JPH0617159A - 低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法 - Google Patents
低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法Info
- Publication number
- JPH0617159A JPH0617159A JP19767092A JP19767092A JPH0617159A JP H0617159 A JPH0617159 A JP H0617159A JP 19767092 A JP19767092 A JP 19767092A JP 19767092 A JP19767092 A JP 19767092A JP H0617159 A JPH0617159 A JP H0617159A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸素含有量が８０ppm 以下の低酸素高純度Ｔ
ｉ材を製造する。 【構成】 低酸素高純度Ｔｉ材を、原料として溶融塩電
解高純度Ｔｉ材、またはこれの真空電子ビーム溶解高純
度Ｔｉ材を用い、これを誘導スカル溶解炉の水冷銅るつ
ぼにおいて、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロ
ゲン化物を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状
態で誘導加熱溶融することにより製造する。
ｉ材を製造する。 【構成】 低酸素高純度Ｔｉ材を、原料として溶融塩電
解高純度Ｔｉ材、またはこれの真空電子ビーム溶解高純
度Ｔｉ材を用い、これを誘導スカル溶解炉の水冷銅るつ
ぼにおいて、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロ
ゲン化物を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状
態で誘導加熱溶融することにより製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、酸素含有量が８０pp
m 以下の低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法に関するもので
ある。
m 以下の低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に、高純度Ｔｉ材が、例えば
半導体素子表面のスパッタリング法による薄膜形成にタ
ーゲット材として用いられ、この高純度Ｔｉ材が、例え
ば特開昭６２−２８０３３５号公報に記載される通り溶
融塩電解高純度Ｔｉ材を５×１０-5torrの高真空中、電
子ビーム溶解することにより製造されることも知られて
いる。
半導体素子表面のスパッタリング法による薄膜形成にタ
ーゲット材として用いられ、この高純度Ｔｉ材が、例え
ば特開昭６２−２８０３３５号公報に記載される通り溶
融塩電解高純度Ｔｉ材を５×１０-5torrの高真空中、電
子ビーム溶解することにより製造されることも知られて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の半導体素
子の高集積化に伴ない、これの配線回路の密集化、細線
化、および薄肉化の傾向は著しく、このため前記配線回
路の形成に供せられるＴｉ薄膜、すなわち前記Ｔｉ薄膜
の形成に用いられる高純度Ｔｉ材には、特に配線回路の
安定性を確保する目的で酸素含有量のより一段の低減が
強く望まれている。
子の高集積化に伴ない、これの配線回路の密集化、細線
化、および薄肉化の傾向は著しく、このため前記配線回
路の形成に供せられるＴｉ薄膜、すなわち前記Ｔｉ薄膜
の形成に用いられる高純度Ｔｉ材には、特に配線回路の
安定性を確保する目的で酸素含有量のより一段の低減が
強く望まれている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、より一段と酸素含有量の低い高
純度Ｔｉ材を製造すべく研究を行なった結果、一般に上
記の従来高純度Ｔｉ材、すなわち溶融塩電解高純度Ｔｉ
材またはこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材は、１
００〜１６０ppm 程度の酸素を含有するが、これを原料
として用い、これを誘導スカル溶解炉の水冷銅るつぼに
おいて、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロゲン
化物を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状態で
誘導加熱溶解すると、酸素が減少するようになり、酸素
含有量を８０ppm 以下に低減できるという研究結果を得
たのである。
上述のような観点から、より一段と酸素含有量の低い高
純度Ｔｉ材を製造すべく研究を行なった結果、一般に上
記の従来高純度Ｔｉ材、すなわち溶融塩電解高純度Ｔｉ
材またはこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材は、１
００〜１６０ppm 程度の酸素を含有するが、これを原料
として用い、これを誘導スカル溶解炉の水冷銅るつぼに
おいて、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロゲン
化物を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状態で
誘導加熱溶解すると、酸素が減少するようになり、酸素
含有量を８０ppm 以下に低減できるという研究結果を得
たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、原料として溶融塩電解高純度Ｔ
ｉ材またはこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材を用
い、これを、誘導スカル溶解炉の水冷銅るつぼにおい
て、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロゲン化物
を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状態で誘導
加熱溶融すること、により酸素含有量を８０ppm 以下に
低減した低酸素高純度Ｔｉ材を製造する方法に特徴を有
するものである。
なされたものであって、原料として溶融塩電解高純度Ｔ
ｉ材またはこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材を用
い、これを、誘導スカル溶解炉の水冷銅るつぼにおい
て、不活性雰囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロゲン化物
を主成分とする溶融フラックス内に浸漬した状態で誘導
加熱溶融すること、により酸素含有量を８０ppm 以下に
低減した低酸素高純度Ｔｉ材を製造する方法に特徴を有
するものである。
【０００６】
【実施例】つぎに、この発明の方法を実施例により具体
的に説明する。原料として、それぞれ表１に示される酸
素含有量の溶融塩電解高純度Ｔｉ材、およびこれの真空
電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材を用意し、これを通常の誘
導スカル溶解炉の水冷銅るつぼ内に５kg、同じく表１に
示される配合組成のフラックス：１０kgと共に装入し、
前記誘導スカル溶解炉内の雰囲気を表１に示される雰囲
気とした状態で印加し、前記高純度Ｔｉ材およびフラッ
クスを誘導加熱溶融して、溶融フラックス内に前記溶融
高純度Ｔｉ材が浸漬した状態とし、この溶融高純度Ｔｉ
材を表１に示される温度に同じく表１に示される時間保
持した後、炉冷することにより本発明法１〜８をそれぞ
れ実施し、酸素含有量を測定した。この測定結果も表１
に示した。
的に説明する。原料として、それぞれ表１に示される酸
素含有量の溶融塩電解高純度Ｔｉ材、およびこれの真空
電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材を用意し、これを通常の誘
導スカル溶解炉の水冷銅るつぼ内に５kg、同じく表１に
示される配合組成のフラックス：１０kgと共に装入し、
前記誘導スカル溶解炉内の雰囲気を表１に示される雰囲
気とした状態で印加し、前記高純度Ｔｉ材およびフラッ
クスを誘導加熱溶融して、溶融フラックス内に前記溶融
高純度Ｔｉ材が浸漬した状態とし、この溶融高純度Ｔｉ
材を表１に示される温度に同じく表１に示される時間保
持した後、炉冷することにより本発明法１〜８をそれぞ
れ実施し、酸素含有量を測定した。この測定結果も表１
に示した。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【発明の効果】表１に示される結果から、従来高純度Ｔ
ｉ材として知られている溶融塩電解高純度Ｔｉ材、およ
びこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材は、１００〜
１６０ppm の酸素を含有するが、本発明法１〜８によれ
ば、いずれの場合にも、これを８０ppm 以下に低減する
ことができることが明らかである。上述のように、従来
酸素含有量が１００ppm 以下の高純度Ｔｉ材の製造は困
難であるとされていたものを、この発明の方法によれ
ば、簡単な工程で、かつコスト安く８０ppm 以下の酸素
含有量とすることができ、したがってこの結果の低酸素
高純度Ｔｉ材をターゲット材として用いれば、スパッタ
リング法により低酸素高純度Ｔｉ薄膜を半導体素子表面
に形成することができ、半導体素子の高集積化にも十分
に対応することが可能となるなどの工業上有用な効果が
もたらされるのである。
ｉ材として知られている溶融塩電解高純度Ｔｉ材、およ
びこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材は、１００〜
１６０ppm の酸素を含有するが、本発明法１〜８によれ
ば、いずれの場合にも、これを８０ppm 以下に低減する
ことができることが明らかである。上述のように、従来
酸素含有量が１００ppm 以下の高純度Ｔｉ材の製造は困
難であるとされていたものを、この発明の方法によれ
ば、簡単な工程で、かつコスト安く８０ppm 以下の酸素
含有量とすることができ、したがってこの結果の低酸素
高純度Ｔｉ材をターゲット材として用いれば、スパッタ
リング法により低酸素高純度Ｔｉ薄膜を半導体素子表面
に形成することができ、半導体素子の高集積化にも十分
に対応することが可能となるなどの工業上有用な効果が
もたらされるのである。
Claims (1)
- 【請求項１】 原料として溶融塩電解高純度Ｔｉ材また
はこれの真空電子ビーム溶解高純度Ｔｉ材を用い、これ
を誘導スカル溶解炉の水冷銅るつぼにおいて、不活性雰
囲気中、Ｃａとアルカリ土類ハロゲン化物を主成分とす
る溶融フラックス内に浸漬した状態で誘導加熱溶融する
ことにより酸素含有量を８０ppm 以下に低減することを
特徴とする低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767092A JPH0617159A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767092A JPH0617159A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617159A true JPH0617159A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=16378385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19767092A Withdrawn JPH0617159A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 低酸素高純度Ｔｉ材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617159A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004094312A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Sumitomo Titanium Corporation | 金属塩の精製方法並びにチタン材の脱酸方法および製造方法 |
| CN100390309C (zh) * | 2006-09-01 | 2008-05-28 | 上海大学 | 钛或钛合金熔液脱氧净化的方法 |
| US7997776B2 (en) | 2005-03-10 | 2011-08-16 | Denso Corporation | Indicating instrument for vehicle |
| CN105441985A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-03-30 | 西安建筑科技大学 | 一种V-Ti基储氢合金的制备方法 |
| CN111230131A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钛粉的制备方法及由其制备的钛粉和用途 |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP19767092A patent/JPH0617159A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004094312A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Sumitomo Titanium Corporation | 金属塩の精製方法並びにチタン材の脱酸方法および製造方法 |
| US7997776B2 (en) | 2005-03-10 | 2011-08-16 | Denso Corporation | Indicating instrument for vehicle |
| CN100390309C (zh) * | 2006-09-01 | 2008-05-28 | 上海大学 | 钛或钛合金熔液脱氧净化的方法 |
| CN105441985A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-03-30 | 西安建筑科技大学 | 一种V-Ti基储氢合金的制备方法 |
| CN111230131A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钛粉的制备方法及由其制备的钛粉和用途 |
| CN111230131B (zh) * | 2020-03-18 | 2023-07-21 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钛粉的制备方法及由其制备的钛粉和用途 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |