JPS6294930A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPS6294930A JPS6294930A JP23571785A JP23571785A JPS6294930A JP S6294930 A JPS6294930 A JP S6294930A JP 23571785 A JP23571785 A JP 23571785A JP 23571785 A JP23571785 A JP 23571785A JP S6294930 A JPS6294930 A JP S6294930A
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- JP
- Japan
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- developing
- sample
- pressure
- chamber
- developing chamber
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば、半導体装置製造用のフォトマスクや
ウェハ等を現像する現像装置に関するものである。
ウェハ等を現像する現像装置に関するものである。
第３図は従来の現像装置を示す図であり、図において、
ｉｌｌは皿状の廃液受皿、（２）はこの廃液受皿（１）
の開口部に取り付けられたカバーでありこれらは容器（
１４）を形成する。（Ｓ３）はこのカバー（２）（二取
り付けられた現像液噴射ノズル、＋４１ 、 ＋５）は
同じくカバ−（２１に取り付けられた洗浄欧噴射ノズル
、乾燥用気体噴射ノズルである。（６１は上記廃液受皿
（１）の底部に設けられた排出口、（７）はこの排出口
（６）に取り付けられた排出パイプ、（８）は試料αＤ
を回転駆動するための駆動モーター、（９）はこの駆動
モーター（８）の動力を伝達する回転軸、（ＩＯＩは試
料を保持するホルダーであり、上記回転軸（７）（二連
結されている。
ｉｌｌは皿状の廃液受皿、（２）はこの廃液受皿（１）
の開口部に取り付けられたカバーでありこれらは容器（
１４）を形成する。（Ｓ３）はこのカバー（２）（二取
り付けられた現像液噴射ノズル、＋４１ 、 ＋５）は
同じくカバ−（２１に取り付けられた洗浄欧噴射ノズル
、乾燥用気体噴射ノズルである。（６１は上記廃液受皿
（１）の底部に設けられた排出口、（７）はこの排出口
（６）に取り付けられた排出パイプ、（８）は試料αＤ
を回転駆動するための駆動モーター、（９）はこの駆動
モーター（８）の動力を伝達する回転軸、（ＩＯＩは試
料を保持するホルダーであり、上記回転軸（７）（二連
結されている。
ＩＸ力は試料（＋１）を脱着するため（二容器Ｉに設け
られたアクセスドアである。ａ３）は現像、洗浄、乾燥
を行う現像室を示している。
られたアクセスドアである。ａ３）は現像、洗浄、乾燥
を行う現像室を示している。
従来の装置は上記のように構成され、例えば露光後の半
導体装置製造用のフォトマスク等からなる試料ｑυをア
クセスドア（１ツを開けて容器住４内のホルダｑθ１ニ
セットし７現像液噴射ノズル（３）から所定の現像液を
試料（９）に噴射し駆動モーター（８）を回転（３００
ｒ＝Ｉ）、ｌＴ１．）させ、その動力を回転軸（９）を
介してホルダー凹に伝え試料（１））を回転させる。現
像液は試料圓の表面に拡がって試料ａυが現像される。
導体装置製造用のフォトマスク等からなる試料ｑυをア
クセスドア（１ツを開けて容器住４内のホルダｑθ１ニ
セットし７現像液噴射ノズル（３）から所定の現像液を
試料（９）に噴射し駆動モーター（８）を回転（３００
ｒ＝Ｉ）、ｌＴ１．）させ、その動力を回転軸（９）を
介してホルダー凹に伝え試料（１））を回転させる。現
像液は試料圓の表面に拡がって試料ａυが現像される。
その際、現像液及び現像後廃液は容器Ｉ内壁に飛び散り
、容器圓内壁を伝って流下し廃液皿（１）の底部（二溜
まり排出口（６１から排出パイプ（７）を通って排出さ
れる。
、容器圓内壁を伝って流下し廃液皿（１）の底部（二溜
まり排出口（６１から排出パイプ（７）を通って排出さ
れる。
現像後、洗浄液を洗浄液噴射ノズル（４）より噴射し試
料Ｕυを３０ Ｏｒ、ｐ、ｍ、で回転させて洗浄し、そ
の後試料圓を１６００ｒ、ｐ、ｍ、で回転させ乾燥用気
体を乾燥用気体ノズル（５）から噴射して試料圓の乾燥
を行なう。
料Ｕυを３０ Ｏｒ、ｐ、ｍ、で回転させて洗浄し、そ
の後試料圓を１６００ｒ、ｐ、ｍ、で回転させ乾燥用気
体を乾燥用気体ノズル（５）から噴射して試料圓の乾燥
を行なう。
上記のような従来の現像装置では、アクセスドアｕりを
閉じている試料αυの現像時や、アクセスドアα２が開
かれている試料αυの脱着時等に、現像室０内の圧力は
外部圧力より低くなっているため、現像室（ｌ′５内；
：塵芥等の異物が入ったり、アクセスドア（Ｌカ等容器
α滲に付着した現像液や現像後反応物質が試料取り出し
時等に試料αυに再付着し局所的現像不良の原因となっ
ていた。上記の局所的現像不良により解像度の低下をま
ねき微細パターンの現像ができない等の問題がある。
閉じている試料αυの現像時や、アクセスドアα２が開
かれている試料αυの脱着時等に、現像室０内の圧力は
外部圧力より低くなっているため、現像室（ｌ′５内；
：塵芥等の異物が入ったり、アクセスドア（Ｌカ等容器
α滲に付着した現像液や現像後反応物質が試料取り出し
時等に試料αυに再付着し局所的現像不良の原因となっ
ていた。上記の局所的現像不良により解像度の低下をま
ねき微細パターンの現像ができない等の問題がある。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で現像室内１：塵芥等の異物が入ったり、試料の脱着時
等にアクセスドア等に付着した、現像液及び現像後反応
物質が試料に再付着することを防ぐことにより試料の現
像状態を最適（ニジ欠陥がなく解像度の高い微細パター
ンの現像ができる現像装置を得ることを目的としている
。
で現像室内１：塵芥等の異物が入ったり、試料の脱着時
等にアクセスドア等に付着した、現像液及び現像後反応
物質が試料に再付着することを防ぐことにより試料の現
像状態を最適（ニジ欠陥がなく解像度の高い微細パター
ンの現像ができる現像装置を得ることを目的としている
。
この発１−１）１は上記目的を達成するために現像室（
１３１内の圧力を外圧より高い圧力に調整する制御手段
を設けたものである。
１３１内の圧力を外圧より高い圧力に調整する制御手段
を設けたものである。
この発明における現像室内の圧力を外圧より高い圧力に
調整する制御手段は、現像時及び試料脱着時における現
像室への塵芥等異物の侵入や、試料脱着時における現像
液、現像後反応物質の試料への再付着を防ぐ。
調整する制御手段は、現像時及び試料脱着時における現
像室への塵芥等異物の侵入や、試料脱着時における現像
液、現像後反応物質の試料への再付着を防ぐ。
以下この発明を第１図に示す実施例；二基ついて説明す
る。第１図はこの発明の一実施例による現像装置を示す
図である。（１）〜Ｉは第３図に示した従来の現像装置
と同じである。αωは現像室Ｑ３１の内圧を検出する圧
カセシサでカバー（２）に取り付けられている。ｕ６）
はアクセスドアａりの開閉状態（二応動するドアセンサ
である。卸は現像室Ｕ内に乾燥空気な給気パイプ化を介
して送り込む給気装置、α湧は給気口である。磯は排気
パイプ（７）に取り付けられた排気装置であり、（２１
）は圧力センサ７（１ω及びドアセンサ（ＩＱより得ら
れた情報と現像工程時間情報とを演算し給気装ｆｉｔ（
１６）と排気装置α■の制御を行うマイクロコンビエー
タである。
る。第１図はこの発明の一実施例による現像装置を示す
図である。（１）〜Ｉは第３図に示した従来の現像装置
と同じである。αωは現像室Ｑ３１の内圧を検出する圧
カセシサでカバー（２）に取り付けられている。ｕ６）
はアクセスドアａりの開閉状態（二応動するドアセンサ
である。卸は現像室Ｕ内に乾燥空気な給気パイプ化を介
して送り込む給気装置、α湧は給気口である。磯は排気
パイプ（７）に取り付けられた排気装置であり、（２１
）は圧力センサ７（１ω及びドアセンサ（ＩＱより得ら
れた情報と現像工程時間情報とを演算し給気装ｆｉｔ（
１６）と排気装置α■の制御を行うマイクロコンビエー
タである。
次ｔ：上記実施例の動作について第１図及び第２図を用
いて説明する。第２図は現像室α３内の圧力を縦軸に取
り現像工程の時間を横軸にとって、試料脱着時を含む現
像工程に於ける現像室（１３）内の圧試Ｒ（ｌυをホル
ダー〇〇にセットする間及び、試料αυを現像後現像室
（１りより取り出す間、アクセスドアθ２の開状態をド
アセンサａｅを用いて検出し、排気装置（至）から排出
される気体の流量を一定にし、給気装置（＋７）から送
り込まれる乾燥空気の流量を圧力センサ住９から得られ
る情報を基（ニマイクロコンピュータＩ２１）を用いて
制御し現像室（１階内の圧力を外部圧力より高く保つ。
いて説明する。第２図は現像室α３内の圧力を縦軸に取
り現像工程の時間を横軸にとって、試料脱着時を含む現
像工程に於ける現像室（１３）内の圧試Ｒ（ｌυをホル
ダー〇〇にセットする間及び、試料αυを現像後現像室
（１りより取り出す間、アクセスドアθ２の開状態をド
アセンサａｅを用いて検出し、排気装置（至）から排出
される気体の流量を一定にし、給気装置（＋７）から送
り込まれる乾燥空気の流量を圧力センサ住９から得られ
る情報を基（ニマイクロコンピュータＩ２１）を用いて
制御し現像室（１階内の圧力を外部圧力より高く保つ。
これによりアクセスドア（１カ等からの塵芥等異物の侵
入を防ぐ。また同時（＝アクセスドア（１２等容器Ｉに
付着している現像液、現像後廃液を容器下部に滴下する
ことができ試料αυ取り出し時等に現像液、現像後廃液
が再付着することを防ぐことができる。また現像時（：
おいてはアクセスドア（１つの閉状態をドアセンサ（１
６）を用いて検出し給気装置（１７）から送り出される
乾燥空気の流量を一定にし、排気装置固より排出される
気体の流量を圧カセンサ叫から得られる情報を基にマイ
クロコンピュータ（２１）で制御することにより、現像
室１９円の圧力を大気圧より少し高く調整する。これに
より現像液の噴射を妨げることなく、現像室（１３）内
に塵芥異物の侵入を防ぐことができる。また同時に、強
制的に現像室（１■より廃液を排出して現像室（１３）
内の現像雰囲気を害さなくする。また給気の作用による
現像室（１３）内の気体の流れにより試料←υの回転に
より飛散する廃液等の容器内壁からのはね返りを防止す
る効果もある。
入を防ぐ。また同時（＝アクセスドア（１２等容器Ｉに
付着している現像液、現像後廃液を容器下部に滴下する
ことができ試料αυ取り出し時等に現像液、現像後廃液
が再付着することを防ぐことができる。また現像時（：
おいてはアクセスドア（１つの閉状態をドアセンサ（１
６）を用いて検出し給気装置（１７）から送り出される
乾燥空気の流量を一定にし、排気装置固より排出される
気体の流量を圧カセンサ叫から得られる情報を基にマイ
クロコンピュータ（２１）で制御することにより、現像
室１９円の圧力を大気圧より少し高く調整する。これに
より現像液の噴射を妨げることなく、現像室（１３）内
に塵芥異物の侵入を防ぐことができる。また同時に、強
制的に現像室（１■より廃液を排出して現像室（１３）
内の現像雰囲気を害さなくする。また給気の作用による
現像室（１３）内の気体の流れにより試料←υの回転に
より飛散する廃液等の容器内壁からのはね返りを防止す
る効果もある。
以上の現像工程と同様に純水等の洗浄液を試料αυに噴
射して洗浄を行なう場合にも現像室（２）内の圧力を外
部の圧力より少し高く設定すること（二よす塵芥等異物
の侵入を防ぎ、強制的排出により洗浄状態を良好に保つ
ことができる。また乾燥用気体を、回転（１６００ｒ、
ｐ、＋ｎ、）する試料ａυに噴射して乾燥する場合にも
塵芥等異物の侵入を防ぎ洗浄液の再付着も防ぐことがで
き良好な乾燥ができる。
射して洗浄を行なう場合にも現像室（２）内の圧力を外
部の圧力より少し高く設定すること（二よす塵芥等異物
の侵入を防ぎ、強制的排出により洗浄状態を良好に保つ
ことができる。また乾燥用気体を、回転（１６００ｒ、
ｐ、＋ｎ、）する試料ａυに噴射して乾燥する場合にも
塵芥等異物の侵入を防ぎ洗浄液の再付着も防ぐことがで
き良好な乾燥ができる。
上記実施例では試料ａυ脱着時及び試料αυ現像時の両
方の場合に現像室（１３内の圧力の制御を行なったが、
何れか一方でも効果は得られる。また、試料αυ脱着特
等アクセスドアαりを開けた場合と現像時等の閉じた場
合に給気及び排気の制御方法を変えたが同じでもよく、
現像室０階の圧力を第２図のように制御できれば他の方
法でもよい。現像室ｕ３の圧力の検出は、圧力センサ（
ｌ！ｌｉｌのかわりに給気装置（１７）や排気装置■の
流量を検出して圧力を演算しこの演算結果に基づいて給
気量、排気量を制御する等、他のセンサを用いても同様
の効果がある。
方の場合に現像室（１３内の圧力の制御を行なったが、
何れか一方でも効果は得られる。また、試料αυ脱着特
等アクセスドアαりを開けた場合と現像時等の閉じた場
合に給気及び排気の制御方法を変えたが同じでもよく、
現像室０階の圧力を第２図のように制御できれば他の方
法でもよい。現像室ｕ３の圧力の検出は、圧力センサ（
ｌ！ｌｉｌのかわりに給気装置（１７）や排気装置■の
流量を検出して圧力を演算しこの演算結果に基づいて給
気量、排気量を制御する等、他のセンサを用いても同様
の効果がある。
試Ｍｆｌｌ）も半導体製造用フォトマスクでなく半導体
製造用ウェハでも同様の効果がある。
製造用ウェハでも同様の効果がある。
以上のように、この発明は現像室（１９内の圧力を外部
圧力以上に調整する制御手段を設けたので、現像前後の
試料の脱着及び現像時に塵芥等異物の現像室への侵入を
防ぎ、試料脱着時等にアクセスドア等容器に付着した現
像液や現像後反応物質が試料に再付着するのを防ぐこと
が可能となった。
圧力以上に調整する制御手段を設けたので、現像前後の
試料の脱着及び現像時に塵芥等異物の現像室への侵入を
防ぎ、試料脱着時等にアクセスドア等容器に付着した現
像液や現像後反応物質が試料に再付着するのを防ぐこと
が可能となった。
この結果、試料の現像状態が安定し試料の局所的現像不
良を減少させ、解像度が向上した。そして試料の小滴り
が向上し製品の工期短縮、コストの削減ができる。また
微細パターンの現像にも適している。
良を減少させ、解像度が向上した。そして試料の小滴り
が向上し製品の工期短縮、コストの削減ができる。また
微細パターンの現像にも適している。
第１図はこの発明の一実施例による現像装置を示す断面
図、第２図は上記実施例における現像室Ｑ３）内の圧力
の変化を示す図、％３図は従来の現像装置を示す断面図
である。 （１）は廃液受皿、＋２１はカバー、（３１は現像液噴
射ノズル、（４）は洗浄液噴射ノズル、（５）は乾燥用
気体噴射ノズル、（８）は駆動モーター、ｕａはホルダ
ー、αυは試料、Ｑ４）は容器、（ｌωは圧力センサ、
Ｑ力は給気装置、■は排気装置、（２１）はマイクロコ
シピユータである。 尚、各図中同−付号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は上記実施例における現像室Ｑ３）内の圧力
の変化を示す図、％３図は従来の現像装置を示す断面図
である。 （１）は廃液受皿、＋２１はカバー、（３１は現像液噴
射ノズル、（４）は洗浄液噴射ノズル、（５）は乾燥用
気体噴射ノズル、（８）は駆動モーター、ｕａはホルダ
ー、αυは試料、Ｑ４）は容器、（ｌωは圧力センサ、
Ｑ力は給気装置、■は排気装置、（２１）はマイクロコ
シピユータである。 尚、各図中同−付号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）現像室を形成する容器、この容器内に設けられ試
料を保持するホルダー、このホルダーを回転駆動するモ
ーター、上記試料に向けて現像液等を噴射するノズルを
備えた現像装置に於て、上記現像室内の圧力を外圧より
も高い圧力に調整する制御手段を設けたことを特徴とす
る現像装置。 - （２）制御手段は試料の現像時、脱着時の両方もしくは
何れかの場合に働くことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の現像装置。 - （３）制御手段が気体を現像室に送り込む給気装置と現
像室から排気を行なう排気装置を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の現像装置。 - （４）上記制御手段が現像装置内に設けられたセンサを
有し、このセンサから得られた情報を基に現像室に送り
込まれる気体の流量及び現像室から排出される気体の流
量を制御することを特徴とする特許請求の範囲第１項〜
第３項の何れかに記載の現像装置。 - （５）現像室に送り込まれる気体の流量又は現像室から
排出される気体の流量を制御することにより、流体層を
形成し試料の回転により飛散する現像液を容器内周に沿
つて流下させるようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項〜第４項の何れかに記載の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23571785A JPS6294930A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23571785A JPS6294930A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294930A true JPS6294930A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16990183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23571785A Pending JPS6294930A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005114709A3 (en) * | 2004-05-12 | 2006-01-19 | Inficon Inc | Inter-process sensing of wafer outcome |
| CN116990297A (zh) * | 2023-09-27 | 2023-11-03 | 佳木斯大学 | 一种基于滤膜的法医学硅藻检验设备 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP23571785A patent/JPS6294930A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005114709A3 (en) * | 2004-05-12 | 2006-01-19 | Inficon Inc | Inter-process sensing of wafer outcome |
| US7257494B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-08-14 | Inficon, Inc. | Inter-process sensing of wafer outcome |
| CN116990297A (zh) * | 2023-09-27 | 2023-11-03 | 佳木斯大学 | 一种基于滤膜的法医学硅藻检验设备 |
| CN116990297B (zh) * | 2023-09-27 | 2024-01-02 | 佳木斯大学 | 一种基于滤膜的法医学硅藻检验设备 |
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