JPS631060A - リニアイメ−ジセンサ - Google Patents
リニアイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS631060A JPS631060A JP61145191A JP14519186A JPS631060A JP S631060 A JPS631060 A JP S631060A JP 61145191 A JP61145191 A JP 61145191A JP 14519186 A JP14519186 A JP 14519186A JP S631060 A JPS631060 A JP S631060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- layer
- sensor
- image sensor
- linear image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はイメージセンサに関し特にその・保護膜の構造
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年ン7り7ミリ等の急速な発展により、画像処理技術
が注目を集めているが、CODやMOSを使った縮小光
学系を必要とするイメージセンサに代わる、原稿と同一
サイズに一次元的にセンサを並べた、縮小光学系を必要
としない密着型のリニアイメージセンサの開発が進めら
れている。現在このような密着型リニアイメージセンサ
としては、CdSとCclSeの固溶体(以下Cd5−
CdSe )を主体とした薄膜で実用化が行われており
、同じく薄膜型では非晶質シリコン(以下a−3i)に
よるもので、又St デバイスのプロセスを利用するバ
ルク型では、CODを直線状に配置したものや、バイポ
ーラトランジスタを形成したSt チップを直線状に
配列したもの等で研究開発が行われている。
が注目を集めているが、CODやMOSを使った縮小光
学系を必要とするイメージセンサに代わる、原稿と同一
サイズに一次元的にセンサを並べた、縮小光学系を必要
としない密着型のリニアイメージセンサの開発が進めら
れている。現在このような密着型リニアイメージセンサ
としては、CdSとCclSeの固溶体(以下Cd5−
CdSe )を主体とした薄膜で実用化が行われており
、同じく薄膜型では非晶質シリコン(以下a−3i)に
よるもので、又St デバイスのプロセスを利用するバ
ルク型では、CODを直線状に配置したものや、バイポ
ーラトランジスタを形成したSt チップを直線状に
配列したもの等で研究開発が行われている。
更に最近ではセンサ基板上に駆動回路部を一体化して形
成し、コスIf下げようとする試みも行なわれている〔
エクステンデッド アブストラクト オプザ シックス
テーンス コンフエレンス オン ソリッド ステート
デパイシズ アンド マテリアル コウペ(Exten
dedAbstracts of the 16
th Conference onSolid 5t
ate Devices and Materials
Kobe)1984 B−12−4,pP、659
−5e2〕。
成し、コスIf下げようとする試みも行なわれている〔
エクステンデッド アブストラクト オプザ シックス
テーンス コンフエレンス オン ソリッド ステート
デパイシズ アンド マテリアル コウペ(Exten
dedAbstracts of the 16
th Conference onSolid 5t
ate Devices and Materials
Kobe)1984 B−12−4,pP、659
−5e2〕。
そしてこれらのリニアイメージセンサの保護膜としては
、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の高分子樹脂膜、ま
たSt系センサに対しては、プラズマCVD法により形
成される酸化シリコン(SiO工)。
、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の高分子樹脂膜、ま
たSt系センサに対しては、プラズマCVD法により形
成される酸化シリコン(SiO工)。
窒化シリコン(Si3N4)等が用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら周囲の使用環境条件が変化するなカテ、セ
ンサの特性を安定【保つための保護膜を得ることは難し
い。また既にセンサが形成された基板にプロセスを加え
る場合にセンサの特性を損なわないことは非常に難しい
。SiO工やSi3N4は膜としての性能は良いが膜形
成温度が高くかっプラズマ中であるので、CdS、Cd
Se、CdTe及びそれらの固溶体からなるII−■の
光センサは成膜時に損傷を受けるので、この方法は■−
■へ光センサには使用できない。そこで■−■光センサ
には一般的にはパターン化が可能なポリイミド樹脂等が
用いられている。しかしながら有機樹脂膜はガス分子を
透過し易いために、続くプロセスで真空中もしくは減圧
中で温度を上げることによりセンサ表面の特性が変わっ
たシ(但し、02中熱処理により元へ戻る)、また高温
のプロセスを行った場合に界面で反応がおこり特性が変
わってしまうという問題(02中熱処理によっても元へ
戻らない)があった。具体的には特性の変化とは暗電流
(以下Jd )の増加と、それによる応答時間の増加及
び光電流(以下Jp)のばらつきの増加、そしてIp/
■d比の減少である。
ンサの特性を安定【保つための保護膜を得ることは難し
い。また既にセンサが形成された基板にプロセスを加え
る場合にセンサの特性を損なわないことは非常に難しい
。SiO工やSi3N4は膜としての性能は良いが膜形
成温度が高くかっプラズマ中であるので、CdS、Cd
Se、CdTe及びそれらの固溶体からなるII−■の
光センサは成膜時に損傷を受けるので、この方法は■−
■へ光センサには使用できない。そこで■−■光センサ
には一般的にはパターン化が可能なポリイミド樹脂等が
用いられている。しかしながら有機樹脂膜はガス分子を
透過し易いために、続くプロセスで真空中もしくは減圧
中で温度を上げることによりセンサ表面の特性が変わっ
たシ(但し、02中熱処理により元へ戻る)、また高温
のプロセスを行った場合に界面で反応がおこり特性が変
わってしまうという問題(02中熱処理によっても元へ
戻らない)があった。具体的には特性の変化とは暗電流
(以下Jd )の増加と、それによる応答時間の増加及
び光電流(以下Jp)のばらつきの増加、そしてIp/
■d比の減少である。
本発明はこれらの問題点に鑑みて従来の保護膜に比べて
■−■光センサの経時的変化を小さくし、また後につづ
くプロセスによってもセンサ特性、特にIdを変化させ
ない保護膜及びその製造方法を提供せんとするものであ
る。
■−■光センサの経時的変化を小さくし、また後につづ
くプロセスによってもセンサ特性、特にIdを変化させ
ない保護膜及びその製造方法を提供せんとするものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は、絶縁性基板上知形成された、CdSもしくは
CdSeもしくはCclTeもしくは前記3物質のうち
少なくとも2物質からなる固溶体を主体として一次元的
にパターン化された光センサ部、及び半導体層としてC
d5ei主体とした薄膜トランジスタ群をセンサに対応
させて配置して形成した駆動回路部、及び前記センサ部
と駆動回路部を同一基板上に一体化して形成したリニア
イメージセンサにおいて、前記センサ部と配線部の一部
を覆うように形成する保護膜が、少なくとも2層から成
り、その第1層はAl2O3、第2層はポリイミドから
なることを特徴とし、前記A12o3の膜厚を1200
Å以下とすることを特徴としている。
CdSeもしくはCclTeもしくは前記3物質のうち
少なくとも2物質からなる固溶体を主体として一次元的
にパターン化された光センサ部、及び半導体層としてC
d5ei主体とした薄膜トランジスタ群をセンサに対応
させて配置して形成した駆動回路部、及び前記センサ部
と駆動回路部を同一基板上に一体化して形成したリニア
イメージセンサにおいて、前記センサ部と配線部の一部
を覆うように形成する保護膜が、少なくとも2層から成
り、その第1層はAl2O3、第2層はポリイミドから
なることを特徴とし、前記A12o3の膜厚を1200
Å以下とすることを特徴としている。
作 用
まずII−■光センサに、保護膜を形成しない場合の、
真空中又は減圧中で加熱した場合の工dを第3図に示す
。更にそれらの試料’to2t−含む雰囲気中で処理し
た場合の工dはすべての温度圧力のJdの初期値は10
A以下である。
真空中又は減圧中で加熱した場合の工dを第3図に示す
。更にそれらの試料’to2t−含む雰囲気中で処理し
た場合の工dはすべての温度圧力のJdの初期値は10
A以下である。
次に、■−■光センサに、保護膜として、ポリイミド膜
を形成した場合の真空中又は減圧中で加熱した場合(実
線)とそれを更に空気中300°Cで加熱した場合(点
線)を第2図にあわせて示す。
を形成した場合の真空中又は減圧中で加熱した場合(実
線)とそれを更に空気中300°Cで加熱した場合(点
線)を第2図にあわせて示す。
第3図及び第2図かられかるように、保護膜がない場合
の方が真空中、高温に対するJdの増加は小さく、また
空気中で処理した後のJdの回復性も良い。これは、ポ
リイミドと光導電体の界面における不可逆的な反応によ
るものと思われる。−方、プロセスを想定した化学的処
理に対する耐性は、ポリイミド膜による保護膜がある場
合はIp。
の方が真空中、高温に対するJdの増加は小さく、また
空気中で処理した後のJdの回復性も良い。これは、ポ
リイミドと光導電体の界面における不可逆的な反応によ
るものと思われる。−方、プロセスを想定した化学的処
理に対する耐性は、ポリイミド膜による保護膜がある場
合はIp。
Id共にほとんど変化はないが、保護膜がない場合は、
光導電体が基板からはくすしてしまう。
光導電体が基板からはくすしてしまう。
ここでいう化学的処理とは、1、洗浄(アルカリ)2、
洗浄(有機溶剤) 3、レジスト除去(アルカリ) 4
、AIエツチング(酸)である。
洗浄(有機溶剤) 3、レジスト除去(アルカリ) 4
、AIエツチング(酸)である。
次にII−■光センサに保護膜としてAI!2o3(E
、B、膜厚500人)を形成した場合の真空中又は減圧
中で加熱した場合と、それ分更に空気中300″Cで加
熱した場合について述べる。この場合は、着膜の段階で
A12o3とn −■材料の反応によって既にIdは大
きく、減圧、真空中熱処理後も大きいが、空気中の熱処
理により、1O−12A台まで回復する。
、B、膜厚500人)を形成した場合の真空中又は減圧
中で加熱した場合と、それ分更に空気中300″Cで加
熱した場合について述べる。この場合は、着膜の段階で
A12o3とn −■材料の反応によって既にIdは大
きく、減圧、真空中熱処理後も大きいが、空気中の熱処
理により、1O−12A台まで回復する。
しかし、化学的処理に対しては弱く、Ipが大きくばら
つくようになる。
つくようになる。
以上の事実をもとに本発明では保護膜として第1層にA
l2O3を形成し、その後ポリイミドの膜を形成する。
l2O3を形成し、その後ポリイミドの膜を形成する。
ポリイミド膜の形成には空気中での処理を伴い、また膜
はガスを透過することからA12Q3を形成した後には
特に空気中での処理を必要としない。ここでA12Q3
の膜厚を1200Å以下としたのは、膜厚が1200人
を越えると工dの回復が悪(10以下になり得ないから
である。
はガスを透過することからA12Q3を形成した後には
特に空気中での処理を必要としない。ここでA12Q3
の膜厚を1200Å以下としたのは、膜厚が1200人
を越えると工dの回復が悪(10以下になり得ないから
である。
この様な構成とすることにより、ff −W光センサ膜
はポリイミド膜と不可逆的な反応をすることもないので
高温、真空中の処理を行っても、最終的に02を含む雰
囲気中で熱処理を行えばJdは回復し、かつ、化学的処
理に対しても耐えるという効果を持った保護膜が得られ
る。
はポリイミド膜と不可逆的な反応をすることもないので
高温、真空中の処理を行っても、最終的に02を含む雰
囲気中で熱処理を行えばJdは回復し、かつ、化学的処
理に対しても耐えるという効果を持った保護膜が得られ
る。
実施例
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。
第1図に本発明の構成によるリニアイメージセンサの断
面図を示す。1は絶縁性基板、2は光導電体、3及び3
′は対向電極、4は第1の保護膜(A1203)、6は
第2の保護膜である。
面図を示す。1は絶縁性基板、2は光導電体、3及び3
′は対向電極、4は第1の保護膜(A1203)、6は
第2の保護膜である。
絶縁性基板1として#7057 (Corning C
o。
o。
230、x 50 x 1.2nJ )を用いり。コれ
にCdSとCdSe’jzモル比6:4で含む固溶体を
抵抗加熱法により4000人の厚さに蒸着し、分離、パ
ターン化して、Cd(42i含む雰囲気中で530°C
21時間の熱処理を行って光導電体2とした。次にリフ
トオフ法を用いて対向電極(NiCr/Au#5oo/
erso人、ギャップ幅100μm、ギャップ長50μ
m)3,3’を形成した。ここで得られたJdは10〜
10 Aであシ、Ipのばらつきも1728bit全体
で±5%であった。次に第1の保護膜として電子ビーム
蒸着により受光部及び対向電極の一部に、A12o3を
500人蒸漬した。
にCdSとCdSe’jzモル比6:4で含む固溶体を
抵抗加熱法により4000人の厚さに蒸着し、分離、パ
ターン化して、Cd(42i含む雰囲気中で530°C
21時間の熱処理を行って光導電体2とした。次にリフ
トオフ法を用いて対向電極(NiCr/Au#5oo/
erso人、ギャップ幅100μm、ギャップ長50μ
m)3,3’を形成した。ここで得られたJdは10〜
10 Aであシ、Ipのばらつきも1728bit全体
で±5%であった。次に第1の保護膜として電子ビーム
蒸着により受光部及び対向電極の一部に、A12o3を
500人蒸漬した。
更に第2の保護膜として感光性ポリイミド膜を第1の保
護膜に重ねて形成し、その後この膜をキュアするために
空気中で160°C30分、200°C3o分、350
’C30分の熱処理を行った。この様にして作製したリ
ニアイメージセンサに真空中(1O−5Torr)
300”Cで1時間の熱処理を行い、更に前述の1〜4
の化学的処理を行った。″そして最後に空気中300″
Cで1時間の熱処理を行った。
護膜に重ねて形成し、その後この膜をキュアするために
空気中で160°C30分、200°C3o分、350
’C30分の熱処理を行った。この様にして作製したリ
ニアイメージセンサに真空中(1O−5Torr)
300”Cで1時間の熱処理を行い、更に前述の1〜4
の化学的処理を行った。″そして最後に空気中300″
Cで1時間の熱処理を行った。
ここでIP及びJd i測定した。ここで得られたIp
は36〜40μAで、そのばらつきは約±6%、Idは
10 A台であった。
は36〜40μAで、そのばらつきは約±6%、Idは
10 A台であった。
発明の効果
以上実施例に示したごとく、本発明による保護膜の形成
方法は膜形成後のセンサの劣化もなく耐プロセス性も良
好で、その工業的価値は大きい。
方法は膜形成後のセンサの劣化もなく耐プロセス性も良
好で、その工業的価値は大きい。
第1図は本発明の一実施例のリニアイメージセンサの断
面の概略図、第2図はポリイミド保護膜を形成した光セ
ンサの減圧高温処理後(実線)及び02処理後(点線)
の1dヲ示す図、第3図は保護膜のない光センサの減圧
高温処理後のIdを示す図である。 1・・・・・・絶縁性基板、2・・・・・・光導電体、
4・・・・・・第1の保護膜、5・・・・・・第2の保
護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名灯
2 図 処f!ん刀(7′l汁) 第3図
面の概略図、第2図はポリイミド保護膜を形成した光セ
ンサの減圧高温処理後(実線)及び02処理後(点線)
の1dヲ示す図、第3図は保護膜のない光センサの減圧
高温処理後のIdを示す図である。 1・・・・・・絶縁性基板、2・・・・・・光導電体、
4・・・・・・第1の保護膜、5・・・・・・第2の保
護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名灯
2 図 処f!ん刀(7′l汁) 第3図
Claims (2)
- (1)絶縁性基板上に形成された、CdSもしくはCd
SeもしくはCdTeもしくは前記3物質のうち少なく
とも2物質からなる固溶体を主体として一次元的にパタ
ーン化された光センサ部、及び半導体層としてCdSe
を主体とした薄膜トランジスタ群をセンサに対応させて
配置して形成した駆動回路部、及び前記センサ部と駆動
回路部を接続する配線部とを同一基板上に一体化して形
成したリニアイメージセンサにおいて、前記センサ部と
配線部の一部を覆うように形成する保護膜が少なくとも
2層からなり、その第1層はAl_2O_3、第2層は
ポリイミドからなる構造であることを特徴とするリニア
イメージセンサ。 - (2)保護膜の第1層であるAl_2O_3の膜厚が1
200Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のリニアイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61145191A JPS631060A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61145191A JPS631060A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | リニアイメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS631060A true JPS631060A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15379527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61145191A Pending JPS631060A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS631060A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120537A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジ画像形成ハロゲン化銀写真感光材料 |
DE102010023972A1 (de) * | 2010-06-16 | 2011-11-17 | Mahle International Gmbh | Filteranordnung, insbesondere Luftfilteranordnung |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP61145191A patent/JPS631060A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120537A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 直接ポジ画像形成ハロゲン化銀写真感光材料 |
DE102010023972A1 (de) * | 2010-06-16 | 2011-11-17 | Mahle International Gmbh | Filteranordnung, insbesondere Luftfilteranordnung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5743006A (en) | Method for fabricating a focal plane array for thermal imaging system | |
JP3744539B2 (ja) | ガス検知の方法および装置 | |
JP4271751B2 (ja) | 電子装置および電子装置のためのメンブレンを形成する方法 | |
JP4429584B2 (ja) | 縦型の電界効果トランジスタ | |
JPS631060A (ja) | リニアイメ−ジセンサ | |
JPS62123716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08128889A (ja) | 赤外線センサ | |
JPH01137674A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
KR100225788B1 (ko) | 습도감지 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JPS61187369A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2756749B2 (ja) | 感湿素子の製造方法 | |
JPS59149060A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2004200304A (ja) | 有機半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6347981A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JPS631059A (ja) | イメ−ジセンサ及びその製造方法 | |
JPS60110164A (ja) | 薄膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH022174A (ja) | 高分子エレクトロニクス装置の製造方法 | |
JP3241190B2 (ja) | 静電容量式湿度センサ | |
JP2663568B2 (ja) | マトリックス型赤外線固体撮像装置の製造方法 | |
JPS613476A (ja) | 非晶質シリコン光センサ− | |
JPS639161A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
KR100349237B1 (ko) | 열영상기용 초전소자 및 그 제조방법 | |
JPH0582989B2 (ja) | ||
JPH0228975A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
JPS61160943A (ja) | 酸化膜の形成方法 |