JPS63104342A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS63104342A JPS63104342A JP61250512A JP25051286A JPS63104342A JP S63104342 A JPS63104342 A JP S63104342A JP 61250512 A JP61250512 A JP 61250512A JP 25051286 A JP25051286 A JP 25051286A JP S63104342 A JPS63104342 A JP S63104342A
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Classifications
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のボンディングパッドに係わり
、詳しくは樹脂封入後にボンディングワイヤに沿って外
部から浸入する水分によシボンディングパッドないしは
周辺の配線が腐食されるのを防止するボンディングパッ
ドに関する。
、詳しくは樹脂封入後にボンディングワイヤに沿って外
部から浸入する水分によシボンディングパッドないしは
周辺の配線が腐食されるのを防止するボンディングパッ
ドに関する。
従来のボンディングパッドは第5図ないしけ第6図に示
すように配線部と一体に形成されたアルミ51.61か
ら成り、ボンディングパッド上のカバ 64Kixルー
ホールが穿設されておリボンディングワイヤ53.63
を圧着する構造となっていた。
すように配線部と一体に形成されたアルミ51.61か
ら成り、ボンディングパッド上のカバ 64Kixルー
ホールが穿設されておリボンディングワイヤ53.63
を圧着する構造となっていた。
上記の従来のボンディングパッド上、ホンティングワイ
ヤと直接接融する部分がアルミであるため、樹脂封入径
外部からボンディングワイヤをったって水分が浸入する
と、カバーとして用pられるリンガラス中のリンと水と
が反応して生じるリン酸によシボンディングパッドのア
ルミが溶解するいわゆるパッドコロ−ジョン現象が発生
し、外部端子と内部回路の間で断線状態になるという欠
点がある。
ヤと直接接融する部分がアルミであるため、樹脂封入径
外部からボンディングワイヤをったって水分が浸入する
と、カバーとして用pられるリンガラス中のリンと水と
が反応して生じるリン酸によシボンディングパッドのア
ルミが溶解するいわゆるパッドコロ−ジョン現象が発生
し、外部端子と内部回路の間で断線状態になるという欠
点がある。
上述した従来のボンディングパッドに対し、本発明はパ
ッドをポリシリコン層上に金で形成することにより、リ
ン酸によるパッドコロ−;ンヨンを防止し、更にパッド
の周囲をアルミ層で囲むことによりリン酸がト・′−]
囲に拡散することを防止するという独創的内容を有する
。
ッドをポリシリコン層上に金で形成することにより、リ
ン酸によるパッドコロ−;ンヨンを防止し、更にパッド
の周囲をアルミ層で囲むことによりリン酸がト・′−]
囲に拡散することを防止するという独創的内容を有する
。
本発明のボンディングパッドは一端が内部回路へ通じる
配線と接続されたポリシリコン層と前記ポリシリコン層
の他端の上部に蒸着して形成した金のパッドと、前記パ
ッドを囲むように環状に形成されたアルミ層とを有して
いる。
配線と接続されたポリシリコン層と前記ポリシリコン層
の他端の上部に蒸着して形成した金のパッドと、前記パ
ッドを囲むように環状に形成されたアルミ層とを有して
いる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の実施例1の平面図である。ポリシリコ
ン層11は一端が内部回路へ通じるアルミ配線16とコ
ンタクト孔17により接続され他端にはパッド12が金
を蒸着して形成しである。
ン層11は一端が内部回路へ通じるアルミ配線16とコ
ンタクト孔17により接続され他端にはパッド12が金
を蒸着して形成しである。
アルミ層15はパッド12の周囲を囲む形で環状に形成
されている。ボンディングワイヤ14はパッド12に圧
着され、ポリシリコン層11を介して内部回路へ通じる
アルミ配線16と電気的に接続される。アルミ層25は
電気的に孤立しており信号の伝達には関与しない。
されている。ボンディングワイヤ14はパッド12に圧
着され、ポリシリコン層11を介して内部回路へ通じる
アルミ配線16と電気的に接続される。アルミ層25は
電気的に孤立しており信号の伝達には関与しない。
第3図は本発明の実施例2の平面図であり、第4図は第
3図のI’−II’線断面図である。第1ポリシリコン
層36.46及び第2ポリシリコン層37.47はアル
ミ7i!!35.45の下部にアルミ層35+ 45と
同様パッドを囲む形で形成されている。この実施例では
アルミ層の下部に第1ポリシリコン層、第2ポリシリコ
ン層がちるためこの部分に段差ができ、ボンディングパ
ッドから外側への水分の浸透が、よシ発生しにくくなる
という利点がある。
3図のI’−II’線断面図である。第1ポリシリコン
層36.46及び第2ポリシリコン層37.47はアル
ミ7i!!35.45の下部にアルミ層35+ 45と
同様パッドを囲む形で形成されている。この実施例では
アルミ層の下部に第1ポリシリコン層、第2ポリシリコ
ン層がちるためこの部分に段差ができ、ボンディングパ
ッドから外側への水分の浸透が、よシ発生しにくくなる
という利点がある。
以上説明したように本発明は、ボンディングパッドをポ
リシリコンノー上にHNした金にすることにより、外部
から浸入した水分によるパッドコロ−ジョンが発生する
ことがなくなり、更にパッドの周囲をアルミ層で囲むこ
とにより、発生したリン酸はこのアルミ層を腐賞するこ
とに消費され、周辺のアルミ配線は保睡できるという効
果がある。
リシリコンノー上にHNした金にすることにより、外部
から浸入した水分によるパッドコロ−ジョンが発生する
ことがなくなり、更にパッドの周囲をアルミ層で囲むこ
とにより、発生したリン酸はこのアルミ層を腐賞するこ
とに消費され、周辺のアルミ配線は保睡できるという効
果がある。
第18図は本発明の実施例1の平面図、第2図は第1図
のIn腺断面図、第3図は本発明の実施例2の平面図、
第4図は第3図のI’−n’線断面図、第5図は従来例
の平面図、第6図は第5図のIll nll線断面図で
ある。 11.21,31,41,36,46・・・・・・第1
ポリシリコン、12,22,32.42・・・・・・金
、13.23.33゜43、52.62・・・・・・ボ
ンディングボール、14.24゜34、44.53.6
3・・・・・・ボンディングワイヤ、15゜16.25
,26,35.38,45,48,51.61・・・−
・・アルミ、37.47・・・・・・第2ポリシリコン
、17.27 。 39.49・・−・・・コンタクト孔% 28.49.
64・・−・−カバー。 1−+、−一′
のIn腺断面図、第3図は本発明の実施例2の平面図、
第4図は第3図のI’−n’線断面図、第5図は従来例
の平面図、第6図は第5図のIll nll線断面図で
ある。 11.21,31,41,36,46・・・・・・第1
ポリシリコン、12,22,32.42・・・・・・金
、13.23.33゜43、52.62・・・・・・ボ
ンディングボール、14.24゜34、44.53.6
3・・・・・・ボンディングワイヤ、15゜16.25
,26,35.38,45,48,51.61・・・−
・・アルミ、37.47・・・・・・第2ポリシリコン
、17.27 。 39.49・・−・・・コンタクト孔% 28.49.
64・・−・−カバー。 1−+、−一′
Claims (1)
- 一端が内部回路と接続されたポリシリコン層と前記ポ
リシリコン層の他端上に形成された金層と前記金層を囲
んで形成されたアルミ層を有するボンディングパッドを
備えた半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61250512A JPS63104342A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61250512A JPS63104342A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63104342A true JPS63104342A (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=17208992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61250512A Pending JPS63104342A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63104342A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303238A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61250512A patent/JPS63104342A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303238A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法 |
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