JPS6288567A - ダイヤモンドチツプ工具の製法 - Google Patents

ダイヤモンドチツプ工具の製法

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JPS6288567A
JPS6288567A JP22777585A JP22777585A JPS6288567A JP S6288567 A JPS6288567 A JP S6288567A JP 22777585 A JP22777585 A JP 22777585A JP 22777585 A JP22777585 A JP 22777585A JP S6288567 A JPS6288567 A JP S6288567A
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JP
Japan
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diamond
metal film
chip
tip
base material
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JP22777585A
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JPH0464808B2 (ja
Inventor
Tetsuo Fujimori
哲雄 藤森
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RIKEN DAIYAMONDO KOGYO KK
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RIKEN DAIYAMONDO KOGYO KK
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  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はコンクリートの切断等に使用されろダイヤモン
ドチップ工具の製法に関する。
従来の技術 ダイヤモンドチップ工具は、一般に・鋼等よりなる基材
の先端に、チップボンド月内にダイヤモンド粒を分散さ
せ焼結してなるダイヤモンドチップを、接合して製造さ
れろ。
従来は、このダイヤモンドチップ焼結C二当り、基材と
の接合面にダイヤモンド粒が露出し接合を妨げることの
ないようにチップボンド材のみからなる層を形成し、こ
の層と基材とを、ロウ材を用いて接合したり、あるいは
ロウ材を用いることな(レーザビームを用いて直接溶融
接合している。
発明が解決しようとする問題点 この従来の方法では、ダイヤモンドチップ焼結時(二ボ
ンド材のみからなる層を形成しなければならす、しかも
この層の表面は基材の先端C二正確に密接するよう高い
精度(二仕上げなければならないので、焼結f二多大の
手数を要する。
またロウ材を用いて接合すると、ロウt4の融点が低い
ため、切断作業に使用しているときの完熟によりダイヤ
モンドチップの脱落を生ずることがある。またレーザビ
ームを用いて接合すると、耐熱性は良好となるが、チッ
プボンド材がコバルトあるいはニッケルを主成分とする
合金の場合にしか十分な強度が得られず、現在広(用い
られている銅あるいは銅−錫系の合金を使用した場合C
二は、低強度となり実用鴫二供することはできない。
そこで本発明は、チップボンド材のみからなる層を省い
て焼結工程を、簡易化することができ、かつチップボン
ド材の材fC二よらず優れた接合強度と耐熱性の得られ
るダイヤモンドチップ工具の製法を実現しようとするこ
とを目的として開発されたものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、チップボンド材のみからなる層を形成するこ
となく、全体を均一に焼結したダイヤ、モンドチツプと
基材とを、中間に金属膜体を介在させて突き合わせ、こ
の突き合わせ部に側方からレーザビームまたは電子ビー
ムを照射して加熱し、ダイヤモンドチップ外形にチップ
ボンド材の融解C二よる変形を生ずる以前C二前記金属
膜体を融解して接合することを特徴とするダイヤモンド
チップ工具の製法である。
以下各工程について図を参照しつつ詳しく説明する。
本発明(:使用するダイヤモンドチップlはダイヤモン
ド粒をチップボンド材中C二均−に分散させて焼結した
ものであり、チップボンド材のみからなる層は不要であ
り、また従来のような高い寸法精度も必要ない。したが
ってこのダイヤモンドチップは、基材との接合面にダイ
ヤモンド粒が露出した状態となっている。このチップボ
ンド材には、コバルト、ニッケル、銅、銅−錫等を主成
分とするもの等任意の材質を用いることができる、 次にこのダイヤモンドチップlを基杓2に金属膜体3を
挾んで突き合わせる。
この基材2は従来と同じものであって、通常は鋼製であ
る。
この金属膜体3は、融解してダイヤモンドチップと基材
とを結合するものであって、コバルト、ニッケルあるい
はこれらの1または2を含む合金を用いろとチップボン
ド材の材質によらず、良好に接合することができる。ま
た他にモリブデン、クロム、跣、銀等を含む合金等も使
用可能である。この金属膜体の融点は、工具の耐熱性を
高めるため、高いほどよ(、チップボンド材より高いこ
とが望ましい。この金属膜体なダイヤモンドチップと基
材の間に挾むには、図示のよ5に金属膜体をテープ状に
して挾む方法あるいは膜体な形成する金属をメッキ、浴
射等によりダイヤモンドチップ、基材の一方または双方
の接合面に付着させておく方法等を用いる、 次にこの突き合わせ部に側方からレーザビーム4または
電子ビームを照射して加熱し、金属膜体を融解して接合
させる。このときビームのスポット径を絞り、突き合わ
せ部のみを集中的に照射し、さら(二十分大出力のビー
ムを用いて短時間に加熱するようにし、チップボンド材
の融解(二よりダイヤモンドチップ外形に膨れ等の変形
を生ずる以前に金属膜体を融解し接合を完了してしまう
。この金属膜体を融解し、ダイヤモンドチップ外形(二
影響を及ぼさない加熱時間が存在することは本発明の発
明者により発見されたものであり、ダイヤモンドチップ
内の熱伝導率が分散しているダイヤモンド粒(二より低
下していることがその理由になっていると推測される。
この加熱時間は各ダイヤモンドチップの性質、ビーム出
力等ζ=より異なるが、スポット接合を行な5場合には
1秒以下、連続接合を行なう場合(:は100m/分以
上の移動速度を用いれは十分である。この加熱は局所的
、短時間であるため高@口することができ、チップボン
ド材以上の融点をもつ金属膜体であっても融解し接合(
二利用することができる。さらにこの加熱が良好である
ことから接合面にダイヤモンド粒が露出していても、接
合面の寸法精度が低くても支障な(高強度の接合が可能
となる。なおビームの照射は、通常の接合部@(基材側
2〜3、5 tm 、ダイヤモンドチップ側4〜6 m
 )では、−側方からだけで十分であるが、特に接合部
鳴の大きいときC:は両側方から行なう必要がある。
実施例 以下本発明の実施例−二ついて述べろ・〔例1〕 Fe10wt%、Cu−3r+60wt%、N1N15
Q%の組成をもつチップボンド材中にダイヤモンド粒を
均一に分散させて集中度20%のダイヤモンドチップを
形成し、これと鋼製基材とを、Co20wt%、λ4o
7wt %、  Pe5,5wt%、 B3,5wt%
、Crlovt%、Ni残の組成をもつ厚さ63μmの
テープ状金属膜体(液相線温度1165℃)を挾んで突
き合わせ、出力1KXvのCotレーザをスポット径0
.15WIとじて突き合わせ部に沿って1.5m/分の
速度で移動させつつ照射し、接合させた。
この照射中)Ieガスを601!/分の割合で接合部に
噴射している。
こうして完成した工具について、接合部のせん断強度を
測定したところ、38に9/wmの値を得た。
比較のため、同一のチップボンド材、同一の集中度で、
接合面にチップボンド材のみからなる層を有するダイヤ
モンドチップを形成し、金属膜体を用いることな(直接
基材にレーザで接合したものおよび通常の銀ロウ付1:
より接合したものを表作し、同様にせん断強度を測定し
たところ、前者では2〜4に9 / wm、後者では8
〜10KP/mであった。
すなわち直接基材に接合したものは低強度で実用不可能
であるの(二対し、本発明では、従来の銀ロウ付のもの
に比べて約4倍の強度が得られ、極めて強力であること
が解る。
またこの工具を800℃まで加熱したところ、ダイヤモ
ンドチップC二はCu−8o合金の融解i二よる膨れが
生じたが、接合部には剥離等の変化は全く発生しなかっ
た。
〔例2〕 前記例と同一のダイヤモンドチップに、厚さ40μmの
N1メッキを施し、これを鋼製基材に突き合わせて、前
記と同じ方法によりレーザビームを照射し接合した。
こうして完成した工具について接合部のせん断強度を測
定したところ40に97WIの値を得た。
またこの工具を800℃に加熱したところ前記と同様の
結果を得た。
発明の効果 以上のように本発明の製法では、金属膜体な介在させこ
れをレーザビーム、を子ビームで高温に加熱して接合す
るので、ダイヤモンドチップ(−1従来必要であったチ
ップボンド材のみからなる層が不要となり、同時に寸法
精度を低下させることができるようになり、この結果チ
ップ焼結工程が簡易化される。
さらにチップボンド材の材質が何であっても優れた耐熱
性を有する接合が可能であり、%f二チップボンド材以
上の融点を有する金属膜体を用いることによりダイヤモ
ンドチップ自体の限界まで高温に耐える工具を実現する
ことができる。したがって冷却水を使用しない、いわゆ
るドライカッティングC:使用する工具には最適となる
また接合強度も優れているので、通常の使用C二おいて
もダイヤモンドチップの脱落が生じに(くなる。
加えてレーザビーム、電子ビームを用い高速な接合を行
なうので、生産性の向上C二も投置っ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一笑施例な示す説明断面図である。 1・・・・・・ダイヤモンドチップ、  2・・・・・
・基材、  3・・・金属膜体、  4・・・・・レー
ザビーム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、チップボンド材のみからなる層を形成することなく
    全体を均一に焼結したダイヤモンドチップと基材とを、
    中間に金属膜体を介在させて突き合わせ、この突き合わ
    せ部に側方からレーザビームまたは電子ビームを照射し
    て加熱し、ダイヤモンドチップ外形にチツプボンド材の
    融解による変形を生じる以前に前記金属膜体を融解して
    接合することを特徴とするダイヤモンドチップ工具の製
    法。 2、チップボンド材より高い融点を有する金属膜体を用
    いる特許請求の範囲第1項記載のダイヤモンドチップ工
    具の製法。 3、金属膜体にコバルト、ニッケルまたはこれらの1も
    しくは2を含む合金を用いる特許請求の範囲第1項また
    は第2項記載のダイヤモンドチツプ工具の製法。 4、ダイヤモンドチップと基材との間にテープ状の金属
    膜体を挾む特許請求の範囲第1項、第2項または第3項
    記載のダイヤモンドチップ工具の製法。 5、ダイヤモンドチップと基材の一方または双方の接合
    面に金属膜体をメッキ、溶射等によりあらかじめ付着さ
    せておく特許請求の範囲第1項、第2項または第3項記
    載のダイヤモンドチップ工具の製法。
JP22777585A 1985-10-15 1985-10-15 ダイヤモンドチツプ工具の製法 Granted JPS6288567A (ja)

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JPH0464808B2 JPH0464808B2 (ja) 1992-10-16

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0517460A2 (en) * 1991-06-04 1992-12-09 General Electric Company Method for producing chemically bonded adherent coatings on abrasive compacts
US7398658B2 (en) * 2000-07-20 2008-07-15 David Benderly Gemstone marking system and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730578A (en) * 1980-08-01 1982-02-18 Yoshimoto Paul Kk Formation of corrosion-proof film on metal article or the like
JPS60234776A (ja) * 1984-05-08 1985-11-21 Osaka Daiyamondo Kogyo Kk カツタ−セグメントの溶接方法

Patent Citations (2)

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