JPS63104342A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS63104342A
JPS63104342A JP61250512A JP25051286A JPS63104342A JP S63104342 A JPS63104342 A JP S63104342A JP 61250512 A JP61250512 A JP 61250512A JP 25051286 A JP25051286 A JP 25051286A JP S63104342 A JPS63104342 A JP S63104342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
aluminum
layer
wirings
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61250512A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Kamioka
上岡 純二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61250512A priority Critical patent/JPS63104342A/ja
Publication of JPS63104342A publication Critical patent/JPS63104342A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路のボンディングパッドに係わり
、詳しくは樹脂封入後にボンディングワイヤに沿って外
部から浸入する水分によシボンディングパッドないしは
周辺の配線が腐食されるのを防止するボンディングパッ
ドに関する。
〔従来の技術〕
従来のボンディングパッドは第5図ないしけ第6図に示
すように配線部と一体に形成されたアルミ51.61か
ら成り、ボンディングパッド上のカバ 64Kixルー
ホールが穿設されておリボンディングワイヤ53.63
を圧着する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の従来のボンディングパッド上、ホンティングワイ
ヤと直接接融する部分がアルミであるため、樹脂封入径
外部からボンディングワイヤをったって水分が浸入する
と、カバーとして用pられるリンガラス中のリンと水と
が反応して生じるリン酸によシボンディングパッドのア
ルミが溶解するいわゆるパッドコロ−ジョン現象が発生
し、外部端子と内部回路の間で断線状態になるという欠
点がある。
上述した従来のボンディングパッドに対し、本発明はパ
ッドをポリシリコン層上に金で形成することにより、リ
ン酸によるパッドコロ−;ンヨンを防止し、更にパッド
の周囲をアルミ層で囲むことによりリン酸がト・′−]
囲に拡散することを防止するという独創的内容を有する
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のボンディングパッドは一端が内部回路へ通じる
配線と接続されたポリシリコン層と前記ポリシリコン層
の他端の上部に蒸着して形成した金のパッドと、前記パ
ッドを囲むように環状に形成されたアルミ層とを有して
いる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の実施例1の平面図である。ポリシリコ
ン層11は一端が内部回路へ通じるアルミ配線16とコ
ンタクト孔17により接続され他端にはパッド12が金
を蒸着して形成しである。
アルミ層15はパッド12の周囲を囲む形で環状に形成
されている。ボンディングワイヤ14はパッド12に圧
着され、ポリシリコン層11を介して内部回路へ通じる
アルミ配線16と電気的に接続される。アルミ層25は
電気的に孤立しており信号の伝達には関与しない。
第3図は本発明の実施例2の平面図であり、第4図は第
3図のI’−II’線断面図である。第1ポリシリコン
層36.46及び第2ポリシリコン層37.47はアル
ミ7i!!35.45の下部にアルミ層35+ 45と
同様パッドを囲む形で形成されている。この実施例では
アルミ層の下部に第1ポリシリコン層、第2ポリシリコ
ン層がちるためこの部分に段差ができ、ボンディングパ
ッドから外側への水分の浸透が、よシ発生しにくくなる
という利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ボンディングパッドをポ
リシリコンノー上にHNした金にすることにより、外部
から浸入した水分によるパッドコロ−ジョンが発生する
ことがなくなり、更にパッドの周囲をアルミ層で囲むこ
とにより、発生したリン酸はこのアルミ層を腐賞するこ
とに消費され、周辺のアルミ配線は保睡できるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第18図は本発明の実施例1の平面図、第2図は第1図
のIn腺断面図、第3図は本発明の実施例2の平面図、
第4図は第3図のI’−n’線断面図、第5図は従来例
の平面図、第6図は第5図のIll nll線断面図で
ある。 11.21,31,41,36,46・・・・・・第1
ポリシリコン、12,22,32.42・・・・・・金
、13.23.33゜43、52.62・・・・・・ボ
ンディングボール、14.24゜34、44.53.6
3・・・・・・ボンディングワイヤ、15゜16.25
,26,35.38,45,48,51.61・・・−
・・アルミ、37.47・・・・・・第2ポリシリコン
、17.27 。 39.49・・−・・・コンタクト孔% 28.49.
64・・−・−カバー。 1−+、−一′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  一端が内部回路と接続されたポリシリコン層と前記ポ
    リシリコン層の他端上に形成された金層と前記金層を囲
    んで形成されたアルミ層を有するボンディングパッドを
    備えた半導体集積回路。
JP61250512A 1986-10-20 1986-10-20 半導体集積回路 Pending JPS63104342A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61250512A JPS63104342A (ja) 1986-10-20 1986-10-20 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61250512A JPS63104342A (ja) 1986-10-20 1986-10-20 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63104342A true JPS63104342A (ja) 1988-05-09

Family

ID=17208992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61250512A Pending JPS63104342A (ja) 1986-10-20 1986-10-20 半導体集積回路

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JP (1) JPS63104342A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303238A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Sharp Corp 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303238A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Sharp Corp 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法

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