JPS62869B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS62869B2
JPS62869B2 JP52156645A JP15664577A JPS62869B2 JP S62869 B2 JPS62869 B2 JP S62869B2 JP 52156645 A JP52156645 A JP 52156645A JP 15664577 A JP15664577 A JP 15664577A JP S62869 B2 JPS62869 B2 JP S62869B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
copper
elements
added
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52156645A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5382000A (en
Inventor
Heningusu Detoreefue
Shurainematsuheru Heruberuto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JPS5382000A publication Critical patent/JPS5382000A/ja
Publication of JPS62869B2 publication Critical patent/JPS62869B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/49Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、化学量論的のアルカリ土金属チタン
酸塩、アルカリ土金属ジルコン酸塩、アルカリ土
金属錫酸塩および銅化合物からなる添加物とのそ
れらの混晶を基礎としたペロブスキー石型構造を
有する誘導体の製造方法に関するものである。 チタン酸バリウムまたはチタン酸カルシウムお
よびジルコン酸バリウムまたはチタン酸ストロン
チウムまたは錫酸バリウムとのチタン酸バリウム
の混晶から成る焼結セラミツク混合物、従つて
(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3;Ba(Ti,Zr)O3;Ba
(Ti,Sn)O3;(Ba,Sr)TiO3は、セラミツク
コンデンサの製造において誘電体として用いられ
る。十分なセラミツク密度を得るためには、その
ような材料を1300℃より高い温度で、しばしば
1400℃位の温度にも焼結しなければならない。 英国窯業協会議事録1975年第74巻第5号第165
〜169頁「Trans.Brit.Ceram.Soc.」74(1975)No.
5,P165〜169)は、繰返し再現性のある方法で
1200℃より高い焼結温度においてチタン酸バリウ
ムの緻密な焼結を得るために0.5モル%の銅の添
加物を用いることを開示している。しかしなが
ら、チタン酸バリウムを密度を大きく焼結するこ
とは、現状の当技術によつては評価のできる問題
を与えない。 前記の高い焼結温度は、反対に難問題を提供す
る。これらの問題は、例えば酸化ジルコニウムか
ら成る、焼結中に用いられる非常に高価な耐火材
料に対する焼結すべき材料の著しい相互作用、焼
結炉の可成りの損耗および比較的高いエネルギー
コストにある。 本発明の目的は、焼結本体の物理的および、特
に誘電的特性が維持されるが、これらの焼結本体
の製造方法が安価になりかつ簡単になるような温
度のレベルまで、アルカリ土金属チタン酸塩、ア
ルカリ土金属ジルコン酸塩およびアルカリ土金属
錫酸塩の焼結温度を低下させることである。 本発明によれば、これは実際にペロブスキー石
結晶格子に組立てることができなくて、かつ
Me〓O2が元素の周期系(PSE)の第族元素の
少くと1種の酸化物である場合、共融混合物
CuO・Cu2OまたはCuO・Cu2O・Me〓O2を形成
する化合物を、化学量論的のペロブスキー石(灰
チタン石CaTiO3)化合物に対し添加することによ
つて、また1000〜1250℃の温度範囲において0.2
〜1バール(bar)の酸素分圧において化合物の
混合物を焼結することによつて成しとげられる。 すなわち、本発明は、化学量論的のアルカリ土
金属チタン酸塩、アルカリ土金属ジルコン酸塩、
アルカリ土金属錫酸塩、および銅化合物の添加物
とのこれらの混晶を基礎としたペロブスキー石型
構造を有する誘導体の製造方法において、銅化合
物と、元素の周期系(PSE)の第族からの元素
の化合物とを、各0.5〜3モル%の量だけ化学量
論的のペロブスキー石型構造に添加し、かつこれ
らの化合物の混合物を、元素の周期系(PSE)の
第族から選んだ前記元素の酸化物または前記元
素の2種または3種以上の混合物の酸化物を
Me〓O2にて表わすと、共融混合物(共晶)
CuO・Cu2OまたはCuO・Cu2O・Me〓O2を生成
させるために、1000〜1250℃の温度範囲で0.2〜
1バール(bar)の酸素分圧において焼結するこ
とを特徴とする。 本発明は、セラミツクのペロブスキー石材料の
電気的性質をたゞ変化させるためではなくて、む
しろ大きくされた粒子成長によつて電気的性質を
改良するために、このペロブスキー石化合物への
添加物が、実質的にペロブスキー石結晶格子に組
入れられるべきではなく、ある一定量の固定した
ペロブスキー石の相を液状に溶解しかつ違つた場
所において固体の形状に再びそれを堆積させるこ
とができなければならないという認識に基づく。
「実質的にペロブスキー石結晶格子に組入れられ
ない」ということは、1200℃より低い焼結温度で
焼結されるセラミツクペロブスキー石材料におい
ては、共融混合物を形成する化合物から結晶格子
に元素が結合することを証明できないということ
を意味し、かつ1200℃より高い焼結温度で焼結さ
れるセラミツクペロブスキー石材料においては、
これらの元素の単に痕跡だけが1/1000(0.1%)
以下のある量において結合することが証明できる
ということを意味する。セラミツク組立てにおい
てミクロスケールでここで行なわれるこの方法
は、いわば熔融物からの結晶成長と考えられても
よく、共融混合物の熔融物が粒子限界にあり、か
つセラミツク材料の微結晶(ミクロクリスタル)
を埋め込むが実質的に結晶中に侵入しない。ペロ
ブスキー石の相の粒子間におけるこの促進された
拡散輸送は、増大した粒子成長に対する理由であ
り、かつ活性化された焼結挙動に対する理由にす
ることができる。 本発明の別の敷延された部分によれば、元素の
周期系の第族の元素および/または銅の化合物
が毎回0.3〜3モル%の量で添加され、元素の周
期系の第族の元素の銅化合物が1:3〜3:1
のモル比にて添加される。 本発明の他の実施例によれば30モル%のアルカ
リ土金属元素を鉛で置き換えることができる。 ペロブスキー石の相を形成する出発材料を混合
した後、1100〜1200℃の温度範囲にて〓焼処理を
行なうことができる。 この〓焼処理に先立ち添加すべき銅の一部分を
添加することは、例えばBa(Ti,Zr)O3に対す
る混晶の形成を非常に容易にするという利点を与
える。ジルコニウムを含む混晶の生成においては
1200℃の〓焼温度においてさえ殆んど混晶の形成
が起らず、かつある一定の環境においてこの系の
組立てに用いられる出発材料の完全な変換が何等
起らなかつたことが知られている。高度の混晶形
成を得るには第2の〓焼処理が実際に用いられ
る。本発明による方法を用いれば第2の〓焼処理
が必要でなくなる。その理由はこの系の組立てに
用いられる出発材料の完全な変換が約1100℃位の
温度で既に起り1200℃において大幅に完成される
混晶の形成が開始されたからである。 本発明による方法を用いて得られる附加的の利
点は、特に既知のチタン酸塩、ジルコン酸塩およ
び錫酸塩に比較して相対的に低い焼結温度が本発
による方法によつて生成されるチタン酸塩、ジル
コン酸塩、および錫酸塩またはそれらの混晶に対
して十分間に合うということにある。それ故可成
り安い耐火物を焼結中に用いることができる。同
時にまた、焼結中に用いられる耐火材料用の耐火
性の原料に関しての選択を遥かに広くする。本発
明による方法にて必要とする焼結温度において、
例えば、金属支持体のような、特に熱伝導度の良
好な耐火材料を用いることができる。 本発明による方法によつて製造されたチタン酸
バリウム―BaTiO3は50μmを越える直径の粒子
の大きさおよび、1320℃より高い焼結温度におい
てのみ添加物なしにBaTiO3によつて得ることが
できる理論密度の98〜99.5%の密度を有する粗い
結晶性の緻密な構造を、1000℃より高い焼結温度
において既に与える。粒子の大きさが材料の誘電
的性質に対し決定的であるので、粒子成長が増大
されるのに対し、大発明による方法を用いて粒子
構造を再現性を有する方法で制御することができ
ることは決定的な利点である。 その上、誘電率εおよび誘電損角tanδのよう
な、本発明による混合物から成るセラミツク焼結
体の良好な誘電的性質が添加物によつて永久に影
響を受けないし、また積極的な意味でも左右され
ないことは特に有利である。例えば、tanδに対
する値はチタン酸バリウムの場合には減少する。 銅および、元素の周期系第族の別の元素の添
加を1100〜1200℃における〓焼の前および/また
は後に行うことができ、これらの材料をできるだ
け均一な分布にしてセラミツク材料に添加するこ
とが必要である。これは二価の酸化銅を添加する
ことによつても、また予備焼結され、かつ粉砕さ
れたセラミツク粉末を銅の水溶液、例えば水およ
びエタノールの溶液にした硝酸銅または醋酸銅に
含浸せしめることによつてもさらに有効に行なう
ことができる。粉末の含浸後、銅を約700℃にて
約1時間空気中で焼かなければならない。この製
造工程は、銅(二価)の酸化物が直接粉砕されて
予備焼結された粉末になつていれば省略すること
ができる。焼結温度を低下させるための銅の添加
は、元素の周期系の第族の少くとも1種の別の
元素の与えられた一定量と共にセラミツク粉末に
銅が存在するならば、はるかにもつと有効になる
ものと思われる。この別の元素をその酸化物の形
にて添加することができる。二酸化チタン
TiO2、二酸化ジルコニウムZrO2、二酸化錫
SnO2、二酸化ハフニウムHfO2、または二酸化鉛
PbO2について良好な結果が得られた。二酸化ゲ
ルマニウムGeO2および二酸化珪素SiO2によつて
特に好都合な結果が得られた。もし、これらの酸
化物がペロブスキー石の相の主成分(TiO2
ZrO2)を形成するならば、〓焼処理後チタン酸バ
リウムBaTiO3または、例えば(Ba,Ca)(Ti,
Zr)O3のような混晶の化学量論的に秤量された
ペロブスキー石の相に対して銅と一緒にこれらの
酸化物の量を加えるか、または〓焼に先立ち既に
これらの酸化物の量を加えておくことは同様に有
利である。銅−チタンの添加物に関して非常に良
好な結果が、水およびエタノールの溶液における
くえん酸チタンおよび醋酸銅の溶液を予備焼結さ
れた粉末に含浸せしめることによつて達成され
る。モル比にてCu:Ti=1:3〜3:1の銅と
チタンとの組合わせが、焼結温度を低下させるた
めの非常に活性のある添加物として非常に好適で
あるように思われた。最適結果は、1:1の比お
よびペロブスキー石の相(混晶において0〜2モ
ル%の銅)における銅の0.5〜1モル%の全濃度
によつて得られる。 以下本発明を図面につき実施例にてさらに説明
する。 粉末から押圧され、機械的におよび静水圧にて
予め緻密化された形成物の収縮を基礎として膨脹
計によつて種々の添加物の作用が測定された。こ
れらの試料はプリズム形をしていて約6.5×6.5×
17mmの寸法であつた。これらの試料は1185℃の最
高温度まで約4℃/分の速度で空気中で膨脹計に
て加熱された。これらの測定値から試料の密度は
その温度に対する理論密度(ρth)の%の値にお
いて決定された。これらの試料の最終の密度(ρ
E)は、これらの試料が密閉された有孔率を持つ
までは水における上方への静水圧を測定すること
によつて決定された。反対に開放された有孔率を
有する試料の最終の密度は、幾何学的寸法と重量
とを決定することによつて決定された。これらの
測定の結果は第1図〜第4図および表1〜表4に
示される。理論密度ρthの%における密度は、縦
軸に描かれ、℃における温度は横軸に描かれる。
昇温速度はすべての場合に3.9℃/分で、Tnax
1185℃であつた。 第1図は空気中にて1185℃の最高温度まで3.0
℃/分の昇温速度において種々の銅/チタン添加
物を用いた約0.5μmの平均の粒子の大きさを有
する機械的におよび静水圧にて押圧されるチタン
酸バリウム粉末の緻密化を示す。この緻密化は理
論密度ρthの%にて示す。 第1図における1〜5の曲線は次の材料に関す
るものである。すなわち、 1:BaTiO3+1モル%くえん酸チタン 2:BaTiO3添加物なし 3:BaTiO3+1モル%醋酸銅 4:BaTiO3+1モル%醋酸銅+1モル%くえん
酸チタン 5:BaTiO3+1モル%醋酸銅+3モル%くえん
酸チタン すべての添加物は、1150℃における予備焼結後
加えられた。この曲線4は、醋酸銅およびくえん
酸チタンの当モルの添加物がBaTiO3に対し最適
として考えられなければならないことを示す。 第2図は、3.9℃/分の昇温速度においてその
温度に対する約0.5μmの平均の粒子の大きさを
有する機械的にかつ静水圧にて押圧されたチタン
酸バリウム粉末の緻密化を示す。このチタン酸バ
リウム粉末は1150℃にて〓焼後醋酸銅およびくえ
ん酸チタンの溶液の当モルの添加物によつて含浸
せしめた。また、ここでこの密度は理論密度ρth
の%にて示される。この曲線1〜曲線4は次の材
料に関するものである。すなわち、 1:BaTiO3+0.25モル%醋酸銅+0.25モル%く
えん酸チタン 2:BaTiO3+0.5モル%醋酸銅+0.5モル%くえ
ん酸チタン 3:BaTiO3+1モル%醋酸銅+1モル%くえん
酸チタン 4:BaTiO3+2モル%醋酸銅+2モル%くえん
酸チタン これらの焼結曲線の変化は、醋酸銅およびくえ
ん酸チタンの添加された当モルの混合物の最適の
全量が1〜2モル%に達することを示す。 第3a図および第3b図は、3.9℃/分の昇温
速度においてその温度に対する約0.5μmの平均
の粒子の大きさを有するチタン酸バリウム
BaTiO3の機械的におよび静水圧にて押圧した粉
末の緻密化を示す。1150℃にて〓焼後、混合され
た結晶粉末はCuOおよび元素の周期系の第族
の酸化物の当モル量と共にめのうボールを入れた
ボールミルにて粉砕された。第3a図における曲
線1〜曲線3は次の材料に関するものである。す
なわち、 1:BaTiO3+1モル%CuO+1モル%GeO2 2:BaTiO3+1モル%CuO+1モル%SiO2 3:BaTiO3+1モル%CuO+1モル%SnO2 第3b図における曲線1および2は次の材料に関
するものである。すなわち、 1:BaTiO3+1モル%CuO+1モル%HfO2 2:BaTiO3+1モル%CuO+1モル%ZrO2 この組合わせCuO/GeO2が焼結温度を低下さ
せるための実施例に詳細に述べるすべての添加物
の最も著しい効果を示すことは第3a図から明ら
かであろう。(1モル%CuO+1モル%GeO2)の
添加物によつて1000℃までの温度においてすでに
緻密なチタン酸バリウムセラミツクスを焼結する
ことが可能であつた。 第4a図および第4b図は、3.9℃/分の昇温
速度において、その温度に対する約0.5μmの平
均の粒子の大きさを有するチタン酸バリウム
BaTiO3の混晶の機械的におよび静水圧にて押圧
した粉末の緻密化を示す。1100〜1200℃における
〓焼後に、この混合された結晶粉末がCuOおよ
びTiO2の種々の添加物と共にめのうのボールを
入れたボールミルにて粉砕された。 第4a図における曲線1〜曲線4は次の材料に
関するものである。すなわち、 1:(Ba0.87Ca0.13)(Ti0.88Zr0.12)O3、添
加物なし 2:(Ba0.87Ca0.13)(Ti0.88Zr0.12)O3+1
モル%CuO+1モル%TiO2 3:Ba(Ti0.78Zr0.22)O3+1.5モル%CuO+1
モル%TiO2 4:(Ba0.85Pb0.15)TiO3+0.5モル%CuO+
0.5モル%TiO2 第4b図における曲線1〜曲線3は次の材料に
関するものである。すなわち、 1:(Ba0.9Ca0.1)TiO3+0.5モル%CuO+0.5
モル%TiO2 2:(Ba0.68Sr0.32)TiO3+0.5モル%CuO+
0.5モル%TiO2 3:Ba(Ti0.87Sn0.13)O3+0.5モル%CuO+
0.5モル%TiO2 次の表は、ペロブスキー石型構造を有する次の
材料の焼結温度の低下に対する、醋酸銅およびく
えん酸チタンまたは酸化銅および二酸化チタンま
たは二酸化珪素、二酸化ゲルマニウム、二酸化ジ
ルコニウム、二酸化錫、二酸化ハフニウムまたは
二酸化鉛の種々の添加物および当モルの添加物の
影響をそれぞれ示す。すなわち、 チタン酸バリウム―BaTiO3; チタン酸ストロンチウム―SrTiO3; チタン酸カルシウム―CaTiO3; ジルコン酸バリウム―BaZrO3; ジルコン酸カルシウム―CaZrO3; チタン酸ジルコン酸バリウム―Ba(Ti,Zr)
O3; チタン酸錫酸バリウム―Ba(Ti,Sn)O3; チタン酸ジルコン酸バリウム―カルシウム―
(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3; チタン酸バリウム・ストロンチウム―(Ba,
Sr)TiO3; チタン酸バリウム・鉛―(Ba,Pb)TiO3; チタン酸バリウム・カルシウム―(Ba,Ca)
TiO3; 表1は、種々のCu/Ti添加物と共にチタン酸
バリウム―BaTiO3を焼結した結果を示す。1050
℃において焼結した試料の焼結時間は10時間であ
つた。また、1185℃において焼結した試料の焼結
時間は200分であつた。この焼結雰囲気は、空気
0.2〜1バール(bar)の酸素分圧であつた。 この表(モル%における添加物)の第1欄は次
の如く詳細に述べる。すなわち、 (a)=〓焼後の添加物; (b)=〓焼前の添加物; Cu,Ti=水性またはアルコール性溶液; CuO,TiO2=酸化物の形における添加物;
【表】
【表】 (a)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 化学量論的のアルカリ土金属チタン酸塩、ア
    ルカリ土金属ジルコン酸塩、アルカリ土金属錫酸
    塩、および銅化合物の添加物とのこれらの混晶を
    基礎としたペロブスキー石型構造を有する誘電体
    の製造方法において、 銅化合物と、元素の周期系の第族からの元素
    の化合物とを、各0.5〜3モル%の量だけ化学量
    論的のペロブスキー石型構造に添加し、かつこれ
    らの化合物の混合物を、元素の周期系の第族か
    ら選んだ前記元素の酸化物または前記元素の2種
    または3種以上の混合物の酸化物をMe〓O2にて
    表わすと、共融混合物CuO・Cu2OまたはCuO・
    Cu2O・Me〓O2を生成させるために、1000〜1250
    ℃の温度範囲で0.2〜1バール(bar)の酸素分圧
    において焼結することを特徴とするペロブスキー
    石型構造を有する誘導体の製造方法。 2 銅の化合物および元素の周期系の第族から
    の元素の化合物を、1:3〜3:1のモル比にて
    加えることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の方法。 3 ペロブスキー石の相の一部である50モル%ま
    でのアルカリ土金属元素を、鉛で置き換えること
    ができることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の方法。 4 ペロブスキー石の相を形成する出発原料の混
    合後、1100〜1200℃の温度範囲にて〓焼処理を行
    なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の方法。 5 〓焼処理に先立ち、出発原料に対して、添加
    すべき銅の少くとも一部である1モル%までの量
    を、酸化物として、または水/エタノール溶液の
    形において水溶性化合物として加えることを特徴
    とする特許請求の範囲第4項記載の方法。 6 〓焼処理に先立ち、出発原料に対して、元素
    のチタン、ジルコニウム、錫、ハフニウムまたは
    鉛のうちの少くとも1種を、酸化物の形で加える
    ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の方
    法。 7 〓焼処理後、微細に分散されたペロブスキー
    石化合物に対し、銅および元素の珪素、チタン、
    ゲルマニウム、ジルコニウム、錫、ハフニウムま
    たは鉛のうちの少くとも1種を、酸化物として添
    加することを特徴とする特許請求の範囲第4項記
    載の方法。
JP15664577A 1976-12-27 1977-12-27 Method of manufacturing dielectric having perovskite type structure Granted JPS5382000A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2659016A DE2659016C2 (de) 1976-12-27 1976-12-27 Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5382000A JPS5382000A (en) 1978-07-19
JPS62869B2 true JPS62869B2 (ja) 1987-01-09

Family

ID=5996748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15664577A Granted JPS5382000A (en) 1976-12-27 1977-12-27 Method of manufacturing dielectric having perovskite type structure

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4244830A (ja)
JP (1) JPS5382000A (ja)
CA (1) CA1098303A (ja)
DE (1) DE2659016C2 (ja)
FR (1) FR2375154A1 (ja)
GB (1) GB1588250A (ja)
NL (1) NL182799C (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2736688C2 (de) 1977-08-16 1986-02-20 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur
FR2439171A1 (fr) * 1978-10-18 1980-05-16 Thomson Csf Ceramique dielectrique a basse temperature de frittage et son application a la fabrication de composants electroniques
FR2506996A1 (fr) * 1981-05-26 1982-12-03 Europ Composants Electron Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum, d'oxyde de lithium et de fluorure de cuivre, condensateur utilisant une telle composition et procede de fabrication de ladite composition
DE3206502A1 (de) * 1982-02-24 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Dielektrikum auf der basis von bleititanaten sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
US4764494A (en) * 1985-04-26 1988-08-16 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Dielectric ceramic compositions and process for producing the same
JPS62210613A (ja) * 1986-03-12 1987-09-16 松下電器産業株式会社 積層コンデンサ素子
US4772985A (en) * 1986-09-24 1988-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Thick film capacitor
GB8902788D0 (en) * 1989-02-08 1989-03-30 Elmwood Sensors Ceramic material and process for its production
USH987H (en) 1989-06-12 1991-11-05 Temperature stable ceramic dielectric compositions
WO1992000930A1 (en) * 1990-07-13 1992-01-23 Cookson Group Plc Sintering aid
GB9025802D0 (en) * 1990-11-28 1991-01-09 Cookson Group Plc Improved sintering aid
US5721043A (en) * 1992-05-29 1998-02-24 Texas Instruments Incorporated Method of forming improved thin film dielectrics by Pb doping
US5433917A (en) * 1993-09-16 1995-07-18 The Penn State Research Foundation PZT ceramic compositions having reduced sintering temperatures and process for producing same
KR970008754B1 (en) * 1994-12-23 1997-05-28 Korea Inst Sci & Tech Multilayer ceramic capacitor and production thereof
US6399529B1 (en) * 1999-06-14 2002-06-04 Ngk Insulators, Ltd. Electric-field-inducible deformable material
US6277254B1 (en) 1999-12-16 2001-08-21 Honeywell International Inc. Ceramic compositions, physical vapor deposition targets and methods of forming ceramic compositions
US7572748B1 (en) * 2006-10-20 2009-08-11 Skyworks Solutions, Inc. Materials comprising barium zirconate and methods for manufacturing thereof
US8293323B2 (en) * 2007-02-23 2012-10-23 The Penn State Research Foundation Thin metal film conductors and their manufacture
JP7167145B2 (ja) * 2018-06-05 2022-11-08 国立大学法人京都大学 プロトン伝導体およびそれを用いた電気化学デバイス

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL135251C (ja) * 1963-02-22
DE1646988B2 (de) * 1965-03-19 1973-06-14 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Verfahren zum herstellen polykristalliner scheiben-, stabrohr- oder folienfoermiger keramischer kaltleiter- bzw. dielektrikums- bzw. heissleiterkoerper
US3490887A (en) * 1966-03-30 1970-01-20 Corning Glass Works Ferroelectric glass-ceramics
US3851228A (en) * 1972-04-20 1974-11-26 Du Pont Capacitor with copper oxide containing electrode
US3977887A (en) * 1974-03-08 1976-08-31 International Business Machines Corporation High dielectric constant ceramics which can be sintered at low temperatures

Also Published As

Publication number Publication date
DE2659016C2 (de) 1982-03-25
NL7714160A (nl) 1978-06-29
FR2375154A1 (fr) 1978-07-21
NL182799B (nl) 1987-12-16
US4244830A (en) 1981-01-13
DE2659016A1 (de) 1978-06-29
JPS5382000A (en) 1978-07-19
FR2375154B1 (ja) 1983-04-08
CA1098303A (en) 1981-03-31
NL182799C (nl) 1988-05-16
GB1588250A (en) 1981-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62869B2 (ja)
Kuwabara Influence of stoichiometry on the PTCR effect in porous barium titanate ceramics
JPS6320790B2 (ja)
JPS597665B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6051664A (ja) チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法
JPS6398904A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6128619B2 (ja)
Fisher et al. Low-temperature sintering of barium calcium zirconium titanate lead-free piezoelectric ceramics
JP2848712B2 (ja) 誘電体磁器組成物
KR820000664B1 (ko) 페로브스카이트(Perovskite) 구조를 갖는 유전체 제조방법
JPS6128620B2 (ja)
JPH0571538B2 (ja)
JPS6216481B2 (ja)
WO2017104539A1 (ja) 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、及び積層型セラミック電子部品
JPH05262556A (ja) 誘電体磁器の製造方法
JPS6137218B2 (ja)
JPS6217806B2 (ja)
JPH0283257A (ja) 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法
KR940004381B1 (ko) 적층캐패시터용 유전성 세라믹 조성물
JPS6216482B2 (ja)
JPS6216483B2 (ja)
JPS6346925B2 (ja)
JPS629961B2 (ja)
JPS63239709A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6211443B2 (ja)