JPS63102350A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は例えばオーディオ用アンプ回路等のように、多
段縦続接続された増幅回路を内蔵した半導体集積回路（
ＩＣ）の改良に関する。

（ロ）従来の技術 従来より、例えば第２図に示す如き縦続接続された大信
号系の出力段増幅回路（１）と小信号系の前段増幅回路
（２）とを内蔵したＩＣにおいては、電位降下による回
路間の影響を防ぐ為に各々に独立したアースパッドを設
ける手法が例えば特願昭６０−１７６２１７号に記載さ
れている。同図において、＜３）は入力端子、（４）は
出力端子、（５）は■、Ｃ端子であり、入力端子（３）
に印加された入力信号を前段増幅回路（２）で電圧増幅
し、５ＥＰＰ（シングルエンドプッシュプル）から成る
出力段増幅回路（１）で電流増幅して出力端子（４）に
接続される負荷を駆動するように構成されている。そし
て出力段増幅回路（１）と前段増幅回路（２）とでアー
スの電位を共通にすると、出力段増幅回路（１）で増幅
された信号１！流によってアースの配線に電位降下が生
じ、これが前段増幅回路（２）に帰還されて発振等の不
都合を生じることになるのである。

第３図は斯る構造のＩＣを示す平面図で、（６）は半導
体チップ、（７）（８）は第１．第２のアースパッド、
（９）（１０）は第１．第２のアース電極である。半導
体チップ（６）の表面には所定のプロセスによって第２
図の回路が２チャンネル分組み込まれ、回路を構成する
トランジスタは夫々分離領域で囲まれて分離される。そ
して出力段増幅回路（１）の周囲を囲むように第１アー
ス電極（９）が設けられ、且つその下の分離領域とオー
ミックコンタクトすることにより、大電流を扱う出力ト
ランジスタの寄生電流を直ちに吸い出すように構成して
いる。また、前段増幅回路（２）の近傍には第２アース
電極（１０）が設けられ、半導体チップ（６）とは電気
的に独立して前段増幅回路（２）にアース電位を供給す
る。そして上述した理由により、第１、第２アース電極
（９）（１０）夫々に独立した第１、第２アースパッド
（７）（８）を設け、外部接続用の端子としている。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の半導体集積回路では出力段増幅回
路（１）や前段増幅回路（２）の寄生電流の全てを第１
アース電極（９）のみで吸い出す為、寄生電流によって
半導体チップ（６）に電位勾配が発生し、前段増幅回路
り２）部において発振や寄生サイリスタ等の不都合を生
じる欠点があった。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、前段増幅回路（
２）を形成した領域の半導体チップ（６）とオーミック
コンタクトし且つ出力段増幅回路（１）が形成された領
域の半導体チップ（６）とはオーミックコンタクトせず
に半導体チップ（６）上を延在して第１アースパッド（
７）に接続する第３のアース電極（１１）を設けること
により、従来の欠点を大幅に改善した半導体集積回路を
提供するものである。

（＊）作用 本発明によれば、前段増幅回路（２）付近の寄生電流を
直ちに第３のアース電極（１１）で吸い出すことができ
、しかも第３のアース電極（１１）を第１アースパッド
（７）に接続することによって他に全く影響を与えずに
半導体チップ（６）の電位を安定にすることができる。

（へ）実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。

第１図は本発明の半導体集積回路を示す平面図で、（６
）は半導体チップ、（７）（８）は第１．第２のアース
パッド、（９）（１０）ｍ）は第１乃至第３のアース電
極である。半導体チップ（６）の表面には所定のプロセ
スによって第２図の回路が２チャンネル分上下対象にな
るように作り込まれ、前段増幅回路（２）を構成するト
ランジスタ及び出力段増幅回路（１）の５ＥＰＰを構成
するパワートランジスタは夫々分離領域で囲まれて分離
される。個々に分離されたトランジスタは電極配線によ
って所定の機能を果すように接続され、半導体チップ（
６）の外周部付近には外部接続用の互いに独立した第１
．第２のアースパッド（７）（８）が配置される。そし
て各チャンネルの出力段増幅回路（１）の領域を各々囲
むようにその下の分離領域とコンタクトホール（１２〉
を介してオーミックコンタクトする第１アース電極（９
）が設けられ、大電流を扱う出力段増幅回路り１）の寄
生電流を直ちに回収するように構成されて更に第１アー
スパッド（７）に接続される。また、前段増幅回路（２
〉の近傍には半導体チップ（６）とは電気的に独立した
第２アース電極（１０）が延在し、第２アースパッド（
８）に接続される。

そして本発明の特徴とする第３のアース電極（１１）が
、前段増幅回路（２）が形成きれた領域の近傍で分離領
域を介して半導体チップ（６）とオーミックコンタクト
をなし、出力段増幅回路（１）の領域を半導体チップ（
６）とはオーミックコンタクトせずに横断して第１のア
ースパッド（７）に接続きれる。

斯る構成によれば、第３のアース電極（１１）によって
前段増幅回路（２）が形成された領域における半導体チ
ップ（６）の寄生電流を効果的に吸出すことができ、さ
らに他の回路へ全く影響を与えることが無い。

即ち、前段増幅回路（２）は高利得で設計されるのが普
通であり、吸出した寄生電流によってアースの電位が不
安定になるのは避けなければならないから、前段増幅回
路り２）が形成された領域の寄生電流を第２のアース電
極（１０）で吸出すことは出来ない。一方、第１のアー
ス電極（９）を延長して前段増幅回路（２）付近でオー
ミックコンタクトさせると、第１のアース電極（９〉の
インピーダンスと大電流を吸う出力段増幅回路（１）の
寄生電流によってかなり大きな電位降下が発生し、前段
増幅回路（２）付近の半導体チップクロ）の電位を不安
定にして発振等を招き易くなる。これに対して本発明に
よれば、前段増幅回路（２）付近の寄生電流は出力段増
幅回路（１）付近の寄生電流に比べれば極く僅かである
から第３のアース電極り１１）自身の電位降下も極く僅
かであり、しかも第１のアースパッド（７）以降は低イ
ンピーダンスの金属細線と外部リードによって吸出され
るので、第１のアース電極（９）が吸出した寄生電流に
よって影口されること無く、前段増幅回路（２）付近の
半導体チップ（６）の電位を安定にせしめ、回路の発振
や寄生サイリスタの発生等を未然に防ぐことができる。

また、出力段増幅回路（１）付近の半導体チップ（６）
とは独立しているので、大電流を扱う出力段増幅回路（
１）の寄生電流には同等影響を受けない。尚、出力段増
幅回路（１）が扱う電流がかなり大きく、金属細線のイ
ンピーダンスをも問題になるようであれば、第３のアー
ス電極（１１）専用に独立したグランドパッドを設ける
手法も考えられる。更にまた、第３のアース電極（１１
）を上下線対象となるよう、第１．第２チヤンネルの領
域の略中央に配設することによって各チャンネルにおけ
る半導体チップ（６）の電位がアンバランスになること
を防いでいる。このことは第１．第２アース電極（９）
（１０）についても同様であり、そのために第１．第２
アースパッド（７）（８）は第１．第２アース電極（９
）（１０）が上下線対象となるよう、それらの中央に配
設されている。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によれば第３のアース電極（１
１）によって前段増幅回路（２）が形成された領域にお
ける半導体チップ（６）の寄生電流を効果的に吸出すこ
とができるので、前段増幅回路（２）の領域の半導体チ
ップクロ）の電位を安定にして回路の発振や寄生サイリ
スクの発生等を未然に防げる利点を有する。さらに、第
３のアース電極（１１）を直接第１のアースパッド（７
）に接続することによって、前段増幅回路（２〉の寄生
電流を吸出す際に他の回路への影響を完全に無くすこと
ができる利点をも有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体集積回路装置を示す平面図、第
２図は一般的な増幅回路を示す回路図、第３図は従来の
半導体集積回路装置を示す平面図である。 （１）は大信号系の出力段増幅回路、　（２）は小信号
系の前段増幅回路、　（６）は半導体チップ、（７）（
８）は第１．第２のアースパッド、　（９）乃至（１１
）は第１乃至第３のアース電極である。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）出力段増幅回路及びその前段に設けられた前段増
   幅回路と、前記出力段増幅回路のパワートランジスタを
   囲むように半導体チップとオーミックコンタクトした第
   １アース電極と、前記前段増幅回路に接地電位を印加す
   る第２アース電極と、前記第１アース電極と接続した外
   部接続用の第１アースパッドと、前記第２アース電極と
   接続した外部接続用の第２アースパッドとを具備した半
   導体集積回路装置において、前記前段増幅回路が形成さ
   れた領域のみで前記半導体チップとオーミックコンタク
   トし且つ前記半導体チップ上を延在して前記第１アース
   パッドに接続した第３アース電極を設けたことを特徴と
   する半導体集積回路装置。