JPS63114176A - 高速電界効果半導体装置 - Google Patents
高速電界効果半導体装置Info
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- JPS63114176A JPS63114176A JP61258147A JP25814786A JPS63114176A JP S63114176 A JPS63114176 A JP S63114176A JP 61258147 A JP61258147 A JP 61258147A JP 25814786 A JP25814786 A JP 25814786A JP S63114176 A JPS63114176 A JP S63114176A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
- H01L29/267—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、高速電界効果半導体装置に於いて、チャネル
層としてアン・ドープ■−■族化合物半導体を、キャリ
ヤ供給層として前記チャネル層に比較して電子親和力が
小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大である不純
物ドーピングＩＩ−’Ｖｌ族化合物半導体をそれぞれ用
いることに依り、それ等半導体層に於ける伝導帯間のエ
ネルギ差を大きくすることを可能としたものである。
層としてアン・ドープ■−■族化合物半導体を、キャリ
ヤ供給層として前記チャネル層に比較して電子親和力が
小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大である不純
物ドーピングＩＩ−’Ｖｌ族化合物半導体をそれぞれ用
いることに依り、それ等半導体層に於ける伝導帯間のエ
ネルギ差を大きくすることを可能としたものである。
本発明は、ヘテロ界面近傍に生成される二次元キャリヤ
・ガス層をチャネルとして利用する高速電界効果半導体
装置の改良に関する。
・ガス層をチャネルとして利用する高速電界効果半導体
装置の改良に関する。
従来、この種の半導体装置として、高電子移動度トラン
ジスタ（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔ
ｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）が知られてい
る。
ジスタ（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔ
ｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）が知られてい
る。
その標準的な構成としては、半絶縁性ＣａＡｓ基板上に
アン・ドープＧａＡｓチャネル層及びｎ型ＡＪＧａＡｓ
電子供給層を順に成長させ、その構成に依ってヘテロ界
面の前記チャネル層側に生成される二次元電子ガス層を
チャネルとし、その二次元電子ガス濃度を前記電子供給
層表面に形成したゲート電極に印加される電圧で制御す
るようにしている。
アン・ドープＧａＡｓチャネル層及びｎ型ＡＪＧａＡｓ
電子供給層を順に成長させ、その構成に依ってヘテロ界
面の前記チャネル層側に生成される二次元電子ガス層を
チャネルとし、その二次元電子ガス濃度を前記電子供給
層表面に形成したゲート電極に印加される電圧で制御す
るようにしている。
このようなＨＥＭＴに於ける各半導体層の構成としでは
、前記のような電子親和力が大きいＧａＡｓ及びそれよ
りも電子親和力が小さいＡｌＧａＡｓの組み合わせの外
、ＧａＡｓに対しＩ ｎＧａＰの組み合わせ、■ｎＧａ
ＡＳに対しＩｎＰまたはＩｎＡｆｆｉＡｓの組み合わせ
などが採用されている。
、前記のような電子親和力が大きいＧａＡｓ及びそれよ
りも電子親和力が小さいＡｌＧａＡｓの組み合わせの外
、ＧａＡｓに対しＩ ｎＧａＰの組み合わせ、■ｎＧａ
ＡＳに対しＩｎＰまたはＩｎＡｆｆｉＡｓの組み合わせ
などが採用されている。
前記したような従来のＨＥＭＴに於いて、多用されてい
るＱ ａ Ａ Ｓ ／ Ａ ｌ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ
Ａ Ｓ （Ｘ ＝０．３）系では、その伝導帯間の
エネルギ差が約０．２ （ｅＶ）と非常に小さく、ま
た、ＣｒａＡｓ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ系でも約０．４
（ｅＶ）であって、さほど大きくはならない。
るＱ ａ Ａ Ｓ ／ Ａ ｌ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ
Ａ Ｓ （Ｘ ＝０．３）系では、その伝導帯間の
エネルギ差が約０．２ （ｅＶ）と非常に小さく、ま
た、ＣｒａＡｓ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ系でも約０．４
（ｅＶ）であって、さほど大きくはならない。
一般に、前記伝導帯間のエネルギ差が大であれば、ドレ
イン・ソース間が高電界下に於いても、二次元キャリヤ
・ガス層に於けるキャリヤがキャリヤ供給層に移動する
ことは阻止されるから、ＨＥＭＴは安定な動作をするこ
とができ、また、ＨＥＭＴの二次元キャリヤ・ガス層に
於ける二次元キャリヤ・ガス１度は伝導帯間のエネルギ
差に比例し、従って、それが大きいことは大きな電流を
取り出し得ることに結び付くものである。
イン・ソース間が高電界下に於いても、二次元キャリヤ
・ガス層に於けるキャリヤがキャリヤ供給層に移動する
ことは阻止されるから、ＨＥＭＴは安定な動作をするこ
とができ、また、ＨＥＭＴの二次元キャリヤ・ガス層に
於ける二次元キャリヤ・ガス１度は伝導帯間のエネルギ
差に比例し、従って、それが大きいことは大きな電流を
取り出し得ることに結び付くものである。
本発明は、ＨＥＭＴに於ける前記伝導帯間のエネルギ差
を大きくすることができるようにし、安定な動作をさせ
得るように、また、二次元キャリヤ・ガス層に於ける二
次元キャリヤ・ガス濃度を高めることを可能にする。
を大きくすることができるようにし、安定な動作をさせ
得るように、また、二次元キャリヤ・ガス層に於ける二
次元キャリヤ・ガス濃度を高めることを可能にする。
第１図は本発明の詳細な説明する為のＨＥＭＴの要部切
断側面図を表している。
断側面図を表している。
図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡＳ基板、２はアン・ド
ープ■−■族化合物半導体チャネル層、３は一導電型ｎ
−ｖｔ族化合物半導体キャリヤ供給層、４はソース電極
、４Ａは合金化領域、５はドレイン電極、５Ａは合金化
領域、６はゲート電極、７は二次元キャリヤ・ガス層を
それぞれ示している。
ープ■−■族化合物半導体チャネル層、３は一導電型ｎ
−ｖｔ族化合物半導体キャリヤ供給層、４はソース電極
、４Ａは合金化領域、５はドレイン電極、５Ａは合金化
領域、６はゲート電極、７は二次元キャリヤ・ガス層を
それぞれ示している。
ｍ−ｖ族化合物半導体はＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体に比
較して電子親和力及びキャリヤ移動度は共に大、また、
エネルギ・バンド・ギャップは小である。
較して電子親和力及びキャリヤ移動度は共に大、また、
エネルギ・バンド・ギャップは小である。
このＨＥＭＴに於いては、チャネル層２及びキャリヤ供
給層３に於ける伝導帯間のエネルギ差が前記各従来例に
比較して大きいので、高い電圧を印加しても、二次元キ
ャリヤ・ガス層７に於けるキャリヤがキャリヤ供給層３
に移動することはなく、また、二次元キャリヤ・ガス層
７に高濃度の二次元キャリヤ・ガスを溜めることができ
る。
給層３に於ける伝導帯間のエネルギ差が前記各従来例に
比較して大きいので、高い電圧を印加しても、二次元キ
ャリヤ・ガス層７に於けるキャリヤがキャリヤ供給層３
に移動することはなく、また、二次元キャリヤ・ガス層
７に高濃度の二次元キャリヤ・ガスを溜めることができ
る。
そこで、本発明に依る高速電界効果半導体装置に於いて
は、基板（例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１）上に形成さ
れたアン・ドープＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばアン・
ドープＧａＡｓ）からなるチャネル層（例えばチャネル
層２）と、その上に形成され該チャネル層に比較して電
子親和力が小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大
である不純物ドーピングＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例
えばｎ型Ｃ（ｉｏ、、３Ｚ ｎｏ、５ｑｓ）からなるキ
ャリヤ供給層（例えばキャリヤ供給層３）とを備えてな
る構成になっている。
は、基板（例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１）上に形成さ
れたアン・ドープＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばアン・
ドープＧａＡｓ）からなるチャネル層（例えばチャネル
層２）と、その上に形成され該チャネル層に比較して電
子親和力が小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大
である不純物ドーピングＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例
えばｎ型Ｃ（ｉｏ、、３Ｚ ｎｏ、５ｑｓ）からなるキ
ャリヤ供給層（例えばキャリヤ供給層３）とを備えてな
る構成になっている。
前記手段を採ることに依り、チャネル層とキャリヤ供給
層との伝導帯間のエネルギ差は極めて大になるから、ド
レイン・ソース間に高圧が印加された状態に於いても、
二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤがキャリヤ供
給層に移動することはなくなり、安定に動作することが
可能となり、また、二次元キャリヤ・ガス層に於けるキ
ャリヤ・ガス濃度は向上するので大きな電流を取り出す
ことができる。
層との伝導帯間のエネルギ差は極めて大になるから、ド
レイン・ソース間に高圧が印加された状態に於いても、
二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤがキャリヤ供
給層に移動することはなくなり、安定に動作することが
可能となり、また、二次元キャリヤ・ガス層に於けるキ
ャリヤ・ガス濃度は向上するので大きな電流を取り出す
ことができる。
本発明一実施例に於いては、第１図に見られるＨＥＭＴ
に於いて、 （ａ） チャネル層２として 材料：アン・ドープＧａＡｓ 厚さ：５０００ （人〕 （ｂ） キャリヤ（ここでは電子）供給層３として材
料：ｎ型Ｃｄｏ、ａｘＺ ｎＱ、ｓ？ｓ厚さ：５００（
人〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度： ２Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−’）（Ｃ）
ソース電極４及びドレイン電極５として材料： Ａ
ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ 厚さ：３００ 〔人）／３０００（人〕（ｄ） ゲー
ト電極６として 材料：Ａ１ 厚さ：３０００ （人〕 としたところ、チャネル層２及び電子供給層３に於ける
伝導帯間のエネルギ差は非常に大きく、また、格子整合
は良好であった。
に於いて、 （ａ） チャネル層２として 材料：アン・ドープＧａＡｓ 厚さ：５０００ （人〕 （ｂ） キャリヤ（ここでは電子）供給層３として材
料：ｎ型Ｃｄｏ、ａｘＺ ｎＱ、ｓ？ｓ厚さ：５００（
人〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度： ２Ｘ Ｉ Ｑ” （ｃｍ−’）（Ｃ）
ソース電極４及びドレイン電極５として材料： Ａ
ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕ 厚さ：３００ 〔人）／３０００（人〕（ｄ） ゲー
ト電極６として 材料：Ａ１ 厚さ：３０００ （人〕 としたところ、チャネル層２及び電子供給層３に於ける
伝導帯間のエネルギ差は非常に大きく、また、格子整合
は良好であった。
第２図は本発明一実施例に関するエネルギ・バンド・ダ
イヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
イヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥＣは伝導帯の
底、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｂ、はチャネル層２と電子供
給層３とに於ける伝導帯のエネルギ差、Ｂｙはチャネル
層２と電子供給層３とに於ける価電子帯のエネルギ差、
Ｇ２はチャネル層２に於ける禁制帯幅、Ｇ３は電子供給
層３に於ける禁制帯幅をそれぞれ示している。
底、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｂ、はチャネル層２と電子供
給層３とに於ける伝導帯のエネルギ差、Ｂｙはチャネル
層２と電子供給層３とに於ける価電子帯のエネルギ差、
Ｇ２はチャネル層２に於ける禁制帯幅、Ｇ３は電子供給
層３に於ける禁制帯幅をそれぞれ示している。
前記実施例に於いては、
Ｂｅ ＝０．７ （ｅＶ）
Ｂｙ”１．０２（ｅＶ）
Ｇ２＝１．４２ （ｅＶ）
Ｇ３＝３．１４ （ｅＶ）
であった。因に、Ｂ、＝Ｏ，’ｔ （ｅＶ）なる値は前
記従来例の３乃至４倍に相当する。
記従来例の３乃至４倍に相当する。
このようにＢｃが高いことから、ドレイン・ソース間に
高い電圧を印加しても、二次元電子が電子供給層３に移
動することはない。
高い電圧を印加しても、二次元電子が電子供給層３に移
動することはない。
また、同じ＜Ｂｅが高いことから、二次元電子ガス層に
於ける二次元電子ガス濃度Ｎ、は約４×１０１２（ｃｍ
−２）にもなり、これは前記各従来例の約４倍に相当す
る。
於ける二次元電子ガス濃度Ｎ、は約４×１０１２（ｃｍ
−２）にもなり、これは前記各従来例の約４倍に相当す
る。
第３図は前記説明した実施例のドレイン・ソース間電圧
■。、対ドレイン・ソース間電流ｒＤ３の関係を説明す
る為の線図であり、図では横軸にＶＯＳを、また、縦軸
にＩｏをそれぞれ採っである。
■。、対ドレイン・ソース間電流ｒＤ３の関係を説明す
る為の線図であり、図では横軸にＶＯＳを、また、縦軸
にＩｏをそれぞれ採っである。
図に於いて、実線の特性線はＣｄｏ、４ｚＺｎｏ、ｓｔ
Ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓを用いて構成したＨＥＭＴ （
本発明実施例）に於ける■Ｉ、ｓ対ＩＤ３の関係を、そ
して、破線はＡ Ｉ！ ６．３ Ｇ ａ Ｏ，？ Ａ
Ｓ ／ Ｇ ａ Ａ Ｓを用いて構成したＨＥＭＴ （
従来例）に於けるそれを表している。
Ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓを用いて構成したＨＥＭＴ （
本発明実施例）に於ける■Ｉ、ｓ対ＩＤ３の関係を、そ
して、破線はＡ Ｉ！ ６．３ Ｇ ａ Ｏ，？ Ａ
Ｓ ／ Ｇ ａ Ａ Ｓを用いて構成したＨＥＭＴ （
従来例）に於けるそれを表している。
図から明らかなように、従来例では、ｖｎｓが５（Ｖ）
を越えるとＩＤ３が減少していることを看取できるが、
本発明実施例では、ＶＯＳが１０（Ｖ）になっても従来
例のような現象は見られない。尚、ここに示したデータ
は、ＨＥＭＴに於けるゲート長を０．５ （μｍ） 、
ゲート幅を２００Ｃμｍ）とし、ゲート電圧はともに闇
値（ＩｎｓがＯとなる電圧）から０．８ （Ｖ）だけ
冑い値を設定して得たものである。
を越えるとＩＤ３が減少していることを看取できるが、
本発明実施例では、ＶＯＳが１０（Ｖ）になっても従来
例のような現象は見られない。尚、ここに示したデータ
は、ＨＥＭＴに於けるゲート長を０．５ （μｍ） 、
ゲート幅を２００Ｃμｍ）とし、ゲート電圧はともに闇
値（ＩｎｓがＯとなる電圧）から０．８ （Ｖ）だけ
冑い値を設定して得たものである。
本実施例に於けるチャネル層２及び電子供給層３を形成
することは極めて容易であり、例えば、有機金属化学気
相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｓ ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏ ｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）法を適用することに依り、チャネ
ル層２であるＧａＡｓは、トリメチルガリウム（ＴＭＧ
： （ＣＨ３） ３Ｇａ）アルシン（ＡＳＨ３） をソース・ガスとして、また、電子供給Ｎ３であるＣｄ
ＺｎＳは、 ジメ−Ｊ−）Ｌｉカドミウム（ＤＭＣ： （ＣＨ３）
ｚ Ｃｄ）ジメチルジンク （ＤＭＺ ： （ＣＨ３
）ｚ Ｚｎ）硫化水素（ＨｚＳ） をソース・ガスとして成長させることができる。
することは極めて容易であり、例えば、有機金属化学気
相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｓ ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏ ｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）法を適用することに依り、チャネ
ル層２であるＧａＡｓは、トリメチルガリウム（ＴＭＧ
： （ＣＨ３） ３Ｇａ）アルシン（ＡＳＨ３） をソース・ガスとして、また、電子供給Ｎ３であるＣｄ
ＺｎＳは、 ジメ−Ｊ−）Ｌｉカドミウム（ＤＭＣ： （ＣＨ３）
ｚ Ｃｄ）ジメチルジンク （ＤＭＺ ： （ＣＨ３
）ｚ Ｚｎ）硫化水素（ＨｚＳ） をソース・ガスとして成長させることができる。
本発明に依る高速電界効果半導体装置に於いては、チャ
ネル層としてアン・ドープ■−■族化合物半導体を、キ
ャリヤ供給層として前記チャネル層に比較して電子親和
力が小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大である
不純物ドーピング■−ｖｒ族化合物半導体をそれぞれ用
いる構成になっている。
ネル層としてアン・ドープ■−■族化合物半導体を、キ
ャリヤ供給層として前記チャネル層に比較して電子親和
力が小さく且つエネルギ・バンド・ギャップが大である
不純物ドーピング■−ｖｒ族化合物半導体をそれぞれ用
いる構成になっている。
前記構成を採ることに依り、チャネル層とキャリヤ供給
層との伝導帯間のエネルギ差は極めて大になるから、高
圧が印加された状態に於いても、二次元キャリヤ・ガス
層に於けるキャリヤがキャリヤ供給層に移動することは
なくなり、安定に動作することが可能となり、また、二
次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ・ガス濃度は向
上するので大きな電流を取り出すことができる。
層との伝導帯間のエネルギ差は極めて大になるから、高
圧が印加された状態に於いても、二次元キャリヤ・ガス
層に於けるキャリヤがキャリヤ供給層に移動することは
なくなり、安定に動作することが可能となり、また、二
次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ・ガス濃度は向
上するので大きな電流を取り出すことができる。
第１図は本発明の詳細な説明する為のＨＥ Ｍ Ｔの要
部切断側面図、第２図は一実施例に於けるエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラム、第３図はＨＥＭＴに於けるドレイ
ン・ソース間電圧対電流の関係を説明する為の線図をそ
れぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はアン・ド
ープｍ−ｖ族化合物半導体チャネル層、３は一導電型１
ｌ−Ｖｌ族化合物半導体キャリヤ供給層、４はソース電
極、４Ａは合金化領域、５はドレイン電極、５Ａは合金
化領域、６はゲート電極、７は二次元キャリヤ・ガス層
をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 一実施例のエネルギ・バラ円・ダイヤグラム第２図 Ｖｏｓ（Ｖ） 第３図
部切断側面図、第２図は一実施例に於けるエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラム、第３図はＨＥＭＴに於けるドレイ
ン・ソース間電圧対電流の関係を説明する為の線図をそ
れぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はアン・ド
ープｍ−ｖ族化合物半導体チャネル層、３は一導電型１
ｌ−Ｖｌ族化合物半導体キャリヤ供給層、４はソース電
極、４Ａは合金化領域、５はドレイン電極、５Ａは合金
化領域、６はゲート電極、７は二次元キャリヤ・ガス層
をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 一実施例のエネルギ・バラ円・ダイヤグラム第２図 Ｖｏｓ（Ｖ） 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成されたアン・ドープIII−Ｖ族化合物半導
体からなるチャネル層と、 その上に形成され該チャネル層よりも電子親和力が小さ
く且つエネルギ・バンド・ギャップが大である不純物ド
ーピングII−VI族化合物半導体からなるキャリヤ供給層
と を備えてなることを特徴とする高速電界効果半導体装置
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258147A JPS63114176A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 高速電界効果半導体装置 |
| DE8787309477T DE3783863T2 (de) | 1986-10-31 | 1987-10-27 | Transistor mit hoher elektronenmobilitaet. |
| EP87309477A EP0266166B1 (en) | 1986-10-31 | 1987-10-27 | High electron mobility transistor |
| US07/115,925 US4958203A (en) | 1986-10-31 | 1987-11-02 | High electron mobility transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258147A JPS63114176A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 高速電界効果半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114176A true JPS63114176A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0260225B2 JPH0260225B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=17316175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258147A Granted JPS63114176A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 高速電界効果半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4958203A (ja) |
| EP (1) | EP0266166B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63114176A (ja) |
| DE (1) | DE3783863T2 (ja) |
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-
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- 1986-10-31 JP JP61258147A patent/JPS63114176A/ja active Granted
-
1987
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- 1987-10-27 DE DE8787309477T patent/DE3783863T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-02 US US07/115,925 patent/US4958203A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| DE3783863T2 (de) | 1993-05-19 |
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| JPH0260225B2 (ja) | 1990-12-14 |
| US4958203A (en) | 1990-09-18 |
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