JPS6298715A - 固体電解コンデンサの製造法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造法Info
- Publication number
- JPS6298715A JPS6298715A JP23758385A JP23758385A JPS6298715A JP S6298715 A JPS6298715 A JP S6298715A JP 23758385 A JP23758385 A JP 23758385A JP 23758385 A JP23758385 A JP 23758385A JP S6298715 A JPS6298715 A JP S6298715A
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- thallium
- ions
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化第２タリウムを導電体層として用いた性
能の良好な固体電解コンデンサに関する。
能の良好な固体電解コンデンサに関する。
従来の技術
例えば特開昭５６−４９５０７号公報に記載されるよう
に、硝酸マンガンを熱分解して酸化皮膜上に二酸化マン
ガン層を形成させた後、タリウムイオンと過Ｔａ酸イオ
ンを含んだ液に浸漬して、化学的析出によって二酸化マ
ンガン層の上に酸化第２タリウム層を設けた固体電解コ
ンデンサが知られている。
に、硝酸マンガンを熱分解して酸化皮膜上に二酸化マン
ガン層を形成させた後、タリウムイオンと過Ｔａ酸イオ
ンを含んだ液に浸漬して、化学的析出によって二酸化マ
ンガン層の上に酸化第２タリウム層を設けた固体電解コ
ンデンサが知られている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前記した従来の固体電解コンデンサは、
二酸化マンガン層を形成させるに際し、熱反応を行なう
ために、酸化皮膜の熱的亀裂および発生ガスによる化学
的損傷は避は難く、また、誘電正接も十分満足づ′べき
ものではない。
二酸化マンガン層を形成させるに際し、熱反応を行なう
ために、酸化皮膜の熱的亀裂および発生ガスによる化学
的損傷は避は難く、また、誘電正接も十分満足づ′べき
ものではない。
従って、本発明は従来の固体゛電解コンデンサに比較し
て誘電正接の小さい、タリウムイオンと過硫酸イオンを
含んだ反応母液から化学的析出によって形成された酸化
第２タリウムを導電体層どする固体電解コンデンサを提
供することを目的どする。
て誘電正接の小さい、タリウムイオンと過硫酸イオンを
含んだ反応母液から化学的析出によって形成された酸化
第２タリウムを導電体層どする固体電解コンデンサを提
供することを目的どする。
肌逓ゴＬＬ簾迭」Ｌ艷亙！びとＬ進
本発明者等は、前記従来技術の欠点を解決すべく種々検
討した結果、特定のタリウムイオンと過硫酸イオンを含
んだ反応母液から化学的析出によって酸化第２タリウム
層を酸化皮膜上に形成させると、酸化第２タリウム層の
みでも誘電正接が小さく、極めて性能の良好な固体電解
コンデンサが得られることを見出し、本発明に至った。
討した結果、特定のタリウムイオンと過硫酸イオンを含
んだ反応母液から化学的析出によって酸化第２タリウム
層を酸化皮膜上に形成させると、酸化第２タリウム層の
みでも誘電正接が小さく、極めて性能の良好な固体電解
コンデンサが得られることを見出し、本発明に至った。
即ち、本発明に従えば、酸化第２タリウムを導電体層と
する固体電解コンデンサにおいて、該酸化第２タリウム
を水溶液中のタリウムイオン濃度が飽和溶液を与える濃
度から０１モル／吏の範囲にあり、かつタリウムイオン
に対する過硫酸イオンのモル比が３から０．５の範囲に
あるタリウムイオンおよび過硫酸イオンを含んだ反応母
液から化学的析出により形成させることを特徴とする固
体電解コンデンサが提供される。
する固体電解コンデンサにおいて、該酸化第２タリウム
を水溶液中のタリウムイオン濃度が飽和溶液を与える濃
度から０１モル／吏の範囲にあり、かつタリウムイオン
に対する過硫酸イオンのモル比が３から０．５の範囲に
あるタリウムイオンおよび過硫酸イオンを含んだ反応母
液から化学的析出により形成させることを特徴とする固
体電解コンデンサが提供される。
本発明の固体電解コンデンサは、アルミニウム、タンタ
ル、ニオブ等の弁金属の薄膜もしくは焼結体の酸化皮膜
の細孔に酸化第２タリウＹ部が進入した構造を有してい
る。
ル、ニオブ等の弁金属の薄膜もしくは焼結体の酸化皮膜
の細孔に酸化第２タリウＹ部が進入した構造を有してい
る。
弁金属のｉ膜もしくは焼結体に酸化皮膜を形成する方法
は、当業界で公知の方法を採用することができる。
は、当業界で公知の方法を採用することができる。
酸化皮膜上に、酸化第２タリウムのＳ電体層を化学的析
出によって形成させる反応母液は、タリウムイオンと過
硫酸イオンを含んだ水溶液である。
出によって形成させる反応母液は、タリウムイオンと過
硫酸イオンを含んだ水溶液である。
使用されるタリウムイオンおよび過硫酸イオンには特に
制限はなく、タリウムイオンを与える化合物の代表例と
しては、例えば酢酸タリウム、硝酸タリウム等があげら
れ、これらは二種以上混合して使用してもよい。また過
５Ａ酸イオンを与える化合物の代表例としては、例えば
過硫酸アンモニウム、過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム等
があげられ、これらは二種以上混合して使用してもよい
。
制限はなく、タリウムイオンを与える化合物の代表例と
しては、例えば酢酸タリウム、硝酸タリウム等があげら
れ、これらは二種以上混合して使用してもよい。また過
５Ａ酸イオンを与える化合物の代表例としては、例えば
過硫酸アンモニウム、過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム等
があげられ、これらは二種以上混合して使用してもよい
。
水溶液中のタリウムイオン濃度は、飽和溶液を与える濃
度から０．１モル／愛の範囲内であり、好ましくは飽和
溶液を与える濃度から１．０モル／愛の範囲内であり、
特に好ましくは飽和溶液を与える濃度である。過硫酸イ
オンｉ！１度は、タリウムイオンに対してモル比で３か
ら０．５倍である。過硫酸イオンの濃度がタリウムイオ
ンに対して３倍モルより多い場合は、コスト的にメリッ
トはなく、また０、５倍モル未満では性能の良好なコン
デンサを得ることができない。
度から０．１モル／愛の範囲内であり、好ましくは飽和
溶液を与える濃度から１．０モル／愛の範囲内であり、
特に好ましくは飽和溶液を与える濃度である。過硫酸イ
オンｉ！１度は、タリウムイオンに対してモル比で３か
ら０．５倍である。過硫酸イオンの濃度がタリウムイオ
ンに対して３倍モルより多い場合は、コスト的にメリッ
トはなく、また０、５倍モル未満では性能の良好なコン
デンサを得ることができない。
酸化皮膜上に酸化第２タリウムの導電体層を化学的に析
出、形成させる方法としては、例えばタリウムイオンを
含む水溶液と過硫酸イオンを含む水溶液を混合後、酸化
皮膜に塗布する方法があげられる。
出、形成させる方法としては、例えばタリウムイオンを
含む水溶液と過硫酸イオンを含む水溶液を混合後、酸化
皮膜に塗布する方法があげられる。
発明の効果
本発明の固体電解コンデン１すは、従来公知の固体電解
コンデンサに比較して以下のような利点を有している。
コンデンサに比較して以下のような利点を有している。
■ 高温に加熱することなく、°酸化皮膜上に酸化第２
タリウムの導電体層を形成できるので、陽極の酸化皮膜
を損傷する恐れがなく、補修のための陽極酸化（再化成
）を行なう必要もない。そのため、定格電圧を従来の数
倍に上げることができ、同容量、同定格電圧のコンデン
サを得るのに、従来のものに比較して形状を小型化でき
る。
タリウムの導電体層を形成できるので、陽極の酸化皮膜
を損傷する恐れがなく、補修のための陽極酸化（再化成
）を行なう必要もない。そのため、定格電圧を従来の数
倍に上げることができ、同容量、同定格電圧のコンデン
サを得るのに、従来のものに比較して形状を小型化でき
る。
■ 漏れ電流が小さい。
■ 高耐圧のコンデンサを作製することができる。
■ 高周波特性が良い。
■ 誘電正接が小さい。
実施例
以下、実施例ｄ３よび比較例をあげて本発明をさらに詳
細に説明する。なお、各個の固体電解コンデンサの特性
値を第１表に示した。
細に説明する。なお、各個の固体電解コンデンサの特性
値を第１表に示した。
実施例 １
厚さ １００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％
）を陽極とし、直流および交流を交互使用して、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径が２μｍで
、比表面積が１２７１’Ｌ２／ｇの多孔質アルミニウム
箔とした。次いで、このエツヂング処理したアルミニウ
ム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気
化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した
。
）を陽極とし、直流および交流を交互使用して、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径が２μｍで
、比表面積が１２７１’Ｌ２／ｇの多孔質アルミニウム
箔とした。次いで、このエツヂング処理したアルミニウ
ム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気
化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した
。
一方、酢酸タリウムの濃度が２モル／愛の水溶液と過Ｖ
Ａ酸カリのｉ１５度が２．３モル／Ｕの゛水溶液を混合
して反応母液を得た。この反応母液を上記した誘電体薄
層に塗布した後、減圧下で２時間放置し、誘電体薄層上
に酸化第２タリウム層を形成させた。次いで酸化第２タ
リウム層を水で充分洗浄した後、１２０℃で３時間乾燥
した。酸化第２タリウム層上にカーボンペーストを塗布
して乾燥した後、銀ペーストを塗り、再度乾燥した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
Ａ酸カリのｉ１５度が２．３モル／Ｕの゛水溶液を混合
して反応母液を得た。この反応母液を上記した誘電体薄
層に塗布した後、減圧下で２時間放置し、誘電体薄層上
に酸化第２タリウム層を形成させた。次いで酸化第２タ
リウム層を水で充分洗浄した後、１２０℃で３時間乾燥
した。酸化第２タリウム層上にカーボンペーストを塗布
して乾燥した後、銀ペーストを塗り、再度乾燥した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
実施例 ２
実施例１で過硫酸カリの水溶液の代わりに過硫酸アンモ
ニウムの濃度が３モル／斐の水溶液を使用し、酢酸タリ
ウムの濃度が２モル／斐の水溶液の代わりに酢酸タリウ
ムを飽和溶解Ｍだけ溶かした水溶液を使用した以外は、
実施例１と同様にしてコンデンサを作製した。
ニウムの濃度が３モル／斐の水溶液を使用し、酢酸タリ
ウムの濃度が２モル／斐の水溶液の代わりに酢酸タリウ
ムを飽和溶解Ｍだけ溶かした水溶液を使用した以外は、
実施例１と同様にしてコンデンサを作製した。
比較例
実施例２で酢酸タリウムの濃度を０．０８モル／女、過
硫酸アンモニウムの濃度を０．１０モル／Ｊどじた以外
は、実施例２と同様にしてコンデンサ作製した。
硫酸アンモニウムの濃度を０．１０モル／Ｊどじた以外
は、実施例２と同様にしてコンデンサ作製した。
表 １
本 １２０Ｈｚでの値
＊ ｌｊ ５ Ｑ Ｖでの値
第１表より明らかなごとく、実施例１および実施例２で
得られた固体電解コンデンサの方が比較例で得られた固
体電解コンデンサより誘電正接（ｔａｎδ）および漏れ
電流の数値が良い。
得られた固体電解コンデンサの方が比較例で得られた固
体電解コンデンサより誘電正接（ｔａｎδ）および漏れ
電流の数値が良い。
Claims (1)
- 酸化第２タリウムを導電体層とする固体電解コンデン
サにおいて、該酸化第２タリウムを水溶液中のタリウム
イオン濃度が飽和溶液を与える濃度から０．１モル／ｌ
の範囲にあり、かつタリウムイオンに対する過硫酸イオ
ンのモル比が３から０．５の範囲にあるタリウムイオン
および過硫酸イオンを含んだ反応母液から化学的析出に
より形成させることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237583A JPH0719721B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237583A JPH0719721B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298715A true JPS6298715A (ja) | 1987-05-08 |
| JPH0719721B2 JPH0719721B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17017468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60237583A Expired - Lifetime JPH0719721B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719721B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52137662A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237583A patent/JPH0719721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52137662A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719721B2 (ja) | 1995-03-06 |
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