分離用治具をスラグ中に
入れ、SOO°C迄冷却した所でスラグな上に引き上は
メタルと分離した。
/1I00℃からSOO℃迄の冷却に要した時間は/、
A時間であった。その後、再びルツボを/100℃迄加
熱して鋳型にネオジムメタルな鋳込んだ。
A時間であった。その後、再びルツボを/100℃迄加
熱して鋳型にネオジムメタルな鋳込んだ。
得られたネオジムは2./l?kgで収率は97チであ
った。また、金属中の酸素量は700ppm(wt)で
あった。
った。また、金属中の酸素量は700ppm(wt)で
あった。
実施例ユ
第2図のタンタル製ルツボにフッ化ネオジムJ、θ7
s kgと金属カルシウムo、’yi’ykgを入れる
以外は実施例/と同様の条件で還元を行った。
s kgと金属カルシウムo、’yi’ykgを入れる
以外は実施例/と同様の条件で還元を行った。
還元後、1.1.00℃まで冷却した時に軟鋼製のスラ
グ分離用治具をスラグ中に入れルツボ塩を1iso℃に
調節してネオジムj溶融下でスラグな引き上げた。
グ分離用治具をスラグ中に入れルツボ塩を1iso℃に
調節してネオジムj溶融下でスラグな引き上げた。
還元終了後、スラグの引き上げ分離迄に要した時間は2
0分であった。スラグの引き上げ後直ちにネオジムメタ
ルを鋳型に鋳込み金属塊を得た。収率は9ヶ条であり、
金属中の酸素量は530 ppm(wt)でアラた。
0分であった。スラグの引き上げ後直ちにネオジムメタ
ルを鋳型に鋳込み金属塊を得た。収率は9ヶ条であり、
金属中の酸素量は530 ppm(wt)でアラた。
比較例1
実施例/と同じルツボに同−址の原料を仕込み、同一条
件で還元を行った後、g時間冷却して30℃になった時
にルツボをコイルから取り外し、ルツボを転倒させスラ
グな取り出した。
件で還元を行った後、g時間冷却して30℃になった時
にルツボをコイルから取り外し、ルツボを転倒させスラ
グな取り出した。
その後、ルツボな再びコイル中に入れ炉の真空引きを行
った後、/100℃迄昇臨しネオジムメタルを鋳型に鋳
込み金属塊を得た。
った後、/100℃迄昇臨しネオジムメタルを鋳型に鋳
込み金属塊を得た。
ネオジムメタルの収率はククチ、メタル中の酸素量は/
s 00 ppm(wt)であった。
s 00 ppm(wt)であった。
比較例ユ
実施例ユと同じルツボに同一量の原料を仕込み同一条件
で還元を行った後、g時間冷却し30℃になった時にル
ツボなコイルから取り比しルツボを転倒したが、スラグ
は分離できな妙っだ。
で還元を行った後、g時間冷却し30℃になった時にル
ツボなコイルから取り比しルツボを転倒したが、スラグ
は分離できな妙っだ。
その為、ルツボの壁を旋盤で削り取り、ネオレムメタル
を取り出した。
を取り出した。
金属塊として取り出せたものの収率はAo%、酸素濃度
は/ 030 ppmであった。
は/ 030 ppmであった。
本発明方法によれば、遠隔操作によりルツ鱈を炉体に取
り付けたままでスラグを取り出すごとができるので、空
気中に取シ出して操作する際に生ずる酸素による汚染が
防止でき、また操作も大巾に簡略化される。また、従来
法ではルツボよりスラグを取り出す操作を手で行うため
室温まで冷却する必要が有ったが、本発明方法を用いれ
ば1000〜ノ、yoooCの高温でスラグの分離が行
え、しかも希土類金属の融点以上の温度で分離を行えば
、メタルとスラグの分離、 が完全に行え、かつ、ス
ラグの分離後そのまま希土類金属を鋳型に鋳込む事がで
き、還元炉の1 運転操作が大巾に簡略化され、かつ
、生産効率も大巾に改善される等の工業的に優ハたもの
である。
り付けたままでスラグを取り出すごとができるので、空
気中に取シ出して操作する際に生ずる酸素による汚染が
防止でき、また操作も大巾に簡略化される。また、従来
法ではルツボよりスラグを取り出す操作を手で行うため
室温まで冷却する必要が有ったが、本発明方法を用いれ
ば1000〜ノ、yoooCの高温でスラグの分離が行
え、しかも希土類金属の融点以上の温度で分離を行えば
、メタルとスラグの分離、 が完全に行え、かつ、ス
ラグの分離後そのまま希土類金属を鋳型に鋳込む事がで
き、還元炉の1 運転操作が大巾に簡略化され、かつ
、生産効率も大巾に改善される等の工業的に優ハたもの
である。
第1図は本発明方法によって希土類金属を分離する装置
の一例を示す断面図、第2図は本発明に用いるルツボの
一例を示す断面図、第3図(al、(bl、(c)は本
発明に使用するスラグ分離用治ζ 具の例を示す図で
ある。 −(1)ニルツボ、(2):蓋、(5)、(艶、(5ツ
、(3“):スラグ分離用治具、(6)ニスラグ、(8
):希土類金属比 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名) 男 1 凪 晃2図 第3図 (cl)
の一例を示す断面図、第2図は本発明に用いるルツボの
一例を示す断面図、第3図(al、(bl、(c)は本
発明に使用するスラグ分離用治ζ 具の例を示す図で
ある。 −(1)ニルツボ、(2):蓋、(5)、(艶、(5ツ
、(3“):スラグ分離用治具、(6)ニスラグ、(8
):希土類金属比 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名) 男 1 凪 晃2図 第3図 (cl)
Claims (5)
- (1)希土類のハロゲン化物をカルシウム又は水素化カ
ルシウムにより還元し、得られた希土類金属とスラグを
分離する希土類金属の製造法において、スラグ分離用治
具を溶融したスラグ中に入れた状態で、該スラグを凝固
させてスラグ分離用治具と一体化させ、該分離用治具と
共にスラグを除去することにより希土類金属とスラグを
分離することを特徴とする希土類金属の製造法。 - (2)希土類のハロゲン化物が希土類のフッ化物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の方法
。 - (3)希土類のフッ化物が、フッ化ランタン、フッ化セ
リウム、フッ化プラセオジム又はフッ化ネオジムである
ことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の方法
。 - (4)スラグの除去を、スラグの融点以下であり、かつ
希土類金属の融点以上の温度において行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第(1)項ないし第(3)項のい
ずれか1項に記載の方法。 - (5)希土類金属の製造を、上方に向つて広がる形状の
ルツボ内において行なうことを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項ないし第(4)項のいずれか1項に記載の
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15387486A JPH0765129B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 希土類金属の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15387486A JPH0765129B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 希土類金属の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6311628A true JPS6311628A (ja) | 1988-01-19 |
JPH0765129B2 JPH0765129B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15571999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15387486A Expired - Lifetime JPH0765129B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 希土類金属の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0765129B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03215634A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類金属の低酸素化方法 |
JP2006243691A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射スクリーン、反射スクリーンの製造方法 |
WO2009054217A1 (ja) | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度イッテルビウム、高純度イッテルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度イッテルビウムを含有する薄膜及び高純度イッテルビウムの製造方法 |
WO2010087227A1 (ja) | 2009-01-29 | 2010-08-05 | 日鉱金属株式会社 | 高純度エルビウムの製造方法及び高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜 |
WO2012067061A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
WO2012099092A1 (ja) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
WO2013084672A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度カルシウムの製造方法 |
KR20130135307A (ko) | 2011-09-28 | 2013-12-10 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 란탄의 제조 방법, 고순도 란탄, 고순도 란탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 고순도 란탄을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 |
WO2014030221A1 (ja) | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 株式会社日立製作所 | 仮想計算機システム、管理計算機及び仮想計算機管理方法 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15387486A patent/JPH0765129B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0585627B2 (ja) * | 1990-01-18 | 1993-12-08 | Shinetsu Chem Ind Co | |
JP2006243691A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射スクリーン、反射スクリーンの製造方法 |
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WO2010087227A1 (ja) | 2009-01-29 | 2010-08-05 | 日鉱金属株式会社 | 高純度エルビウムの製造方法及び高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜 |
WO2012067061A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
US9234257B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Production method for high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target composed of high-purity lanthanum, and metal gate film containing high-purity lanthanum as main component |
KR20130105921A (ko) | 2011-01-21 | 2013-09-26 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 란탄의 제조 방법, 고순도 란탄, 고순도 란탄으로 이루어지는 스퍼터링 타겟 및 고순도 란탄을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 |
US9013009B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having highy-purity lanthanum as main component |
WO2012099092A1 (ja) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
KR20130135307A (ko) | 2011-09-28 | 2013-12-10 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 란탄의 제조 방법, 고순도 란탄, 고순도 란탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 고순도 란탄을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 |
WO2013084672A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度カルシウムの製造方法 |
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WO2014030221A1 (ja) | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 株式会社日立製作所 | 仮想計算機システム、管理計算機及び仮想計算機管理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0765129B2 (ja) | 1995-07-12 |
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