JPH01283367A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH01283367A JPH01283367A JP11227988A JP11227988A JPH01283367A JP H01283367 A JPH01283367 A JP H01283367A JP 11227988 A JP11227988 A JP 11227988A JP 11227988 A JP11227988 A JP 11227988A JP H01283367 A JPH01283367 A JP H01283367A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002360 explosive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- 239000003721 gunpowder Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野j
この発明は、スパッタリング用ターゲットの製造方法に
係わり、特に、ターゲット本体とバッキングプレートと
を強固に接合し得る製造方法に関する。
係わり、特に、ターゲット本体とバッキングプレートと
を強固に接合し得る製造方法に関する。
「従来の技術」
スパッタリングの方式には、直流二極スパッタリング、
高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリングな
どがあり、これらのいずれの方式においても、被膜形成
物質となるターゲットが使用されている。そして、この
ようなターゲットは、通常冷却板となるバッキングプレ
ートに単体金属や合金からなるターゲット本体が接合さ
れた構造になっている。
高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリングな
どがあり、これらのいずれの方式においても、被膜形成
物質となるターゲットが使用されている。そして、この
ようなターゲットは、通常冷却板となるバッキングプレ
ートに単体金属や合金からなるターゲット本体が接合さ
れた構造になっている。
ところで、上記のターゲットを製造するには、軟ろう祠
をターゲット本体とバッキングプレートとの間に挟み、
真空中で加熱・加圧することに」;す、ターゲット本体
とバッキングプレートとを接合している。そして、この
ようにして作製されたターゲットは、“スパッタリング
処理時において、アルゴン、窒素、メタンなどのガス中
でイオンの衝突を受(Jて発熱するため、バッキングプ
レートを介して冷却水で冷却されて使用される。
をターゲット本体とバッキングプレートとの間に挟み、
真空中で加熱・加圧することに」;す、ターゲット本体
とバッキングプレートとを接合している。そして、この
ようにして作製されたターゲットは、“スパッタリング
処理時において、アルゴン、窒素、メタンなどのガス中
でイオンの衝突を受(Jて発熱するため、バッキングプ
レートを介して冷却水で冷却されて使用される。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上記の製造方法により得られたターゲッ
トにあっては、軟ろう材のターゲット本体またはバッキ
ングプレートに対する濡れ性不足により、ターゲット本
体とバッキングプレートとの間に空隙等が生じてターゲ
ット本体とバッキングプレートとの間に十分な接合強度
が得られず、よってスパッタリング中にターゲット本体
がバッギンクプレートから剥離し脱落したり、バッキン
グプレー)・によろ冷却か十分になされず、これにより
ターケラト材が高熱になって破損しあるいは溶融オろど
いっノこ問題がある。
トにあっては、軟ろう材のターゲット本体またはバッキ
ングプレートに対する濡れ性不足により、ターゲット本
体とバッキングプレートとの間に空隙等が生じてターゲ
ット本体とバッキングプレートとの間に十分な接合強度
が得られず、よってスパッタリング中にターゲット本体
がバッギンクプレートから剥離し脱落したり、バッキン
グプレー)・によろ冷却か十分になされず、これにより
ターケラト材が高熱になって破損しあるいは溶融オろど
いっノこ問題がある。
この発明は上記問題を解決するためになされたしので、
ターゲット本陣とハノギノグプレー)・とを十分な強度
で接合し得ろスパッタリンク用ターゲットの製造方法を
提供することを1」的とオろものである。
ターゲット本陣とハノギノグプレー)・とを十分な強度
で接合し得ろスパッタリンク用ターゲットの製造方法を
提供することを1」的とオろものである。
[課題を解決するための手段 1
この発明では、ターゲット本陣とバッキングプレ−1・
とを、軟ろう、接着剤等の接合用+A Itを介するこ
となく直接接合ケることを」1記課題の解決手段とした
。
とを、軟ろう、接着剤等の接合用+A Itを介するこ
となく直接接合ケることを」1記課題の解決手段とした
。
この発明の製造方法において(J、ターゲット本体とバ
ッキングプレ−1〜とを接合リーろにあたり、軟ろうや
接着剤等の接合JT口A Itを用いろことなく、ター
ゲット本陣とバッキングプレ−1・とを直接接合ずろこ
とによってスパッタリンク用ターゲットを作製するよう
にした。ここで、ターゲット本体とバッキングプレート
とを直接接合する方法としては、圧接法が採用される。
ッキングプレ−1〜とを接合リーろにあたり、軟ろうや
接着剤等の接合JT口A Itを用いろことなく、ター
ゲット本陣とバッキングプレ−1・とを直接接合ずろこ
とによってスパッタリンク用ターゲットを作製するよう
にした。ここで、ターゲット本体とバッキングプレート
とを直接接合する方法としては、圧接法が採用される。
圧接法(J、接続すべき両金属を粘性状態あるいは溶融
に近い状態において機械的+−■撃または圧力を加えて
圧着する方法であり、これに属する方法として(」例え
ば爆圧接(爆着)や、抵抗溶接、熱間ロール圧延、拡散
接合などの方法か挙げられろ。
に近い状態において機械的+−■撃または圧力を加えて
圧着する方法であり、これに属する方法として(」例え
ば爆圧接(爆着)や、抵抗溶接、熱間ロール圧延、拡散
接合などの方法か挙げられろ。
爆圧接は、火薬が爆発するときに発生ずる強力なエネル
ギーを利用して2枚の板を圧接する方法であって、例え
ばターゲット素材とバンキングプレート素(2のそれぞ
れの背面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を
激突さU′、その際の強圧によって接合する方法である
。
ギーを利用して2枚の板を圧接する方法であって、例え
ばターゲット素材とバンキングプレート素(2のそれぞ
れの背面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を
激突さU′、その際の強圧によって接合する方法である
。
抵抗溶接は、抵抗発熱によって被溶接伺の局部温度を上
げ、加圧力の作用下に、溶接部を溶融させあるいは溶融
させることなく接合する方法である。
げ、加圧力の作用下に、溶接部を溶融させあるいは溶融
させることなく接合する方法である。
熱間[1−ル圧延は、ターゲット素祠およびバッキング
プレー1〜素材を加熱した状態で回転ロール間に通し、
ターゲット素祠およびバッキングプレ−ト素材を圧接す
る方法である。
プレー1〜素材を加熱した状態で回転ロール間に通し、
ターゲット素祠およびバッキングプレ−ト素材を圧接す
る方法である。
拡散接合としては、例えば励振された超音波振動エネル
ギーを、ある加圧のもとに被接合部に与えてターゲット
素14とバノキンクプレート素材とを接合する超音波溶
接法や、ターケノト素+Aとバソキンクプレート素祠と
を重ね合わU″、適当な治具て加圧固定し、アルゴンや
水素なとの無酸化状態の気流中で加熱しながら接合■し
める炉中圧接法などが挙げられろ。
ギーを、ある加圧のもとに被接合部に与えてターゲット
素14とバノキンクプレート素材とを接合する超音波溶
接法や、ターケノト素+Aとバソキンクプレート素祠と
を重ね合わU″、適当な治具て加圧固定し、アルゴンや
水素なとの無酸化状態の気流中で加熱しながら接合■し
める炉中圧接法などが挙げられろ。
「作用 ]
このJ′、うな製造方法によれば、ターゲット本体とバ
ッキングプレ−1−とを、ろう祠、接着剤等の接合用材
料を介することなく直接接合ずろので、接合用+J E
+のターゲット本陣なとに対する濡れ性不足に起因する
接合不良か防止され、ターゲット本陣とバッキングプレ
ートとの間に強固な接合強度が得られろ。
ッキングプレ−1−とを、ろう祠、接着剤等の接合用材
料を介することなく直接接合ずろので、接合用+J E
+のターゲット本陣なとに対する濡れ性不足に起因する
接合不良か防止され、ターゲット本陣とバッキングプレ
ートとの間に強固な接合強度が得られろ。
「実施例」
以下、実施例によりこの発明の製造方法を具体的に説明
4−ろ。
4−ろ。
(実施例1 )
爆圧接法によってスパッタリンク用ターゲットを作製し
た。
た。
ます、パラキンクプレート累月として幅650m次、長
さ1250mm、厚さ22mmの無酸素銅板を用意した
。また、ターゲット素材として幅680myh、長さ1
280nm1厚さ671mのニッケル板を用意した。次
に、これら無酸素銅板およびニッケル板のそれぞれの接
合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗aトを施した。
さ1250mm、厚さ22mmの無酸素銅板を用意した
。また、ターゲット素材として幅680myh、長さ1
280nm1厚さ671mのニッケル板を用意した。次
に、これら無酸素銅板およびニッケル板のそれぞれの接
合面をパフ研磨仕上げし、さらに脱脂洗aトを施した。
次いで、ごれら無酸素銅板とニッケル板のそれぞれの背
面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を激突さ
せ、その際の強圧によって無酸素銅板とニッケル板とを
接合せしめた。その後、接合された画板を直径5インチ
の円板状に切り出し、スパッタリンク用ターゲットAと
した。
面に火薬を装填し、この火薬を爆発させて両者を激突さ
せ、その際の強圧によって無酸素銅板とニッケル板とを
接合せしめた。その後、接合された画板を直径5インチ
の円板状に切り出し、スパッタリンク用ターゲットAと
した。
このような−回の接合加工により、45枚のスパッタリ
ンク用ターゲットAが得られた。
ンク用ターゲットAが得られた。
(実施例2 )
抵抗溶接法の−・種であるンーム溶接によってスバッタ
リング用ターゲットを作製した。
リング用ターゲットを作製した。
まず、バッキングプレート素材として幅1501、長さ
2000 mm、厚さ20mmの無酸素銅板を用意した
。また、ターゲット素材として幅160m屑、長さ20
50m屑、厚さ6ziのニッケル板を用意した。次に、
これら無酸素銅板およびニッケル板のそれぞれの接合面
をハフ研磨性」−げし、さらに脱脂洗浄を施した。次い
で、第1図に示したように」−記無酸素銅板lとニッケ
ル板2とを重ね合わせ、電源3に接続されたローラ電極
4.4により、連続的にノーム溶接を行って無酸素銅板
lとニッケル板2とを接合した。その後、接合されノー
画板を直径5インヂの円板状に切り出し、スパッタリン
グ用ターゲットBとした。
2000 mm、厚さ20mmの無酸素銅板を用意した
。また、ターゲット素材として幅160m屑、長さ20
50m屑、厚さ6ziのニッケル板を用意した。次に、
これら無酸素銅板およびニッケル板のそれぞれの接合面
をハフ研磨性」−げし、さらに脱脂洗浄を施した。次い
で、第1図に示したように」−記無酸素銅板lとニッケ
ル板2とを重ね合わせ、電源3に接続されたローラ電極
4.4により、連続的にノーム溶接を行って無酸素銅板
lとニッケル板2とを接合した。その後、接合されノー
画板を直径5インヂの円板状に切り出し、スパッタリン
グ用ターゲットBとした。
上記実施例1.2て作製したスパッタリング用ターゲッ
トA、Hの、ターゲット本体とバッキングプレートとの
接合強度を測定し、さらにこれらをターゲットとしてス
パッタリングに使用した際の使用出力限界を測定し、そ
の結果を第1表に示した。
トA、Hの、ターゲット本体とバッキングプレートとの
接合強度を測定し、さらにこれらをターゲットとしてス
パッタリングに使用した際の使用出力限界を測定し、そ
の結果を第1表に示した。
また、熱間ロール圧延法および拡散接合法によ−、てそ
れぞれ作製したスパッタリング用ターゲットC,Dの接
合強度および使用出力限界も同様に測定し、その結果を
第1表に示した。
れぞれ作製したスパッタリング用ターゲットC,Dの接
合強度および使用出力限界も同様に測定し、その結果を
第1表に示した。
さらに、比較のため、直径5インヂ、厚さ3mmのニッ
ケル製ターゲット本体と、直径5インチ、厚さ3uの無
酸素銅製のバッキングプレートとの間にろう)Aを挟み
、加熱・加圧を施して接合ずろ従来のろう付は法によっ
てスパッタリング用ターゲットを作製し、接合強度およ
び使用出力限界を測定してその結果を第1表に示した。
ケル製ターゲット本体と、直径5インチ、厚さ3uの無
酸素銅製のバッキングプレートとの間にろう)Aを挟み
、加熱・加圧を施して接合ずろ従来のろう付は法によっ
てスパッタリング用ターゲットを作製し、接合強度およ
び使用出力限界を測定してその結果を第1表に示した。
以下余白
第1表
第1表に示した結果より、本発明の製造方法によるスパ
ッタリング用ターゲットは、いずれも従来法によるター
ゲットに比較して接合強度および使用出力限界に優れて
いることか確認された。
ッタリング用ターゲットは、いずれも従来法によるター
ゲットに比較して接合強度および使用出力限界に優れて
いることか確認された。
また、本発明方法によるスパッタリンク用ターゲットA
、Bと、ろう付は法による従来品とを透過X線で観察し
たところ、従来品ではターゲット本体とバッキングプレ
ートとの間に空隙が形成されているのが確認されたが、
本発明方法によるスパッタリング用ターゲットA、B、
C,Dでは全く空隙が観察されず、ターゲット本体とバ
ッキングプレートとが良好に接合していることが確認さ
れた。
、Bと、ろう付は法による従来品とを透過X線で観察し
たところ、従来品ではターゲット本体とバッキングプレ
ートとの間に空隙が形成されているのが確認されたが、
本発明方法によるスパッタリング用ターゲットA、B、
C,Dでは全く空隙が観察されず、ターゲット本体とバ
ッキングプレートとが良好に接合していることが確認さ
れた。
同様の結果はターゲット用素材として、チタン板を、又
、バッキングプレート素材として銅合金板を用いた場合
にも得られた。
、バッキングプレート素材として銅合金板を用いた場合
にも得られた。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のスパッタリング用ター
ゲットの製造方法は、ターゲット本体とバッキングプレ
ートとを、ろう材、接着剤等の接合用材料を介すること
なく直接接合するものであるから、接合用材料のターゲ
ット本体などに対する濡れ性不足に起因する接合不良を
防止することができ、ターゲット本体とバッキングプレ
ートとの間に強固な接合強度を有ずろターゲソ1、を作
製ずろことかできろ。
ゲットの製造方法は、ターゲット本体とバッキングプレ
ートとを、ろう材、接着剤等の接合用材料を介すること
なく直接接合するものであるから、接合用材料のターゲ
ット本体などに対する濡れ性不足に起因する接合不良を
防止することができ、ターゲット本体とバッキングプレ
ートとの間に強固な接合強度を有ずろターゲソ1、を作
製ずろことかできろ。
また、この発明によるスパッタリンク用ターケットを用
いれば、ターゲット本体とハノギングプレートとか強固
に接合しているため、スパッタリンク中にターケラ1〜
本体かバソギングプレ−1・から剥離し脱落するといっ
た不都合を防止することができ、さらにバソギングプレ
−1・と空隙を介することなく良好に接合していること
から、ターゲット本体が高熱になって破損しあるい(」
溶融するといった不都合をも防止することができろ。
いれば、ターゲット本体とハノギングプレートとか強固
に接合しているため、スパッタリンク中にターケラ1〜
本体かバソギングプレ−1・から剥離し脱落するといっ
た不都合を防止することができ、さらにバソギングプレ
−1・と空隙を介することなく良好に接合していること
から、ターゲット本体が高熱になって破損しあるい(」
溶融するといった不都合をも防止することができろ。
さらに、ろう材等の接合用I)It−’lを使用してい
ないため、接合用飼料の溶解に起因するターゲンI・本
体の剥離か起こらず、よって高出力のスパッタリンクが
可能となる。
ないため、接合用飼料の溶解に起因するターゲンI・本
体の剥離か起こらず、よって高出力のスパッタリンクが
可能となる。
第1図はこの発明のスパッタリンク′用ターゲソ1〜の
製造方法に係わる図であって、抵抗溶接法の一種として
のノーム溶接の原理図を示4−図である。 1 無酸素銅板、2 ニッケル板、3 トランス
、4 ローラ電極
製造方法に係わる図であって、抵抗溶接法の一種として
のノーム溶接の原理図を示4−図である。 1 無酸素銅板、2 ニッケル板、3 トランス
、4 ローラ電極
Claims (1)
- ターゲット本体とバッキングプレートとを、接合用材料
を介することなく直接接合することを特徴とするスパッ
タリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63112279A JP2831356B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63112279A JP2831356B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283367A true JPH01283367A (ja) | 1989-11-14 |
JP2831356B2 JP2831356B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14582722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63112279A Expired - Lifetime JP2831356B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2831356B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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