JPS6294922A - プラズマｃｖｄ法による製膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プラズマＣＶＤ法による製膜装置に関し、特
にアモルファスシリコンの製１１Ｑ装首に好適なもので
ある。

［従来の技術］ プラズマＣＶＤ　　（化学的気相成長）法は、周知のよ
うに、減圧下で放電を行わせ、反応ガスを化学的活性種
にして、通常の熱励起で困難な化学反応により膜を形成
する方式である。化学的活性種は、電界により気体中に
少量存在する自由電子を加速させ、加速電子とガス分子
とが非弾性衝突して、分子がイオン化、解離ないし励起
することにより生成される。この生成は、非平衡反応で
あるので、種々の組成の膜が基板（ウェーハ）上に生成
されることになるが、常圧・減圧ＣＶＤ法のような熱反
応を利用した方式に比べ、　３００°Ｃ前後のかなりの
低温で膜が形成できる。このため、パッシベーション膜
となるＳ１窒化膜、酸化膜の形成に適している。

プラズマの発生には、直流放電も利用されるが、安定性
の面から、高周波放電プラズマＣＶＤ法が一般に利用さ
れている。高周波放電プラズマＣＶＤ法は、１Ｏ−１〜
２Ｔｏｒｒのガス圧下で高周波（５０ｋＨｚ　〜１３．
５８ＭＨｚ）放電を行わせる方式であり、誘導コイル形
（誘導結合形）と平行平板電極形（容量結合形）とがあ
る。前者は、石英管外側からコイルにより高周波電場を
管内のガスに与えるもので、内部汚染が少なく、高密度
プラズマが得られやすいが、膜厚の均一性確保が困難で
ある。

このため、平行平板電極を有する後者の方式が一般的に
用いられている。

一方、プラズマＣＶＤ法により作製されるアモルファス
？ＳＪ膜が電子デバイスに使われる場合には、膜中の構
造欠陥の害度を少なくとも、１０”ｃｍ−３以下のかな
り厳しいレベルにおさえなければならない。例えば、太
陽電池、固体撮像素子、薄膜トランジスタ、光センサな
どへの応用が急ピッチで進められているアモルファスシ
リコンの場合、膜中のシリコン末結合手の量を上述の値
程度またはそれ以下にしないとデバイス中の電子、正孔
の運動を十分に制御できない。即ち残像を生じたり、応
答速度が遅くなったりする。ＬＳＩの表面保護膜として
使われるＳｉ窒化膜の場合にも、絶縁膜としての性能を
保証するために膜中の未結合手の量は１０”Ｃｍ−’以
下であることが望ましい。また、膜厚の均一化と膜の均
質化は互換性等のために一般に要求されるが、アモルフ
ァスシリコンの製膜では特に厳しく要求されている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかるに、平行平板電極形の従来のプラズマ装置では、
例えば第４図（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、ガラス等の
反応器１内に配置した平行平板電極２゜３間をＲＦ（高
周波）電源４により放電させ、一方の電極３または２上
に配置された基板（ウェーハまたは試料）５をヒータ６
により加熱し、反応ガスを両電極２，３のガス導入ロア
から入れて電極２゜３間を通し、ガス排気口８から排気
し、これによりプラズマを発生させて基板５上に膜を形
成している。

だが、従来のプラズマＣＶＤ法首では本図示のような構
成であったので、次に述べるような欠点があった。

■　平行平板電極内でのガス圧のばらつきが大きい。

第４図（Ｂ）のように片側方向からガスを導入する場合
には、平行平板電極の入口位置では濃いガスであるが、
出口位置ではガスが薄くなる。また、第４図（Ａ）、（
Ｃ）のように、陰極板２と対向のアース電極３からガス
を吹き出させる場合も同様に導入ロアの近傍のみ濃いガ
スとなるというガスの吹き出しにむらが生じて、そのむ
らのあるガスが直接試料５に当るので、膜質が悪化し、
不均一となる。

■　放電条件の適切な規定ができない。

放電は一般にパッシェンの法則に従うので、ガス圧が変
化すると、放電が変わる。ところが、従来では平行平板
電極内でのガス圧のばらつきが大きいので、ガス圧変化
に対応した放電条件の適切な規定（設定）ができない、
また、放電の回り込み現象により実際には陰極の外側面
（例えば第４図（Ｂ）の１０の外側ｍｌでも放電するの
で、放電条件としての放電電流値等の規定ができない。

このため、放電条件の制御により均一放電を行わせるこ
とは困難であって、均一な膜質、膜厚での膜形成が難し
い。

また、ガスの流れが層流でなく、複雑なため、放電部の
中での、ガスの特性をつかみにくいという欠点も持つ。

■　ガスが不用部分で消費されるので不経済となる。

陰極の外部側面で放電が生じ、ガスが不用部分で消費さ
れるという問題がある。このため、従来装置では、例え
ば第４図（Ｃ）に示すように、アースカバー８を陰極２
側にかぶせて絶縁状態を保ったねじ止め等で固定し、電
極とアース力／へ一間に狭い空間９′を作って、陰極と
対極間以外での放電を防ぐように図っているものがある
。だが、このようにしてもアースカバーと陰極間の空間
（キャー、プ）にガスが入り込むため、ガス圧上昇等に
よりすぐ放電を行い、陰極側の放電は完全には防止でき
なかった。すなわち、放電は分子のイオン化により生じ
た電子がねずみ算式に分子をイオン化して次々に増殖さ
れることにより生ずるので、電極間のギャップが小さい
とこのねずみ算式の増殖イオン化が生じる確率が小さく
なって放電しなくなるのであるが、ガス圧」−昇でその
ぶつかる確率が上るため、容易に放電してしまうからで
ある。

■　欠陥の多い膜となる。

上述のようにアースカバーを取付けた場合でも、電極上
部での放電を防止できず、ガス圧上昇等により電極上部
ですぐ放電を開始するので、その時生成される粉（パウ
ダー）が基板上の成膜中の膜に舞込み、欠陥の多い膜と
なる。

このように、従来のプラズマＣＶＤ装置では、均一な膜
質、均一な■り厚での膜形成が困難で粉による欠陥の多
い膜となる等の欠点を有していたので、アモルファスシ
リコンに要求される良品質の製膜を得ることが極めて困
難であった。

そこで、本発明は、上述の欠点を除去して、アモルファ
スシリコンの製膜に適したプラズマＣＶＤ法による製膜
装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本目的を達成するため、本発明は、第１図に示す如く、
下部電極と上部電極とから成るプラズマＣＶＤの放電に
用いる水平配置の平行平板電極と、この平行平板電極の
周囲を苦い、ガス流を該平行平板電極間に規制する耐熱
性絶縁材料から成るガス流規制枠と、ガス流規制枠と一
体で、ガス流規制枠に流入するガスを自然拡散により均
一ガス圧の層流にするガス流導入部と、上部電極の上部
を覆う耐熱性絶縁材料から成る電極力／へ−と、電極カ
バーの上部を覆うアースカバーとを有し、下部電極、ガ
ス流規制枠、基板を保守する基板ホルダ、上ｉ’ｊＢ電
極、電極カバー、アースカバーの順に下から積み上げて
構成したことを特徴とする。

［〃七　ｍ　］ 本発明では、耐熱性絶縁材料から成るガス流規制枠（石
英枠）で平行平板電極を囲い、その枠のガス導入口をガ
スの自然拡散による均一ガス圧の層流が得られるように
しているので、使用ガスの流れが平行平板電極間に規制
され、また放電部において平行平板電極板と平行で略層
流に近くなる。従って、そこの断面部を見た場合、断面
内でのガス圧は均一になっている。また、ガス流規制枠
上の電極（陰極）を耐熱性絶縁材料から成る蓋状の電極
カバー（石英カバー）で覆うようにかぶせ、その上にア
ース電極をかぶせるようにしたので、電極上部での放電
が防止され、パッシェンの法則に従った放電制御が正確
にできる。従って、本発明によれば、均一な膜質で均一
な■９厚が得られ、欠陥の非常に少ない膜ができると共
に、使用ガスの使用効率が高く、チャンバ内の汚染の影
響を受けにくく、洗浄性が良い。

また、ガス流規制枠や電極力へ−等を単に積み重ねるだ
けで装置が構成できるようにしたので、ね１〕１］−め
イＷｒｉ斤の、Ｉ／、弾め−かど　不のため僅寡袖４（
が向上し、かつ熱膨張差による割れ等のトラブルの発生
のおそれがなく、また多層に積み上げることによって多
量生産化しやすい。

さらにまた、上下対称の構成が容易にとれるので、リー
ド線をつけかえるだけで電極電位を逆転できる。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例の概略全体構成を示す。ここ
で、１１は反応器として装置全体を覆う硬質カラス製の
ペルジャーであり、１２はスルーカラーである。スルー
カラー１２には真空計器等を配設し、このスルーカラー
１２を通してガス導入用のテフロンチューブ１３をペル
ジャー１１内に挿入する。１５は１部の陰極板（カソー
ド板）、１８はその対極としての下部のアース板（アノ
ード板）であり、両者で平行平板電極を形成する。アー
ス板１６は、例えば１．５ｍ１１１程度の厚さのＡ立板
を用い、ブロック状の耐熱性絶縁材料（例えば石英）台
１７上に略水平に配置する。第２図はスリーカラ一部を
上部から見た時の上面図であり、硬質ガラス板が点線の
位置で、スリーカラー上にのっかっている。２７はガス
を導き出す排気用の穴である。

これらの放電部の全体は２８の硬質ガラス上にのっかっ
ている。

１８は上述の平行平板電極１５．ｌｆ３の上下方向以外
の周囲を密封状に覆う石英枠であり、アース板１６上に
載置し、上部に陰極板１５をウェーハホルダ（）。（板
ホルダ）１９を介して搭載している。この石英枠１８は
、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、平行平板電極１
５．１８の設置位置の上下方向が開放しているが、ガス
導入部に中空の略四角錐のガス導入部１８Ａを有する。

小径のテフロンチューブ１３を通して導入された反応ガ
スは、ガス導入部１８Ａで自然拡散で広がって、中央１
８Ｇでその断面内でのガス圧が均一の層流となる。平行
平板電極１５．１６を通ったカス導出部１８Ｂから、外
部に排気される。

このようにガス導入部１８Ａは自然拡散でガスが広がっ
て層流となるように、テーパ形状の寸法を設計する。例
えば、ガス圧が決まれば一義的にから求められるカスの
拡）＋Ｉ！１．係数をＤ、ガスの流速から求められるガ
スの到達時間をで、ガス導入部１８Ａの幅をＬとすると
、次式（１）が成立するように設計すれば、ガス導入部
＋８Ａで士分にガスが拡散しきって中央１８Ｇに流入す
るので、均一ガス圧化と層流化が得られる。

Ｌ　＜Ｊｌ「；　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　・・・（１）ここで、Ｄは例えば、ａ−Ｓｉ　：）
Ｉの場合は、ＳｉＨ４ガスを用いるために、Ｓ　ｉＨ４
の拡散係数を用いる。

なお、このガス導入部に、ジャマ板を導入し、ガスの」
二下、横方向への拡散を助長することも有効である。こ
の場合のジャマ板としては、石英板に１〜２ｍｍφ程度
の穴を沢山聞けたものや、棒状の気流障害物等が有効で
ある。

２０は膜を形成する対象のウェーハ（基板）であり、ウ
ェーハホルダ１９の段付取付穴内に装填する。複数個の
取付穴を有するウェーハホルダ１９は、陰極板１５と略
同−形状のものであり、汚染源とならず、かつ熱電導性
の良い、例えばＡ文のＬ５ｍｍ　Ｊｌ−の板を用いる。

２１はウェーハ２０を翼面（上面）から加熱するウェー
ハ加熱用シースヒータであり、ステンレス枠内のセラミ
ック絶縁部材内にニクロム線を配設した構造を有し、陰
極板１５内に内蔵されている。

２２は陰極板１５を上方から密着してかぶせるシャーレ
状の石英カバーであり、２３は石英カバー２２上にかぶ
せた蓋状のアースカバーである。石英カバー２２は電極
板１５の上面側を囲むためのものであるが、自重で電極
板１５の上に密着して積み重ねているので、ねじ止め等
の必要がない、この方パー２２としては一般には耐熱性
絶縁材料（例、セラミック）が使用できるが、石英（Ｓ
ｉ０２　）製の場合は不純物が少ないので、汚染源のお
それがない利点がある。

２４は石英カバ−２２およびアースカバー２３を貫通す
る穴に介装された絶縁性のガラス管であり、この管２４
を通してＲＦ（高周波）電源２５のリード線２６が陰極
板１５に接続する。

第１図ではこれを陰極の上部に設けているが。

側面部に設けてもよいことはいうまでもない、特にガス
流規制枠１８を複数段積層させた形で用いる時は、この
リード線は、側面からとり出す必要がある。

アモルファスシリコンの製膜を行うときには、石英台１
７上にアース板１８を置き、その上に石英枠１８、ウェ
ーハホルダ１９、ウェーハ２０、陰極板１５、石英力／
＜　−２２およびアースカバー２３を順次積み重ねる０
石英枠１８内に導入するガスの圧力は例えば０．１〜２
．０Ｔｏｒｒ　、使用ガスはアモルファスシリコンの場
合ＳｉＨ４（シラン）に、Ｐ型のアモルファスシリコン
の不純物としてＢ２Ｈ６（シボラン）。

ｎ型のアモルファスシリコンの不純物としてＰ）＋３を
少量加える。また、ヒータ２１に通電してウェーハ２０
を２５０℃〜３００℃に加熱する。テフロンチューブ１
３を通して導入されたガスはガス導入部＋８Ａで自然拡
散し、中央の側枠部１８Ｇでガス圧均−の層流となる。

電源２５による印加により平行平板電極１５．１８間に
のみ放電が生じ、プラズマ状態下で気相中のガスカ分解
し、ウェーハ２０上にアモルファスシリコン膜が形成さ
れる。

本発明において、放電をＤＣ〜１００ＫＨｚで行う時は
、試料側の電極にヒーターを入れることは当然であるが
、対極側にもヒータを入れた方がより放電が継続するの
で好ましい。

また電極間の距離は１０〜５０１１１ｆｆｉの時に放電
安定性がよく、５０ｍｍ以上にすると、放電の安全性が
悪くなる。

以上のような構成であるので、本例によれば次のような
作用効果が得られる。

■　パッシェンの放電の法則に正しく従ってＣＶＤ放電
ができる。

石英枠１８および石英カバー２２により平行平板電極１
５．１６間のみに放電が限定され、また石英枠１８によ
り平行平板電極１５，１１３間のガス圧が均一化される
のでパッシェンの放電の法則により実験値を基に放電電
流等の放電条件を計算により一義的に規定でき、これに
より放電制御を正確にかつ容易に行うことができる。

■　均一な膜質で、均一な膜厚が得られ、かつ欠陥の非
常に少ない膜ができる。

上述のように、石英枠１８のガス導入部１８Ａがガスの
自然拡散となるような形状寸法にあらかじめ設計されて
いるので、ガス導入部１８Ａでガスは自然拡散で広がっ
て平行平板電極１５．ｉｆｆ間では層流に近くなる。そ
のため放電部においてガスの流れが平行平板電極＋５．
ＩＥｉと平行で層流に近く、ガス圧が均一となり、放電
にばらつきが生じないので、均一な膜質で均一な膜厚の
膜が得られる。

また、石英枠１８で平行平板電極１５，１１３の周囲を
密封状に囲い、さらに石英カバー２２を陰極１５上にか
ぶせたので、不要な放電による粉（パウダ）の発生が防
止され細粉の舞込みが防止されることによる膜の欠陥が
発生するおそれがないので、欠陥の非常に少ないアモル
ファスシリコン膜ができる。

例えば、従来装置では、ノンドープアモルファスシリコ
ンでｎ型膜でアリ、　Ｓｉｇｎ　ニＢ２Ｈｈ　　（シボ
ラン）ガスを５〜１５ｐｐｍ加えて中性にし、それ以上
を加えてｐ型の膜にしているが、本例の装置ではＢ２）
！４ガスを１．５〜２ｐｐｍ加えただけで中性化する。

このように、少ないｐ型ドープ隈で中性になるというこ
とは非常に欠陥の少ない均質な＋１９ができていること
を意味する。すなわち、欠陥の量と伝導電子の数とは比
例するので、これを中性にするためのＰ型のドープ量が
本例では少なくて済むからである。

■　ねじ止め個所がないので、作業効率が良く、また熱
膨張によるトラブルのおそれがない。

本例の装置は個々の構成部材を上方に順に積み上げるだ
けですみ、自重により互いに密着するので、ねじ止めの
必要がない、従って、従来のようなヒータ加熱による熱
膨張によりねじ穴個所からの亀裂の発生等のトラブル発
生のおそれがない。

また、組立が極めて簡単であるので、ウェーハ２０の設
置が簡単にでき、作業効率の向上が得られる。

■５ｉＨ４（シラン）カスの使用効率が高い。

石英枠１８によって平行平板電極１５．１８間の必要空
間のみに制限されてＳ＋８４ガスが流れるので、そのガ
スはその電極間を確実に通って放電を受ける。従って、
ＳｉＨ４ガスのａ−３ｉ：旧模への変換効率が極めて高
い。このように、使用ガスの効率使用が実現できるので
製膜コストの低減も得られる。

■　蒸着装置のチャンバ内の汚染の影響を受けにくい。

使用ガスが石英枠１８および石英カバー２２等によりチ
ャンバ（ベルジャ）１１内の空間と隔離（シールド）さ
れており、しかもガス圧がチャンバの内圧よりも高く、
かつチャンバ内の部材がガラス。

石英等の汚染源とならないものを使用しているので、製
膜はチャンバ内の汚染の影響を極めて受けにくい。

また、一度放電された廃ガスが再び放電部に入り込む可
能性がないため、膜特性も良化する。また、放電ガスを
Ｐ型から、ｎ型にかえる時も、このガス流規制の石英枠
中のガスが交換されればよいため、そのきりかえが早く
行える。即ち、ガス組成をＡ型からＢ型に切りかえる時
、その切りかえ効率がよい。

■　洗浄性が良い。

汚れはガスと接触する石英枠１８、ウェーハホルダ１９
、陰極板１５およびアース板１６に限定される。

従って、これらの部材をフッ硝酸液に３０秒〜３分程度
漬けて、水洗いずれば容易に洗節できる。この場合、ウ
ェーハホルダ１９はＡＭのときには表面がアルマイトに
なり保護される。

■　リード線をつけかえるだけで電極電位を逆転できる
。

略対称に積層される構造であるので、リード線のっけか
えだけで放電方向をかえられる利点がある。この場合、
アース板１８を覆う石英カバーと、この石英カバーを下
方から覆うアースカバーを配設して、上下対称の構造に
積層すればより好ましい。

■　多量生産化しやすい。

石英枠１８等は水平に積層するだけで、自重により各部
材間の空隙を埋め、特に締具を必要としないので、熱］
膨張差による石英部材が割れる等のトラブルの発生もな
い。また、石英枠１８でガスの流れが規制されるので、
少量生産の条件および性能がそのまま多量生産にも適用
できる。従って、第１図と同様なユニットを複数段単に
垂直に積み重ねるだけで、同一処理条件で、同一品質の
製品を多量生産することが極めて容易にできる。例えば
、ウェーハホルダ１９には２〜４枚（または１０枚）程
度のウェーハ２０をセットできるので、１組の平行平板
電極の放電で例えば４枚のアモルファスシリコンのデポ
ジションをさせることができるが、このユニットを例え
ば５段蹟み重ねた場合、２０枚程度の処理が、同時にで
きる。さらに、段数の位置によって特性やばらつきが変
化せず、また製造個数を変える毎に、その特性が変化す
るということもない。

これに対し、従来装置では多量生産を行うとすると非常
に大きなチャンバーを要し、また少量生産結果が多量生
産レベルで再現し難く、製品間のばらつきが出やすい事
や、熱膨張誤差により締具位置で割れが生ずる等の問題
があった。

■　試料を陰極側にも、アース側にも設置することがで
きる。

第４図（Ａ）、（Ｃ）のＣＶＤ装置では、ガスをアース
電極側からしか出すことができなく、そのために試料を
アース側に設置することができないが、本発明のＣＶＤ
装置では、陰極側にも、アース極側にも設置することが
できる。アース側に設置した場合は、試料面上へのイオ
ンのポンへ−ドメント（ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ）が殆
んどないため、より欠陥の少ない膜が形成される。また
、アース側に設置した場合、試料へ電場が殆んどかから
ないため、積層型固体撮像素子を形成する時は、走査回
路を破壊しないというメリットをもつ。

なお、本例ではアモルファスシリコンのプラズマＣＶＤ
について述べたが、本発明はこれに限定されず、他の材
質の製膜にも適用できることは勿論である。

なお、ＣＶＤを行う０．１〜２Ｔｏｒｒのガス圧望城で
は分子拡散流領域であるが、本明細書中の１＃流という
言葉は、ガス流の断面積部内でガス圧が均一で、ｐ２υ
１Ｓ１＝ρ２υ２　Ｓ２が成立しているようなガス流の
ことを指して使っている。但し　ρ２υｌＳ１はガス流
導入側、ｐ２υ、Ｓ、はガス流の流出側を示す、ここで
、ρ＝ガス密度、υ＝ガス流速、Ｓ＝ガス流断面積でＳ
＋　＜　Ｓ２とする。

今、ＳｉＨ４のガス導入流量は３０ｃｃ／分＝　　ｉｃ
ｅ／ＳｅＣで０．４２Ｔｏｒｒ領域で放電を行っている
ため、石英枠の断面積５＝Ｉ３　Ｘ　１ｌｃｏ２として
７８０　Ｔｏｒｒ　ＸＯ，５ｃｃ／　５ｅｃ−０，４２
ＴｏｒｒＸ　３　Ｘ　１１ｃｍ２Ｘ　ｕ　ｃｍ／　ｓｅ
ａによりｖ　祐２７ｃｍ／　ｓｅｃである一一方、ガス
分子の自己拡散係数はＣＨ４ガスで０．２　ｃｍ”　／
　５ｅｅ（２９８℃、７ｆ（ＯＴｏｒｒ）であるから、
０．４２Ｔｏｒｒでは４５８　ｃｍ２７ｓｅｅ位になり
、（１）式より、層流としての速度と同等（ｃｏｍｐａ
　ｒａｂ　ｌｅ）であり、分子拡散領域にある。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、１耐熱性絶縁材
料から成るガス流規制枠（石英枠）で平行平板電極を囲
い、その枠のガス導入口をガスの自然拡散が得られるよ
うにしているので、使用ガスの流れが平行平板電極１■
に規制され、また放電部において平行平板電極板と平行
で略層流に近くなる。また、ガス流規制枠上の電極（陰
極）を耐熱性絶縁材料から成る蓋状の電極カバ−（６芙
カバー）で覆うようにかぶせるようにしたので、電極上
部での放電が防止がれ、パッシェンの法則に従った放電
制御が正確にできる。従って、本発明によれば、均一な
膜質で均一な膜厚が得られ、欠陥の非常に少ない膜がで
きると共に、使用ガスの使用効率が高く、チャンバ内の
汚染の影響を受けにくく、洗浄性が良い等の効果が得ら
れる。

また１本発明によれば、ガス流規制枠や電極カバー等を
単に積み重ねるだけで装置が構成できるようにしたので
、ねじ止め個所の必要がなく、このため作業効率が向上
し、かつ熱膨張差による割れ等のトラブルの発生のおそ
れがなく、また多層に積み上げることによって多量生産
化しやすい等の利点が得られる。

さらにまた、本発明によれば、上下対称の構成が容易に
とれるので、リード線をつけかえるだけで電極電位を逆
転できるという利点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す正面図、 第２図は第１図の要部平面図、 第３図（Ａ）　、　ＣＢ）は第１図の石英枠の構成を示
す斜視図、 第４図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来のプラズマＣＶＤ
装置の構成例を示す模式図である。 １１・・・ベルジャ、 １２・・・スルーカラー、 １３．１４・・・テフロンチューブ、 １５・・・陰極板、 １６・・・アース板、 １７・・・石芙台、 １８・・・石英枠、 １８・・・ウェーハホルタ、 ２０・・・ウェーハ、 ２１・・・シースヒータ、 ２２・・・６芙カバー、 ２３・・・アースカバー、 ２５・・・高周波電源。 本４れ５月雲瞥杷づ鄭１の工面図 第１図 第１図り零部千面図 第２図 １紙 甲　　グツ ６　加熱ヒー２ 往来装置の模式図 第４図 ス 獲釆粱置Ｏ様代図 第４図（Ｃ） 手続補正書 昭和６１年３月１４日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、酸性の表示 特願昭８０−２３４８０８号 。２）発明の名称 プラズマＣＶＤ法による製膜装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 富士写真フィルム株式会社 ４、代理人 メゾン平河３Ｆ　　電話（０３）２３９−５７５０５、
補正命令の日付　　自　発 ６、補正の対象 明細書の「３、発明の詳細な説明」の欄。 「４、図面の簡単な説明」の欄および図面７、補正の内
容 ｌ）明細書第４頁第１５行目および第５頁第６行目のｒ
　１０−１ｂ１０−１ｂをｒ　１０１３ｃｍ−３Ｊと補
正する。 ２）同第１１頁第１５行目の「テフロンチューブ１３Ｊ
を「チューブ」と補正する。 ３）同第１２頁第１行目および同頁第３行目の「スリー
カラー」を「スルーカラー」と補正する。 ４）同第１５頁第１３行目の「シボラン」を「ジボラン
」と補正する。 ５）同第１５頁第１９行目の「層流となる。」の後に「
１００部の所でガス圧が均一であることはＭＫＳ社製の
Ｂａｒａｔｒｏｎガス圧計に１ｉ８インチステンレスチ
ューブを接続し、第１図の石英枠のガスの出口よりそれ
を挿入し、ガス圧を測定することにより確認した。また
、各部のガス圧分布がほぼ理論予測通りであることも確
認した。」を挿入する。 ６）同第１６頁第８行目の「継続するので好ましい。」
の後に「それは、アース極板の温度が低いと、アース極
板上に水素含量の高い、絶縁性のアモルファスシリコン
が蒸着され、実電荷の移動が困難になり、経時とともに
放電電流が減少していく為である。ヒーターを入れるこ
とにより、ＤＣ放電ＣＶＤによる高速成膜性能が蒸着の
終りまで持続されるメリットがある。」を挿入する。 ７）同第１６頁第１０行目の「安全性」を「安定性」と
補正する。 ８）同第１８頁第１０行目の「むからである。」の後に
「例えば、具体的実施結果を第６図に示す。 これは、ペルジャー内を０．６　Ｘ　ＩＦｓＴｏｒｒに
脱気した後、Ａｒガスを０．４Ｔｏｒｒになるまで導入
し、Ａｃ１００にｌｌｚ、人力５０Ｗで１０秒間放電し
、コーニング７０５９ガラス基板表面をプラズマクリー
ニングした後、基板温度２７０℃、ＳｉＨ４ガス（１０
０％）の導入速度３０ｃｃ／分、放電電極面積１３２ｃ
ｍ２．消費電力２８凱放電時ガス圧０．２８Ｔｏｒｒ　
、電極材料はいずれもｌ、蒸着速度１．３μｍ／時の条
件で約２．３μｍ厚に蒸着し、その上に八Ｊ２のクシ型
電極を蒸着し、　ａ−５ｉ：Ｈ膜のＩ−Ｖ特性を測定し
た結果である。少量の８２Ｈ６の添加で真性化している
ことが解る。 また、酸素・窒素−２１ニア９の混合組成ガスを混入し
た時のＩ−Ｖ特性も示した。これらの不純物（ｎ型不純
物と考えられる）が入ると、これを真性化する為に、よ
り多量の８２）１６の添加が必要なことを示している。 但し、この混合ガスめ添加量は、ペルジャー内を一度、
０．６　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒまで脱気し、次に脱気を
続けながら混合ガスを導入し、その時の平衡圧力が２．
５　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ、　４　ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ、　８　Ｘ　ＩＦＳＴｏｒｒの時の導入量を示してい
る。 また、サンドイッチ型電極構造（八Ｉｌ／ａ−Ｓｔ：Ｈ
／１）のＩ−Ｖ特性もほぼ同じＩ−Ｖ特性を示した。」
を挿入する。 ９）同第２１頁第６行目の「従って」の後に「第５図に
示す如く」を挿入する。 １０）同第２３頁第４行目の［ｐ２　ｖＩＳｔ　＝ｐ２
υ２Ｓ２」を「ρ１υＩＳｔ　＝ｐ２υ２Ｓ２」と補正
する。 １１）同頁第６行目の「ρ２υ１Ｓ１」を「ρ１υ１Ｓ
】」と補正する。 １２）同頁第１０行目〜第１１行目のｒ３０ｃｃ／分−
Ｉｃｅ／ｓｅｃ　Ｊをｒ　３０ｃｃ／分＝　０．５ｃｃ
／秒」と補正する。 １３）同第２５頁第１３行目の「模式図である。」を次
のように補正する。 「模式図、 第５図は本発明装置の他の実施例の構成を示す正面図、 第６図は本発明実施例の結果を示すＩ−Ｖ特性の特性図
である。」 １４）図面の第１図を別紙の通り訂正し、第５図および
第６図を追加する。 以　　　上 本発日月賞文片七１ｕｌｌの正面図 第１図 化の冬寮明室カ引序・１の正１旧２ 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ａ）下部電極と上部電極とから成り、プラズマＣＶ
   Ｄの放電に用いる水平配置の平行平板電極と、 ｂ）該平行平板電極の周囲を覆い、ガス流を該平行平板
   電極間に規制する耐熱性絶縁材料から成るガス流規制枠
   と、 ｃ）該ガス流規制枠と一体で、該ガス流規制枠に流入す
   るガスを自然拡散により層流にするガス流導入部と、 ｄ）前記上部電極の上部を覆う耐熱性絶縁材料から成る
   電極カバーと、 ｅ）該電極カバーの上部を覆うアースカバーとを有し、 ｆ）前記下部電極、前記ガス流規制枠、基板を保守する
   基板ホルダ、前記上部電極、前記電極カバー、前記アー
   スカバーの順に下から積み上げて構成したことを特徴と
   するプラズマＣＶＤ法による製膜装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記耐
   熱性絶縁材料は石英であることを特徴とするプラズマＣ
   ＶＤ法による製膜装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
   いて、 前記ガス流規制枠を有するユニットを複数 段積層して構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ法
   による製膜装置。